本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備，尤其涉及一種噴淋板、一種噴淋頭、一種噴淋板的加工方法，以及一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓上沉積薄膜的均勻性和質(zhì)量直接影響到最終產(chǎn)品的性能。噴淋頭作為薄膜沉積設(shè)備中的一個(gè)重要部件，其主要功能是分配工藝氣體，以在晶圓表面形成均勻的薄膜。傳統(tǒng)的噴淋頭設(shè)計(jì)通常采用多孔結(jié)構(gòu)平面面板，這些面板上的孔以圓周排布或三角排布。然而，這種傳統(tǒng)的噴淋頭設(shè)計(jì)存在一些局限性。

2、在薄膜沉積過程中，由于氣流的作用，噴淋頭表面的預(yù)涂層可能會(huì)脫落，形成顆粒。這些顆粒會(huì)污染晶圓表面，影響薄膜質(zhì)量。此外，由于噴淋頭表面孔的均勻分布，晶圓表面沉積的薄膜可能會(huì)出現(xiàn)缺陷，如米字型印記或條紋性印記，這些缺陷會(huì)影響晶圓的電性能和可靠性。

3、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本領(lǐng)域亟需一種噴淋板，用于改變噴淋頭表面流場的流動(dòng)狀態(tài)，以減少噴淋頭表面顆粒脫落，并提升薄膜平整度，從而提升半導(dǎo)體制造工藝的精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以下給出一個(gè)或多個(gè)方面的簡要概述以提供對(duì)這些方面的基本理解。此概述不是所有構(gòu)想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認(rèn)出所有方面的關(guān)鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個(gè)或多個(gè)方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細(xì)的描述之前序。

2、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本發(fā)明提供一種噴淋板、一種噴淋頭、一種噴淋板的加工方法，以及一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，用于改變噴淋頭表面流場的流動(dòng)狀態(tài)，以減少噴淋頭表面顆粒脫落，并提升薄膜平整度，從而提升半導(dǎo)體制造工藝的精度。

3、具體來說，根據(jù)本發(fā)明第一方面提供的噴淋板包括朝向工藝腔室的第一表面；以及朝向噴淋頭進(jìn)氣口的第二表面，其中，所述第二表面上設(shè)有多條紊流設(shè)于所述噴淋板進(jìn)氣面的溝槽，以結(jié)構(gòu)及多個(gè)通氣孔，所述多個(gè)通氣孔呈非徑向分布，并被設(shè)于各條所述紊流溝槽結(jié)構(gòu)的溝道內(nèi)，其中，所述通氣孔為非徑向分布，用于避免同一徑向上的孔分布密集。

4、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述多條紊流溝槽按同心圓、平行線或網(wǎng)格的形式分布，和/或所述多個(gè)通氣孔按螺旋線、同心圓或三角的形式分布。

5、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述多個(gè)通氣孔按螺旋線的形式分布，其中，多條所述螺旋線以所述第二表面的中心點(diǎn)為起始，按預(yù)設(shè)的角度間隔和/或?qū)挾乳g隔分布，并沿順時(shí)針或逆時(shí)針的方向延伸。

6、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第二表面上和/或各所述通氣孔中還設(shè)有預(yù)涂層，其中，所述預(yù)涂層包括氧化膜和/或氟化膜，用于避免通入所述工藝腔室的反應(yīng)氣體與所述噴淋板的材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。

7、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述預(yù)涂層具有對(duì)應(yīng)其使用壽命的沖擊力上限，各所述紊流溝槽的深度不小于對(duì)應(yīng)所述沖擊力上限的深度下限。

8、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，各所述紊流溝槽的深度與寬度之比為2:1。

9、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，各所述紊流溝槽在所述第二表面的中心區(qū)域的第一深度，小于各所述紊流溝槽在所述第二表面的邊緣區(qū)域的第二深度。

10、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述通氣孔為直孔、臺(tái)階孔及喇叭孔中的至少一者。

11、此外，根據(jù)本發(fā)明第二方面提供的噴淋頭包括：如本發(fā)明第一方面所述的噴淋板；以及噴淋上蓋，設(shè)有進(jìn)氣口，并位于所述噴淋板的上方，其中，噴淋上蓋與所述噴淋板合圍構(gòu)成一混氣腔。

12、此外，根據(jù)本發(fā)明第三方面提供的噴淋板的加工方法包括以下步驟：將如本發(fā)明第一方面所述的噴淋板，安裝到工藝腔室的上方；經(jīng)由所述噴淋板，向所述工藝腔室中的晶圓樣品噴灑工藝氣體，以在其表面沉積薄膜；檢測所述晶圓樣品，以確定其中心區(qū)域的第一薄膜厚度，以及其邊緣區(qū)域的第二薄膜厚度；根據(jù)所述第一薄膜厚度與所述第二薄膜厚度之間的差值，確定對(duì)應(yīng)的修正值；以及根據(jù)所述修正值，增大所述第二表面的邊緣區(qū)域的紊流溝槽的深度，以修正其制備的薄膜在中心區(qū)域與邊緣區(qū)域的厚度差異。

13、此外，根據(jù)本發(fā)明第四方面提供的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)指令。所述計(jì)算機(jī)指令被處理器執(zhí)行時(shí)，實(shí)施如本發(fā)明第三方面所述的噴淋板的加工方法。

技術(shù)特征：

1.一種噴淋板，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述多條紊流溝槽按同心圓、平行線或網(wǎng)格的形式分布，和/或

3.如權(quán)利要求2所述的噴淋板，其特征在于，所述多個(gè)通氣孔按螺旋線的形式分布，其中，多條所述螺旋線以所述第二表面的中心點(diǎn)為起始，按預(yù)設(shè)的角度間隔和/或?qū)挾乳g隔分布，并沿順時(shí)針或逆時(shí)針的方向延伸。

4.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述第二表面上和/或各所述通氣孔中還設(shè)有預(yù)涂層，其中，所述預(yù)涂層包括氧化膜和/或氟化膜，用于避免通入所述工藝腔室的反應(yīng)氣體與所述噴淋板的材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。

5.如權(quán)利要求4所述的噴淋板，其特征在于，所述預(yù)涂層具有對(duì)應(yīng)其使用壽命的沖擊力上限，各所述紊流溝槽的深度不小于對(duì)應(yīng)所述沖擊力上限的深度下限。

6.如權(quán)利要求4所述的噴淋板，其特征在于，各所述紊流溝槽的深度與寬度之比為2:1。

7.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，各所述紊流溝槽在所述第二表面的中心區(qū)域的第一深度，小于各所述紊流溝槽在所述第二表面的邊緣區(qū)域的第二深度。

8.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述通氣孔為直孔、臺(tái)階孔及喇叭孔中的至少一者。

9.一種噴淋頭，其特征在于，包括：

10.一種噴淋板的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

11.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)指令，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)指令被處理器執(zhí)行時(shí)，實(shí)施如權(quán)利要求10所述的噴淋板的加工方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種噴淋板、一種噴淋頭、一種噴淋板的加工方法，以及一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。所述噴淋板朝向工藝腔室的第一表面；以及朝向噴淋頭進(jìn)氣口的第二表面，其中，所述第二表面上設(shè)有多條紊流溝槽，以及多個(gè)通氣孔，所述多個(gè)通氣孔呈非徑向分布，并被設(shè)于各條所述紊流溝槽內(nèi)。通過采用上述噴淋板，本發(fā)明能夠改變噴淋頭表面流場的流動(dòng)狀態(tài)，以減少噴淋頭表面顆粒脫落，并提升薄膜平整度，從而提升半導(dǎo)體制造工藝的精度。

技術(shù)研發(fā)人員：顧顏俁,費(fèi)騰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：拓荊創(chuàng)益（沈陽）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21