本申請(qǐng)涉及電子霧化，具體涉及一種電子霧化裝置。
背景技術(shù)：
1、近年來(lái)，隨著mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的快速發(fā)展，mems技術(shù)被廣泛應(yīng)用到傳感器領(lǐng)域。傳統(tǒng)的mems壓阻式壓力傳感器是基于單晶硅壓阻效應(yīng)通常采用惠斯通電橋結(jié)構(gòu)將外界壓力信號(hào)轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的電信號(hào)，通過(guò)測(cè)量該電信號(hào)的數(shù)值從而可知外界壓力信號(hào)的大小。然而，該類(lèi)mems壓阻式壓力傳感器存在檢測(cè)不精準(zhǔn)的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電子霧化裝置，用于解決mems傳感器檢測(cè)不準(zhǔn)的問(wèn)題。
2、根據(jù)本申請(qǐng)的第一個(gè)方面，本申請(qǐng)一些實(shí)施例提供一種電子霧化裝置，包括儲(chǔ)液組件、霧化組件、mems傳感器、電源和控制電路，其中，所述儲(chǔ)液組件用于存儲(chǔ)氣溶膠生成基質(zhì)；所述霧化組件用于霧化所述氣溶膠生成基質(zhì)；所述mems傳感器氣流連通所述電子霧化裝置的氣流通道，用于檢測(cè)所述氣流通道內(nèi)的氣壓變化；所述mems傳感器包括襯底和施力元件；所述襯底上具有惠斯通電橋電路，所述惠斯通電橋電路的橋臂包括壓敏電阻；所述施力元件被配置為在通電情況下產(chǎn)生作用于所述襯底的作用力，所述作用力趨于使所述襯底恢復(fù)形變；所述電源用于直接或間接地向所述霧化組件和所述mems傳感器提供電壓；所述控制電路分別與所述霧化組件、所述mems傳感器和所述電源電連接；所述控制電路用于通過(guò)所述mems傳感器檢測(cè)所述氣流通道內(nèi)的氣壓變化，以及根據(jù)檢測(cè)到的氣壓變化量控制所述霧化組件工作；其中，所述控制電路用于接收所述mems傳感器傳遞的電壓信號(hào)，以確定所述氣流通道內(nèi)的氣壓；且所述控制電路響應(yīng)于大于預(yù)設(shè)氣壓值的電壓信號(hào)，控制所述施力元件工作，以使所述施力元件向所述襯底施加所述作用力，以減小所述襯底因氣壓產(chǎn)生的形變。
3、在其中一些實(shí)施例中，所述襯底具有相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第一表面具有凹槽，所述第二表面具有所述惠斯通電橋電路；所述mems傳感器還包括基板和導(dǎo)電觸點(diǎn)；所述基板覆蓋所述凹槽以形成密封腔體，所述施力元件設(shè)置在所述襯底上；所述導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于所述襯底和/或所述基板上，且與所述施力元件電連接。所述控制電路響應(yīng)于大于所述預(yù)設(shè)氣壓值的電壓信號(hào)，控制所述施力元件工作，以使所述施力元件向所述襯底施加靠近或遠(yuǎn)離所述基板的作用力，以減小所述襯底因氣壓產(chǎn)生的形變。
4、在其中一些實(shí)施例中，所述控制電路響應(yīng)于小于或等于所述預(yù)設(shè)氣壓值的電壓信號(hào)，控制所述施力元件不工作。
5、在其中一些實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)氣壓值為所述凹槽的底壁不被壓壞所能承受的最大氣壓值的90％～100％；可選地，在其中一些實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)氣壓值為導(dǎo)致所述凹槽的底壁受壓形變引起所述壓敏電阻的阻值與壓力關(guān)系發(fā)生漂移的氣壓值。
6、在其中一些實(shí)施例中，所述控制電路用于響應(yīng)于通過(guò)所述惠斯通電橋電路的電壓信號(hào)獲取的所述氣流通道內(nèi)的氣壓小于或等于所述預(yù)設(shè)氣壓值，將根據(jù)所述惠斯通電橋電路輸出的電壓信號(hào)確定地氣流通道內(nèi)地氣壓作為測(cè)量結(jié)果。
7、在其中一些實(shí)施例中，所述控制電路用于響應(yīng)于所述施力元件向所述凹槽的底壁施加靠近或遠(yuǎn)離所述基板的作用力抵消所述襯底因氣壓產(chǎn)生的形變；將根據(jù)向所述施力元件板施加的電信號(hào)重新確定所述氣流通道內(nèi)的氣壓作為所述氣壓變化量。
8、在其中一些實(shí)施例中，所述施力元件包括第一極板和第二極板；所述第一極板設(shè)置于所述凹槽的底壁上；所述第二極板設(shè)置于所述基板上，且與所述第一極板間隔設(shè)置；所述導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述第一極板和所述第二極板中的至少一個(gè)電連接；其中，所述第一極板和所述第二極板被配置為在通電情況下能夠相互排斥或相互吸引。
9、在其中一些實(shí)施例中，所述第一極板和所述第二極板形成平行極板電容器，所述導(dǎo)電觸點(diǎn)包括與所述第一極板電連接的第一導(dǎo)電觸點(diǎn)，以及與所述第二極板電連接的第二導(dǎo)電觸點(diǎn)。
10、在其中一些實(shí)施例中，所述第一極板和所述第二極板中的一個(gè)包括永磁材料，另一個(gè)為電磁鐵；所述導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述電磁鐵電連接，用于改變所述電磁鐵的極性；或所述第一極板和所述第二極板均為電磁鐵；所述導(dǎo)電觸點(diǎn)分別與所述第一極板和所述第二極板電連接，用于改變所述電磁鐵的極性。
11、在其中一些實(shí)施例中，所述施力元件包括設(shè)置于所述凹槽的底壁上的形變材料層，所述形變材料層被配置為能夠在通電情況下發(fā)生形變，從而向所述凹槽的底壁施加靠近或遠(yuǎn)離所述基板的作用力。
12、在其中一些實(shí)施例中，所述形變材料層包括熱致形變材料層或電致形變材料。
13、在其中一些實(shí)施例中，所述形變材料層包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一子形變材料層和多個(gè)第二子形變材料層；多個(gè)所述第一子形變材料層和多個(gè)所述第二子形變材料層交替設(shè)置；所述第一子形變材料層和所述第二子形變材料層在通電情況下向所述凹槽的底壁施加的作用力方向相反；所述導(dǎo)電觸點(diǎn)包括兩個(gè)間隔設(shè)置的第一導(dǎo)電觸點(diǎn)和兩個(gè)間隔設(shè)置的第二導(dǎo)電觸點(diǎn)，所述第一子形變材料層通過(guò)兩個(gè)所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)獨(dú)立控制，所述第二子形變材料層通過(guò)且通過(guò)兩個(gè)所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)獨(dú)立控制
14、依據(jù)上述實(shí)施例的電子霧化裝置，在襯底受到遠(yuǎn)離基板的壓力時(shí)，可以通過(guò)對(duì)施力元件施加直流電壓，使施力元件向凹槽的底壁施加靠近基板的作用力，從而抵消抽吸使襯底受到的壓力；在襯底受到靠近基板的壓力時(shí)，可以通過(guò)對(duì)施力元件施加直流電壓，使施力元件向凹槽的底壁施加遠(yuǎn)離基板的作用力，從而抵消抽吸使襯底受到的壓力。因此整個(gè)抽吸過(guò)程中，應(yīng)變膜的撓度始終較小，由此，改善了襯底的形變不會(huì)與壓力呈理想線(xiàn)性變化的問(wèn)題，從而提高了本申請(qǐng)實(shí)施例mems傳感器的檢測(cè)精度；電子霧化裝置的氣流通道容易形成冷凝液，由于施力元件被密封在凹槽，可以減小施力元件被冷凝液腐蝕或污染的機(jī)會(huì)；電子霧化裝置中的mems傳感器100的可以設(shè)置在任一位置，其可以靈敏地檢測(cè)任意設(shè)定的第一方向和第二方向壓力，相比于相關(guān)技術(shù)的壓阻式傳感器不僅精度更高，應(yīng)用范圍也更大。
1.一種電子霧化裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子霧化裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子霧化裝置，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子霧化裝置，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子霧化裝置，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子霧化裝置，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的電子霧化裝置，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子霧化裝置，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子霧化裝置，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的電子霧化裝置，其特征在于，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子霧化裝置，其特征在于，
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子霧化裝置，其特征在于，