一種mems加速度傳感器及其制備方法、電子裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種MEMS加速度傳感器及其制備方法、電子裝置，所述MEMS加速度傳感器包括：半導(dǎo)體襯底；第一檢測(cè)質(zhì)量塊，懸空設(shè)置于半導(dǎo)體襯底的上方；第二檢測(cè)質(zhì)量塊，連接設(shè)置于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊的上方并且與水平設(shè)置的所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊相平行；彈簧結(jié)構(gòu)，所述彈簧結(jié)構(gòu)呈水平設(shè)置，彈簧結(jié)構(gòu)的一端位于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊上或/和所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊上，彈簧結(jié)構(gòu)另一端的末端通過其下方的犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底上；其中，第一檢測(cè)質(zhì)量塊包括第一質(zhì)量元件和與所述第一質(zhì)量元件相連接的第一叉指結(jié)構(gòu)，第二檢測(cè)質(zhì)量塊包括第二質(zhì)量元件和與所述第二質(zhì)量元件相連接的第二叉指結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于所述加速度傳感器的靈敏度得到進(jìn)一步提高。
【專利說明】
一種MEMS加速度傳感器及其制備方法、電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種MEMS加速度傳感器及其制備方法、電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，在傳感器(sensor)類產(chǎn)品的市場(chǎng)上，智能手機(jī)、集成CMOS和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件日益成為最主流、最先進(jìn)的技術(shù)，并且隨著技術(shù)的更新，并朝尺寸小、性能高和功耗低的方向發(fā)展。
[0003]其中，MEMS傳感器廣泛應(yīng)用于汽車電子:如TPMS、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力傳感器、汽車剎車系統(tǒng)空氣壓力傳感器、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣歧管壓力傳感器(TMAP)、柴油機(jī)共軌壓力傳感器；消費(fèi)電子:如胎壓計(jì)、血壓計(jì)、櫥用秤、健康秤，洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器，空調(diào)壓力傳感器，洗衣機(jī)、飲水機(jī)、洗碗機(jī)、太陽能熱水器用液位控制壓力傳感器；工業(yè)電子:如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重等，電子音像領(lǐng)域:麥克風(fēng)等設(shè)備。
[0004]MEMS加速度傳感器由于量產(chǎn)成本小，片與片之間的性能匹配度好，工藝與IC電路工藝相兼容而得到了廣泛的研究，是國內(nèi)外比較成熟又比較熱門的一種MEMS器件。其中叉指式電容傳感器由于具有靈敏度高、線性度好、噪音低等優(yōu)點(diǎn)在MEMS加速度傳感器中最為常用。
[0005]所述叉指式MEMS加速度傳感器中包括可移動(dòng)的檢測(cè)質(zhì)量塊，在所述檢測(cè)質(zhì)量塊上設(shè)置有相互交叉的指狀結(jié)構(gòu)，為了提高所述加速度傳感器的靈敏度，需要使所述質(zhì)量塊更大和更厚，但是更大的質(zhì)量塊需要占據(jù)更大的空間，與目前器件尺寸不斷縮小、集成度不斷提高相矛盾，所述方法并不是解決該問題的最好辦法；如果所述質(zhì)量塊更厚，則會(huì)導(dǎo)致蝕刻工藝更加困難，特別是對(duì)于指狀結(jié)構(gòu)輪廓，當(dāng)長(zhǎng)寬比增加時(shí)蝕刻后的指狀輪廓會(huì)變得更加粗糙，因此通過增加質(zhì)量塊的面積和厚度來提高加速度傳感器的靈敏度是很難實(shí)現(xiàn)的。
[0006]因此，需要對(duì)目前所述加速度傳感器作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問題，進(jìn)一步提高加速度傳感器的靈敏度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0008]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種MEMS加速度傳感器，包括:
[0009]半導(dǎo)體襯底；
[0010]第一檢測(cè)質(zhì)量塊，懸空設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底的上方；
[0011]第二檢測(cè)質(zhì)量塊，連接設(shè)置于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊的上方并且與水平設(shè)置的所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊相平行；
[0012]彈簧結(jié)構(gòu)，所述彈簧結(jié)構(gòu)呈水平設(shè)置，所述彈簧結(jié)構(gòu)的一端位于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊上或/和所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊上，所述彈簧結(jié)構(gòu)另一端的末端通過其下方的犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底上；
[0013]其中，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊包括第一質(zhì)量元件和與所述第一質(zhì)量元件相連接的第一叉指結(jié)構(gòu)，第二檢測(cè)質(zhì)量塊包括第二質(zhì)量元件和與所述第二質(zhì)量元件相連接的第二叉指結(jié)構(gòu)。
[0014]可選地，所述第一叉指結(jié)構(gòu)包括相互交叉設(shè)置的第一指狀結(jié)構(gòu)和第二指狀結(jié)構(gòu)，以分別作為動(dòng)感應(yīng)電極和定感應(yīng)電極，其中所述第一指狀結(jié)構(gòu)位于所述第一質(zhì)量元件相對(duì)的兩側(cè)上；
[0015]所述第二叉指結(jié)構(gòu)包括相互交叉設(shè)置的第三指狀結(jié)構(gòu)和第四指狀結(jié)構(gòu)，以分別作為動(dòng)感應(yīng)電極和定感應(yīng)電極，其中所述第三指狀結(jié)構(gòu)位于所述第二質(zhì)量元件相對(duì)的兩側(cè)上。
[0016]可選地，所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)上下相互隔離。
[0017]可選地，所述第一質(zhì)量元件與所述第二質(zhì)量元件之間全部接觸連通。
[0018]可選地，所述第一質(zhì)量元件與所述第二質(zhì)量元件通過位于中間位置的質(zhì)量塊相連接。
[0019]可選地，所述彈簧結(jié)構(gòu)至少為2個(gè)，分別位于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊相對(duì)的兩端或所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊相對(duì)的兩端，其中，所述彈簧結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)相鄰的兩端。
[0020]可選地，所述加速度傳感器為2軸或者3軸加速度傳感器。
[0021]本發(fā)明還提供了一種MEMS加速度傳感器的制備方法，包括:
[0022]步驟S1:提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有第一犧牲材料層和第一檢測(cè)質(zhì)量層；
[0023]步驟S2:圖案化所述第一檢測(cè)質(zhì)量層，以形成第一檢測(cè)質(zhì)量塊，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊包括第一質(zhì)量元件和與所述第一質(zhì)量元件相連接的第一叉指結(jié)構(gòu)；
[0024]步驟S3:沉積第二犧牲材料層，以覆蓋所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊；
[0025]步驟S4:圖案化所述第二犧牲材料層，以形成開口，露出所述第一質(zhì)量元件；
[0026]步驟S5:在所述第二犧牲材料層和露出的所述第一質(zhì)量元件上沉積第二檢測(cè)質(zhì)量層;
[0027]步驟S6:圖案化所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以在所述第一質(zhì)量元件上方形成第二質(zhì)量元件，在所述第一叉指結(jié)構(gòu)的上方形成第二叉指結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第二檢測(cè)質(zhì)量塊；
[0028]步驟S7:去除所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)邊緣以內(nèi)的所述第一犧牲材料層和所述第二犧牲材料層，以形成空腔，釋放所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊和所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊；
[0029]其中所述方法還包括在所述步驟S2中在所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊上形成通過所述第一犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底的彈簧結(jié)構(gòu)，和/或者在所述步驟S6中在所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊上形成通過所述第二犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底的彈簧結(jié)構(gòu)。
[0030]可選地，在所述步驟S4中，圖案化所述第二犧牲材料層，以在所述第一質(zhì)量元件的中間位置形成所述開口，露出部分所述第一質(zhì)量元件，在所述步驟S5中填充所述開口，形成質(zhì)量塊。
[0031]可選地，在所述步驟S4中，圖案化所述犧牲材料層，以形成所述開口，露出全部的所述第一質(zhì)量元件，在所述步驟S5中填充所述開口，形成與所述第一質(zhì)量元件全部接觸的所述第二質(zhì)量元件。
[0032]可選地，在所述步驟S2中圖案化所述第一檢測(cè)質(zhì)量層，以在所述第一質(zhì)量元件上形成第一指狀結(jié)構(gòu)，同時(shí)形成與所述第一指狀結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置的第二指狀結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第一叉指型電容器。
[0033]可選地，在所述步驟S7中去除所述第一指狀結(jié)構(gòu)和所述第一質(zhì)量元件下方的所述第一犧牲材料層，以形成動(dòng)感應(yīng)電極，同時(shí)去除所述第二指狀結(jié)構(gòu)下方的部分所述第一犧牲材料層，以形成定感應(yīng)電極。
[0034]可選地，在所述步驟S6中圖案化所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以在所述第二質(zhì)量元件上形成第三指狀結(jié)構(gòu)，作為動(dòng)感應(yīng)電極，同時(shí)形成與所述第三指狀結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置的第四指狀結(jié)構(gòu)，作為定感應(yīng)電極，構(gòu)成第二叉指型電容器。
[0035]可選地，在所述步驟S7中去除所述第三指狀結(jié)構(gòu)和所述第二質(zhì)量元件下方的所述第二犧牲材料層，以形成動(dòng)感應(yīng)電極，同時(shí)去除所述第四指狀結(jié)構(gòu)下方的部分所述第二犧牲材料層，以形成定感應(yīng)電極。
[0036]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括上述的MEMS加速度傳感器。
[0037]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種加速度傳感器及其制備方法，為了提高所述加速度傳感器的靈敏度，選用檢測(cè)質(zhì)量塊疊層，通過所述上下重疊形成的檢測(cè)疊層使得叉指電容的叉指數(shù)量增加I倍，彈簧的彈性系數(shù)和質(zhì)量塊的質(zhì)量都是原來的兩倍，因此靈敏度至少為原來的兩倍。
[0038]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0039](I)通過所述質(zhì)量塊質(zhì)量的增加，所述加速度傳感器的靈敏度得到進(jìn)一步提高。
[0040](2)所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊和第二檢測(cè)質(zhì)量塊之間相互連接，因此噪聲不會(huì)變的更大。
[0041](3)本發(fā)明所述加速度傳感器可用于兩軸或者三軸的加速度傳感器。
[0042](4)通過采用所述檢測(cè)質(zhì)量塊疊層，所述檢測(cè)質(zhì)量塊上的指狀結(jié)構(gòu)輪廓不會(huì)變的粗糙。
【附圖說明】
[0043]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0044]圖1a-1e本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中MEMS加速度傳感器的制備過程示意圖；
[0045]圖2為本發(fā)明一實(shí)施方式中MEMS加速度傳感器的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0046]圖3為本發(fā)明另一實(shí)施方式中MEMS加速度傳感器的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0047]圖4為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中MEMS加速度傳感器的制備工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0049]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0050]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至IJ”或“耦合至IJ”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0051]空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0052]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0053]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0054]實(shí)施例1
[0055]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種MEMS加速度傳感器，下面結(jié)合附圖對(duì)所述MEMS器件做進(jìn)一步的說明，其中圖1e為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中MEMS加速度傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0056]首先，參照?qǐng)Dle，所述MEMS加速度傳感器，包括:
[0057]半導(dǎo)體襯底101 ；
[0058]第一檢測(cè)質(zhì)量塊103，懸浮設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底的上方；
[0059]第二檢測(cè)質(zhì)量塊104，連接設(shè)置于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊的上方；
[0060]彈簧結(jié)構(gòu)105，所述彈簧結(jié)構(gòu)水平設(shè)置，所述彈簧結(jié)構(gòu)的一端位于所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊104上，另一端通過其下方的犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底101上；
[0061]可選地，本發(fā)明所述加速度傳感器為2軸或者3軸加速度傳感器。
[0062]其中，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103包括第一質(zhì)量元件1033和與所述第一質(zhì)量元件相連接的第一叉指結(jié)構(gòu)，第二檢測(cè)質(zhì)量塊包括第二質(zhì)量元件1043和與所述第二質(zhì)量元件相連接的第二叉指結(jié)構(gòu)。
[0063]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提高所述加速度傳感器的靈敏度，選用檢測(cè)質(zhì)量塊疊層，所述檢測(cè)質(zhì)量塊疊層包括第一檢測(cè)質(zhì)量塊103和第二檢測(cè)質(zhì)量塊104，其中，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103和第二檢測(cè)質(zhì)量塊104均水平設(shè)置，且相互平行，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103和第二檢測(cè)質(zhì)量塊104上下重疊設(shè)置，其中所述第一質(zhì)量元件1033與所述第二質(zhì)量元件1043之間相互電連接，但是所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)之間相互間隔設(shè)置，其中，所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)各自的形成一個(gè)叉指型電容器，用于對(duì)加速度進(jìn)行檢測(cè)。
[0064]其中，所述第一叉指結(jié)構(gòu)包括相互交叉設(shè)置的第一指狀結(jié)構(gòu)1031和第二指狀結(jié)構(gòu)1032，其中所述第一指狀結(jié)構(gòu)1031位于所述第一質(zhì)量元件1033相對(duì)的兩側(cè)，例如所述第一指狀結(jié)構(gòu)1031位于所述第一質(zhì)量元件1033的前后兩側(cè)，如圖1b右側(cè)的圖形所示。
[0065]其中，所述第一指狀結(jié)構(gòu)1031和第二指狀結(jié)構(gòu)1032位于同一平面中，其中，所述第二指狀結(jié)構(gòu)邊緣的下方設(shè)置有犧牲材料層，用于支撐和固定所述第二指狀結(jié)構(gòu)，以形成定感應(yīng)電極，其中所述第一指狀結(jié)構(gòu)懸空設(shè)置，以作為動(dòng)感應(yīng)電極，所述第一指狀結(jié)構(gòu)1031和第二指狀結(jié)構(gòu)1032交錯(cuò)、隔離的設(shè)置，以形成第一叉指型電容器。
[0066]類似地，所述第二叉指結(jié)構(gòu)包括相互交叉設(shè)置的第三指狀結(jié)構(gòu)1041和第四指狀結(jié)構(gòu)1042，其中所述第三指狀結(jié)構(gòu)1041位于所述第一質(zhì)量元件1033的前后兩側(cè)，如圖1d和Ie右側(cè)的圖形所示。
[0067]其中，所述第三指狀結(jié)構(gòu)1041和第四指狀結(jié)構(gòu)1042位于同一平面中，其中，所述第四指狀結(jié)構(gòu)1042邊緣的下方設(shè)置有犧牲材料層，用于支撐和固定所述第四指狀結(jié)構(gòu)1042，以形成定感應(yīng)電極，其中所述第三指狀結(jié)構(gòu)1041懸空設(shè)置，以作為動(dòng)感應(yīng)電極，所述第三指狀結(jié)構(gòu)1041和第四指狀結(jié)構(gòu)1042交錯(cuò)、隔離的設(shè)置，以形成第二叉指型電容器。
[0068]進(jìn)一步，所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)之間形成有空腔，以相互間隔所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)。
[0069]可選地，所述第一質(zhì)量元件1033與所述第二質(zhì)量元件1043之間部分連接，例如所述第一質(zhì)量元件1033與所述第二質(zhì)量元件1043之間通過柱形質(zhì)量塊相連接，如圖1e所示，其中，所述柱形質(zhì)量塊位于所述第一質(zhì)量元件1033的中心。
[0070]進(jìn)一步，所述彈簧結(jié)構(gòu)至少為2個(gè)，均為水平設(shè)置，分別位于所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊104的兩端，所述彈簧結(jié)構(gòu)的末端下方設(shè)置有犧牲材料層，以固定和支撐所述彈簧結(jié)構(gòu)，以將所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103和所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊104連接至所述半導(dǎo)體襯底上。
[0071]本發(fā)明中通過所述設(shè)置使得叉指電容的叉指數(shù)量增加I倍，彈簧的彈性系數(shù)和質(zhì)量塊的質(zhì)量都是原來的兩倍，因此靈敏度至少為原來的兩倍。
[0072]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0073](I)通過所述質(zhì)量塊質(zhì)量的增加，所述加速度傳感器的靈敏度得到進(jìn)一步提高。
[0074](2)所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊和第二檢測(cè)質(zhì)量塊之間相互連接，因此噪聲不會(huì)變的更大。
[0075](3)本發(fā)明所述加速度傳感器可用于兩軸或者三軸的加速度傳感器。
[0076](4)通過采用所述檢測(cè)質(zhì)量塊疊層，所述檢測(cè)質(zhì)量塊上的指狀結(jié)構(gòu)輪廓不會(huì)變的粗糙。
[0077]實(shí)施例2
[0078]下面結(jié)合附圖2對(duì)本發(fā)明的另外一種實(shí)施例方式作進(jìn)一步的說明，附圖2為該MEMS加速度傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0079]在該實(shí)施例中所述彈簧結(jié)構(gòu)105 —端位于第一檢測(cè)質(zhì)量塊103上，另一端通過下方的犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底101上，以將所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103和所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊104連接至所述半導(dǎo)體襯底上，除此之外，其他元件的設(shè)置均參照實(shí)施例1，在此不再贅述。
[0080]在本發(fā)明中第一檢測(cè)質(zhì)量塊上設(shè)置彈簧結(jié)構(gòu)，第二檢測(cè)質(zhì)量塊上不設(shè)置彈簧結(jié)構(gòu)；或者第一檢測(cè)質(zhì)量塊不設(shè)置彈簧結(jié)構(gòu)，而第二檢測(cè)質(zhì)量塊上設(shè)置彈簧結(jié)構(gòu)，靈敏度提高至少四倍。
[0081]實(shí)施例3
[0082]下面結(jié)合附圖3對(duì)本發(fā)明的另外一種實(shí)施例方式作進(jìn)一步的說明，附圖3為該MEMS加速度傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0083]在該實(shí)施例中，所述MEMS加速度傳感器中所述第一質(zhì)量元件1033與所述第二質(zhì)量元件1043之間全部接觸連通，例如所述第一質(zhì)量元件1033與所述第二質(zhì)量元件1043之間上下完全重合，如圖3所示，除此之外，其他元件的設(shè)置均參照實(shí)施例1或2，在此不再贅述。
[0084]在本發(fā)明中所述第一質(zhì)量元件1033與所述第二質(zhì)量元件1043全部連通，而叉指部分相互分開，靈敏度可提高5-8倍。
[0085]實(shí)施例4
[0086]本發(fā)明還提供了一種所述MEMS加速度傳感器的制備方法，下面結(jié)合圖1a-1e對(duì)所述方法做進(jìn)一步的說明，所述Ia-1e為該實(shí)施方式中MEMS加速度傳感器的制備過程示意圖。
[0087]首先，執(zhí)行步驟201，提供半導(dǎo)體襯底101，并在所述半導(dǎo)體襯底101上形成第一犧牲材料層102。
[0088]具體地，如圖1a所示，在該步驟中，所述半導(dǎo)體襯底101可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0089]在該步驟中所述第一犧牲材料層102可以選用Si02、C或BARC。
[0090]其中所述第一犧牲材料層102可以選用現(xiàn)有技術(shù)中常用的沉積方法，例如可以是通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的。
[0091]所述第一犧牲材料層102的厚度并不局限于某一數(shù)值范圍。
[0092]執(zhí)行步驟202，在所述第一犧牲材料層102上沉積第一檢測(cè)質(zhì)量層并圖案化，以形成第一檢測(cè)質(zhì)量塊103，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊包括第一質(zhì)量元件1033和第一叉指結(jié)構(gòu)。
[0093]具體地，如圖1a所示，其中，所述第一檢測(cè)質(zhì)量層選用本領(lǐng)域常用的電極材料，例如，可以選用Al、Si或者SiGe，其中所述第一檢測(cè)質(zhì)量層作為MEMS加速度傳感器中叉指型電容器的電極，其并不局限于所列舉的材料，可以根據(jù)具體需要進(jìn)行選擇。
[0094]然后圖案化所述第一檢測(cè)質(zhì)量層，如圖1b所示，其中，所述Ib右側(cè)圖形為該結(jié)構(gòu)的俯視圖，左側(cè)圖形為右側(cè)圖形沿AA '的剖視圖，具體地的方法包括:在所述第一檢測(cè)質(zhì)量層上形成圖案化的掩膜層，例如光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層中形成有第一檢測(cè)質(zhì)量塊的圖案，然后以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述第一檢測(cè)質(zhì)量層，以形成第一檢測(cè)質(zhì)量塊103，如圖1d所示。
[0095]其中，在所述步驟中圖案化所述第一檢測(cè)質(zhì)量層，以形成第一質(zhì)量元件1033、第一指狀結(jié)構(gòu)1031、第二指狀結(jié)構(gòu)1032，其中，所述第一指狀結(jié)構(gòu)與所述第二指狀結(jié)構(gòu)1032相互交叉，構(gòu)成第一叉指型電容器。
[0096]進(jìn)一步，所述第一指狀結(jié)構(gòu)1031位于第一質(zhì)量元件1033上，可選地，在所述第一質(zhì)量元件1033的兩側(cè)均形成有所述第一指狀結(jié)構(gòu)1031。
[0097]執(zhí)行步驟203，沉積所述第二犧牲材料層102 '，以覆蓋所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103。
[0098]具體地，如圖1c所示，沉積所述第二犧牲材料層102 '，以完全覆蓋所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103，并執(zhí)行平坦化步驟，以獲得平坦的表面。
[0099]在該步驟中所述第二犧牲材料層102 '可以選用Si02、C或BARC。
[0100]其中所述第二犧牲材料層102 ,可以選用現(xiàn)有技術(shù)中常用的沉積方法，例如可以是通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的。
[0101]所述第二犧牲材料層102 '的厚度并不局限于某一數(shù)值范圍，但必須保證覆蓋所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103。
[0102]執(zhí)行步驟204，圖案化所述第二犧牲材料層102 '，以形成開口，露出所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103。
[0103]具體地，如圖1c所示，所述圖案化方法可以選用本領(lǐng)域常用的方法會(huì)進(jìn)行，并不局限于某一種。
[0104]在該步驟中，所述開口具有較小的關(guān)鍵尺寸，以露出部分所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103。
[0105]可選地，所述開口位于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103的中心上，即所述第一質(zhì)量元件的中心上，用于在后面的步驟中形成連接質(zhì)量塊。
[0106]執(zhí)行步驟205，在所述第二犧牲材料層102 '和所述第一質(zhì)量元件上沉積第二檢測(cè)質(zhì)量層。
[0107]具體地，如圖1c所示，在該步驟中沉積第二檢測(cè)質(zhì)量層，以填充所述開口，形成柱形質(zhì)量塊，用于連接所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊104和要形成的第二檢測(cè)質(zhì)量塊104。
[0108]同時(shí)所述第二檢測(cè)質(zhì)量層覆蓋所述第二犧牲材料層102 '，所述第二檢測(cè)質(zhì)量層和所述第一檢測(cè)質(zhì)量層選用相同的材料，并且具有相同的厚度。
[0109]執(zhí)行步驟206，圖案化所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以在所述第一質(zhì)量元件上方形成第二質(zhì)量元件，在所述第一叉指結(jié)構(gòu)的上方形成第二叉指結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第二檢測(cè)質(zhì)量塊104。
[0110]具體地，圖案化所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，如圖1d所示，其中，所述Id右側(cè)圖形為該結(jié)構(gòu)的俯視圖，左側(cè)圖形為右側(cè)圖形沿AA '的剖視圖，具體地的方法包括:在所述第二檢測(cè)質(zhì)量層上形成圖案化的掩膜層，例如光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層中形成有第二檢測(cè)質(zhì)量塊的圖案，然后以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以形成第二檢測(cè)質(zhì)量塊104，如圖1d所示。
[0111]其中，在所述該步驟中圖案化所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以形成第二質(zhì)量元件1043、第三指狀結(jié)構(gòu)1041、第四指狀結(jié)構(gòu)1042，其中，第三指狀結(jié)構(gòu)1041與所述第四指狀結(jié)構(gòu)1042相互交叉，構(gòu)成第二叉指型電容器。
[0112]進(jìn)一步，所述第三指狀結(jié)構(gòu)1041位于第二質(zhì)量元件1043上，可選地，在所述第二質(zhì)量元件1043的兩側(cè)均形成有所述第三指狀結(jié)構(gòu)1041。
[0113]在該步驟中同時(shí)形成位于所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊上的彈簧結(jié)構(gòu)。
[0114]具體地，如圖1d所示，所述彈簧結(jié)構(gòu)至少為2個(gè)，分別位于所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊104的兩端，；例如左右兩端，以將所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103和所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊104連接至所述半導(dǎo)體襯底上。
[0115]執(zhí)行步驟207，去除所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)邊緣以內(nèi)的所述第一犧牲材料層和所述第二犧牲材料層，以形成空腔，釋放所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103和所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊104。
[0116]在該步驟中去除所述第一指狀結(jié)構(gòu)和所述第一質(zhì)量元件下方的所述第一犧牲材料層，以形成動(dòng)感應(yīng)電極，同時(shí)去除所述第二指狀結(jié)構(gòu)下方的部分所述第一犧牲材料層，并且保留所述第二指狀結(jié)構(gòu)外側(cè)邊緣下方的部分所述第一犧牲材料層，以固定所述第二指狀結(jié)構(gòu)，以形成定感應(yīng)電極。
[0117]同樣的，去除所述第三指狀結(jié)構(gòu)和所述第二質(zhì)量元件下方的所述第二犧牲材料層，以形成動(dòng)感應(yīng)電極，同時(shí)去除所述第四指狀結(jié)構(gòu)下方的部分所述第二犧牲材料層，保留所述第四指狀結(jié)構(gòu)外側(cè)邊緣下方的部分所述第二犧牲材料層，以形成定感應(yīng)電極。
[0118]此外，在該步驟中保留所述彈簧結(jié)構(gòu)末端下方的所述第二犧牲材料層，以固定和支撐所述第二質(zhì)量塊。
[0119]具體地，如圖1e所示，所述Id右側(cè)圖形為該結(jié)構(gòu)的俯視圖，左側(cè)圖形為右側(cè)圖形沿AA '的剖視圖，去除所述第一犧牲材料層102后，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊和所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊可以移動(dòng)，通過所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊和所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊的移動(dòng)，檢測(cè)所述第一叉指型電容和所述第二叉指型電容的變化，以檢測(cè)加速度的變化。
[0120]其中，所述第一犧牲材料層102選用氧化物層時(shí)，可以選用TMAH的濕法蝕刻去除所述犧牲材料層。
[0121]所述TMAH溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1% -10%，所述濕法蝕刻溫度為25_90°C，所述濕法蝕刻時(shí)間為lOs-lOOOs，但是并不局限于該示例，還可以選用本領(lǐng)域常用的其他方法。
[0122]至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的MEMS加速度傳感器制備的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制備方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。
[0123]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種加速度傳感器及其制備方法，為了提高所述加速度傳感器的靈敏度，選用檢測(cè)質(zhì)量塊疊層，通過所述上下重疊形成的檢測(cè)疊層使得叉指電容的叉指數(shù)量增加I倍，彈簧的彈性系數(shù)和質(zhì)量塊的質(zhì)量都是原來的兩倍，因此靈敏度至少為原來的兩倍。
[0124]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0125](I)通過所述質(zhì)量塊質(zhì)量的增加，所述加速度傳感器的靈敏度得到進(jìn)一步提高。
[0126](2)所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊和第二檢測(cè)質(zhì)量塊之間相互連接，因此噪聲不會(huì)變的更大。
[0127](3)本發(fā)明所述加速度傳感器可用于兩軸或者三軸的加速度傳感器。
[0128](4)通過采用所述檢測(cè)質(zhì)量塊疊層，所述檢測(cè)質(zhì)量塊上的指狀結(jié)構(gòu)輪廓不會(huì)變的粗糙。
[0129]圖4為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述MEMS加速度傳感器的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟:
[0130]步驟S1:提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有第一犧牲材料層和第一檢測(cè)質(zhì)量層；
[0131]步驟S2:圖案化所述第一檢測(cè)質(zhì)量層，以形成第一檢測(cè)質(zhì)量塊，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊包括第一質(zhì)量元件和與所述第一質(zhì)量元件相連接的第一叉指結(jié)構(gòu)；
[0132]步驟S3:沉積第二犧牲材料層，以覆蓋所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊；
[0133]步驟S4:圖案化所述第二犧牲材料層，以形成開口，露出所述第一質(zhì)量元件；
[0134]步驟S5:在所述第二犧牲材料層和露出的所述第一質(zhì)量元件上沉積第二檢測(cè)質(zhì)量層;
[0135]步驟S6:圖案化所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以在所述第一質(zhì)量元件上方形成第二質(zhì)量元件，在所述第一叉指結(jié)構(gòu)的上方形成第二叉指結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第二檢測(cè)質(zhì)量塊；
[0136]步驟S7:去除所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)邊緣以內(nèi)的所述第一犧牲材料層和所述第二犧牲材料層，以形成空腔，釋放所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊和所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊；
[0137]其中所述方法還包括在所述步驟S2中在所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊上形成通過所述第一犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底的彈簧結(jié)構(gòu)，和/或者在所述步驟S6中在所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊上形成通過所述第二犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底的彈簧結(jié)構(gòu)。
[0138]實(shí)施例5
[0139]本發(fā)明還提供了另外一種實(shí)施方式，在該實(shí)施方式中，在所述步驟202中在所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊上形成彈簧結(jié)構(gòu)。
[0140]具體地，如圖3所示，所述彈簧結(jié)構(gòu)至少為2個(gè)，分別位于所述第一質(zhì)量檢測(cè)塊103的兩端，并通過所述彈簧結(jié)構(gòu)下方的所述第一犧牲材料層將所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊103和所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊104連接至所述半導(dǎo)體襯底上。其他的操作步驟均可以參照實(shí)施例4，在此不再贅述。
[0141]實(shí)施例6
[0142]本發(fā)明還提供了另外一種實(shí)施方式，在該實(shí)施方式中，在所述步驟204中圖案化所述犧牲材料層，以形成所述開口，露出全部的所述第一質(zhì)量元件，然后在步驟205中沉積所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以填充所述開口，形成與所述第一質(zhì)量元件全部接觸連通的所述第二質(zhì)量元件。其他的操作步驟均可以參照實(shí)施例4或5，在此不再贅述。
[0143]實(shí)施例7
[0144]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例1-3所述的MEMS加速度傳感器，或根據(jù)實(shí)施例4-6所述的制備方法得到的MEMS加速度傳感器。
[0145]本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、V⑶、DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述MEMS加速度傳感器的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的MEMS加速度傳感器，因而具有更好的性能。
[0146]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS加速度傳感器，包括: 半導(dǎo)體襯底； 第一檢測(cè)質(zhì)量塊，懸空設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底的上方； 第二檢測(cè)質(zhì)量塊，連接設(shè)置于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊的上方并且與水平設(shè)置的所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊相平行； 彈簧結(jié)構(gòu)，所述彈簧結(jié)構(gòu)呈水平設(shè)置，所述彈簧結(jié)構(gòu)的一端位于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊上或/和所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊上，所述彈簧結(jié)構(gòu)另一端的末端通過其下方的犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底上； 其中，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊包括第一質(zhì)量元件和與所述第一質(zhì)量元件相連接的第一叉指結(jié)構(gòu)，第二檢測(cè)質(zhì)量塊包括第二質(zhì)量元件和與所述第二質(zhì)量元件相連接的第二叉指結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加速度傳感器，其特征在于，所述第一叉指結(jié)構(gòu)包括相互交叉設(shè)置的第一指狀結(jié)構(gòu)和第二指狀結(jié)構(gòu)，以分別作為動(dòng)感應(yīng)電極和定感應(yīng)電極，其中所述第一指狀結(jié)構(gòu)位于所述第一質(zhì)量元件相對(duì)的兩側(cè)上； 所述第二叉指結(jié)構(gòu)包括相互交叉設(shè)置的第三指狀結(jié)構(gòu)和第四指狀結(jié)構(gòu)，以分別作為動(dòng)感應(yīng)電極和定感應(yīng)電極，其中所述第三指狀結(jié)構(gòu)位于所述第二質(zhì)量元件相對(duì)的兩側(cè)上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加速度傳感器，其特征在于，所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)上下相互隔離。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加速度傳感器，其特征在于，所述第一質(zhì)量元件與所述第二質(zhì)量元件之間全部接觸連通。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加速度傳感器，其特征在于，所述第一質(zhì)量元件與所述第二質(zhì)量元件通過位于中間位置的質(zhì)量塊相連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加速度傳感器，其特征在于，所述彈簧結(jié)構(gòu)至少為2個(gè)，分別位于所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊相對(duì)的兩端或所述第二質(zhì)量檢測(cè)塊相對(duì)的兩端，其中，所述彈簧結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)相鄰的兩端。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加速度傳感器，其特征在于，所述加速度傳感器為2軸或者3軸加速度傳感器。8.一種MEMS加速度傳感器的制備方法，包括: 步驟S1:提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有第一犧牲材料層和第一檢測(cè)質(zhì)量層； 步驟S2:圖案化所述第一檢測(cè)質(zhì)量層，以形成第一檢測(cè)質(zhì)量塊，所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊包括第一質(zhì)量元件和與所述第一質(zhì)量元件相連接的第一叉指結(jié)構(gòu)； 步驟S3:沉積第二犧牲材料層，以覆蓋所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊； 步驟S4:圖案化所述第二犧牲材料層，以形成開口，露出所述第一質(zhì)量元件； 步驟S5:在所述第二犧牲材料層和露出的所述第一質(zhì)量元件上沉積第二檢測(cè)質(zhì)量層；步驟S6:圖案化所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以在所述第一質(zhì)量元件上方形成第二質(zhì)量元件，在所述第一叉指結(jié)構(gòu)的上方形成第二叉指結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第二檢測(cè)質(zhì)量塊； 步驟S7:去除所述第一叉指結(jié)構(gòu)和所述第二叉指結(jié)構(gòu)邊緣以內(nèi)的所述第一犧牲材料層和所述第二犧牲材料層，以形成空腔，釋放所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊和所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊； 其中所述方法還包括在所述步驟S2中在所述第一檢測(cè)質(zhì)量塊上形成通過所述第一犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底的彈簧結(jié)構(gòu)，和/或者在所述步驟S6中在所述第二檢測(cè)質(zhì)量塊上形成通過所述第二犧牲材料層固定于所述半導(dǎo)體襯底的彈簧結(jié)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，圖案化所述第二犧牲材料層，以在所述第一質(zhì)量元件的中間位置形成所述開口，露出部分所述第一質(zhì)量元件，在所述步驟S5中填充所述開口，形成質(zhì)量塊。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，圖案化所述犧牲材料層，以形成所述開口，露出全部的所述第一質(zhì)量元件，在所述步驟S5中填充所述開口，形成與所述第一質(zhì)量元件全部接觸的所述第二質(zhì)量元件。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中圖案化所述第一檢測(cè)質(zhì)量層，以在所述第一質(zhì)量元件上形成第一指狀結(jié)構(gòu)，同時(shí)形成與所述第一指狀結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置的第二指狀結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第一叉指型電容器。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在所述步驟S7中去除所述第一指狀結(jié)構(gòu)和所述第一質(zhì)量元件下方的所述第一犧牲材料層，以形成動(dòng)感應(yīng)電極，同時(shí)去除所述第二指狀結(jié)構(gòu)下方的部分所述第一犧牲材料層，以形成定感應(yīng)電極。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步驟S6中圖案化所述第二檢測(cè)質(zhì)量層，以在所述第二質(zhì)量元件上形成第三指狀結(jié)構(gòu)，同時(shí)形成與所述第三指狀結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置的第四指狀結(jié)構(gòu)，構(gòu)成第二叉指型電容器。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在所述步驟S7中去除所述第三指狀結(jié)構(gòu)和所述第二質(zhì)量元件下方的所述第二犧牲材料層，以形成動(dòng)感應(yīng)電極，同時(shí)去除所述第四指狀結(jié)構(gòu)下方的部分所述第二犧牲材料層，以形成定感應(yīng)電極。15.一種電子裝置，包括權(quán)利要求1-7之一所述的MEMS加速度傳感器。
【文檔編號(hào)】G01P15/125GK106033091SQ201510106517
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2015年3月11日
【發(fā)明人】何昭文, 王珊珊
【申請(qǐng)人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司