本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硫化檢測方法及相關(guān)設(shè)備。

背景技術(shù)：

電子產(chǎn)品長時(shí)間工作在含硫的環(huán)境中會(huì)引起電阻等元器件的硫化，電阻等元器件的硫化很可能導(dǎo)致系統(tǒng)無法正常運(yùn)行，因此對于機(jī)房(例如通信機(jī)房)來講，檢測機(jī)房是否發(fā)生硫化是維護(hù)機(jī)房環(huán)境、保證系統(tǒng)正常運(yùn)行的一項(xiàng)很重要的工作。

目前，常用的檢測機(jī)房是否硫化的方案有兩種，第一種是掛銅片分析法定性評估，即在機(jī)房的典型位置(例如門口、通風(fēng)口、疑似含硫源附近、重點(diǎn)設(shè)備附近等)放置銅片，且需放置較長時(shí)間(一般為30天)，通過觀察銅片的腐蝕程度，據(jù)此判斷機(jī)房是否發(fā)生硫化。第二種是將機(jī)房空氣通過吸收液(或吸收管)，將空氣中的含硫氣體吸收，得到空氣中硫元素的含量，再除以通過的氣體體積即可得到空氣中硫的濃度，即進(jìn)行定量計(jì)算，整個(gè)檢測流程耗時(shí)也較長(一般為15天)。然而，第一種方案檢測周期長，精度低，第二種方案檢測周期也較長，且成本較高，需由專業(yè)人員操作完成，操作復(fù)雜?？梢姡F(xiàn)有的硫化檢測方法耗時(shí)太長，效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種硫化檢測方法及相關(guān)設(shè)備，可以快速確定通信機(jī)房的硫化情況，提高硫化檢測的實(shí)時(shí)性。

本發(fā)明實(shí)施例第一方面提供了一種硫化檢測方法，應(yīng)用于通信機(jī)房，所述通信機(jī)房包括監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)單板，所述方法包括：

所述監(jiān)測設(shè)備獲取所述至少一個(gè)單板上報(bào)的硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

所述監(jiān)測設(shè)備判斷所述硫化電阻的數(shù)量是否大于或等于預(yù)設(shè)第一數(shù)值。

若是，則所述監(jiān)測設(shè)備確定所述通信機(jī)房發(fā)生硫化，并輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

可選的，所述硫化電阻信息是由所述至少一個(gè)單板根據(jù)在讀內(nèi)存出現(xiàn)錯(cuò)誤檢查和糾正ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)，記錄的錯(cuò)誤信息得到的。

本發(fā)明實(shí)施例第二方面提供了一種硫化檢測方法，應(yīng)用于通信機(jī)房，所述通信機(jī)房包括監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)單板，所述方法包括：

所述至少一個(gè)單板在讀內(nèi)存出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄錯(cuò)誤信息。

所述至少一個(gè)單板根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

所述至少一個(gè)單板將所述硫化電阻信息上報(bào)給所述監(jiān)測設(shè)備，以便于所述監(jiān)測設(shè)備在根據(jù)所述硫化電阻的數(shù)量判斷出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

可選的，所述錯(cuò)誤信息包括錯(cuò)誤地址和ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼，所述至少一個(gè)單板根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，包括：

所述至少一個(gè)單板根據(jù)所述錯(cuò)誤地址確定出錯(cuò)的內(nèi)存，以及根據(jù)所述ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼確定出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線。

所述至少一個(gè)單板確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息。

可選的，所述至少一個(gè)單板確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息之前，所述方法還包括：

所述至少一個(gè)單板判斷所述出錯(cuò)的內(nèi)存上所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線在預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)出錯(cuò)的次數(shù)是否大于或等于預(yù)設(shè)第二數(shù)值。

若是，則執(zhí)行所述至少一個(gè)單板確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息的步驟。

本發(fā)明實(shí)施例第三方面提供了一種監(jiān)測設(shè)備，應(yīng)用于通信機(jī)房，所述通信機(jī)房包括所述監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)單板，所述監(jiān)測設(shè)備包括：

獲取模塊，用于獲取所述至少一個(gè)單板上報(bào)的硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

判斷模塊，用于判斷所述硫化電阻的數(shù)量是否大于或等于預(yù)設(shè)第一數(shù)值。

確定模塊，用于在所述判斷模塊判斷出所述硫化電阻的數(shù)量大于或等于所述預(yù)設(shè)第一數(shù)值時(shí)，確定所述通信機(jī)房發(fā)生硫化。

輸出模塊，用于輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

可選的，所述硫化電阻信息是由所述至少一個(gè)單板根據(jù)在讀內(nèi)存出現(xiàn)錯(cuò)誤檢查和糾正ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)，記錄的錯(cuò)誤信息得到的。

本發(fā)明實(shí)施例第四方面提供了一種單板，應(yīng)用于通信機(jī)房，所述通信機(jī)房包括監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)所述單板，所述單板包括：

記錄模塊，用于在讀內(nèi)存出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄錯(cuò)誤信息。

確定模塊，用于根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

上報(bào)模塊，用于將所述硫化電阻信息上報(bào)給所述監(jiān)測設(shè)備，以便于所述監(jiān)測設(shè)備在根據(jù)所述硫化電阻的數(shù)量判斷出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

可選的，所述錯(cuò)誤信息包括錯(cuò)誤地址和ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼，所述確定模塊根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息的具體方式為：

根據(jù)所述錯(cuò)誤地址確定出錯(cuò)的內(nèi)存，以及根據(jù)所述ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼確定出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線。

確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息。

可選的，所述單板還包括：

判斷模塊，用于判斷所述出錯(cuò)的內(nèi)存上所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線在預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)出錯(cuò)的次數(shù)是否大于或等于預(yù)設(shè)第二數(shù)值，并在判斷出所述出錯(cuò)的內(nèi)存上所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線在所述預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)出錯(cuò)的次數(shù)大于或等于所述預(yù)設(shè)第二數(shù)值時(shí)，觸發(fā)所述確定模塊確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息。

本發(fā)明實(shí)施例中，通信機(jī)房的監(jiān)測設(shè)備獲取至少一個(gè)單板上報(bào)的硫化電阻信息，該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數(shù)量和該硫化電阻的位置，根據(jù)該硫化電阻的數(shù)量確定該通信機(jī)房是否發(fā)生硫化，并在確定該通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出該通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，該提示信息包括該硫化電阻的數(shù)量和/或該硫化電阻的位置，從而可以快速確定通信機(jī)房的硫化情況，提高硫化檢測的實(shí)時(shí)性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通信機(jī)房的架構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種硫化檢測方法的一實(shí)施例流程示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種監(jiān)測設(shè)備的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單板的第一施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種監(jiān)測設(shè)備的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單板的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通信機(jī)房的架構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中所描述的通信機(jī)房，包括監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)單板，其中：

單板的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖2所示，單板包括處理器CPU以及內(nèi)存，CPU與內(nèi)存之間的控制線、地址線、數(shù)據(jù)線均連接有匹配電阻，內(nèi)存為雙列直插式內(nèi)存模塊(Dual-Inline-Memory-Modules，DIMM)，內(nèi)存條的數(shù)量具體為兩個(gè)，即RANK1和RANK2。

其中，CPU具有錯(cuò)誤檢查和糾正(Error Correcting Code，ECC)能力，硫化的電阻其阻值會(huì)逐漸增大，由于數(shù)據(jù)線的傳輸速率最高，采樣時(shí)序要求比控制線和地址線更加嚴(yán)格，電阻硫化后阻值增大后，數(shù)據(jù)線的信號質(zhì)量會(huì)變差，CPU利用ECC能力通過檢測數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)采樣出錯(cuò)可以及時(shí)地確定硫化的電阻。

監(jiān)測設(shè)備，負(fù)責(zé)匯總各個(gè)單板檢測到的硫化電阻信息，例如硫化電阻的數(shù)量和硫化電阻的位置等，根據(jù)各個(gè)單板的硫化電阻信息可以確定整個(gè)通信機(jī)房的硫化情況。

另外，本發(fā)明實(shí)施例不僅僅適用于通信機(jī)房，對于其它需要檢測硫化情況的機(jī)房同樣適用。

需要說明的是，監(jiān)測設(shè)備可以為獨(dú)立于通信機(jī)房中各個(gè)單板的專用設(shè)備，也可以將某一單板同時(shí)作為監(jiān)測設(shè)備使用，本發(fā)明實(shí)施例不做限定。

請參閱圖3，為本發(fā)明實(shí)施例基于圖1所示的通信機(jī)房架構(gòu)提供的一種硫化檢測方法的一實(shí)施例流程示意圖。本實(shí)施例中所描述的硫化檢測方法，包括以下步驟：

301、至少一個(gè)單板在讀內(nèi)存出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄錯(cuò)誤信息。

其中，該錯(cuò)誤信息包括錯(cuò)誤地址和ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼。

具體的，單板上電運(yùn)行后，如果在讀內(nèi)存過程中通過ECC算法校驗(yàn)產(chǎn)生錯(cuò)誤時(shí)，由雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate，DDR)控制器觸發(fā)單板CPU的ECC錯(cuò)誤中斷，進(jìn)入中斷處理程序后，獲取ECC算法校驗(yàn)產(chǎn)生錯(cuò)誤時(shí)記錄的錯(cuò)誤地址以及ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼等錯(cuò)誤信息。

302、所述至少一個(gè)單板根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

具體實(shí)現(xiàn)中，針對每個(gè)內(nèi)存劃分有相應(yīng)的存儲(chǔ)空間地址范圍，單板可以根據(jù)該錯(cuò)誤地址落入的存儲(chǔ)空間地址范圍確定出出錯(cuò)的內(nèi)存。該DDR控制器的ECC譯碼表存儲(chǔ)有ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼與數(shù)據(jù)線編號的對應(yīng)關(guān)系，可以利用該DDR控制器的ECC譯碼表，查詢得到該ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼對應(yīng)的出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線，單板可以確定該出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，進(jìn)而得到該單板上硫化電阻的數(shù)量和硫化電阻的位置，該硫化電阻的位置可以包括所在的內(nèi)存(即該出錯(cuò)的內(nèi)存)和對應(yīng)的數(shù)據(jù)線(即該出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線)。

需要說明的是，不同的內(nèi)存或者內(nèi)存地址可能共用數(shù)據(jù)線，對于出錯(cuò)的內(nèi)存或者內(nèi)存地址不同，但對應(yīng)的出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線相同的情況，判定為一個(gè)電阻硫化。

在一些可行的實(shí)施方式中，由于電阻等電子元件本身具有一定的差異性以及系統(tǒng)本身具有一定的出錯(cuò)概率，為防止誤判，單板可以判斷同一根數(shù)據(jù)線上的ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤是否為持續(xù)性錯(cuò)誤，出現(xiàn)持續(xù)性錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)線連接的電阻才判定為硫化電阻，包括通過判斷預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)同一根數(shù)據(jù)線上出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤的次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)第二數(shù)值，如果達(dá)到該預(yù)設(shè)第二數(shù)值即判定為持續(xù)性錯(cuò)誤，則確定該數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，具體實(shí)現(xiàn)上可以采用例如漏桶算法，例如漏桶容量設(shè)計(jì)為255，時(shí)長設(shè)計(jì)為300秒，當(dāng)出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤的次數(shù)達(dá)到漏桶容量并溢出時(shí)判定為持續(xù)性錯(cuò)誤。

303、所述至少一個(gè)單板將所述硫化電阻信息上報(bào)給監(jiān)測設(shè)備，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

具體的，單板和監(jiān)測設(shè)備之間可以通過有線方式建立通信連接，例如光纖。也可以通過無線方式建立通信連接，例如無線局域網(wǎng)(Wireless Local Area Networks，WLAN)。各個(gè)單板可以周期性地將各自獲取的最新的硫化電阻信息上報(bào)給監(jiān)測設(shè)備，例如可以一天上報(bào)一次，也可以是存在硫化電阻的單板才需要上報(bào)，還可以是各個(gè)單板在其上有新增的硫化電阻時(shí)才需要上報(bào)，該硫化電阻信息具體可以包括各個(gè)單板上硫化電阻的數(shù)量，以及硫化電阻在單板上的位置(包括對應(yīng)的內(nèi)存以及連接的數(shù)據(jù)線)。

304、所述監(jiān)測設(shè)備判斷所述硫化電阻的數(shù)量是否大于或等于預(yù)設(shè)第一數(shù)值，若是，則執(zhí)行步驟305；若否，則結(jié)束本次流程。

305、所述監(jiān)測設(shè)備確定所述通信機(jī)房發(fā)生硫化，并輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

其中，該監(jiān)測設(shè)備判斷該通信機(jī)房是否發(fā)生硫化的標(biāo)準(zhǔn)可以是達(dá)到預(yù)設(shè)第一數(shù)值個(gè)電阻硫化才判定該通信機(jī)房發(fā)生硫化，例如預(yù)設(shè)第一數(shù)值可以為2。

具體的，該監(jiān)測設(shè)備根據(jù)各個(gè)單板上報(bào)的硫化電阻信息，確定當(dāng)前的硫化電阻總數(shù)量，并與預(yù)設(shè)第一數(shù)值進(jìn)行比較，大于或等于預(yù)設(shè)第一數(shù)值時(shí)判定該通信機(jī)房發(fā)生硫化，同時(shí)還可以通過顯示屏、警報(bào)器等輸出提示信息，也可以將提示信息上報(bào)給控制中心，以提示相關(guān)人員采取措施。其中，提示信息具體可以包括硫化電阻的總數(shù)量、各個(gè)單板上硫化電阻的數(shù)量和硫化電阻的位置等，以便于相關(guān)人員快速定位到出現(xiàn)問題的單板以及硫化電阻的具體位置。

舉例來說，某通信機(jī)房里有單板A1、A2和監(jiān)測設(shè)備，單板A1的內(nèi)存劃分為Rank1，地址范圍為0～0x1ffffffff；Rank2，地址范圍為0x200000000～0x2ffffffff，64位bit訪問。單板A2的內(nèi)存劃分為Rank1，地址范圍為0～0x1ffffffff；Rank2，地址范圍為0x200000000～0x2ffffffff，64bit訪問。

單板A1和A2上電運(yùn)行后，各自讀內(nèi)存，如果有單bit錯(cuò)誤，在進(jìn)行ECC算法校驗(yàn)時(shí)會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤，DDR控制器觸發(fā)CPU的ECC錯(cuò)誤中斷，進(jìn)入中斷處理程序后，根據(jù)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄的錯(cuò)誤地址和ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼，確定出錯(cuò)的Rank和地址線。假設(shè)，單板A1的CPU獲取的ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄的錯(cuò)誤地址是0x100035600，ECC錯(cuò)誤校驗(yàn)返回碼Syndrome是10000011，則單板A1根據(jù)錯(cuò)誤地址0x100035600可以確定出錯(cuò)的是Rank1，根據(jù)該DDR控制器的ECC譯碼表(如表1所示)，可以確定出錯(cuò)的是第0根數(shù)據(jù)線，該第0根數(shù)據(jù)線連接的電阻即為硫化電阻。

表1 ECC譯碼表

為防止誤判，單板A1可以判斷Rank1上第0根數(shù)據(jù)線上的ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤是否為持續(xù)性錯(cuò)誤，出現(xiàn)持續(xù)性錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)線連接的電阻才判定為硫化電阻，包括通過判斷預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)該第0根數(shù)據(jù)線上出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤的次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)第二數(shù)值，如果達(dá)到該預(yù)設(shè)第二數(shù)值即判定為持續(xù)性錯(cuò)誤，則確定該第0根數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，具體實(shí)現(xiàn)上可以采用例如漏桶算法，例如漏桶容量設(shè)計(jì)為255，時(shí)長設(shè)計(jì)為300秒，當(dāng)出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤的次數(shù)達(dá)到漏桶容量并溢出時(shí)判定為持續(xù)性錯(cuò)誤。

進(jìn)一步地，單板A1和A2將利用上述方式獲取到的硫化電阻信息上報(bào)給監(jiān)測設(shè)備，監(jiān)測設(shè)備根據(jù)硫化電阻信息中的硫化電阻數(shù)量確定該通信機(jī)房是否發(fā)生硫化。

本發(fā)明實(shí)施例中，通信機(jī)房的單板在讀內(nèi)存出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄錯(cuò)誤信息，并根據(jù)該錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數(shù)量和該硫化電阻的位置，并將該硫化電阻信息上報(bào)給監(jiān)測設(shè)備。該監(jiān)測設(shè)備在根據(jù)該硫化電阻的數(shù)量判斷出該通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出該通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，該提示信息包括該硫化電阻的數(shù)量和/或該硫化電阻的位置，從而可以快速確定通信機(jī)房的硫化情況，提高硫化檢測的實(shí)時(shí)性。

請參閱圖4，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種監(jiān)測設(shè)備的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中所描述的監(jiān)測設(shè)備，應(yīng)用于圖1所示的通信機(jī)房，所述通信機(jī)房包括所述監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)單板，所述監(jiān)測設(shè)備包括：

獲取模塊401，用于獲取所述至少一個(gè)單板上報(bào)的硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

判斷模塊402，用于判斷所述硫化電阻的數(shù)量是否大于或等于預(yù)設(shè)第一數(shù)值。

確定模塊403，用于在所述判斷模塊判斷出所述硫化電阻的數(shù)量大于或等于所述預(yù)設(shè)第一數(shù)值時(shí)，確定所述通信機(jī)房發(fā)生硫化。

輸出模塊404，用于輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

在一些可行的實(shí)施方式中，所述硫化電阻信息是由所述至少一個(gè)單板根據(jù)在讀內(nèi)存出現(xiàn)錯(cuò)誤檢查和糾正ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)，記錄的錯(cuò)誤信息得到的。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例的監(jiān)測設(shè)備的各功能模塊的功能可根據(jù)上述方法實(shí)施例中的方法具體實(shí)現(xiàn)，其具體實(shí)現(xiàn)過程可以參照上述方法實(shí)施例的相關(guān)描述，此處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中，通信機(jī)房的監(jiān)測設(shè)備獲取至少一個(gè)單板上報(bào)的硫化電阻信息，該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數(shù)量和該硫化電阻的位置，根據(jù)該硫化電阻的數(shù)量確定該通信機(jī)房是否發(fā)生硫化，并在確定該通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出該通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，該提示信息包括該硫化電阻的數(shù)量和/或該硫化電阻的位置，從而可以快速確定通信機(jī)房的硫化情況，提高硫化檢測的實(shí)時(shí)性。

請參閱圖5，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單板的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中所描述的單板，應(yīng)用于圖1所示的通信機(jī)房，所述通信機(jī)房包括監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)所述單板，所述單板包括：

記錄模塊501，用于在讀內(nèi)存出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄錯(cuò)誤信息。

確定模塊502，用于根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

上報(bào)模塊503，用于將所述硫化電阻信息上報(bào)給所述監(jiān)測設(shè)備，以便于所述監(jiān)測設(shè)備在根據(jù)所述硫化電阻的數(shù)量判斷出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

在一些可行的實(shí)施方式中，所述錯(cuò)誤信息包括錯(cuò)誤地址和ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼，所述確定模塊502根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息的具體方式為：

根據(jù)所述錯(cuò)誤地址確定出錯(cuò)的內(nèi)存，以及根據(jù)所述ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼確定出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線。

確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息。

在一些可行的實(shí)施方式中，所述單板還包括：

判斷模塊504，用于判斷所述出錯(cuò)的內(nèi)存上所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線在預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)出錯(cuò)的次數(shù)是否大于或等于預(yù)設(shè)第二數(shù)值，并在判斷出所述出錯(cuò)的內(nèi)存上所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線在所述預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)出錯(cuò)的次數(shù)大于或等于所述預(yù)設(shè)第二數(shù)值時(shí)，觸發(fā)所述確定模塊確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例的單板的各功能模塊的功能可根據(jù)上述方法實(shí)施例中的方法具體實(shí)現(xiàn)，其具體實(shí)現(xiàn)過程可以參照上述方法實(shí)施例的相關(guān)描述，此處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中，通信機(jī)房的單板在讀內(nèi)存出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄錯(cuò)誤信息，并根據(jù)該錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數(shù)量和該硫化電阻的位置，并將該硫化電阻信息上報(bào)給監(jiān)測設(shè)備，使得該監(jiān)測設(shè)備在根據(jù)該硫化電阻的數(shù)量判斷出該通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出該通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，該提示信息包括該硫化電阻的數(shù)量和/或該硫化電阻的位置，從而可以快速確定通信機(jī)房的硫化情況，提高硫化檢測的實(shí)時(shí)性。

請參閱圖6，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種監(jiān)測設(shè)備的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中所描述的監(jiān)測設(shè)備，應(yīng)用于圖1所示的通信機(jī)房，所述通信機(jī)房包括所述監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)單板，所述監(jiān)測設(shè)備包括：處理器601、網(wǎng)絡(luò)接口602、存儲(chǔ)器603及用戶接口604。其中，監(jiān)測設(shè)備內(nèi)的處理器601、網(wǎng)絡(luò)接口602、存儲(chǔ)器603及用戶接口604可通過總線或其他方式連接，在本發(fā)明實(shí)施例所示圖6中以通過總線連接為例。

其中，處理器601(或稱中央處理器(Central Processing Unit，CPU))是監(jiān)測設(shè)備的計(jì)算核心以及控制核心。網(wǎng)絡(luò)接口602可選的可以包括標(biāo)準(zhǔn)的有線接口、無線接口(如WI-FI、移動(dòng)通信接口等)。存儲(chǔ)器603(Memory)是監(jiān)測設(shè)備中的記憶設(shè)備，用于存放程序和數(shù)據(jù)。可以理解的是，此處的存儲(chǔ)器603可以是高速RAM存儲(chǔ)器，也可以是非不穩(wěn)定的存儲(chǔ)器(non-volatile memory)，例如至少一個(gè)磁盤存儲(chǔ)器；可選的還可以是至少一個(gè)位于遠(yuǎn)離前述處理器601的存儲(chǔ)裝置。存儲(chǔ)器603提供存儲(chǔ)空間，該存儲(chǔ)空間存儲(chǔ)了監(jiān)測設(shè)備的操作系統(tǒng)，可包括但不限于：Windows系統(tǒng)(一種操作系統(tǒng))、Linux(一種操作系統(tǒng))系統(tǒng)等等。用戶接口604是實(shí)現(xiàn)用戶與監(jiān)測設(shè)備進(jìn)行交互和信息交換的媒介，其具體體現(xiàn)可以包括用于輸出的顯示屏(Display)、觸控屏、用于輸入的鍵盤(Keyboard)等等，需要說明的是，此處的顯示屏和觸控屏可以為一體化設(shè)計(jì)，鍵盤既可以為實(shí)體鍵盤，也可以為觸屏虛擬鍵盤，還可以為實(shí)體與觸屏虛擬相結(jié)合的鍵盤。處理器601用于執(zhí)行存儲(chǔ)器603存儲(chǔ)的程序。其中：

處理器601，用于通過網(wǎng)絡(luò)接口602獲取至少一個(gè)單板上報(bào)的硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

所述處理器601，還用于判斷所述硫化電阻的數(shù)量是否大于或等于預(yù)設(shè)第一數(shù)值。

所述處理器601，還用于在判斷出所述硫化電阻的數(shù)量大于或等于所述預(yù)設(shè)第一數(shù)值時(shí)，確定所述通信機(jī)房發(fā)生硫化，并通過用戶接口604輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

在一些可行的實(shí)施方式中，所述硫化電阻信息是由所述至少一個(gè)單板根據(jù)在讀內(nèi)存出現(xiàn)錯(cuò)誤檢查和糾正ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)，記錄的錯(cuò)誤信息得到的。

具體實(shí)現(xiàn)中，本發(fā)明實(shí)施例中所描述的處理器601、網(wǎng)絡(luò)接口603、用戶接口604可執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例圖3提供的硫化檢測方法中所描述的監(jiān)測設(shè)備的實(shí)現(xiàn)方式，也可執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例圖4所描述的監(jiān)測設(shè)備的實(shí)現(xiàn)方式，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中，通信機(jī)房的監(jiān)測設(shè)備獲取至少一個(gè)單板上報(bào)的硫化電阻信息，該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數(shù)量和該硫化電阻的位置，根據(jù)該硫化電阻的數(shù)量確定該通信機(jī)房是否發(fā)生硫化，并在確定該通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出該通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，該提示信息包括該硫化電阻的數(shù)量和/或該硫化電阻的位置，從而可以快速確定通信機(jī)房的硫化情況，提高硫化檢測的實(shí)時(shí)性。

請參閱圖7，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單板的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中所描述的單板，應(yīng)用于圖1所示的通信機(jī)房，所述通信機(jī)房包括監(jiān)測設(shè)備和至少一個(gè)所述單板，所述單板包括：處理器701、網(wǎng)絡(luò)接口702及存儲(chǔ)器703。其中，單板內(nèi)的處理器701、網(wǎng)絡(luò)接口702及存儲(chǔ)器703可通過總線或其他方式連接，在本發(fā)明實(shí)施例所示圖7中以通過總線連接為例。

其中，處理器701(或稱中央處理器(Central Processing Unit，CPU))是單板的計(jì)算核心以及控制核心。網(wǎng)絡(luò)接口702可選的可以包括標(biāo)準(zhǔn)的有線接口、無線接口(如WI-FI、移動(dòng)通信接口等)。存儲(chǔ)器703(Memory)是單板中的記憶設(shè)備，包括內(nèi)存，用于存放程序和數(shù)據(jù)?？梢岳斫獾氖牵颂幍拇鎯?chǔ)器703可以是高速RAM存儲(chǔ)器，也可以是非不穩(wěn)定的存儲(chǔ)器(non-volatile memory)，例如至少一個(gè)磁盤存儲(chǔ)器；可選的還可以是至少一個(gè)位于遠(yuǎn)離前述處理器701的存儲(chǔ)裝置。存儲(chǔ)器703提供存儲(chǔ)空間，該存儲(chǔ)空間存儲(chǔ)了單板的操作系統(tǒng)，可包括但不限于：Windows系統(tǒng)(一種操作系統(tǒng))、Linux(一種操作系統(tǒng))系統(tǒng)等等。處理器701用于執(zhí)行存儲(chǔ)器703存儲(chǔ)的程序。其中：

處理器701，用于在讀內(nèi)存出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄錯(cuò)誤信息。

所述處理器701，還用于根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和所述硫化電阻的位置。

所述處理器701，還用于通過網(wǎng)絡(luò)接口702將所述硫化電阻信息上報(bào)給所述監(jiān)測設(shè)備，以便于所述監(jiān)測設(shè)備在根據(jù)所述硫化電阻的數(shù)量判斷出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出所述通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，所述提示信息包括所述硫化電阻的數(shù)量和/或所述硫化電阻的位置。

在一些可行的實(shí)施方式中，所述錯(cuò)誤信息包括錯(cuò)誤地址和ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼，所述處理器701根據(jù)所述錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息的具體方式為：

根據(jù)所述錯(cuò)誤地址確定出錯(cuò)的內(nèi)存，以及根據(jù)所述ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤返回碼確定出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線。

確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息。

在一些可行的實(shí)施方式中，所述處理器701，還用于判斷所述出錯(cuò)的內(nèi)存上所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線在預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)出錯(cuò)的次數(shù)是否大于或等于預(yù)設(shè)第二數(shù)值，并在判斷出所述出錯(cuò)的內(nèi)存上所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線在所述預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)出錯(cuò)的次數(shù)大于或等于所述預(yù)設(shè)第二數(shù)值時(shí)，確定所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線連接的電阻為硫化電阻，并根據(jù)所述出錯(cuò)的內(nèi)存和所述出錯(cuò)的數(shù)據(jù)線確定硫化電阻信息。

具體實(shí)現(xiàn)中，本發(fā)明實(shí)施例中所描述的處理器701、網(wǎng)絡(luò)接口702可執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例圖3提供的硫化檢測方法中所描述的單板的實(shí)現(xiàn)方式，也可執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例圖5所描述的單板的實(shí)現(xiàn)方式，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中，通信機(jī)房的單板在讀內(nèi)存出現(xiàn)ECC校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)記錄錯(cuò)誤信息，并根據(jù)該錯(cuò)誤信息確定硫化電阻信息，該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數(shù)量和該硫化電阻的位置，并將該硫化電阻信息上報(bào)給監(jiān)測設(shè)備，使得該監(jiān)測設(shè)備在根據(jù)該硫化電阻的數(shù)量判斷出該通信機(jī)房發(fā)生硫化時(shí)，輸出該通信機(jī)房發(fā)生硫化的提示信息，該提示信息包括該硫化電阻的數(shù)量和/或該硫化電阻的位置，從而可以快速確定通信機(jī)房的硫化情況，提高硫化檢測的實(shí)時(shí)性。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計(jì)算機(jī)程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，可包括如上述各方法的實(shí)施例的流程。其中，所述的存儲(chǔ)介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲(chǔ)記憶體(Read-Only Memory，ROM)或隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory，簡稱RAM)等。

以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種硫化檢測方法及相關(guān)設(shè)備進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。