Coa基板、彩色濾光膜及彩色濾光膜的形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種COA基板、彩色濾光膜及彩色濾光膜的形成方法。該方法包括以下步驟：采用多種色阻在陣列基板上形成色阻層，相鄰的兩種色阻之間存在凸起的疊加區(qū)；在色阻層上形成鈍化層；在鈍化層上形成光阻層；將疊加區(qū)所對應的光阻層去除；將疊加區(qū)所對應的鈍化層去除，以使疊加區(qū)的色阻顯露出來。該彩色濾光膜包括色阻層和鈍化層；色阻層形成在陣列基板之上，色阻層由多種顏色的色阻形成，相鄰的兩種色阻之間存在疊加區(qū)；鈍化層上、疊加區(qū)所對應的位置處的鈍化層被去除以使色阻層顯露出來。COA基板包括上述彩色濾光膜。本發(fā)明能有效降低ODF對組后因色阻殘留氣體釋放導致的液晶氣泡的產(chǎn)生，無需增加額外的費用，也不用犧牲開口率。
【專利說明】
COA基板、彩色濾光膜及彩色濾光膜的形成方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，特別是涉及一種COA基板、彩色濾光膜及彩色濾光膜的形成方法。
【背景技術】
[0002]當前，液晶面板的形成通常采用C0A(Color-filter on Array)工藝，COA工藝是在陣列面板的玻璃完成Array制作后，再接著進行彩色濾光片的制作，也就是所謂陣列上的彩色濾光器(Color Filter On Array)技術，該技術能解決陣列基板和彩膜基板的對位壓盒精度要求高的問題。
[0003]但是，COA工藝產(chǎn)品在形成彩色濾光片的時候，色阻內(nèi)殘留氣體，在模組組裝過程中，特別是在特定的條件下，例如高溫或者高濕條件下，色阻內(nèi)的殘留氣體釋放，很容易產(chǎn)生液晶氣泡，液晶氣泡的產(chǎn)生嚴重影響產(chǎn)品質(zhì)量。
[0004]目前，改善液晶氣泡的問題的技術主要有加大彩膜過孔的直徑或者彩色圖案與黑矩陣之間的交疊區(qū)的管控，但是，這些方法會增加光罩改版的成本以及會犧牲開口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種COA基板、彩色濾光膜及彩色濾光膜的形成方法，能夠解決現(xiàn)有技術存在的增加光罩成本及犧牲開口率的問題。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是:提供一種COA工藝中彩色濾光膜的形成方法，該方法包括以下步驟:采用多種色阻在陣列基板上形成色阻層，相鄰的兩種色阻之間存在凸起的疊加區(qū)；在所述色阻層上形成鈍化層;在所述鈍化層上形成光阻層；將所述疊加區(qū)所對應的所述光阻層去除；將所述疊加區(qū)所對應的所述鈍化層去除，以使所述疊加區(qū)的色阻顯露出來。
[0007]其中，將所述疊加區(qū)所對應的所述鈍化層去除，以使所述疊加區(qū)的色阻顯露出來的步驟之后，還包括:將所述疊加區(qū)凸起的色阻去除，以降低所述疊加區(qū)凸起的高度。
[0008]其中，將所述疊加區(qū)的色阻去除，以降低所述疊加區(qū)凸起的高度的步驟中，采用干式蝕刻的方式將所述疊加區(qū)凸起的色阻去除。
[0009]其中，將所述疊加區(qū)所對應的鈍化層去除，以使所述疊加區(qū)的色阻顯露出來的步驟中，采用蝕刻的方式將所述疊加區(qū)對應的鈍化層去除。
[0010]其中，將所述疊加區(qū)所對應的光阻層去除的步驟中，采用氧等離子體燒光阻的方式將所述疊加區(qū)所對應的所述光阻層去除。
[0011 ]其中，在所述鈍化層上形成光阻層的步驟中，所述光阻層的高度為1-4μπι。
[0012]其中，將所述疊加區(qū)所對應的所述光阻層去除之后，其余區(qū)域的所述光阻層的高度大于lym。
[0013]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是:提供一種COA工藝中形成的彩色濾光膜，該彩色濾光膜包括色阻層和鈍化層;所述色阻層形成在陣列基板之上，所述色阻層由多種顏色的色阻形成，相鄰的兩種色阻之間存在疊加區(qū)；所述鈍化層上、所述疊加區(qū)所對應的位置處的鈍化層被去除以使所述色阻層顯露出來。
[0014]其中，所述色阻層上疊加區(qū)的高度與未疊加的區(qū)域的高度一致。
[0015]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的又一個技術方案是:提供一種COA基板，改COA基板包括上述彩色濾光膜。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本發(fā)明通過將色阻層的疊加區(qū)對應的光阻層和鈍化層去除，使得該疊加區(qū)的色阻顯露出來，從而能在后期制程，如ITO退火及PI PMO制程中，高溫長時間烘烤可以將色阻層內(nèi)的殘留氣體排出，因而防止ODF對組后因色阻殘留氣體的釋放導致液晶氣泡產(chǎn)生。本發(fā)明只需要更改制程條件，無需更改光罩，因而不會產(chǎn)光罩的額外費用，也無需犧牲開口率，即能有效降低ODF對組后因色阻殘留氣體釋放導致的液晶氣泡的產(chǎn)生。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法第一實施例的流程示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中形成光阻層之后的結構示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的光阻層時的結構示意圖；
[0020]圖4是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的光阻層后的結構示意圖；
[0021]圖5是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的鈍化層后的結構示意圖；
[0022]圖6是本發(fā)明形成的彩色濾光膜在后期制程中殘留氣體排出的示意圖；
[0023]圖7是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法第二實施例的流程示意圖；
[0024]圖8是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中形成光阻層之后的結構示意圖；
[0025]圖9是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的光阻層時的結構示意圖；
[0026]圖10是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的光阻層后的結構示意圖；
[0027]圖11是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的鈍化層后的結構示意圖；
[0028]圖12是本發(fā)明形成的彩色濾光膜疊加區(qū)的色阻去除后在后期制程中殘留氣體排出的示意圖；
[0029]圖13是本發(fā)明COA基板實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0030]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進行詳細說明。
[0031]請參閱圖1，圖1是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法第一實施例的流程示意圖。
[0032]本發(fā)明提供的一種COA工藝中彩色濾光膜的形成方法，該方法包括以下步驟:
[0033]SlOl、采用多種色阻在陣列基板上形成色阻層11，相鄰的兩種色阻之間存在凸起的疊加區(qū)111。
[0034]色阻層11由不同顏色的色阻形成，例如，紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻，當然，在其它實施例中，還可以包括白色色阻等色阻，在實際制作時，由于諸如曝光、顯影和固化等制程之后，相鄰色阻的邊緣發(fā)生重疊而形成疊加區(qū)111，該疊加區(qū)111的厚度較非疊加區(qū)厚度大，因而向上凸起，該凸起的疊加區(qū)通常稱為“牛角”。其中，陣列基板可以為TFT陣列基板。
[0035]S102、在色阻層11上形成鈍化層12。
[0036]其中，該鈍化層12為PV鈍化層，PV鈍化層可以由氮化硅等材料形成，起保護作用。
[0037]S103、在鈍化層12上形成光阻層13。
[0038]光阻層13的形成是為了通過黃光制程而形成所需要的圖案。光阻層13形成之后的結構如圖2所示，圖2是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中形成光阻層之后的結構示意圖。
[0039]S104、將疊加區(qū)111所對應的光阻層13去除。
[0040]步驟S104將疊加區(qū)111對應的光阻層13去除，可以使得疊加區(qū)111的鈍化層12顯露出來，以便于步驟S105的進行。如圖3和圖4所示，圖3是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的光阻層時的結構示意圖。圖4是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的光阻層后的結構示意圖。
[0041 ] S105、將疊加區(qū)111所對應的鈍化層12去除，以使疊加區(qū)111的色阻顯露出來。如圖5所示，圖5是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的鈍化層后的結構示意圖。
[0042]由于步驟S104中將疊加區(qū)111的光阻層13去除了，使得鈍化層12顯露出來，所以疊加區(qū)111的鈍化層12沒有了光阻層13的保護，因而可以將疊加區(qū)111對應的鈍化層12去除，使得疊加區(qū)111的色阻顯露出來，相當于在鈍化層12和光阻層13上，疊加區(qū)111的位置處形成了開口，從而可以在后期的制程中高溫環(huán)境下(例如，ITO結晶溫度為230° /30min)，色阻層11內(nèi)的殘留氣體能從該開口處排出，如圖6所示，圖6是本發(fā)明形成的彩色濾光膜在后期制程中殘留氣體排出的示意圖。這樣即使鈍化層12過孔與色阻層13過孔有交疊區(qū)導致PV缺失也不會造成液晶氣泡風險，因而能防止ODF(Onedropf i 11，液晶滴下式)對組后因色阻殘留氣體的釋放導致液晶氣泡產(chǎn)生。
[0043]區(qū)別于現(xiàn)有技術，本發(fā)明通過將色阻層11的疊加區(qū)111對應的光阻層13和鈍化層12去除，使得該疊加區(qū)111的色阻顯露出來，從而能在后期制程，如ITO退火及PI PMO制程中，高溫長時間烘烤可以將色阻層11內(nèi)的殘留氣體排出，因而防止ODF對組后因色阻殘留氣體的釋放導致液晶氣泡產(chǎn)生。本發(fā)明只需要更改制程條件，無需更改光罩，因而不會產(chǎn)光罩的額外費用，也無需犧牲開口率，即能有效降低ODF對組后因色阻殘留氣體釋放導致的液晶氣泡的產(chǎn)生。
[0044]請參閱圖7，圖7是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法第二實施例的流程示意圖。
[0045]本實施例的COA工藝中彩色濾光膜的形成方法具體包括以下步驟:
[0046]S201、采用多種色阻在陣列基板上形成色阻層21，相鄰的兩種色阻之間存在凸起的疊加區(qū)211。
[0047]多種色阻在諸如曝光、顯影和固化等制程之后，相鄰色阻的邊緣發(fā)生重疊而形成疊加區(qū)211，該疊加區(qū)211的厚度較非疊加區(qū)厚度大，因而向上凸起，該凸起的疊加區(qū)211通常稱為“牛角”。
[0048]S202、在色阻層上形成鈍化層22。
[0049]本實施例的鈍化層22由氮化硅形成，其保護作用。
[0050]S203、在鈍化層上形成光阻層23。
[0051]光阻層23的形成以通過黃光制程形成所需要的圖案。步驟S203中，形成的光阻層23的高度為1-4μπι。光阻層23形成之后的結構如圖8所示，圖8是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中形成光阻層之后的結構示意圖。
[0052]S204、將疊加區(qū)211所對應的光阻層23去除。
[0053]步驟S204中，由于疊加區(qū)211對應的光阻層23的厚度比非疊加區(qū)對應的光阻層23的厚度薄，因而采用氧等離子體(plasma+02)燒光阻的方式將疊加區(qū)211所對應的光阻層23去除，該過程中，氧氣被加速了的電子轟擊成氧離子、自由基后，氧化性極強，光阻層23很快被氧化形成二氧化碳和水，而被真空栗抽走，從而達到去除光阻的目的。將疊加區(qū)211所對應的光阻層23去除之后，確包其余區(qū)域的光阻層23的高度大于Ιμπι。如圖9和圖10所示，圖9是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的光阻層時的結構示意圖。圖10是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的光阻層后的結構示意圖。
[0054]S205、將疊加區(qū)211所對應的鈍化層22去除，以使疊加區(qū)211的色阻顯露出來。
[0055]步驟S205中，采用蝕刻的方式將疊加區(qū)211對應的鈍化層22去除，具體為干式蝕刻的方式，例如Plasma+SF6。如圖11所示，圖11是本發(fā)明COA工藝中彩色濾光膜的形成方法中去除疊加區(qū)對應的鈍化層后的結構示意圖。
[0056]S206、將疊加區(qū)211凸起的色阻去除，以降低疊加區(qū)211凸起的高度。
[0057]步驟S206可以在步驟S205中采用干式蝕刻的方式將鈍化層22去除的時候，采用過蝕刻的方式將疊加區(qū)211凸起的色阻去除，從而降低了疊加區(qū)211凸起的高度。如圖12所示，圖12是本發(fā)明形成的彩色濾光膜疊加區(qū)的色阻去除后在后期制程中殘留氣體排出的示意圖。
[0058]在一個實施例中，疊加區(qū)211相對凸起的色阻完全被去除干凈，以使得該疊加區(qū)211的色阻的厚度與非疊加區(qū)的色阻的厚度一致，從而使得色阻層21表面平坦，有利于后續(xù)PI涂布制程中PI液的均勻擴散，提升產(chǎn)品的良率和競爭力。
[0059]本發(fā)明還提供了一種采用⑶A工藝形成的彩色濾光膜，該彩色濾光膜包括色阻層11和鈍化層12。
[0060]色阻層11形成在陣列基板(圖未示)之上，色阻層11由多種顏色的色阻形成，相鄰的兩種色阻之間存在疊加區(qū)111。
[0061 ] 色阻層11由不同顏色的色阻形成，例如，紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻，當然，在其它實施例中，還可以包括白色色阻等。在實際制作時，由于諸如曝光、顯影和固化等制程之后，相鄰色阻的邊緣發(fā)生重疊而形成疊加區(qū)111，該疊加區(qū)111的厚度較非疊加區(qū)厚度大，因而向上凸起，該凸起的疊加區(qū)111通常稱為“牛角”。其中，陣列基板可以為TFT陣列基板。
[0062]鈍化層12上、疊加區(qū)111所對應的位置處的鈍化層12被去除以使色阻層11顯露出來。相當于在鈍化層12上相對于疊加區(qū)111的位置處的鈍化層12被去除形成了開口，從而可以在后期的制程中高溫環(huán)境下(例如，ITO結晶溫度為230°/30min)，色阻層11內(nèi)的殘留氣體能從該開口處排出，因而防止0DF(0nedropfill，液晶滴下式)對組后因色阻殘留氣體的釋放導致液晶氣泡產(chǎn)生。
[0063]在另一個實施例中，如圖12所示，色阻層21上疊加區(qū)211的高度與未疊加的區(qū)域的高度一致。即，在將疊加區(qū)211的鈍化層22去除之后，再將疊加區(qū)211的凸起的色阻去除，從而降低了疊加區(qū)211的高度。使得色阻層21的表面平坦，有利于后續(xù)PI涂布制程中PI液的均勻擴散，提升產(chǎn)品的良率和競爭力。
[0064]請參閱圖13，圖13是本發(fā)明COA基板實施例的結構示意圖。
[0065]本發(fā)明還提供了一種COA基板，該COA基板包括陣列基板31、彩色濾光膜32和透明電極33等，其中，彩色濾光膜32為上述任一實施例的彩色濾光膜32。
[0066]綜上所述，本發(fā)明能有效降低ODF對組后因色阻殘留氣體釋放導致的液晶氣泡的產(chǎn)生，無需增加額外的費用，也不用犧牲開口率。
[0067]以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種COA工藝中彩色濾光膜的形成方法，其特征在于，包括以下步驟: 采用多種色阻在陣列基板上形成色阻層，相鄰的兩種色阻之間存在凸起的疊加區(qū)； 在所述色阻層上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成光阻層； 將所述疊加區(qū)所對應的所述光阻層去除； 將所述疊加區(qū)所對應的所述鈍化層去除，以使所述疊加區(qū)的色阻顯露出來。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述疊加區(qū)所對應的所述鈍化層去除，以使所述疊加區(qū)的色阻顯露出來的步驟之后，還包括: 將所述疊加區(qū)凸起的色阻去除，以降低所述疊加區(qū)凸起的高度。3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，將所述疊加區(qū)的色阻去除，以降低所述疊加區(qū)凸起的高度的步驟中，采用干式蝕刻的方式將所述疊加區(qū)凸起的色阻去除。4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述疊加區(qū)所對應的鈍化層去除，以使所述疊加區(qū)的色阻顯露出來的步驟中，采用蝕刻的方式將所述疊加區(qū)對應的鈍化層去除。5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述疊加區(qū)所對應的光阻層去除的步驟中，采用氧等離子體燒光阻的方式將所述疊加區(qū)所對應的所述光阻層去除。6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述鈍化層上形成光阻層的步驟中，所述光阻層的高度為1-4μηι。7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，將所述疊加區(qū)所對應的所述光阻層去除之后，其余區(qū)域的所述光阻層的高度大于Ιμπι。8.一種COA工藝中形成的彩色濾光膜，其特征在于，包括色阻層和鈍化層； 所述色阻層形成在陣列基板之上，所述色阻層由多種顏色的色阻形成，相鄰的兩種色阻之間存在疊加區(qū)； 所述鈍化層上、所述疊加區(qū)所對應的位置處的鈍化層被去除以使所述色阻層顯露出來。9.根據(jù)權利要求8所述的彩色濾光膜，其特征在于，所述色阻層上疊加區(qū)的高度與未疊加的區(qū)域的高度一致。10.—種COA基板，其特征在于，包括權利要求8或9所述的彩色濾光膜。
【文檔編號】G02F1/1335GK106054473SQ201610361975
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月27日
【發(fā)明人】洪日, 謝克成
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司