存儲(chǔ)裝置、控制器及控制方法
【專利摘要】本發(fā)明的實(shí)施方式使對(duì)存儲(chǔ)裝置寫(xiě)入的數(shù)據(jù)的可靠性提高。實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置具備磁盤(pán)、頭部和控制器。頭部具有寫(xiě)部和讀部，所述寫(xiě)部輸出對(duì)照射了光的磁盤(pán)的記錄區(qū)域記錄寫(xiě)數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)，所述讀部從磁盤(pán)的記錄區(qū)域讀入讀數(shù)據(jù)。控制器基于讀部在磁盤(pán)的第1位置讀入的第1讀數(shù)據(jù)的第1頻譜和讀部在第1位置后續(xù)的第2位置讀入的第2讀數(shù)據(jù)的第2頻譜，檢測(cè)在由寫(xiě)部進(jìn)行的對(duì)磁盤(pán)的記錄區(qū)域的寫(xiě)期間是否發(fā)生寫(xiě)部的偏移。
【專利說(shuō)明】存儲(chǔ)裝置、控制器及控制方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)
[0002]本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2015-92227號(hào)(申請(qǐng)日:2015年4月28日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)，包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及存儲(chǔ)裝置、控制器及控制方法。
【背景技術(shù)】
[0004]以往，在硬盤(pán)等磁記錄介質(zhì)中，使用在磁記錄介質(zhì)中設(shè)置的伺服區(qū)域，引導(dǎo)對(duì)磁記錄介質(zhì)進(jìn)行寫(xiě)入的磁頭。
[0005]近年，作為對(duì)磁記錄介質(zhì)的寫(xiě)入方式，提出了熱輔助記錄方式。所謂熱輔助記錄方式，是下述技術(shù):將來(lái)自光源的出射光用照射部變換為照射光而照射磁記錄介質(zhì)(磁盤(pán))的記錄面的一部分，局部地加熱磁記錄介質(zhì)，對(duì)頑磁力下降了的磁記錄介質(zhì)磁性地進(jìn)行寫(xiě)入控制。作為光源的例子，有激光元件。在使用了該激光元件的情況下，輸出激光作為輸出光。作為照射部的例子，有近場(chǎng)光元件。在使用了近場(chǎng)光元件的情況下，照射近場(chǎng)光作為照射光。通過(guò)使用熱輔助記錄方式，可期待面記錄密度的提高。
[0006]但是，隨著面記錄密度提高，在產(chǎn)生了干擾等的情況下，有可能磁頭會(huì)從磁道離開(kāi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實(shí)施方式提供可以使對(duì)存儲(chǔ)裝置寫(xiě)入的數(shù)據(jù)的可靠性提高的存儲(chǔ)裝置、控制器及控制方法。
[0008]實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置具備磁盤(pán)、頭部和控制器。頭部具有寫(xiě)部和讀部，所述寫(xiě)部輸出對(duì)照射了光的磁盤(pán)的記錄區(qū)域記錄寫(xiě)數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)，所述讀部從磁盤(pán)的記錄區(qū)域讀入讀數(shù)據(jù)。控制器基于讀部在磁盤(pán)的第I位置讀入的第I讀數(shù)據(jù)的第I頻譜和讀部在第I位置后續(xù)的第2位置讀入的第2讀數(shù)據(jù)的第2頻譜，檢測(cè)在由寫(xiě)部進(jìn)行的對(duì)磁盤(pán)的記錄區(qū)域的寫(xiě)期間是否發(fā)生寫(xiě)部的偏移。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是表示實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置的一部分的截面構(gòu)成和其他部分的功能構(gòu)成的圖。
[0010]圖2是實(shí)施方式的磁頭的沿磁道方向的截面圖。
[0011]圖3是例示在實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置的各構(gòu)成之間發(fā)送接收的信號(hào)的圖。
[0012]圖4是例示實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置的對(duì)磁盤(pán)寫(xiě)入時(shí)的狀況的圖。
[0013]圖5是例示對(duì)實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)的控制信號(hào)的圖。
[0014]圖6是表示實(shí)施方式的RWC的構(gòu)成的方框圖。
[0015]圖7是例示再現(xiàn)頭從實(shí)施方式的磁盤(pán)上讀入數(shù)據(jù)時(shí)的第I位置關(guān)系的圖。
[0016]圖8是例示對(duì)于再現(xiàn)頭從圖7所示位置讀取的讀數(shù)據(jù)的頻譜分析的結(jié)果的圖。
[0017]圖9是例示再現(xiàn)頭從實(shí)施方式的磁盤(pán)上讀入數(shù)據(jù)時(shí)的第2位置關(guān)系的圖。
[0018]圖10是例示對(duì)于再現(xiàn)頭從圖9所示位置讀取的讀數(shù)據(jù)的頻譜分析的結(jié)果的圖。
[0019]圖11是例示在實(shí)施方式中發(fā)生了磁道偏移的情況下的磁頭的位置關(guān)系的圖。
[0020]圖12是例示使寫(xiě)入控制停止了的情況下的磁道的軌跡的圖。
[0021]圖13是例示實(shí)施方式的磁頭的位置與磁道的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖。
[0022]圖14是表示實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置中的寫(xiě)入控制的步驟的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下參照附圖，詳細(xì)說(shuō)明實(shí)施方式所涉及的磁盤(pán)裝置。另外，本發(fā)明并不由該實(shí)施方式所限定。
[0024]說(shuō)明實(shí)施方式所涉及的磁盤(pán)裝置100。圖1是表示磁盤(pán)裝置100的一部分的截面構(gòu)成和其他部分的功能構(gòu)成的圖。
[0025]如圖1所示，磁盤(pán)裝置100具備外殼101、音圈馬達(dá)102、轉(zhuǎn)軸馬達(dá)103、頭部滑塊104、臂107、軸108、磁頭110、磁盤(pán)50、磁記錄控制部120。在本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置100中，磁盤(pán)50、磁頭110、音圈馬達(dá)102及轉(zhuǎn)軸馬達(dá)103被收置于外殼101。
[0026]磁盤(pán)50是記錄各種信息的圓盤(pán)狀的記錄介質(zhì)，由轉(zhuǎn)軸馬達(dá)103驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)。磁盤(pán)50具有垂直記錄層，該垂直記錄層相對(duì)于表面在垂直方向具有各向異性。磁盤(pán)50例如具有以轉(zhuǎn)軸馬達(dá)103的旋轉(zhuǎn)中心附近為中心的同心圓狀的多個(gè)磁道。
[0027]對(duì)磁盤(pán)50的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)由磁頭110來(lái)進(jìn)行，該磁頭110經(jīng)由頭部滑塊104設(shè)置于頭部支撐機(jī)構(gòu)即臂107的一個(gè)前端。
[0028]磁頭110具備記錄頭IlOw和再現(xiàn)頭110r。磁頭110設(shè)置在頭部滑塊104的尾立而偵U。磁頭I1通過(guò)由磁盤(pán)50的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的升舉力，邊維持從磁盤(pán)50的表面稍微上浮的狀態(tài)，邊在沿磁道方向相對(duì)于磁盤(pán)50的表面相對(duì)地進(jìn)行移動(dòng)。
[0029]本實(shí)施方式的記錄頭I1w通過(guò)升舉力，邊維持從磁盤(pán)50的表面稍微上浮的狀態(tài)，邊在磁盤(pán)50的記錄區(qū)域記錄信息。記錄頭IlOw按照熱輔助記錄方式，由近場(chǎng)光元件5 (參照?qǐng)D2)將激光變換為近場(chǎng)光，對(duì)磁盤(pán)50的表面的一部分照射變換后的近場(chǎng)光。磁盤(pán)50因照射而局部地溫度上升，在溫度上升了的部分，由記錄頭IlOw施加磁場(chǎng)并磁性地記錄信息。即，記錄頭IlOw用于對(duì)磁盤(pán)50進(jìn)行基于熱輔助記錄方式的寫(xiě)工作。
[0030]再現(xiàn)頭IlOr從磁盤(pán)50的磁場(chǎng)讀出信息(讀數(shù)據(jù))。本實(shí)施方式的再現(xiàn)頭IlOr通過(guò)升舉力，邊維持從磁盤(pán)50的表面稍微上浮的狀態(tài)，邊讀出并再現(xiàn)在磁盤(pán)50中記錄的信息。即，再現(xiàn)頭I 1r用于對(duì)磁盤(pán)50的讀工作。
[0031]通過(guò)設(shè)置在臂107的另一端的頭部驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)即音圈馬達(dá)102的驅(qū)動(dòng)，臂107以軸108為中心轉(zhuǎn)動(dòng)。通過(guò)該轉(zhuǎn)動(dòng)，記錄頭IlOw及再現(xiàn)頭IlOr在磁盤(pán)50的與磁道交叉方向在圓弧上移動(dòng)，改變進(jìn)行讀寫(xiě)的對(duì)象磁道。
[0032]磁記錄控制部120具備頭部控制部123、功率控制部121、RWC (讀寫(xiě)通道)124、硬盤(pán)控制部122、存儲(chǔ)部125。頭部控制部(前置放大器)123具備寫(xiě)電流控制部123a、再現(xiàn)信號(hào)檢測(cè)部123b、光控制部123c。功率控制部121具備轉(zhuǎn)軸馬達(dá)控制部121a、音圈馬達(dá)控制部121b。存儲(chǔ)部125例如包括RAM、ROM或非易失性存儲(chǔ)器。
[0033]寫(xiě)電流控制部123a基于來(lái)自RWC124的寫(xiě)信號(hào)，進(jìn)行對(duì)記錄頭IlOw輸出的電流控制。
[0034]再現(xiàn)信號(hào)檢測(cè)部123b基于從再現(xiàn)頭IlOr輸入的信號(hào)，對(duì)RWC124輸出讀數(shù)據(jù)。
[0035]光控制部123c為了控制基于熱輔助記錄方式的寫(xiě)工作，控制用于從記錄頭IlOw的(未圖示的)近場(chǎng)光元件照射光的(未圖示的)光源(例如激光二極管)。
[0036]轉(zhuǎn)軸馬達(dá)控制部121a按照來(lái)自硬盤(pán)控制部122的指示，控制轉(zhuǎn)軸馬達(dá)103。音圈馬達(dá)控制部121b按照來(lái)自硬盤(pán)控制部122的指示，控制音圈馬達(dá)102。
[0037]本實(shí)施方式的磁頭110的記錄頭IlOw至少具備:對(duì)磁盤(pán)50照射光的照射部(近場(chǎng)光元件5);輸出用于對(duì)由照射部照射了光的磁盤(pán)50的記錄區(qū)域記錄寫(xiě)數(shù)據(jù)的記錄磁場(chǎng)的記錄磁極61 (寫(xiě)元件)。
[0038]照射部(近場(chǎng)光元件5)按照光控制部123c的控制，切換照射的光的點(diǎn)亮和熄滅。
[0039]接著，說(shuō)明磁頭110的記錄頭IlOw及再現(xiàn)頭IlOr的詳細(xì)構(gòu)成。圖2是磁頭110的沿磁道方向的截面圖。
[0040]在圖2所示的例子中，紙面左側(cè)設(shè)為頭部滑塊104的尾端側(cè)，紙面右側(cè)設(shè)為前導(dǎo)側(cè)。
[0041]磁頭110在尾端側(cè)具有記錄頭110w，在前導(dǎo)側(cè)具有再現(xiàn)頭110r。換言之，在磁頭110中，記錄頭IlOw與再現(xiàn)頭IlOr相比，靠尾端側(cè)配置。
[0042]再現(xiàn)頭IlOr具備磁阻效應(yīng)元件(讀元件)6、防護(hù)件7、防護(hù)件8。防護(hù)件7及防護(hù)件8配置為在頭部行進(jìn)方向從兩側(cè)夾著磁阻效應(yīng)元件6。由此，磁阻效應(yīng)元件6在由防護(hù)件7及防護(hù)件8從頭部行進(jìn)方向兩側(cè)被磁屏蔽的狀態(tài)下，讀出在磁盤(pán)50記錄的信息(以下，也稱為讀數(shù)據(jù))。
[0043]記錄頭IlOw具備記錄磁極61、磁芯1、記錄線圈3、波導(dǎo)4、近場(chǎng)光元件5。
[0044]記錄磁極61在近場(chǎng)光元件5及波導(dǎo)4的尾端側(cè)，配置于ABS面40。例如，記錄磁極61配置為其磁盤(pán)50側(cè)的端面位于ABS面40上。記錄磁極61配置在近場(chǎng)光元件5的附近，包含軟磁性材料。
[0045]磁芯I以從記錄磁極61的ABS面40側(cè)的部分產(chǎn)生磁場(chǎng)的方式與記錄磁極61連接。磁芯I以從近場(chǎng)光元件5的圖2中的上側(cè)向尾端側(cè)突出并且向ABS面40側(cè)后退的方式延伸，與記錄磁極61連接。磁芯I由軟磁性材料形成。
[0046]記錄線圈3在近場(chǎng)光元件5及波導(dǎo)4的尾端側(cè)，以圍繞磁芯I的方式配置。記錄線圈3沿著圖2中的與紙面垂直的縱向的平面，以圍繞磁芯I的方式卷繞。由此，通過(guò)控制在記錄線圈3流動(dòng)的電流，經(jīng)由磁芯1，記錄磁極61產(chǎn)生磁場(chǎng)，從而在磁盤(pán)50磁性地記錄信息。記錄線圈3例如包含導(dǎo)電性的金屬(例如，Cu)。
[0047]波導(dǎo)4從光源(例如，未圖示的激光二極管)延伸到近場(chǎng)光元件5的附近。由此，波導(dǎo)4將從光源射出的光(例如，激光)向近場(chǎng)光元件5引導(dǎo)。另外，在圖2所示的例子中，示出了波導(dǎo)4設(shè)為板形狀的例子，但是只要是可以將光向近場(chǎng)光元件5引導(dǎo)的構(gòu)造，也可以采用其他的形狀(例如，長(zhǎng)方體形狀等)。
[0048]近場(chǎng)光元件5配置在ABS面40。近場(chǎng)光元件5將所引導(dǎo)的光(例如，激光)變換為近場(chǎng)光，并對(duì)磁盤(pán)50表面的記錄磁極61應(yīng)該進(jìn)行記錄的部分照射近場(chǎng)光。由此，由于磁盤(pán)50的表面中的記錄磁極61應(yīng)該進(jìn)行記錄的部分被加熱，所以該部分的垂直記錄層被高溫化到居里點(diǎn)左右，從而各向異性磁場(chǎng)變小，由記錄磁極61進(jìn)行的信息的記錄變得容易。
[0049]圖3是例示在本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置100的各構(gòu)成之間發(fā)送接收的信號(hào)的圖。
[0050]如圖3所示，硬盤(pán)控制部122根據(jù)從主機(jī)HS經(jīng)由(未圖示的)主機(jī)I/F接受到的命令及/或數(shù)據(jù)311，生成預(yù)定的數(shù)據(jù)312，并向RWC124輸出。
[0051]RffC124進(jìn)行與預(yù)定的數(shù)據(jù)312相應(yīng)的控制。例如，RffC124根據(jù)從主機(jī)HS接收的寫(xiě)入命令及對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，生成應(yīng)該寫(xiě)入于磁盤(pán)50的數(shù)據(jù)(以下，稱為寫(xiě)數(shù)據(jù))313。并且，RWC124以基于存儲(chǔ)部125中存儲(chǔ)的寫(xiě)頻率信息332的頻率，將該寫(xiě)數(shù)據(jù)313輸出至頭部控制部123。
[0052]另外，RWC124生成光控制信號(hào)314。并且，RffC124將光控制信號(hào)314輸出至頭部控制部123，該光控制信號(hào)314是根據(jù)存儲(chǔ)部125中存儲(chǔ)的光常數(shù)信息331和基于寫(xiě)頻率信息332的頻率而生成的。另外，光控制信號(hào)314設(shè)為用于由頭部控制部123控制光源的亮滅的驅(qū)動(dòng)電流的控制信號(hào)。
[0053]頭部控制部123具備光控制部123c，進(jìn)行磁頭110的控制。例如，頭部控制部123生成用于寫(xiě)入與寫(xiě)數(shù)據(jù)313相應(yīng)的磁信息的電流(以下，稱為寫(xiě)電流)315，并將寫(xiě)電流315供給至磁頭110。由此，磁頭110的記錄磁極61產(chǎn)生與寫(xiě)電流315相應(yīng)的磁場(chǎng)，對(duì)磁盤(pán)50寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
[0054]在對(duì)磁盤(pán)50進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入之前，頭部控制部123預(yù)先從存儲(chǔ)部125取得光電流信息333。光電流信息333是用于生成使光源驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流316的設(shè)定，例如保存電流的最大值和/或最小值等。
[0055]頭部控制部123的光控制部123c基于光控制信號(hào)314和光電流信息333，生成對(duì)光源的驅(qū)動(dòng)電流316。并且，頭部控制部123向磁頭110供給所生成的驅(qū)動(dòng)電流316。
[0056]磁頭110的(未圖示的)光源(例如，激光元件)按照所輸入的驅(qū)動(dòng)電流316，產(chǎn)生光(例如，激光)。并且，圖2的波導(dǎo)4將由光源產(chǎn)生的激光引導(dǎo)至近場(chǎng)光元件5。并且，近場(chǎng)光元件5將激光變換為近場(chǎng)光，并對(duì)磁盤(pán)50的記錄面的一部分照射變換后的近場(chǎng)光。由此，在磁盤(pán)50的記錄面，局部地溫度上升。
[0057]并且，磁頭110的記錄磁極61對(duì)溫度上升了的部分施加磁場(chǎng)，對(duì)磁盤(pán)50磁性地記錄數(shù)據(jù)(在磁盤(pán)50的記錄面將數(shù)據(jù)磁化)。
[0058]然后，磁頭5的再現(xiàn)頭IlOr基于在磁盤(pán)50產(chǎn)生的磁場(chǎng)(磁化)，向頭部控制部123輸出與所讀入的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電流(以下，稱為讀電流)321。頭部控制部123基于所輸入的讀電流321，生成讀數(shù)據(jù)322，將其向RWCl24輸出。
[0059]本實(shí)施方式的RWC124基于所輸入的讀數(shù)據(jù)322，檢測(cè)磁頭110的磁道偏移。然后，RWC124在判定為磁頭110的記錄頭IlOw從寫(xiě)入對(duì)象的磁道離開(kāi)的情況下，向硬盤(pán)控制部122輸出用于使寫(xiě)入控制停止的寫(xiě)工作停止信號(hào)324。
[0060]圖4是例示本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置100的向磁盤(pán)50寫(xiě)入時(shí)的狀況的圖。如圖4所示，通過(guò)從近場(chǎng)光元件5對(duì)磁盤(pán)50的表面的一部分照射近場(chǎng)光，在磁盤(pán)50上產(chǎn)生熱點(diǎn)(加熱部)501。然后，對(duì)局部地加熱了的、換言之頑磁力降低了的加熱點(diǎn)501，磁頭110的記錄磁極61施加與寫(xiě)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)。
[0061]在本實(shí)施方式中，從近場(chǎng)光元件5照射的近場(chǎng)光按照預(yù)定的周期，反復(fù)點(diǎn)亮和熄滅。由此，在磁盤(pán)50上發(fā)生了磁化反轉(zhuǎn)的區(qū)域502也按照在點(diǎn)亮?xí)r產(chǎn)生的加熱點(diǎn)501的形狀而形成。
[0062]從而，在磁盤(pán)50的磁道上，形成按照加熱點(diǎn)501的形狀而磁化了的區(qū)域組510。在圖4所示的例子中，用陰影的不同區(qū)別垂直磁化的方向(極性)。例如，在區(qū)域521，垂直磁化為下方向(從盤(pán)表面朝向內(nèi)側(cè)的方向)，在區(qū)域522，垂直磁化設(shè)為上方向(從盤(pán)內(nèi)側(cè)朝向表面的方向)。
[0063]圖5是例示對(duì)本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置100寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)的控制信號(hào)的圖。
[0064]在圖5的㈧例示本實(shí)施方式的寫(xiě)電流的圖形，在圖5的⑶例示光源(激光二極管)的照射圖形。在⑶中，L電平表示熄滅，H電平表示點(diǎn)亮。例如，如時(shí)段601所示，對(duì)光源的點(diǎn)亮和熄滅進(jìn)行切換的頻率設(shè)為寫(xiě)數(shù)據(jù)的最小T的頻率的2倍。換言之，在寫(xiě)電流切換的(變化的)定時(shí)，以光源(激光二極管)始終從熄滅切換為點(diǎn)亮的方式設(shè)定驅(qū)動(dòng)頻率。所謂寫(xiě)數(shù)據(jù)的最小T的頻率，是在向磁盤(pán)50進(jìn)行的寫(xiě)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入中，與位的極性的切換間隔成為最小時(shí)的周期對(duì)應(yīng)的頻率，與作為寫(xiě)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)的時(shí)鐘頻率一致。
[0065]S卩，在切換對(duì)磁盤(pán)50記錄的位的極性的瞬間，以使來(lái)自光源的光進(jìn)行照射從而頑磁力降低的方式進(jìn)行控制。由此，對(duì)位的極性進(jìn)行切換的定時(shí)的磁化反轉(zhuǎn)明確地進(jìn)行。這樣，在本實(shí)施方式中，按照?qǐng)D5的寫(xiě)電流圖形(A)及激光二極管照射圖形(B)，生成按照?qǐng)D4所示的加熱點(diǎn)501的形狀而磁化了的區(qū)域組510。
[0066]在本實(shí)施方式中，基于該區(qū)域組510和再現(xiàn)頭IlOr的位置關(guān)系，判定是否發(fā)生磁道偏移。本實(shí)施方式以該判定由RWC124進(jìn)行為例。
[0067]另外，通過(guò)切換光源的點(diǎn)亮和熄滅，與使光源始終點(diǎn)亮的情況相比，由于能夠抑制光源的加熱，所以能夠?qū)崿F(xiàn)光源的長(zhǎng)壽命化。
[0068]另外，在本實(shí)施方式中，關(guān)于對(duì)光源的點(diǎn)亮和熄滅進(jìn)行切換的驅(qū)動(dòng)頻率是寫(xiě)數(shù)據(jù)的最小T的頻率的2倍的情況進(jìn)行說(shuō)明，但是并不限于2倍，只要是2倍以上的偶數(shù)倍即可。
[0069]這樣，記錄磁極61以基于最小T的頻率輸出記錄磁場(chǎng)，以便寫(xiě)入寫(xiě)數(shù)據(jù)。此時(shí)，近場(chǎng)光元件5將對(duì)磁盤(pán)50照射的光以成為寫(xiě)數(shù)據(jù)的最小T的頻率的偶數(shù)倍的頻率來(lái)切換點(diǎn)亮和熄滅。
[0070]接著，說(shuō)明RWC124的構(gòu)成。圖6是表示本實(shí)施方式的RWC124的構(gòu)成的方框圖。
[0071]如圖6所示，RffC124具備:生成用于對(duì)磁盤(pán)50記錄的寫(xiě)數(shù)據(jù)313的構(gòu)成；生成用于產(chǎn)生光的光控制信號(hào)314的構(gòu)成；檢測(cè)磁頭110的記錄頭IlOw的磁道偏移的構(gòu)成。
[0072]本實(shí)施方式的RWC124具備寫(xiě)數(shù)據(jù)生成電路401、時(shí)鐘生成電路402、光信號(hào)生成電路403、頻譜生成電路411、頻譜存儲(chǔ)部412、頻譜比較部413。
[0073]時(shí)鐘生成電路402基于從存儲(chǔ)部125讀入的寫(xiě)頻率信息332，生成作為寫(xiě)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)時(shí)鐘的時(shí)鐘信號(hào)412，并對(duì)寫(xiě)數(shù)據(jù)生成電路401及光信號(hào)生成電路403發(fā)送該時(shí)鐘信號(hào)412。
[0074]寫(xiě)數(shù)據(jù)生成電路401從硬盤(pán)控制部122接收預(yù)定的數(shù)據(jù)312，從時(shí)鐘生成電路402接收時(shí)鐘信號(hào)412。例如，寫(xiě)數(shù)據(jù)生成電路401與時(shí)鐘信號(hào)412同步地，按照從硬盤(pán)控制部122接收到的寫(xiě)入數(shù)據(jù)312，生成用于對(duì)磁盤(pán)50寫(xiě)入的寫(xiě)數(shù)據(jù)313。寫(xiě)數(shù)據(jù)生成電路401將所生成的寫(xiě)數(shù)據(jù)313輸出至頭部控制部123。
[0075]光信號(hào)生成電路403基于從存儲(chǔ)部125讀入的光常數(shù)信息331和來(lái)自時(shí)鐘生成電路402的時(shí)鐘信號(hào)412，生成光控制信號(hào)314。光常數(shù)信息331是表示用于使光源的亮滅的周期比作為寫(xiě)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)的時(shí)鐘周期(換言之，以位為單位的寫(xiě)入周期)短的常數(shù)的信息，例如設(shè)定為“2”等。
[0076]例如，光信號(hào)生成電路403按照以下的式(I)，生成光控制信號(hào)314。
[0077]光控制信號(hào)的周期=時(shí)鐘周期/光常數(shù)信息(例如“2”等正的偶數(shù))……(I)
[0078]由此，光控制信號(hào)的周期成為作為寫(xiě)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)的時(shí)鐘周期的l/n(n= 2以上的偶數(shù))倍，換言之，進(jìn)行光源的亮滅控制的頻率成為作為寫(xiě)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)的時(shí)鐘頻率的偶數(shù)倍。
[0079]并且，本實(shí)施方式的光信號(hào)生成電路403將所生成的光控制信號(hào)314輸出至頭部控制部123。
[0080]由此，磁頭110的寫(xiě)元件(記錄磁極)61以作為寫(xiě)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)的時(shí)鐘周期的自然數(shù)倍的周期輸出磁場(chǎng)。并且，照射部(近場(chǎng)光元件5)以成為“作為寫(xiě)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)的時(shí)鐘”的“I/正偶數(shù)”的周期，切換點(diǎn)亮和熄滅。
[0081]通過(guò)上述的構(gòu)成，RffC124向頭部控制部123發(fā)送寫(xiě)數(shù)據(jù)313和光控制信號(hào)314。由此，頭部控制部123控制磁頭110，進(jìn)行向磁盤(pán)50的數(shù)據(jù)的寫(xiě)入控制。并且，在進(jìn)行寫(xiě)入控制時(shí)，磁頭110的再現(xiàn)頭IlOr所讀入的讀數(shù)據(jù)322經(jīng)由頭部控制部123向RWC124發(fā)送。并且，本實(shí)施方式的RWC124能夠根據(jù)該讀數(shù)據(jù)322檢測(cè)磁頭110的記錄頭IlOw的磁道偏移。
[0082]頻譜生成電路411對(duì)從頭部控制部123接收到的讀數(shù)據(jù)322進(jìn)行FFT處理，生成讀數(shù)據(jù)的頻譜(相對(duì)于頻率軸的振幅分布)。另外，本實(shí)施方式不限制生成頻譜的定時(shí)，根據(jù)實(shí)施的方式而設(shè)定。例如，也可以在從前一個(gè)伺服區(qū)域到下一個(gè)伺服區(qū)域之間生成一次或多次頻譜。
[0083]頻譜存儲(chǔ)部412存儲(chǔ)由頻譜生成電路411生成的頻譜的信息。頻譜存儲(chǔ)部412存儲(chǔ)根據(jù)從未發(fā)生磁道偏移的位置讀入的讀數(shù)據(jù)生成的頻譜的信息。例如，如果是剛剛在伺服區(qū)域進(jìn)行了磁頭110的位置控制之后，則能夠推測(cè)為未發(fā)生磁道偏移。因此，本實(shí)施方式的頻譜存儲(chǔ)部412存儲(chǔ)根據(jù)緊接著伺服區(qū)域之后讀取的讀數(shù)據(jù)生成的頻譜的信息。在這樣的狀態(tài)下取得的頻譜也稱為基準(zhǔn)頻譜。
[0084]頻譜比較運(yùn)算部413基于磁盤(pán)50的緊接著伺服區(qū)域之后的位置處的讀數(shù)據(jù)的頻譜(基準(zhǔn)頻譜)和根據(jù)在緊接著伺服區(qū)域之后的位置后續(xù)的位置由再現(xiàn)頭IlOr讀入的讀數(shù)據(jù)生成的頻譜，在由記錄頭IlOw進(jìn)行的對(duì)磁盤(pán)50的記錄區(qū)域的寫(xiě)過(guò)程中，在再現(xiàn)頭IlOr讀入讀數(shù)據(jù)時(shí)，檢測(cè)是否發(fā)生了磁頭IlOw的記錄磁極61的磁道偏移。
[0085]這里，說(shuō)明由頻譜生成電路411生成的頻譜的幾個(gè)例子。
[0086]圖7是例示再現(xiàn)頭IlOr的讀元件(磁阻效應(yīng)元件)6從本實(shí)施方式的磁盤(pán)50上讀入數(shù)據(jù)時(shí)的第I位置關(guān)系的圖。在圖7所示的例子中，示出對(duì)包含按照加熱點(diǎn)的形狀而磁化反轉(zhuǎn)了的區(qū)域組710的磁道，讀元件6在未發(fā)生磁道偏移的(換言之，在該區(qū)域內(nèi)的)位置701讀入數(shù)據(jù)的例子。
[0087]圖8是例示了對(duì)再現(xiàn)頭IlOr的讀元件(磁阻效應(yīng)元件)6在圖7所示的位置701讀取的讀數(shù)據(jù)進(jìn)行頻譜分析的結(jié)果的圖。如圖8所示，在根據(jù)在位置701讀取的讀數(shù)據(jù)生成的頻譜中，不存在振幅變得比其他頻帶大的頻率。換言之，各頻率處的振幅水平大致均一。
[0088]圖9是例示再現(xiàn)頭IlOr的讀元件(磁阻效應(yīng)元件)6從本實(shí)施方式的磁盤(pán)50上讀入數(shù)據(jù)時(shí)的第2位置關(guān)系的圖。在圖9所示的例子中，示出對(duì)包含按照加熱點(diǎn)的形狀而磁化反轉(zhuǎn)了的區(qū)域組910的磁道，讀元件6在發(fā)生了磁道偏移的(換言之，處于該區(qū)域組的輪廓上的)位置901讀入數(shù)據(jù)的例子。
[0089]圖10是例示了對(duì)再現(xiàn)頭IlOr的讀元件(磁阻效應(yīng)元件)6在圖9所示的位置901讀取的讀數(shù)據(jù)進(jìn)行頻譜分析的結(jié)果的圖。如圖10所示，在根據(jù)在位置901讀取的讀數(shù)據(jù)生成的頻譜中，在頻率Π處，與其他頻帶相比，振幅1001變大。
[0090]S卩，在再現(xiàn)頭IlOr再現(xiàn)(讀)按照加熱點(diǎn)的形狀而磁化反轉(zhuǎn)了的區(qū)域組的輪廓附近的情況下，在再現(xiàn)頭IlOr讀入的讀數(shù)據(jù)的頻譜分析的結(jié)果中，表示該輪廓的頻率Π的振幅變大。
[0091]這樣，根據(jù)再現(xiàn)頭IlOr的位置，頻譜的頻率的振幅會(huì)變化。因而，在本實(shí)施方式中，通過(guò)對(duì)在未發(fā)生磁道偏移的狀態(tài)下讀入的讀數(shù)據(jù)的頻譜與所讀入的讀數(shù)據(jù)的頻譜進(jìn)行比較，來(lái)檢測(cè)在讀入讀數(shù)據(jù)時(shí)是否發(fā)生了磁道偏移。
[0092]圖11是例示在本實(shí)施方式中，發(fā)生了磁道偏移的情況下的磁頭110的位置關(guān)系的圖。如圖11所示，在緊接著伺服區(qū)域之后的第I頭部位置(時(shí)刻tl)，記錄頭IlOw的記錄磁極61存在于磁道內(nèi)的位置1102，再現(xiàn)頭IlOr的讀元件6也存在于磁道內(nèi)的位置1101。從這樣的位置1101讀取的讀數(shù)據(jù)被輸出至頻譜生成電路411。然后，頻譜生成電路411根據(jù)所輸入的讀數(shù)據(jù)生成頻譜，將所生成的頻譜存儲(chǔ)于頻譜存儲(chǔ)部412。由此，例如，存儲(chǔ)圖8所示那樣的頻譜。
[0093]然后，在寫(xiě)入控制開(kāi)始后經(jīng)過(guò)了某程度的時(shí)間后的第2頭部位置(時(shí)刻T)，記錄磁極61存在于從磁道開(kāi)始偏離了的位置1104，再現(xiàn)頭IlOr也存在于從磁道偏離了的位置(換言之，按照加熱點(diǎn)的形狀而磁化反轉(zhuǎn)了的區(qū)域組的輪廓上的位置)1103。從這樣的位置1103讀取的讀數(shù)據(jù)被輸出至頻譜生成電路411。然后，頻譜生成電路411根據(jù)所輸入的讀數(shù)據(jù)生成頻譜，并將所生成的頻譜輸出至頻譜比較運(yùn)算部413。該輸出的頻譜認(rèn)為是例如圖10所示那樣的頻譜。
[0094]本實(shí)施方式的頻譜比較運(yùn)算部413隨時(shí)比較在頻譜存儲(chǔ)部412存儲(chǔ)的頻譜(例如是圖8所示的頻譜，在式⑵中設(shè)為參數(shù)Amp_tl)與從頻譜生成電路411持續(xù)輸入的頻譜(例如是圖10所示的頻譜，在式(2)中，設(shè)為參數(shù)Amp_T)。通過(guò)該比較，判定是否發(fā)生磁道偏移。另外，比較按以下所示的式(2)進(jìn)行。然后，在以下所示的式(2)成立了的情況下，判定為發(fā)生了磁道偏移。
[0095]Amp_th< | Amp_tl_Amp_T |......(2)
[0096]頻譜比較運(yùn)算部413在判定為式(2)成立、發(fā)生磁道偏移的情況下，對(duì)硬盤(pán)控制部122輸出寫(xiě)工作停止信號(hào)。由此，硬盤(pán)控制部122停止對(duì)磁盤(pán)50的寫(xiě)入控制。另外，式(2)中的閾值A(chǔ)mp_th設(shè)為從硬盤(pán)控制部122輸入的參數(shù)。在本實(shí)施方式中，硬盤(pán)控制部122對(duì)RffC124輸出與磁盤(pán)50中當(dāng)前讀入的磁道對(duì)應(yīng)的閾值A(chǔ)mp_th。另外，硬盤(pán)控制部122也可以不停止對(duì)磁盤(pán)50的寫(xiě)入控制，而進(jìn)行使來(lái)自照射部(近場(chǎng)光元件5)的光的照射停止的控制。
[0097]這樣，在RWC124在判定為發(fā)生磁道偏移的情況下，通過(guò)輸出寫(xiě)工作停止信號(hào)，使由磁頭I1的記錄磁極61進(jìn)行的寫(xiě)入控制停止。
[0098]本實(shí)施方式的RWC124基于再現(xiàn)頭IlOr在磁盤(pán)50的緊接著伺服區(qū)域之后的位置讀入的讀數(shù)據(jù)的頻譜和之后再現(xiàn)頭IlOr當(dāng)前讀入的讀數(shù)據(jù)的頻譜，在讀入當(dāng)前的讀數(shù)據(jù)時(shí)，檢測(cè)是否發(fā)生磁道偏移。即，在本實(shí)施方式中，將磁盤(pán)50的緊接著伺服區(qū)域之后的位置的讀數(shù)據(jù)的頻譜用作比較對(duì)象。換言之，作為比較對(duì)象的讀數(shù)據(jù)的頻譜只要是基于磁盤(pán)50的伺服區(qū)域而定位(伺服)控制后的位置的讀數(shù)據(jù)的頻譜即可。進(jìn)而，即使不是基于伺服區(qū)域而定位控制后的位置，只要能夠確定磁頭110的位置，則也可以將該位置的讀數(shù)據(jù)的頻譜用作比較對(duì)象。
[0099]在本實(shí)施方式中，近場(chǎng)光元件5照射的光通過(guò)切換點(diǎn)亮和熄滅，按照在磁盤(pán)50產(chǎn)生的加熱點(diǎn)的形狀而磁化反轉(zhuǎn)了的區(qū)域變得明確。由此，基于表示該區(qū)域的輪廓的頻率的振幅，可以檢測(cè)是否發(fā)生磁道偏移。
[0100]圖12是例示使寫(xiě)入控制停止了的情況下的磁頭的軌跡的圖。在圖12所示的例子中，對(duì)第N磁道進(jìn)行了寫(xiě)入控制。并且，在位置1201，由于在頻譜存儲(chǔ)部412存儲(chǔ)的頻譜(Amp_tl)與根據(jù)位置1201的讀數(shù)據(jù)生成的頻譜(Amp_T)之差成為閾值A(chǔ)mp_th以上，所以寫(xiě)入控制停止。因此，能夠在由于不可預(yù)測(cè)的干擾等而在位置1202對(duì)第N+1磁道進(jìn)行寫(xiě)入控制之前，停止寫(xiě)入數(shù)據(jù)的控制。
[0101]在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了在磁頭110向磁道寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，在未發(fā)生磁道偏移的情況下，在磁道包含磁頭110的寫(xiě)元件61及讀元件6的情況。但是，由于本實(shí)施方式的磁頭110按照以軸108為基準(zhǔn)的圓弧狀在磁盤(pán)50上移動(dòng)，磁盤(pán)50以SPM為中心旋轉(zhuǎn)，所以磁頭110相對(duì)于磁盤(pán)50與進(jìn)行寫(xiě)入的磁道的位置相應(yīng)地，產(chǎn)生偏斜角。所謂偏斜角，是指作為磁盤(pán)50的由磁頭110進(jìn)行寫(xiě)入的對(duì)象的磁道的旋轉(zhuǎn)方向與磁頭110的伸長(zhǎng)方向(換言之，寫(xiě)元件61及讀元件6排列的方向)之間形成的角。
[0102]因而，本實(shí)施方式的RWC124考慮磁頭110的偏斜角，檢測(cè)是否發(fā)生磁道偏移。
[0103]圖13是例示本實(shí)施方式的磁頭的位置與磁道的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖。如圖13所示，在磁頭110(包含記錄磁極61和磁阻效應(yīng)元件6)存在于位置1301的情況下，磁頭110的記錄磁極(寫(xiě)元件)61及讀元件6排列的方向1321與磁道1311的切線方向成為平行。另一方面，在磁頭110存在于位置1302的情況下，磁頭110的記錄磁極(寫(xiě)元件)61及讀元件6排列的方向1322與磁道1312的切線方向不平行。這是因?yàn)?，由于磁頭110以軸108為中心工作，所以磁頭110在進(jìn)行了磁道移動(dòng)時(shí)，產(chǎn)生角度Φ的偏離。
[0104]但是，在本實(shí)施方式中，緊接著伺服區(qū)域1351之后讀入的讀數(shù)據(jù)的頻譜用作未發(fā)生磁道偏移的情況下的基準(zhǔn)頻譜。即，本實(shí)施方式視為:如果是緊接著伺服區(qū)域1351之后，則在記錄頭IlOw的記錄磁極61及再現(xiàn)頭IlOr的磁阻效應(yīng)元件6的位置未發(fā)生磁道偏移。并且，頻譜生成電路411根據(jù)在該位置時(shí)輸入的讀數(shù)據(jù)生成頻譜，將該頻譜存儲(chǔ)于頻譜存儲(chǔ)部412。以后，使用該頻譜和從頻譜生成電路411持續(xù)輸入的頻譜，進(jìn)行上述的式(2)所示的運(yùn)算。
[0105]如上所述，磁頭110的寫(xiě)元件61及讀元件6將近場(chǎng)光元件5夾于中間而離開(kāi)配置。因此，在產(chǎn)生偏斜角、基于伺服區(qū)域進(jìn)行了定位(伺服)控制之后，即使寫(xiě)元件61包含在磁道內(nèi)，也有時(shí)讀元件6不包含在磁道內(nèi)而穿過(guò)磁道邊緣(換言之，按照加熱點(diǎn)的形狀而磁化反轉(zhuǎn)了的區(qū)域組的輪廓上)。該情況下，例如圖10所示的頻譜用作基準(zhǔn)頻譜。
[0106]并且，頻譜比較運(yùn)算部413基于根據(jù)磁頭110相對(duì)于磁盤(pán)50的偏斜角而獲得的基準(zhǔn)頻譜，檢測(cè)是否發(fā)生偏移。
[0107]這樣，由于磁頭110的偏斜角，緊接著伺服區(qū)域之后的頻譜按每磁道而異，但是，硬盤(pán)控制部122計(jì)算與每個(gè)磁道對(duì)應(yīng)的閾值A(chǔ)mp_th，并將該閾值A(chǔ)mp_th輸出至RWC124。由此，可以進(jìn)行適合于每個(gè)磁道的磁道偏移的檢測(cè)。
[0108]接著，說(shuō)明本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置100中的寫(xiě)入控制。圖14是表示本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置100中的上述控制的步驟的流程圖。
[0109]磁記錄控制部120按照來(lái)自主機(jī)HS的寫(xiě)入命令，開(kāi)始寫(xiě)入控制(處理S1401)。另夕卜，寫(xiě)入控制不限于基于來(lái)自主機(jī)HS的寫(xiě)入命令進(jìn)行，也可以是由磁盤(pán)裝置100自發(fā)地進(jìn)行的控制。
[0110]頭部控制部123基于從伺服區(qū)域讀入的讀數(shù)據(jù)，進(jìn)行磁頭110的定位控制(處理S1402)ο
[0111]RWC124輸入由再現(xiàn)頭IlOr從緊接著伺服區(qū)域之后的扇區(qū)、位置等讀入的讀數(shù)據(jù)(處理 S1403)。
[0112]頻譜生成電路411對(duì)所輸入的讀數(shù)據(jù)進(jìn)行頻譜分析，生成頻譜(處理S1404)。
[0113]頻譜生成電路411將所生成的(緊接著伺服數(shù)據(jù)之后的)頻譜(Amp_tl)存儲(chǔ)在頻譜存儲(chǔ)部412 (處理S1405)。
[0114]硬盤(pán)控制部122基于來(lái)自主機(jī)HS的指示等，判定是否繼續(xù)寫(xiě)入(處理S1406)。在判定為不繼續(xù)寫(xiě)入的情況下(處理S1406:否)，結(jié)束處理。
[0115]另一方面，在硬盤(pán)控制部122判定為繼續(xù)寫(xiě)入的情況下(處理S1406:是)，頻譜生成電路411根據(jù)所輸入的讀數(shù)據(jù)生成頻譜(Amp_T)(處理S1407)。
[0116]頻譜比較運(yùn)算部413計(jì)算頻譜存儲(chǔ)部412中存儲(chǔ)的頻譜(Amp_tl)與所生成的頻譜(Amp_T)的差值(AAmp)(處理 S1408)。
[0117]頻譜比較運(yùn)算部413判定差值(AAmp)是否比閾值(Amp_th)大(處理S1409)。另外，閾值(Amp_th)設(shè)為從硬盤(pán)控制部122作為與當(dāng)前進(jìn)行寫(xiě)入的磁道對(duì)應(yīng)的值而輸入。
[0118]在頻譜比較運(yùn)算部413判定為差值(AAmp)在閾值(Amp_th)以下的情況下(處理S1409:否)，從處理S1406重新開(kāi)始處理。
[0119]另一方面，在判定為差值(AAmp)比閾值(Amp_th)大的情況下(處理S1409:是)，RffC124對(duì)硬盤(pán)控制部122輸出寫(xiě)工作停止信號(hào)。硬盤(pán)控制部122進(jìn)行對(duì)磁盤(pán)50的寫(xiě)入的中斷控制(處理S1410)，并結(jié)束處理。
[0120]在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了 RWC124具備根據(jù)讀數(shù)據(jù)生成多個(gè)頻譜并在該多個(gè)頻譜間進(jìn)行比較運(yùn)算的構(gòu)成的例子。但是，這些構(gòu)成不限于設(shè)置在RWC124中的情況。例如，也可以在前置放大器(頭部控制部)設(shè)置這些構(gòu)成。在設(shè)置于前置放大器(頭部控制部)的情況下，由于也能夠?qū)崿F(xiàn)上述控制，所以能夠使可靠性提高。
[0121]在本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置100中，通過(guò)進(jìn)行上述控制，作為一例，在進(jìn)行寫(xiě)入控制時(shí)從磁道離開(kāi)了的情況下，進(jìn)行寫(xiě)入的中斷控制。這樣，本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置100能夠保護(hù)鄰接磁道的數(shù)據(jù)，使寫(xiě)入到了磁盤(pán)50的數(shù)據(jù)的可靠性提高。
[0122]雖然說(shuō)明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式只是作為例子而呈現(xiàn)的，并非要限定發(fā)明的范圍。這些新實(shí)施方式能夠以其他的各種方式實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍，可以進(jìn)行各種省略、置換、改變。這些實(shí)施方式和/或其變形包含于發(fā)明的范圍和/或主旨，并且也包含于權(quán)利要求的范圍所記載的發(fā)明及其均等的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲(chǔ)裝置，具備: 磁盤(pán)； 頭部，其具有寫(xiě)部和讀部，所述寫(xiě)部輸出對(duì)照射了光的上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域記錄寫(xiě)數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)，所述讀部從上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域讀入讀數(shù)據(jù)；以及 控制器，其基于上述讀部在上述磁盤(pán)的第I位置讀入的第I讀數(shù)據(jù)的第I頻譜和上述讀部在第I位置后續(xù)的第2位置讀入的第2讀數(shù)據(jù)的第2頻譜，檢測(cè)在由上述寫(xiě)部進(jìn)行的對(duì)上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域的寫(xiě)期間是否發(fā)生上述寫(xiě)部的偏移。2.權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中， 上述控制器在基于上述磁盤(pán)的伺服區(qū)域?qū)ι鲜鲱^部進(jìn)行了定位控制之后的上述第I位置，取得上述第I頻譜。3.權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，還具備: 對(duì)上述照射的光的點(diǎn)亮和熄滅進(jìn)行切換的照射部， 其中上述控制器檢測(cè)是否發(fā)生相對(duì)于包括多個(gè)區(qū)域的磁道的上述偏移，所述多個(gè)區(qū)域是按照在由上述照射部進(jìn)行的上述光的點(diǎn)亮?xí)r在上述磁盤(pán)產(chǎn)生的加熱部而磁化了的區(qū)域。4.權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)裝置，其中， 上述寫(xiě)部以第I周期的自然數(shù)倍的周期輸出上述磁場(chǎng)， 上述照射部以第2周期切換點(diǎn)亮和熄滅，所述第2周期為上述第I周期的I/正偶數(shù)。5.權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中， 上述控制器在判定為發(fā)生上述偏移的情況下，使由上述頭部的上述寫(xiě)部進(jìn)行的寫(xiě)入控制或上述光的照射停止。6.權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中， 上述控制器判定上述第I頻譜與上述第2頻譜的差值是否在閾值以上，并基于判定結(jié)果，檢測(cè)是否發(fā)生上述偏移。7.權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中， 上述控制器基于根據(jù)上述頭部相對(duì)于上述磁盤(pán)的偏斜角而獲得的第I頻譜，檢測(cè)是否發(fā)生上述偏移。8.一種控制器，是由存儲(chǔ)裝置使用，上述存儲(chǔ)裝置具備磁盤(pán)以及頭部，所述頭部具有輸出對(duì)照射了光的上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域記錄寫(xiě)數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)的寫(xiě)部和從上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域讀入讀數(shù)據(jù)的讀部， 上述控制器具備: 檢測(cè)部，其基于上述讀部在上述磁盤(pán)的第I位置讀入的第I讀數(shù)據(jù)的第I頻譜和上述讀部在第I位置后續(xù)的第2位置讀入的第2讀數(shù)據(jù)的第2頻譜，檢測(cè)在由上述寫(xiě)部進(jìn)行的對(duì)上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域的寫(xiě)期間是否發(fā)生上述寫(xiě)部的偏移。9.一種控制方法，其由存儲(chǔ)裝置執(zhí)行，上述存儲(chǔ)裝置具備磁盤(pán)以及頭部，所述頭部具有輸出對(duì)照射了光的上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域記錄寫(xiě)數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)的寫(xiě)部和從上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域讀入讀數(shù)據(jù)的讀部， 上述控制方法: 基于上述讀部在上述磁盤(pán)的第I位置讀入的第I讀數(shù)據(jù)的第I頻譜和上述讀部在第I位置后續(xù)的第2位置讀入的第2讀數(shù)據(jù)的第2頻譜，檢測(cè)在由上述寫(xiě)部進(jìn)行的對(duì)上述磁盤(pán)的記錄區(qū)域的寫(xiě)期間是否發(fā)生上述寫(xiě)部的偏移。
【文檔編號(hào)】G11B5/58GK106098084SQ201510487810
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2015年8月10日
【發(fā)明人】磯川博
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝