本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、化學(xué)氣相沉積是一種在基材表面通過(guò)化學(xué)反應(yīng)沉積一層固體薄膜的技術(shù)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中，用于制造各種薄膜材料，如金屬、絕緣體和半導(dǎo)體。如圖1所示，化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括腔室001和位于腔室001內(nèi)部的底座002。
2、其中，腔室001多次化學(xué)氣相沉積后內(nèi)部表面會(huì)有殘膜003，需要采用等離子氣體等清洗氣體進(jìn)行蝕刻清理?，F(xiàn)有技術(shù)中，通常在腔室001的頂部安裝有rpsc(remote?plasmasource?clean，遠(yuǎn)程等離子體源)裝置004。但是，由于清洗氣體只從腔室中間位置擴(kuò)散，導(dǎo)致腔室001的側(cè)壁、底座002的四角等位置存在的殘膜003很難被清潔到。
3、為此，亟需提供一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備以解決上述問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，能夠徹底清潔腔室內(nèi)部，提高清潔效率和腔室的潔凈度。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，提供以下技術(shù)方案：
3、化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括：
4、工藝腔室，具有反應(yīng)腔，所述工藝腔室的頂壁上設(shè)置有進(jìn)氣接口，所述進(jìn)氣接口與所述反應(yīng)腔連通；
5、等離子體源生成裝置，設(shè)置于所述工藝腔室的頂壁上；
6、第一連接管道，所述第一連接管道的一端與所述等離子體源生成裝置連通，所述第一連接管道的另一端與所述進(jìn)氣接口連通；
7、第二連接管道，所述第二連接管道的一端與所述等離子體源生成裝置連通，所述第二連接管道的另一端與所述工藝腔室的側(cè)壁連接并與所述反應(yīng)腔連通；
8、磁場(chǎng)發(fā)生裝置，設(shè)置于所述工藝腔室外面的底部，用于產(chǎn)生沿第一方向延伸的磁感線。
9、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述側(cè)壁上嵌設(shè)有沿第一方向延伸的條形擴(kuò)散板，所述第二連接管道的一端與所述條形擴(kuò)散板連通，所述條形擴(kuò)散板上設(shè)置有若干個(gè)擴(kuò)散孔。
10、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述條形擴(kuò)散板上沿第一方向間隔設(shè)置有多個(gè)所述擴(kuò)散孔。
11、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述條形擴(kuò)散板上陣列設(shè)置有多組所述擴(kuò)散孔，和/或
12、所述擴(kuò)散孔的內(nèi)徑不大于0.5mm。
13、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述側(cè)壁上周向間隔設(shè)置有多個(gè)所述條形擴(kuò)散板，多個(gè)所述條形擴(kuò)散板均與所述第二連接管道連通。
14、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述側(cè)壁為圓弧形結(jié)構(gòu)。
15、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述工藝腔室還包括開(kāi)關(guān)門(mén)，所述開(kāi)關(guān)門(mén)與所述工藝腔室的側(cè)壁鉸接，用于打開(kāi)或閉合所述反應(yīng)腔。
16、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述第一連接管道上串聯(lián)設(shè)置有第一開(kāi)關(guān)閥，和/或
17、所述第二連接管道上串聯(lián)設(shè)置有第二開(kāi)關(guān)閥。
18、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述磁場(chǎng)發(fā)生裝置包括直流電源模塊和線圈，所述線圈的兩個(gè)末端分別與所述直流電源模塊電連接，所述線圈的中間段以所述工藝腔室的軸線為軸心螺旋繞設(shè)。
19、作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的可選方案，所述磁場(chǎng)發(fā)生裝置還包括防護(hù)殼，所述直流電源模塊和所述線圈均設(shè)置于所述防護(hù)殼內(nèi)。
20、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果：
21、本實(shí)用新型所提供的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，在工藝腔室的頂壁上安裝有等離子體源生成裝置，等離子體源生成裝置通過(guò)第一連接管道和第二連接管道分別從工藝腔室的頂壁和側(cè)壁向反應(yīng)腔內(nèi)通入等離子清洗氣體，清洗氣體不僅可以從工藝腔室的中間向四周擴(kuò)散，也可以從工藝腔室的側(cè)面向周圍擴(kuò)散，使清洗氣體能夠彌散到反應(yīng)腔的各個(gè)角落處，有助于徹底清潔工藝腔室內(nèi)部，提高腔室的潔凈度。通過(guò)在工藝腔室的底部設(shè)置能夠產(chǎn)生磁感線沿第一方向延伸的磁場(chǎng)發(fā)生裝置，發(fā)生的垂直方向上的磁場(chǎng)誘導(dǎo)清洗氣體中的帶電粒子在工藝腔室內(nèi)部做圓周運(yùn)動(dòng)或曲線運(yùn)動(dòng)，這將使等離子氣體中的帶電粒子在工藝腔室內(nèi)部覆蓋更多的位置，一方面工藝腔室內(nèi)部的帶電粒子受到磁場(chǎng)力會(huì)進(jìn)一步發(fā)生碰撞，達(dá)到更充分電離的效果，使清洗能力進(jìn)一步增強(qiáng)；另一方面從工藝腔室外側(cè)通入的清洗氣體中的帶電粒子在磁場(chǎng)力的作用下沿側(cè)壁的內(nèi)壁面做圓周運(yùn)動(dòng)，從而達(dá)到清洗反應(yīng)腔外圍的目的，提高了等離子體源生成裝置對(duì)工藝腔室的清潔效率。
1.化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述側(cè)壁上嵌設(shè)有沿第一方向延伸的條形擴(kuò)散板，所述第二連接管道的一端與所述條形擴(kuò)散板連通，所述條形擴(kuò)散板上設(shè)置有若干個(gè)擴(kuò)散孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述條形擴(kuò)散板上沿第一方向間隔設(shè)置有多個(gè)所述擴(kuò)散孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述條形擴(kuò)散板上陣列設(shè)置有多組所述擴(kuò)散孔，和/或
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述側(cè)壁上周向間隔設(shè)置有多個(gè)所述條形擴(kuò)散板，多個(gè)所述條形擴(kuò)散板均與所述第二連接管道連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述側(cè)壁為圓弧形結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述工藝腔室還包括開(kāi)關(guān)門(mén)，所述開(kāi)關(guān)門(mén)與所述工藝腔室的側(cè)壁鉸接，用于打開(kāi)或閉合所述反應(yīng)腔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述第一連接管道上串聯(lián)設(shè)置有第一開(kāi)關(guān)閥，和/或
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述磁場(chǎng)發(fā)生裝置包括直流電源模塊和線圈，所述線圈的兩個(gè)末端分別與所述直流電源模塊電連接，所述線圈的中間段以所述工藝腔室的軸線為軸心螺旋繞設(shè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述磁場(chǎng)發(fā)生裝置還包括防護(hù)殼，所述直流電源模塊和所述線圈均設(shè)置于所述防護(hù)殼內(nèi)。