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一種可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的納米棒聚合結(jié)構(gòu)的制作方法

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一種可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的納米棒聚合結(jié)構(gòu)的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及等離激元誘導(dǎo)透明,特別是一種可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的納米棒聚合結(jié)構(gòu)。



背景技術(shù):

光場可激發(fā)金屬納米結(jié)構(gòu)的局域表面等離激元共振現(xiàn)象(localizedsurfaceplasmonresonance,lspr),通過合理設(shè)計微納結(jié)構(gòu),可以在微納尺寸實現(xiàn)對光信號在的操控。各個等離激元振蕩模式的雜化可以實現(xiàn)對光波共振頻率的調(diào)節(jié),從而可應(yīng)用于生物傳感、波導(dǎo)、增強拉曼散射等眾多光電子器件。其中,等離激元誘導(dǎo)透明(plasmon-inducedtransparency,pit)類似于原子系統(tǒng)中的電磁感應(yīng)透明(electromagnetic-inducedtransparency,eit)現(xiàn)象,已經(jīng)通過金屬納米結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。pit是通過激發(fā)光、暗態(tài)磁表面等離激元(magneticsurfaceplasmon,msp)分別與明態(tài)局域表面等離激元(localizedsurfaceplasmon,lsp)之間的耦合產(chǎn)生的。這兩個躍遷路徑間具有量子干涉相消效應(yīng),從而使得金屬納米結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出零吸收現(xiàn)象。這一物理現(xiàn)象可在光開關(guān)、慢光裝置等諸多方面有重要作用。

目前,諸多可實現(xiàn)等離激元誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的金屬納米結(jié)構(gòu)已被報道。以納米柱、納米棒聚合結(jié)構(gòu)為代表,比如納米棒二聚體(公開號:cn104061997a)、納米棒三聚體(公開號:cn104634437a)等,均可在可見光與近紅外波段實現(xiàn)等離激元誘導(dǎo)透明窗口。但大多納米結(jié)構(gòu)的等離激元誘導(dǎo)透明窗口具有窄帶特性。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是針對上述存在問題,提供一種可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的納米棒聚合結(jié)構(gòu),可在可見光與近紅外波段實現(xiàn)寬帶的等離激元誘導(dǎo)透明窗口,這一特性可應(yīng)用于光開關(guān)、慢光裝置等領(lǐng)域。

本發(fā)明的技術(shù)方案:

一種可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的納米棒聚合結(jié)構(gòu),采用金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal,mim)型納米棒聚合結(jié)構(gòu),上層金屬為邊對邊排列的金納米棒二聚體;下層金屬為金納米棒;兩層納米棒之間為二氧化硅絕緣層;從而構(gòu)成了可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的mim型納米棒聚合結(jié)構(gòu)。

所述上層金屬的金納米棒二聚體中,納米棒的長度為240nm、寬度均為60nm、厚度為20nm,兩個納米棒間隔為10nm;下層金納米棒的長度為240nm、寬度為130nm、厚度為20nm;二氧化硅絕緣層的長度為240nm、寬度為130nm、厚度為10nm。

本發(fā)明的工作機理:

通過納米棒間形成的多個電流環(huán),得到多個磁表面等離激元暗態(tài)模式(msps),且各個msps具有接近的共振波長。激發(fā)光、各個msps分別與明態(tài)局域表面等離激元(lsp)之間的耦合并干涉抵消,從而在可見光與近紅外波段內(nèi)實現(xiàn)寬帶的等離激元誘導(dǎo)透明窗口。

本發(fā)明的有益效果是:

本發(fā)明所提出的金屬-絕緣體-金屬型納米棒聚合結(jié)構(gòu),可在可見光與近紅外波段實現(xiàn)寬帶的等離激元誘導(dǎo)透明窗口。這一特性可應(yīng)用于光開關(guān)、慢光裝置等領(lǐng)域。

附圖說明

圖1為納米棒聚合結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為yz平面納米棒聚合結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為納米棒聚合結(jié)構(gòu)的消光譜。

圖中:1.上層金屬2.下層金屬3.二氧化硅絕緣層。

具體實施方式

實施例:

一種可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的納米棒聚合結(jié)構(gòu),如圖1、2所示,上層金屬1為邊對邊排列的金納米棒二聚體,納米棒的長度均為240nm、寬度均為60nm、厚度為20nm、兩個納米棒間隔為10nm;下層金屬2為金納米棒,納米棒的長度為240nm、寬度為130nm、厚度為20nm;兩層納米棒之間為二氧化硅絕緣層3,長度為240nm、寬度為130nm、厚度為10nm。

實際制備過程中,考慮其可操作性,可利用二氧化硅透明介質(zhì)為基底,納米棒聚合結(jié)構(gòu)在基底上呈現(xiàn)平面上的周期性排列。

入射光垂直照射至mim型納米棒聚合結(jié)構(gòu)上,電場方向分布平行于納米棒的短軸。

圖3為納米棒聚合結(jié)構(gòu)的消光譜。圖中顯示:在700nm-830nm波段中,納米棒結(jié)構(gòu)的消光在5%以下,即透射率達(dá)95%以上。這與通常的等離激元誘導(dǎo)透明窗口相比,具有明顯的寬帶性。

對700nm-830nm波段納米棒聚合結(jié)構(gòu)的電磁場、電荷分布進行分析,發(fā)現(xiàn)其寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口是由激發(fā)光及多個具有相近共振波長的磁表面等離激元暗態(tài)模式(msps)共同與納米結(jié)構(gòu)的局域表面等離激元(lsp)明態(tài)模式的干涉抵消產(chǎn)生的。

分別對透明窗口內(nèi)730nm和780nm波長進行電磁場和電荷分布分析。在730nm和780nm處,上層和下層au納米棒電荷均呈現(xiàn)反向分布,但下層納米棒為lsp六極或八極分布,從而在絕緣層中出現(xiàn)小強度磁共振。但是,上層納米棒二聚體中均形成了環(huán)形電流,從而出現(xiàn)了明顯強度的磁表面等離激元暗態(tài)模式(msps),尤其是在二個納米棒的相鄰處,且730nm和780nm處的msps相位相反。其中780nm處msp的出現(xiàn)取決于上層納米棒的小間隔10nm所引起的棒間耦合。所以,納米棒聚合結(jié)構(gòu)700nm-830nm波段的透明窗口,是上層納米棒二聚體msps、絕緣層中磁共振、入射光與底層lsp多極模式共同作用的結(jié)果。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
一種可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的納米棒聚合結(jié)構(gòu),采用金屬?絕緣體?金屬(MIM)型納米棒聚合結(jié)構(gòu),上層金屬為邊對邊排列的金納米棒二聚體;下層金屬為金納米棒;兩層納米棒之間為二氧化硅絕緣層;從而構(gòu)成了可實現(xiàn)寬帶等離激元誘導(dǎo)透明窗口的MIM型納米棒聚合結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明所提出的金屬?絕緣體?金屬型納米棒聚合結(jié)構(gòu),可在可見光與近紅外波段實現(xiàn)寬帶的等離激元誘導(dǎo)透明窗口,這一特性可應(yīng)用于光開關(guān)、慢光裝置等領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員:劉菲;張楷亮;任廣軍;薛力芳
受保護的技術(shù)使用者:天津理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.05
技術(shù)公布日:2017.10.03
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