專利名稱：用于有機(jī)半導(dǎo)體器件的空穴導(dǎo)電層的摻雜材料及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在有機(jī)電子器件中的空穴注入層的新型的金屬有機(jī)物材料，其中所述有機(jī)電子器件尤其為如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或者有機(jī)發(fā)光電化學(xué)池(OLEEC)或者有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管或者有機(jī)太陽(yáng)能電池或者有機(jī)光檢測(cè)器的發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
在參考文獻(xiàn)中多次說(shuō)明用于摻雜具有電子受主的有機(jī)金屬以提高空穴導(dǎo)電層的導(dǎo)電性(例如 JAL G. He, O. Schneider, D. Qin, X. Zhou, M. Pfeiffer K. Leo, Journal ofApplied Physics 95,5773-5777(2004))。通過(guò)摻雜能夠?qū)⒉牧系膶?dǎo)電性提高一定數(shù)量級(jí)。 原則上存在用于空穴運(yùn)輸層的、尤其低成本的摻雜材料的其他需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是，提供一種使用在空穴導(dǎo)電材料中的其他摻雜材料。因此，該目的的實(shí)現(xiàn)和本發(fā)明的主題是實(shí)現(xiàn)一種摻雜的空穴導(dǎo)電層以使用在有機(jī)電子器件中，所述空穴導(dǎo)電層至少包括空穴導(dǎo)電的基體和二次平面單核過(guò)渡金屬絡(luò)合物作為摻雜材料。此外，本發(fā)明的目的是提供這種空穴導(dǎo)電層的應(yīng)用，以及最后提供一種有機(jī)電子器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施形式，摻雜材料是具有銅、鈀、鉬、鈷、或者鎳原子作為中心原子的二次平面單核過(guò)渡金屬絡(luò)合物。在此，每個(gè)下述絡(luò)合物形式稱作為二次平面的，所述絡(luò)合物形式與根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)分析的四面體的絡(luò)合物配置偏差大于通常的測(cè)量不精確性。在任何情況下都不限制圍繞中心原子的配位體平面的布置。優(yōu)選相對(duì)于空穴導(dǎo)電的基體具有相對(duì)低的LUMO (分子最低未占軌道)，因?yàn)樗龌衔镌诨w中的特征在于更高的路易斯(Lewis)酸度。因此，在那里摻雜效果尤其顯著。由于二次平面的特性，絡(luò)合物在總式相同的情況下能夠存在于其順式或者反式。在一般情況下，尤其在小的取代基R的情況下同樣良好地?fù)诫s兩種同分異構(gòu)體。下面，僅僅討論反式同分異構(gòu)體來(lái)代表兩種同分異構(gòu)體。對(duì)于二次平面過(guò)渡金屬絡(luò)合物的總體種類的例舉是具有銅2+作為中心原子的單核絡(luò)合物的種類。為了建立化合物的二次平面特性，優(yōu)選橋聯(lián)的或者“二齒”的配位體，例如乙酰丙酮。當(dāng)然，在銅作為中心原子的情況下比例如在鈀作為中心原子的情況更重，因?yàn)樗鲎鳛橹行脑拥你~無(wú)論如何示出構(gòu)成二次平面金屬絡(luò)合物的趨勢(shì)。
權(quán)利要求
1.用于有機(jī)電子器件的空穴導(dǎo)電層，其中，包含單核二次平面過(guò)渡金屬絡(luò)合物摻雜材料被引入到空穴導(dǎo)電基體中，所述過(guò)渡金屬絡(luò)合物包含中心原子和配位體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的空穴導(dǎo)電層，其中所述中心原子選自下述過(guò)渡金屬Cu、Co、Ni,Pd,Pt0
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的空穴導(dǎo)電層，其中所述配位體優(yōu)選是二齒的配位體。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的空穴導(dǎo)電層，其中所述配位體選自乙酰丙酮(acac)、三氟乙酰丙酮(tfac)、六氟乙酰丙酮(hfac)、雙(6，6，7，7，8，8，8_七氟-2，2- 二甲基-3，5-辛二酮酸(fod)、雙(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚二酮酸(dpm)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求I至4之一所述的空穴導(dǎo)電層在有機(jī)電子器件中的應(yīng)用。
6.具有摻雜的空穴導(dǎo)電層的有機(jī)電子器件，其中摻雜材料包括為單核的且二次平面的過(guò)渡金屬絡(luò)合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，所述器件是自發(fā)射的器件。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于在有機(jī)電子器件中的空穴注入層的新型的金屬有機(jī)物材料，其中所述有機(jī)電子器件尤其為如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或者有機(jī)發(fā)光電化學(xué)池(OLEEC)或者有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管或者有機(jī)太陽(yáng)能電池或者有機(jī)光檢測(cè)器的發(fā)光器件。如尤其為有機(jī)發(fā)光二極管(

圖1)的有機(jī)電子器件的輝度(cd/m2)、效率(cd/A)和使用壽命(h)與在發(fā)光層中的激子密度和載流子注入質(zhì)量極其相關(guān)，并且此外也通過(guò)所述激子密度和載流子注入質(zhì)量來(lái)限制。本發(fā)明描述一種由二次平面單核過(guò)渡金屬絡(luò)合物制成的空穴注入層，例如銅2+-絡(luò)合物，所述過(guò)渡金屬絡(luò)合物嵌入到空穴導(dǎo)電的基體中。
文檔編號(hào)C09K11/06GK102947414SQ201180018027
公開(kāi)日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2011年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月31日
發(fā)明者大衛(wèi)·哈特曼, 扎比內(nèi)·希什科夫斯基, 安德烈亞斯·卡尼茨, 安娜·馬爾滕貝格爾, 維布克·薩爾費(fèi)特, 岡特·施密德, 揚(yáng)·豪克·韋姆肯 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司