專利名稱：涂敷顯影裝置、涂敷顯影方法和存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上涂敷抗蝕劑，進行顯影的涂敷顯影裝置、涂敷顯影方法和存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在作為半導體制造工序的一個的光敏蝕刻工序中，半導體晶片(以下，稱為晶片) 的表面涂敷抗蝕劑，在規(guī)定圖案曝光該抗蝕劑之后，進行顯影，形成抗蝕劑圖案。形成上述抗蝕劑圖案用的涂敷顯影裝置中，設(shè)置具備在晶片上進行各種處理用的處理模塊的處理塊。處理塊，例如專利文獻1所記載，通過相互層疊形成抗蝕劑膜等的各種涂敷膜的單位塊和進行顯影處理的單位塊構(gòu)成。各單位塊上設(shè)置晶片的搬送機構(gòu)，通過該搬送機構(gòu)， 晶片依次交接至各單位塊上設(shè)置的處理模塊接受處理。在此，為了形成更細微的圖案，進一步降低成品率，上述處理塊上設(shè)置的處理模塊需要多樣化。例如，在晶片上涂敷抗蝕劑的抗蝕劑膜形成模塊和供給顯影液的顯影模塊之外，還有設(shè)置對涂敷了抗蝕劑的晶片的背面進行清潔的背面清潔模塊、向抗蝕劑的上層供給藥液進一步形成膜的上層用的液處理塊等的情況。研究這些各種處理模塊搭載在處理塊上，如何抑制涂敷顯影裝置的占地面積。上述層疊單位塊的結(jié)構(gòu)，用于抑制上述占地面積很有效，但是晶片依次向各單位塊搬送，因此，1個處理模塊或單位塊發(fā)生異常，進行維修時，就不得不停止涂敷顯影裝置的整個處理。如此，會有裝置的生產(chǎn)率降低的問題。專利文獻專利文獻1日本特開2007-11583
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是由此而發(fā)明的，提供一種在單位塊發(fā)生異常進行維修時，能夠抑制涂敷顯影裝置的生產(chǎn)率的降低并且抑制處理塊的設(shè)置面積的技術(shù)。本發(fā)明的涂敷顯影裝置，將通過載體搬入載體塊的基板交接至處理塊，該基板在該處理塊中形成含有抗蝕劑膜的涂敷膜之后，通過相對于上述處理塊位于與載體塊相反側(cè)的接口塊(即接口快位于處理塊與載體塊之間)搬送到曝光裝置，對通過上述接口塊返回的曝光后的基板在上述處理塊進行顯影處理，并將其交接至上述載體塊，該涂敷顯影裝置的特征在于，包括a)上述處理塊，上述處理塊包括上下層疊多個前段處理用的單位塊形成的部件，該前段處理用的單位塊具備為了在基板上形成下層側(cè)的防反射膜而供給藥液的下層用的液處理模塊；為了在上述防反射膜上形成抗蝕劑膜而供給抗蝕劑液的涂敷模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；用于在這些模塊之間搬送基板，在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；
多個后段處理用的單位塊，具備在多個前段處理用的單位塊的接口塊側(cè)與該前段處理用的單位塊相鄰地分別設(shè)置、為了在形成有抗蝕劑膜的基板上形成上層側(cè)膜而供給藥液的上層用的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；用于在這些模塊之間搬送基板，在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；在前段處理用的單位塊和對應(yīng)的后段處理用的單位塊之間分別設(shè)置、在兩單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接用的涂敷處理用的交接部；在各段的涂敷處理用的交接部之間和各段的顯影處理用的交接部之間進行基板的搬送用的能夠自由升降而設(shè)置的輔助移載機構(gòu)；上下層疊多個顯影處理用的單位塊形成的部件，該顯影處理用的單位塊具備相對于上下層疊多個前段處理用的單位塊形成的部件，在上下方向?qū)盈B，向基板供給顯影液的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；具備在多個顯影處理用的單位塊的接口塊側(cè)與該顯影處理用的單位塊相鄰地分別設(shè)置的、在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動、用于搬送基板的單位塊用的搬送機構(gòu)的輔助用的單位塊；設(shè)置在顯影處理用的單位塊和對應(yīng)的輔助用的單位塊之間、用于在兩單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接的顯影處理用的交接部，b)按照各單位塊設(shè)置在載體塊側(cè)，在各單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接的搬入搬出用的交接部，c)用于從載體將基板分配并交接至對應(yīng)于前段處理用的各單位塊的上述搬入搬出用的交接部，并且從對應(yīng)于顯影處理用的各單位塊的搬入搬出用的交接部使基板返回載體的第一交接機構(gòu)，d)用于接收在上述處理塊中處理后的曝光前的基板，將曝光后的基板分配并交接至顯影處理用的單位塊的第二交接機構(gòu)。本發(fā)明的具體實施方式
，例如如下(1)輔助用的單位塊具備通過該輔助用的單位塊內(nèi)的搬送機構(gòu)，進行基板的搬送，對形成有抗蝕劑膜的基板的背面?zhèn)冗M行清潔用的背面清潔模塊。(2)具備控制部，執(zhí)行如下模式，該模式包括在前段處理用的單位塊發(fā)生故障時或進行維修時，不使用該單位塊，通過其它的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的步驟；該步驟之后，通過上述輔助移載機構(gòu)，將該基板搬送到不使用的單位塊的接口塊側(cè)的后段處理用的單位塊的步驟。(3)具備控制部，執(zhí)行如下模式，該模式包括在后段處理用的單位塊發(fā)生故障或進行維修時，不使用該單位塊，在不使用的單位塊的載體塊側(cè)的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的步驟；和該步驟之后，通過上述輔助移載機構(gòu)，將該基板搬送到其它階層的后段處理用的單位塊的步驟。(4)前端處理用的單位塊的層疊數(shù)和后段處理用的單位塊的各個的層疊數(shù)為3層。(5)顯影處理用的單位塊的層疊數(shù)為3層。(6)上述輔助搬送機構(gòu)，具備用于在各段涂敷處理用的交接部之間進行搬送的第一輔助移載機構(gòu)；和用于在各段的顯影處理用的交接部之間進行搬送的第二輔助移載機構(gòu)。本發(fā)明的涂敷顯影方法，其特征在于，使用上述涂敷顯影，實施在前段處理用的單位塊發(fā)生故障或進行維修時，不使用該單位塊，通過其它的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的工序；接著，通過輔助移載機構(gòu)，將該基板搬送到不使用的單位塊的接口塊側(cè)的后段處理用的單位塊的工序；其后，通過該后段處理用的單位塊內(nèi)的模塊，形成上層側(cè)的膜的工序。本發(fā)明的其它的涂敷顯影方法，其特征在于，使用上述涂敷顯影裝置，實施在后段處理用的單位塊發(fā)生故障或進行維修時，不使用該單位塊，通過不使用的單位塊的載體塊側(cè)的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的工序；接著，通過輔助移載機構(gòu)，將該基板搬送到其它的階層的后段處理用的單位塊的工序；然后，通過該后段處理用的單位塊內(nèi)的模塊，形成上層側(cè)的膜的工序。本發(fā)明的存儲介質(zhì)，是存儲有涂敷顯影裝置用的計算機程序的存儲介質(zhì)，上述計算機程序，為實施上述涂敷顯影方法用的程序。本發(fā)明具備多個層疊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜用的前段處理用的單位塊，多個層疊在抗蝕劑膜上形成上層側(cè)膜用的后段處理用的單位塊，前后連接這些層疊體，并且在前段處理用的單位塊和對應(yīng)的后段處理用的單位塊之間交接基板的交接部，能夠在各層的交接部之間通過輔助移載機構(gòu)進行基板的交接。因此，即使前段處理用的單位塊和后段處理用的單位塊的任意一個都不能使用，也能夠利用上述輔助移載機構(gòu)，通過另一個單位塊進行處理，實現(xiàn)防止生產(chǎn)率的降低。此外，上述層疊體上層疊多個進行顯影處理用的單位塊，不僅能夠抑制裝置的設(shè)置面積，還能夠抑制裝置的進深尺寸(沿著連接載體塊和接口塊的方向的尺寸)。


圖1為本發(fā)明的涂敷顯影裝置的平面圖。
圖2為上述涂敷顯影裝置的立體圖。
圖3為上述涂敷顯影裝置的縱截側(cè)面圖。
圖4為上述涂敷顯影裝置的液處理模塊的縱截側(cè)面圖。
圖5為后方側(cè)處理塊的縱截正面圖。
圖6為接口塊的縱截正面圖。
圖7為上述涂敷顯影裝置的控制部的結(jié)構(gòu)圖。
圖8為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖9為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖10為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖11為接口塊的縱截正面圖。
圖12為接口塊的縱截正面圖。
圖13為涂敷顯影裝置的概略縱截側(cè)面圖。
具體實施例方式說明本發(fā)明的涂敷顯影裝置1。圖1為本發(fā)明的涂敷顯影裝置1適用于抗蝕劑圖案形成裝置的情況的一個實施方式的平面圖，圖2為其概略立體圖，圖3為其概略側(cè)面圖。 該涂敷顯影裝置1，直線狀地排列搬入搬出密閉收納有例如25個作為基板的晶片W的載體 C用的載體塊Si、對晶片W進行處理的處理塊S20、接口塊S4而構(gòu)成。接口塊S4上連接有進行液浸曝光的曝光裝置S5。在上述載體塊Sl設(shè)置有載置上述載體C的載置臺11、從該載置臺11觀察設(shè)置在前方壁面的開閉部12、通過開閉部12從載體C取出晶片W用的交接臂13。交接臂13在上下方向具備5個晶片保持部14，能夠自由進退、自由升降、圍繞鉛直方向(垂直方向)自由旋轉(zhuǎn)、在載體C的排列方向自由移動。后述的控制部51，分配給載體C的晶片W序號，交接臂13從序號小的開始每5個依次將晶片W —起交接至處理塊S20的交接模塊BU1。此外， 能夠載置晶片W的場所記為模塊，該模塊中對晶片W進行加熱、液處理、氣體供給或周邊曝光等的處理的模塊記為處理模塊。此外，處理模塊中，向晶片W供給藥液、清潔液的模塊記為液處理模塊。處理模塊S20由設(shè)置在載體塊Sl側(cè)的前方側(cè)處理塊S2和接口塊S4側(cè)設(shè)置的后方側(cè)處理塊S3構(gòu)成。參考前方側(cè)處理塊S2和后方側(cè)處理塊S3的概略縱截側(cè)面圖的圖4 繼續(xù)進行說明。前方側(cè)處理塊S2從下依次層疊對晶片W進行液處理的第一 第六前方側(cè)單位塊Bl B6而構(gòu)成。這些前方側(cè)單位塊Bl B6具備液處理模塊、加熱模塊、單位塊用的搬送單元的主臂A、上述主臂A移動的搬送區(qū)域Rl，各前方側(cè)單位塊B與這些配置的布置同樣構(gòu)成。各前方側(cè)單位塊B通過主臂A相互獨立搬送晶片W，進行處理。圖1中，表示第一前方側(cè)單位塊Bi，以下，以該第一前方側(cè)單位塊Bl為代表進行說明。該第一前方側(cè)單位塊Bl的中央形成從載體塊Sl向著后方側(cè)處理塊S3的上述搬送區(qū)域R1。該搬送區(qū)域Rl從載體塊Sl向第二處理塊S3側(cè)看在左右分別配置液處理單元21、 架單元Ul U6。液處理單元21上設(shè)置防反射膜形成模塊BCT1、抗蝕劑膜形成模塊COT1，從載體塊 Sl側(cè)向第二處理塊S3側(cè)依次排列BCT1、C0T1。防反射膜形成模塊BCTl沿著搬送區(qū)域Rl 的形成方向具備2個旋轉(zhuǎn)夾具22，旋轉(zhuǎn)夾具22吸附保持晶片W的背面中央部并且圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)。圖中23為處理罩(處理杯)，上側(cè)開口。處理罩23包圍旋轉(zhuǎn)夾具22的周圍，抑制藥液的飛散。處理晶片W時，在該處理罩23內(nèi)收容晶片W，晶片W的背面中央部保持在旋轉(zhuǎn)夾具22上。此外，防反射膜形成模塊BCTl上設(shè)置各處理罩23共用的噴嘴24。圖中25為支撐噴嘴M的臂，圖中沈為驅(qū)動機構(gòu)。驅(qū)動機構(gòu)沈通過臂25使噴嘴M在各處理罩23的排列方向移動，并且通過臂25使得噴嘴M升降。通過驅(qū)動機構(gòu)沈，噴嘴M在防反射膜形成模塊BCTl的各處理罩23之間移動，向交接至各旋轉(zhuǎn)夾具22的晶片W的中心噴出防反射膜形成用的藥液。供給的藥液通過上述旋轉(zhuǎn)夾具22圍繞鉛直軸(垂直軸)旋轉(zhuǎn)的晶片W 的離心力，向晶片W的周邊延伸，形成防反射膜。此外，圖示雖然省略，但防反射膜形成模塊 BCTl具備向晶片W的周端部供給溶劑，除去該周端部不需要的膜的噴嘴。抗蝕劑膜形成模塊C0T1、C0T2，與防反射膜形成模塊BCT1、BCT2同樣結(jié)構(gòu)。即，抗蝕劑膜形成模塊COTl每2個具備用于處理各個晶片W的處理罩23和旋轉(zhuǎn)夾具(旋轉(zhuǎn)卡盤、 spin chuck) 22，2個處理罩23和旋轉(zhuǎn)夾具22共有噴嘴Μ。只是，從上述噴嘴M供給抗蝕劑代替防反射膜形成用的藥液。架單元Ul U6從載體塊Sl側(cè)向著接口塊S3側(cè)依次排列。各架單元Ul U6例如層疊2段進行晶片W的加熱處理的加熱模塊。由此，前方側(cè)單位塊Bl具備12個加熱模塊27。上述搬送區(qū)域Rl上設(shè)置上述主臂Al。該主臂Al能夠自由進退、自由升降、圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)，從載體塊Sl側(cè)向后方側(cè)處理塊S3側(cè)能夠自由移動，單位塊Bl的全部的模塊之間進行晶片W的交接。說明前方側(cè)單位塊Β2 Β3。第二前方側(cè)單位塊Β2和第三前方側(cè)單位塊Β3與已述的第一前方側(cè)單位塊Bl同樣結(jié)構(gòu)。如圖4所示，第二前方側(cè)單位塊Β2上設(shè)置的防反射膜形成模塊為BCT2、2個抗蝕劑膜形成模塊為C0T2。第三前方側(cè)單位塊B3上設(shè)置的防反射膜形成模塊為BCT3，防反射膜形成模塊為C0T3。前方側(cè)單位塊Bl B3構(gòu)成前段處理用的單位塊。接著，對作為顯影處理用的單位塊的前方側(cè)單位塊B4 B6進行說明。第四前方側(cè)單位塊B4與第一前方側(cè)單位塊Bl的差異點在于，代替防反射膜形成模塊BCT和抗蝕劑膜形成模塊C0T，具備顯影模塊DEV1、DEV2。第五前方側(cè)單位塊B5和第六前方側(cè)單位塊B6 與第四前方側(cè)單位塊B4同樣構(gòu)成，各個具備2個顯影模塊DEV。第五前方側(cè)單位塊B5上設(shè)置的顯影模塊為DEV3、DEV4。第六前方側(cè)單位塊B6上設(shè)置的顯影模塊為DEV5、DEV6。顯影模塊DEV與抗蝕劑膜形成模塊COT同樣結(jié)構(gòu)，但是代替抗蝕劑向晶片W供給顯影液。各層的搬送區(qū)域Rl的載體塊Sl側(cè)，如圖1和圖3所示，橫跨各單位塊Bl B6設(shè)置架單元U7。架單元U7由相互層疊的多個模塊構(gòu)成，關(guān)于這些模塊，進行以下說明。第一前方側(cè)單位塊Bl的高度位置設(shè)置疏水化處理模塊ADHl、ADH2和交接模塊CPLl CPL3。第二前方側(cè)單位塊B2的高度位置設(shè)置疏水化處理模塊ADH3、ADH4和交接模塊CPL4 CPL6。第三前方側(cè)單位塊B3的高度位置設(shè)置疏水化處理模塊ADH5、ADH6和交接模塊CPL7 CPL9。第四前方側(cè)單位塊B4的高度位置設(shè)置交接模塊CPL21和交接模塊BU11。第五前方側(cè)單位塊B5的高度位置設(shè)置交接模塊CPL22和交接模塊BU12。第六前方側(cè)單位塊B6的高度位置上設(shè)置交接模塊CPL23和交接模塊BU13。說明中，記載為CPL的交接模塊，具備對載置的晶片W進行冷卻的冷卻工作臺。記載為BU的交接模塊構(gòu)成為收容多個晶片W，能夠滯留。此外，疏水化處理模塊ADHl ADH6，向包括晶片W的斜角部的表面供給處理氣體， 提高疏水性。由此，即使在各液處理模塊除去該周端部的膜、晶片W的表面成為剝離狀態(tài)， 該表面也具有防水作用，抑制在液浸曝光時從該周端部剝離各膜。此外，架單元U7中，載體Sl的交接臂13能夠訪問的高度位置設(shè)置構(gòu)成搬入搬出用交接部的交接模塊BUl和CPL10。交接模塊BUl為了從已述的交接臂13 —起接收搬送的晶片W，在上下方向具備5個晶片W的保持部。搬送到交接模塊BUl的晶片W，從通過控制部51分配的序號小的開始依次分配到各單位塊。交接模塊CPLlO用于將晶片W返回載體 C0架單元U7上設(shè)置檢查模塊31。檢查模塊31對顯影處理后的晶片W進行檢查，檢查圖像倒置、線寬異常、抗蝕劑溶解不好等的各種的檢查項目有無異常。從前方側(cè)單位塊B4 B6搬出晶片W時，搬入檢查模塊31的晶片W例如搬送到交接模塊BUll BU13。沒有搬送到檢查模塊31的晶片W，從交接模塊CPL不通過交接模塊BUll BU13，返回載體C。 如此，控制晶片W的搬送，使得通過分別使用交接模塊，按照上述序號小的順序，即，從載體 C搬出的順序，晶片W返回載體C。此外，前方側(cè)處理塊S2中，在架單元U7附近，設(shè)置能夠自由升降、自由進退的第一交接機構(gòu)的交接臂30。該交接臂30在架單元U7的各模塊之間搬送晶片W。圖5為后方側(cè)處理塊S3的縱截正面圖，如該圖所示，后方側(cè)處理塊S3從下依次層疊對晶片W進行液處理的第一 第六后方側(cè)單位塊Dl D6分別位于與前方側(cè)單位塊Bl B6相同的高度。這些后方側(cè)單位塊Dl D6具備液處理模塊、加熱模塊、作為單位塊用的搬送單元的主臂E、上述主臂E移動的搬送區(qū)域R2，各后方側(cè)單位塊Dl D6的配置布局俯視同樣構(gòu)成。各單位塊D通過主臂E相互獨立的搬送晶片W，進行處理。以下，參照圖1，以第一后方側(cè)單位塊Dl為代表進行說明。在該第一后方側(cè)單位塊Dl的中央形成從前方側(cè)處理塊S2向著接口塊S4的上述搬送區(qū)域R2。從第二處理塊S3側(cè)向接口塊S4側(cè)看該搬送區(qū)域R2，在左右分別配置液處理模塊32、架單元U8 U9。液處理單元32上設(shè)置保護膜形成模塊TCTl。該保護膜形成模塊TCTl除去向晶片W供給防水性的保護膜的形成用的藥液，與防反射膜形成模塊BCTl同樣結(jié)構(gòu)。S卩，保護膜形成模塊TCTl每2個具備用于處理各晶片W的處理罩23和旋轉(zhuǎn)夾具22，2個處理罩23 和旋轉(zhuǎn)夾具22共有噴嘴M。架單元U8 U9，從載體塊Sl側(cè)向著接口塊S3側(cè)依次排列。各架單元Ul U6例如2段層疊對晶片W進行加熱處理的加熱模塊33而構(gòu)成。因此，后方側(cè)單位塊Dl具備4 個加熱模塊33。上述搬送區(qū)域R2上設(shè)置主臂El。該主臂El能夠自由進退、自由升降、圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)、從前方側(cè)處理塊S2側(cè)到接口塊S4側(cè)自由移動，在第一后方側(cè)單位塊Dl 的全部的模塊之間能夠進行晶片W的交接。對后方側(cè)單位塊D2 D3進行說明。第二后方側(cè)單位塊D2與已述的第一后方側(cè)單位塊Dl同樣構(gòu)成。第二后方側(cè)單位塊D2上設(shè)置的保護膜形成模塊為TCT2。第三后方側(cè)單位塊D3上設(shè)置的保護膜形成模塊為TCT3。后方側(cè)單位塊Dl D3構(gòu)成后段處理用的單位塊。接著，對構(gòu)成輔助用的單位塊的后方側(cè)單位塊D4 D6進行說明。第四后方側(cè)單位塊D4與第一后方側(cè)單位塊Dl的差異點在于具備背面清潔模塊BSTl代替保護膜形成模塊。背面清潔模塊BST，代替向晶片W的表面供給藥液的噴嘴24，分別設(shè)置向晶片W的背面和斜角部供給清潔液、對晶片W的背面進行清潔的噴嘴。除去此點差異，背面清潔模塊BST 與防反射膜形成模塊BCT同樣構(gòu)成。此外，背面清潔模塊BST也可以構(gòu)成為只清潔晶片W 的背面?zhèn)然蛑磺鍧嵣鲜鲂苯遣?。此外，?gòu)成架單元U8、U9的加熱模塊33，各自只設(shè)置一段。 除去此點差異，第四后方側(cè)單位塊D4與第一后方側(cè)單位塊Dl同樣構(gòu)成。第五后方側(cè)單位塊D5和第六后方側(cè)單位塊D6與第四后方側(cè)單位塊D4同樣結(jié)構(gòu)。 第五后方側(cè)單位塊D5具備背面清潔模塊BST2，第六后方側(cè)單位塊D6具備背面清潔模塊 BST3。各層的搬送區(qū)域R2的前方側(cè)處理模塊S2側(cè)，如圖1和圖3所示，設(shè)置橫跨各后方側(cè)單位塊Dl D6的架單元U10。說明該架單元UlO的結(jié)構(gòu)。架單元UlO由相互層疊的多個模塊構(gòu)成。第一后方側(cè)單位塊Dl的高度位置設(shè)置交接模塊CPL31。第二后方側(cè)單位塊 D2的高度位置設(shè)置交接模塊CPL32，第三后方側(cè)單位塊D3的高度位置設(shè)置交接模塊CPL33。 此外，第四后方側(cè)單位塊D4的高度位置設(shè)置交接模塊CPL41。第五后方側(cè)單位塊D5的高度位置設(shè)置交接模塊CPL42，第六后方側(cè)單位塊D6的高度位置設(shè)置交接模塊CPL43。構(gòu)成架單元UlO的模塊上，與該模塊相同高度位置的后方側(cè)單位塊D的主臂E和前方側(cè)單位塊B的主臂A能夠訪問。此外，后方側(cè)處理塊S3中，在架單元UlO的附近設(shè)置構(gòu)成輔助移載機構(gòu)的交接臂40。交接臂40能夠自由升降、相對于架單元UlO能夠自由進退。交接臂40在位于架單元UlO的單位塊Bl B6的高度位置的各模塊之間搬送晶片W。接著，參照圖6，說明接口塊S4的結(jié)構(gòu)。接口塊S4各單位塊的主臂Al A6能夠訪問的位置上設(shè)置架單元Ul 1。架單元Ull在單位塊B4、B5、B6的高度位置分別具備TRSl TRS3、TRS4 TRS6、TRS7 TRS9。單位塊 Bi、B2、B3 的高度位置分別具備 CPL51、CPL52、 CPL53。此外，架單元Ull具備交接模塊BU21 23、CPL54。這些模塊相互層疊設(shè)計。此外，接口塊S4上層疊設(shè)置例如4個曝光后清潔模塊PIRl PIR4。各曝光后清潔模塊PIR與抗蝕劑膜形成模塊COT同樣構(gòu)成，向晶片W表面供給保護膜除去和清潔用的藥液代替抗蝕劑。此外，接口塊S4上設(shè)置3個接口臂35、36、37。接口臂35、36、37自由升降、自由進退構(gòu)成。接口臂35能夠在水平方向自由移動。接口臂35能夠訪問曝光裝置S5、交接模塊 BU21、CPL52、51，在這些之間讓渡晶片W。接口臂36訪問交接模塊BU22、BU23、TRS1 6，在這些之間讓渡晶片W。接口臂37訪問構(gòu)成架單元Ull的各模塊和曝光后清潔模塊PIRl PIR4，在這些之間讓渡晶片W。接著，參照圖7對涂敷顯影裝置1上設(shè)置的控制部51進行說明。圖中的52為總線，圖中的53為CPU，54為程序。該程序M上編入了向涂敷顯影裝置1的各部輸出控制信號，如后所述在模塊之間搬送晶片W，對各晶片W進行藥液、清潔液的供給、加熱等的處理的命令(各步驟)。該程序M，例如存儲在軟磁盤、光盤、硬盤、MO (光磁盤)存儲卡等的存儲介質(zhì)，安裝在控制部51上。此外，總線52與存儲器55連接。例如，存儲器55具備寫入處理溫度、處理時間、 各藥液的供給量或電力值等的處理參數(shù)的值的區(qū)域，CPU53執(zhí)行程序M的各命令時，讀出這些的處理參數(shù)，對應(yīng)于該參數(shù)值的控制信號輸入該涂敷顯影裝置1的各部位。此外，存儲器55上設(shè)置搬送時間存儲區(qū)域56。該存儲區(qū)域56存儲與晶片W的ID、 該晶片W的搬送目的地的模塊、被搬送的模塊的順序相互對應(yīng)的搬送時間。此外，該搬送時間表中存儲各液處理模塊中2個處理罩23中，搬入哪個。該搬送時間表，在晶片W處理前預先設(shè)定，但是如后所述，決定向單位塊或模塊的搬送停止時，與其對應(yīng)變更。此外，在總線52上連接設(shè)定部57。設(shè)定部57例如由鍵盤、鼠標、觸摸屏等構(gòu)成， 用戶能夠選擇晶片W的搬送模式。后述的搬送模式，除了用戶能夠任意切換的情況之外，也有能夠自動切換的情況。搬送模式切換，對應(yīng)于切換的搬送模式，向各主臂A、E、交接臂13、 30,40和接口臂35 37輸送控制信號，切換晶片W的搬送目的地。此外，用戶從設(shè)定部57 指定晶片W的ID，能夠設(shè)定在檢查模塊31進行檢查的晶片W。主臂A、E，向控制部51輸出例如對應(yīng)于其位置的位置信號，基于該位置信號，控制部51判定主臂A、E的動作有無異常。此外，各處理模塊對應(yīng)于其動作向控制部51輸出信號，基于該信號，控制部51判定主臂A、E的動作有無異常?？刂撇?1判定主臂A、E、各單位塊的處理模塊動作異常時，進行搬送模式變更。(通常搬送模式)接著，對執(zhí)行通常搬送模式時的涂敷顯影裝置1中的晶片W的搬送路徑進行說明。 圖8為表示該搬送路徑的概略的圖，從載體C取出到緩沖模塊BUl的晶片W，分配到第一 第三的前方側(cè)單位塊Bl B3，分別接受處理，之后，以第一前方側(cè)單位塊Bl —第一后方側(cè)單位塊D1、第二前方側(cè)單位塊B2 —第二后方側(cè)單位塊D2、第三前方側(cè)單位塊B3 —第三后方側(cè)單位塊D3的路徑分別搬送。在第一 第三后方側(cè)單位塊Dl D3接受處理的晶片W， 搬入曝光裝置S5，分配到第四 第五后方側(cè)單位塊D4 D6，接受顯影處理。接著，以第四后方側(cè)單位塊D4 —第四前方側(cè)單位塊B4、第五后方側(cè)單位塊D5 —第五前方側(cè)單位塊B5、 第六后方側(cè)單位塊D6 —第六前方側(cè)單位塊B6的路徑分別搬送，返回載體C。在該例中，分配到后方側(cè)單位塊D1、D2、D3的晶片W，分別分配到后方側(cè)單位塊D4、 D5、D6。此外，晶片W，從控制部51分配的序號小的開始依次，例如以單位塊B1、B2、B3、B1、 B2、B3、Bl……的順序，循環(huán)著分配到單位塊Bl B3。晶片W的搬送路徑，以模塊單位詳細說明，分配到第一前方側(cè)單位塊Bl的晶片W， 以緩沖模塊BUl —交接臂30 —疏水化處理模塊ADH1、ADH2的順序被搬送，進行疏水化處理。之后，主臂Al，以交接模塊CPLll —防反射膜形成模塊BCTl —加熱模塊27 —交接模塊CPL12 —抗蝕劑膜形成模塊COTl —加熱模塊27 —交接模塊CPL31的順序搬送，在晶片 W上依次形成防反射膜、抗蝕劑膜，搬入第一后方側(cè)單位塊Dl。上述晶片W，由主臂El依次搬送到保護膜形成模塊TCTl —加熱模塊33，形成保護膜，接著，晶片W搬送到交接模塊CPL51，搬入接口塊S4，交接至接口臂37 —交接模塊 TRSl —主臂E4，搬送到背面清潔模塊BSTl，接受背面清潔處理。其后，晶片W以主臂E4 —交接模塊TRS2的順序搬送，再次搬入接口塊S4。其后，以接口臂36—交接模塊BU22、BU23 — 接口臂37 —交接模塊CPLM —接口臂35 —曝光裝置S5的順序搬送晶片W，進行液浸曝光。液浸曝光后的晶片W，以接口臂35 —交接模塊BU21 —接口臂37 —曝光后清潔模塊PIRl PIR4 —接口臂37 —交接模塊TRS3的順序被搬送。然后，上述晶片W，由主臂E4， 再次搬送到第四后方側(cè)單位塊D4，以加熱模塊33 —交接模塊CPL41的順序被搬送。其后，晶片W由主臂A4搬入第四前方側(cè)單位塊B4，以顯影模塊DEV1、DEV2 —加熱模塊27 —交接模塊CPL21 —交接臂30 —交接模塊BU12 —交接臂30 —檢查模塊31的順序被搬送，檢查后，以交接臂30 —交接模塊CPLlO —交接臂13的順序搬送，交接臂13使得該晶片W返回載體C。其中，不是檢查對象的晶片W，在顯影、加熱處理后，以交接模塊CPL21 — 交接臂30 —交接臂13 —載體C的順序被搬送。分配給第二前方側(cè)單位塊B2的晶片W，以與分配給第一前方側(cè)單位塊Bl的晶片W 同樣的順序，在模塊之間被搬送。以下，簡單說明搬送路徑。上述晶片W，以緩沖模塊BUl — 交接臂30 —疏水化處理模塊ADH3、ADH4的順序被搬送，之后，主臂A2以交接模塊CPL13 — 防反射膜形成模塊BCT2 —加熱模塊27 —交接模塊CPL14 —抗蝕劑膜形成模塊C0T2 —加熱模塊27 —交接模塊CPL32的順序搬送。其后，以主臂E2 —保護膜形成模塊TCT2 —主臂E2 —加熱模塊33 —主臂E2 —交
11接模塊CPL52 —接口臂37 —交接模塊TRS4 —主臂E5 —背面清潔模塊BST2 —主臂E5 — 交接模塊TRS5的順序被搬送，晶片W搬入接口塊S4。在接口塊S4，上述晶片W，與分配到第一前方側(cè)單位塊Bl的情況同樣搬送，進行曝光后清潔后，交接至交接模塊TRS6。其后，晶片W，搬送到主臂E5 —加熱模塊33 —主臂 E5 —交接模塊CPL42 —主臂A5 —顯影模塊DEV3、DEV4 —加熱模塊27 —交接模塊CPL22 — 交接臂30 —交接模塊BU12 —交接臂30 —檢查模塊31，然后以與分配到單位塊B4的情況相同的路徑，返回載體C。對于不是檢查對象的晶片W，顯影、加熱處理后，搬送到交接模塊 CPL22，然后，以與分配到單位塊B4的情況同樣的路徑，返回載體C。分配給第三前方側(cè)單位塊B3的晶片W，與分配給第一前方側(cè)單位塊Bl的晶片W同樣的順序在模塊之間搬送。以下，簡單說明搬送路徑。上述晶片W，以緩沖模塊BUl —交接臂30 —疏水化處理模塊ADH5、ADH6的順序被搬送后，主臂A3按照交接模塊CPL15 —防反射膜形成模塊BCT3 —加熱模塊27 —交接模塊CPL16 —抗蝕劑膜形成模塊C0T3 —加熱模塊27 —交接模塊CPL35的順序被搬送。其后，晶片W以主臂E3 —保護膜形成模塊TCT3 —主臂E3 —加熱模塊33 —交接模塊CPL53 —接口臂37 —交接模塊TRS7 —主臂E6 —背面清潔模塊BST3 —主臂E6 —交接模塊TRS8的順序被搬送，搬入接口塊S4。在接口塊S4,上述晶片W，與分配到第一前方側(cè)單位塊Bl的情況相同被搬送，進行曝光后清潔后，交接至交接模塊TRS9。其后，被搬入主臂E6 —加熱模塊33 —主臂E6 —交接模塊CPL43 —主臂A6 —顯影模塊DEV5、DEV6 —加熱模塊27 —交接模塊CPL23 —交接臂 30 —交接模塊BU13 —交接臂30 —檢查模塊31，之后，以與分配到單位塊B4的情況同樣的路徑返回載體C。不是檢查對象的晶片W，顯影、加熱處理后，搬送到交接模塊CPL23，然后以與分配到單位塊B4的情況同樣的路徑，返回載體C。(搬送模式A)接著，對執(zhí)行搬送模式A的情況進行說明。該搬送模式A，是在前方側(cè)單位塊Bi、 B2、B3中，任一不進行處理的情況下執(zhí)行的搬送模式，在能夠處理的前方側(cè)單位塊Bl B3 進行處理后，晶片W分配到單位塊Dl D3進行搬送。以下，參照圖9，對例如控制部51檢測出搬送臂Al異常的情況進行說明。檢測出上述異常，控制部51停止搬送臂Al的動作和前方側(cè)單位塊Bl的各處理模塊的動作。交接臂30將后續(xù)的晶片W在第二、第三前方側(cè)單位塊B2、B3交替搬送，在已述的搬送路徑，各晶片W搬送到各前方側(cè)單位塊B2、B3，接受處理，然后，搬送到架單元UlO的交接模塊CPL32、CPL33。搬送到交接模塊CPL32、CPL33的晶片W中，例如在通常搬送模式執(zhí)行時預定在單位塊Bl被處理的晶片W，通過交接臂40搬送到交接模塊CPL31，通過主臂El搬入后方側(cè)單位塊Dl。其它的晶片W，從交接模塊CPL32、CPL33通過主臂E2、E3分別搬入后方側(cè)單位塊 D2、D3。以下，與通常搬送模式執(zhí)行時同樣，各晶片W被搬送，接受處理。晶片W的搬送停止的第一前方側(cè)單位塊Bi，用戶能夠進行在故障時的修理、定期檢查、調(diào)整確認等的維修。前方側(cè)單位塊B2、B3中，不進行晶片W的處理的情況，也與該例相同，通過能夠使用的前方側(cè)單位塊B進行處理，然后，通過交接臂40，將晶片W分配給將晶片W搬入各后方側(cè)單位塊B4 B6用的交接模塊CPL。(搬送模式B)
接著，對執(zhí)行搬送模式B的情況進行說明。該搬送模式B，是后方側(cè)單位塊D1、D2、 D3中的任一不進行處理的情況下執(zhí)行的搬送模式，在前方側(cè)單位塊Bl B3接受處理的晶片W，分配到上述Dl D3的后方側(cè)單位塊中能夠處理的后方側(cè)單位塊，其后分配到后方側(cè)單位塊D4 D6。以下，參照圖10，對例如主臂El檢測出異常的情況進行說明?？刂撇?1停止主臂El的動作和后方側(cè)單位塊Dl的各處理模塊的動作。在前方側(cè)單位塊Dl處理，后續(xù)的晶片W搬送到交接模塊CPL31，該晶片W，通過交接臂40，交替分配到架單元UlO的交接模塊 CPL32、CPL33。之后，從交接模塊CPL32、CPL33搬入后方側(cè)單位塊D2、D3，接受處理，然后搬送到架單元Ull的交接模塊CPL52、CPL53。讓渡到該交接模塊CPL52、53的晶片W中，例如通常搬送模式執(zhí)行時預定分別搬入后方側(cè)單位塊Dl的晶片W，搬送到與單位塊D4對應(yīng)的交接模塊TRS1，在該單位塊D4接受處理。搬送到交接模塊CPL52、53的其它的晶片W，與通常搬送模式執(zhí)行時同樣，分別搬送到對應(yīng)于單位塊D5、D6的交接模塊TRS4、TRS7，在該單位塊D5、D6接受處理。單位塊D4 D5以后，晶片W與通常搬送模式執(zhí)行時同樣搬送。對于晶片W的搬送停止的第一后方側(cè)單位塊D1，用戶能夠進行已述的維修。在后方側(cè)單位塊D2、D3，不進行晶片W的處理的情況下與該例同樣，通過交接臂40 將晶片W分配到Dl D3中能夠使用的后方側(cè)單位塊D，晶片W在該單位塊D處理后，分配到各后方側(cè)單位塊B4 B6。示例了晶片W的處理中自動切換搬送模式的例子，但是，用戶能夠例如從設(shè)定部 57選擇停止晶片W的搬送的單位塊，指示向搬送模式A D的切換。用戶能夠?qū)νＶ拱崴偷膯挝粔K進行已述的維修。上述例子中，示例了停止向3個層疊相同結(jié)構(gòu)的單位塊中的1個的搬送的例子， 但是，也可以停止向相同的結(jié)構(gòu)的單位塊中的2個的搬送。此外，也可以組合搬送模式A、B 執(zhí)行。因此，也可以同時停止晶片W向前方側(cè)單位塊Bl B3中1個或2個，后方側(cè)單位塊 Dl D3中1個或2個的搬送。此外，涂敷顯影裝置1中，能夠依照在檢查模塊31檢查晶片W的結(jié)果，停止向單位塊的晶片W的搬送。具體說明如下，在晶片W檢查出異常時，控制部51，將異常的檢查項目、 該晶片W的ID、搬送路徑相互對應(yīng)作為檢查的履歷存儲在存儲器55。接著，控制部51，基于直到此時存儲器55中存儲的過去的檢查履歷，判定通過相同單位塊的規(guī)定個數(shù)的晶片W， 相同的檢查項目檢查是否異常。在判定為檢查出異常的個數(shù)比規(guī)定的個數(shù)少的情況下，繼續(xù)進行處理。在判定檢查出異常的個數(shù)在規(guī)定的個數(shù)以上的情況下，決定停止向該單位塊的晶片W的搬送。進行了如此決定，控制部51控制各交接臂和接口臂的動作，使得晶片W分配到?jīng)]有停止搬送的單位塊，使用這些單位塊繼續(xù)進行晶片W的處理。此外，控制部51，停止決定停止搬送的單位塊中的各處理模塊的動作和主臂的動作。由此，用戶能夠?qū)υ搯挝粔K進行已述的維修。根據(jù)如此檢查結(jié)果，停止單位塊的搬送的情況下，與上述搬送模式A、B等的執(zhí)行時不同，例如對通過發(fā)生異常的晶片W全部的單位塊，停止搬送。即，單位塊Bl B3和Dl D3之外，單位塊B4 B6和D4 D6也一樣，向通過異常發(fā)生的晶片W的單位塊的搬送停止。
此外，涂敷顯影裝置1，能夠停止向每個處理模塊的晶片W的搬送。具體說明如下 控制部51檢查出晶片W異常時，存儲已述的檢查的履歷。接著，參照過去的檢查的履歷，通過相同處理模塊的晶片W中，規(guī)定個數(shù)的晶片W針對相同的檢查項目判定檢測出異常的情況下，控制部51停止向該處理模塊的晶片W的搬送。即，單位塊中，晶片W搬送到停止搬送的處理模塊以外的同種處理模塊，在單位塊繼續(xù)晶片W的搬送。但是，對于BCT、C0T、TCT和 BST，各單位塊每個只設(shè)置1個，因此決定停止對這些液處理模塊的搬送的情況下，例如停止向包括該液處理模塊的單位塊的晶片W的搬送。用戶能夠從設(shè)定部57設(shè)定，是對每個這樣的單位塊停止晶片W的搬送，還是停止處理模塊單位的晶片W的搬送。根據(jù)該涂敷顯影裝置1，層疊用于在晶片W上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的前方側(cè)單位塊Bl B3、層疊用于在抗蝕劑膜上形成上層側(cè)的膜的后方側(cè)單位塊Dl D3，前后連接這些層疊體，并且，通過在前方側(cè)單位塊Bl B3和對應(yīng)的后段處理用的后方側(cè)單位塊Dl D3之間進行基板的交接的交接模塊，和在各層的交接模塊之間的交接臂40 能夠進行晶片W的交接。因此，即使前方側(cè)單位塊Bl B3的任一個故障或維修等不能使用，在能夠使用的前方側(cè)單位塊Bl B3進行處理后，也能夠?qū)⒕琖分配到后方側(cè)單位塊 Dl D3的各層。此外，即使后方側(cè)單位塊Dl D3中的任一個，由于故障和維修不能使用， 在前方側(cè)單位塊Bl B3進行處理后，也能夠?qū)⒕琖分配到后方側(cè)單位塊Dl D3中的能夠使用的各層。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)避免生產(chǎn)效率的降低。此外，在前方側(cè)單位塊Bl B3的層疊體上層疊用于進行顯影處理的前方側(cè)單位塊B4 B6，能夠抑制裝置的設(shè)置面積，抑制從裝置的載體塊Sl向著接口塊S3的長度尺寸。上述涂敷顯影裝置1中，后方側(cè)單位塊Bl B3的各架單元U8 U9，除了加熱模塊33，也可以具備在抗蝕劑涂敷后的晶片W上進行周邊曝光的周邊曝光模塊WEE和檢查模塊。這種情況下，搬入后方側(cè)單位塊Bl B3的晶片W，例如以周邊曝光模塊WEE —檢查模塊一保護膜形成模塊TCT的順序被搬送。上述檢查模塊，例如檢查抗蝕劑膜的表面的異物有無和抗蝕劑的膜厚。在晶片W 檢查出異常的情況下，如已述，停止向處理該晶片W的單位塊或處理模塊的搬送。此外，在后方側(cè)單位塊Bl B3，以保護膜形成模塊TCT —加熱模塊33 —檢查模塊的順序搬送晶片 W，對保護膜形成后的晶片W檢查異物和各膜的膜厚也可以。這種情況下，在晶片W檢查出異常時，控制部51基于搬送時間表，進行已述的判定，通過檢查出異常的晶片W的處理模塊或單位塊進行后續(xù)的晶片W的搬送的停止。此外，通過各檢查模塊的檢查結(jié)果，停止向各處理模塊的搬送，對于液處理模塊 BCT、C0T、TCT、BST和DEV，例如能夠控制向各處理罩每個的晶片W的搬送的停止。S卩，這些各處理模塊中，向處理發(fā)生異常的晶片W的處理罩23的晶片W的搬送停止，而能夠繼續(xù)進行與該處理罩23共有噴嘴M的處理罩23的晶片W的搬送。如此，向處理罩23停止搬送晶片W的情況下，在裝置內(nèi)，為了調(diào)整晶片W的處理個數(shù)，例如不使用1個BCT的處理罩23 的情況下，設(shè)定為不使用相同單位塊的1個COT處理罩23。同樣，例如不使用1個COT處理罩23的情況下，也不使用相同的單位塊的1個BCT。即使是與如此向COT和BCT的處理罩23的搬送停止的單位塊相同結(jié)構(gòu)的單位塊，停止向COT的1個處理罩23和BCT的1個處理罩23的搬送，調(diào)整晶片W的處理個數(shù)也可以。此外，上述涂敷顯影裝置1中，TCT不是保護膜形成模塊，而是在抗蝕劑膜的上層形成防反射膜的模塊也可以。此外，在疏水化處理模塊ADH的疏水化處理，代替在防反射膜形成模塊BCT中形成防反射膜之前進行，在上述防反射膜形成后、抗蝕劑涂敷前形成也可以，在抗蝕劑涂敷后、向單位塊B3、B4搬送晶片W之前進行也可以。在第一前方側(cè)單位塊Bl的液處理單元21中，向晶片W供給的藥液，例如向涂敷顯影裝置1的下方側(cè)設(shè)置的未圖示的排液路徑排出。在防反射膜形成模塊BCT、抗蝕劑膜形成模塊COT向晶片W供給的藥液的粘度，比顯影液的粘度高，因此，該實施方式中，將顯影模塊DEV配置為上側(cè)的單位塊，其它的液處理模塊配置為下側(cè)的單位塊，各藥液能夠迅速排出。作為其結(jié)果，各處理模塊中，能夠防止藥液的揮發(fā)，能夠防止液處理單元21內(nèi)的處理環(huán)境發(fā)生變化。但是，包括顯影模塊DEV的單位塊，也可以位于包括防反射膜形成模塊BCT、抗蝕劑膜形成模塊COT的單位塊的下方。圖11表示其它的接口塊S4的結(jié)構(gòu)。該圖11的接口塊S4，層疊設(shè)置曝光前清潔模塊RDl RD4。曝光前清潔模塊RDl RD4，向曝光前的晶片W的表面供給清潔液，對該晶片W的表面溶出物進行清洗。除了設(shè)置該曝光前清潔模塊RDl RD4，圖11的接口塊S4 與圖6的接口塊S4同樣構(gòu)成。在后方側(cè)單位塊B4 B6進行處理，分別搬入圖11的接口塊S4的交接模塊TRS2、 TRS5、TRS8的晶片W，通過接口臂36被搬送到曝光前清潔模塊RDl RD4，被清潔。清潔后， 晶片W以接口臂36 —交接模塊BU22、交接模塊BU23 —接口臂37 —交接模塊CPLM —曝光處理S5的順序被搬送。此外，圖12表示其它的接口塊S4的結(jié)構(gòu)。該接口塊S4上層疊設(shè)置背面清潔模塊 BSTl BST4。代替如此在接口塊S4上何止背面清潔模塊BST，在與該接口塊S4連接的后方側(cè)處理塊S3上不設(shè)置背面?zhèn)惹鍧嵞KBST。在該接口塊S4中，分別搬入交接模塊CPL51、CPL52、CPL53的晶片W，例如搬送到接口臂37 —交接模塊BU22 —背面清潔模塊BSTl BST4進行背面清潔，依次搬送到接口臂36 —交接模塊BU23 —接口臂37，以下，按照已述的搬送路徑交接至曝光處理S5。此外， 如此將背面清潔模塊BST配置在接口塊S4的情況下，也可以代替背面清潔模塊BST在后方側(cè)單位塊D4 D6配置曝光后清潔模塊PIR。此外，上述涂敷顯影裝置1，也可以具備避開后方側(cè)單位塊D4 D6中不能使用的單位塊進行搬送的搬送模式C。該搬送模式C，停止向后方側(cè)單位塊的架單元UlO和接口塊 S4的架單元Ull中，不能使用的上述單位塊交接晶片W用的交接模塊的搬送。曝光后，搬送到架單元UlO的晶片W，分配到各前方側(cè)單位塊B4 B6。例如，后方側(cè)單位塊D4的搬送臂E4故障，接口臂37，停止向?qū)?yīng)于該后方側(cè)單位塊D4的交接模塊TRSl TRS3的訪問。在后方側(cè)單位塊Dl D3被處理、搬入交接模塊 CPL51 53的晶片W，分配到與后方側(cè)單位塊D5、D6對應(yīng)的交接模塊TRS4、TRS7。此外，接口臂37，將曝光完成的晶片W，分配到后方側(cè)單位塊D5、D6對應(yīng)的交接模塊TRS6、TRS9。從后方側(cè)單位塊D5 D6搬送到交接模塊CPL42、CPL43的曝光完成的晶片W中，例如預定在后方側(cè)單位塊D4處理的晶片W，通過交接臂40交接至CPL41。各交接模塊CPL41、42、43的晶片W搬送到前方側(cè)單位塊B4 B6，接受顯影處理。此外，上述涂敷顯影裝置1也可以具備避開前方側(cè)單位塊B4 B6中不能使用的單位塊進行搬送的搬送模式D。該搬送模式D，接受曝光處理，搬送到架單元UlO的交接模塊CPL41、CPL42、CPL43的晶片W中，將交接至與不能使用的上述單位塊對應(yīng)的交接模塊CPL 的晶片W，通過交接臂40搬送到其它的交接模塊CPL。由此，通過前方側(cè)單位塊B4 B6中能夠使用的單位塊進行顯影處理。例如前方側(cè)單位塊B4的搬送臂A4故障，交接臂40，將接受曝光處理、搬送到交接模塊CPL41的晶片W例如交替搬送到交接模塊CPL42、CPL43。搬送到CPL42、CPL43的晶片 W，在前方側(cè)單位塊B5、B6分別接受顯影處理。搬送模式C、D與搬送模式A、B同樣，用戶能夠從通常搬送模式任意切換。此外，能夠與搬送模式A、B同時執(zhí)行。此外，圖13所示，代替例如交接臂40，設(shè)置在架單元UlO將晶片W搬送到對應(yīng)于單位塊Bl B3的各交接模塊的第一交接臂41和例如將晶片W搬送到對應(yīng)于單位塊B4 B6 的各交接模塊的第二交接臂42也可以。這些第一和第二交接臂41、42相互分體構(gòu)成，獨立搬送晶片W，能夠抑制各臂的搬送負荷，實現(xiàn)生產(chǎn)率的提高。
0125]符號說明0126]Al A6主臂0127]BCT防反射膜形成模塊0128]Bl B6前方側(cè)單位塊0129]COT抗蝕劑膜形成模塊0130]DEV顯影模塊0131]Dl D6后方側(cè)單位塊0132]TCT保護膜形成模塊0133]Sl載體塊0134]S2前方側(cè)處理塊0135]S3后方側(cè)處理塊0136]S4接口塊0137]W晶片0138]1涂敷顯影裝置0139]27、33加熱模塊0140]30、40交接臂0141]51控制部
1權(quán)利要求
1.一種涂敷顯影裝置，將通過載體搬入到載體塊的基板交接至處理塊，該基板在該處理塊中形成含有抗蝕劑膜的涂敷膜后，通過相對于所述處理塊位于與載體塊相反側(cè)的接口塊被搬送到曝光裝置，對通過所述接口塊返回的曝光后的基板在所述處理塊中進行顯影處理，并將其交接至所述載體塊，該涂敷顯影裝置的特征在于，包括a)所述處理塊，所述處理塊包括上下層疊多個前段處理用的單位塊而形成的部件，該前段處理用的單位塊具備用于在基板上形成下層側(cè)的防反射膜而供給藥液的下層用的液處理模塊；用于在所述防反射膜上形成抗蝕劑膜而供給抗蝕劑液的涂敷模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板，在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；多個后段處理用的單位塊，其包括在多個前段處理用的單位塊的接口塊側(cè)與該前段處理用的單位塊相鄰地分別設(shè)置的、用于在形成有抗蝕劑膜的基板上形成上層側(cè)膜而供給藥液的上層用的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板，在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；在前段處理用的單位塊和對應(yīng)的后段處理用的單位塊之間分別設(shè)置的、在兩單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接用的涂敷處理用的交接部；在各段的涂敷處理用的交接部之間和各段的顯影處理用的交接部之間進行基板的搬送用的能夠自由升降而設(shè)置的輔助移載機構(gòu)；上下層疊多個顯影處理用的單位塊而形成的部件，該顯影處理用的單位塊具備相對于上下層疊多個前段處理用的單位塊而形成的部件，在上下方向?qū)盈B，向基板供給顯影液的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；具備在多個顯影處理用的單位塊的接口塊側(cè)與該顯影處理用的單位塊相鄰地分別設(shè)置的、在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動、用于搬送基板的單位塊用的搬送機構(gòu)的輔助用的單位塊；和設(shè)置在顯影處理用的單位塊和對應(yīng)的輔助用的單位塊之間，用于在兩單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接的顯影處理用的交接部，b)按照各單位塊設(shè)置在載體塊側(cè)，在各單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接的搬入搬出用的交接部，c)用于從載體將基板分配并交接至對應(yīng)于前段處理用的各單位塊的所述搬入搬出用的交接部，并且從對應(yīng)于顯影處理用的各單位塊的搬入搬出用的交接部使基板返回載體的第一交接機構(gòu)，和d)用于接收在所述處理塊處理后的曝光前的基板，將曝光后的基板分配并交接至顯影處理用的單位塊的第二交接機構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置，其特征在于輔助用的單位塊具備通過該輔助用的單位塊內(nèi)的搬送機構(gòu)進行基板的搬送，對形成有抗蝕劑膜的基板的背面?zhèn)冗M行清潔用的背面清潔模塊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的涂敷顯影裝置，其特征在于該涂敷顯影裝置具備控制部，其執(zhí)行如下模式，該模式包括在前段處理用的單位塊發(fā)生故障時或進行維修時，不使用該單位塊，通過其它的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的步驟；和在該步驟之后，通過所述輔助移載機構(gòu)，將該基板搬送到不使用的單位塊的接口塊側(cè)的后段處理用的單位塊的步驟。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的涂敷顯影裝置，其特征在于該涂敷顯影裝置具備控制部，其執(zhí)行如下模式，該模式包括在后段處理用的單位塊發(fā)生故障或進行維修時，不使用該單位塊，通過不使用的單位塊的載體塊側(cè)的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的步驟；和該步驟之后，通過所述輔助移載機構(gòu)，將該基板搬送到其它階層的后段處理用的單位塊的步驟。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的涂敷顯影裝置，其特征在于前端處理用的單位塊的層疊數(shù)和后段處理用的單位塊的各個的層疊數(shù)為3層。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 顯影處理用的單位塊的層疊數(shù)為3層。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述輔助搬送機構(gòu)具備用于在各段涂敷處理用的交接部之間進行搬送的第一輔助移載機構(gòu)；和用于在各段的顯影處理用的交接部之間進行搬送的第二輔助移載機構(gòu)。
8.一種涂敷顯影方法，其特征在于使用權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置，實施下述工序在前段處理用的單位塊發(fā)生故障或進行維修時，不使用該單位塊，通過其它的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的工序；接著，通過輔助移載機構(gòu)，將該基板搬送到不使用的單位塊的接口塊側(cè)的后段處理用的單位塊的工序；和其后，通過該后段處理用的單位塊內(nèi)的模塊，形成上層側(cè)的膜的工序。
9.一種涂敷顯影方法，其特征在于使用權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置，實施下述工序在后段處理用的單位塊發(fā)生故障或進行維修時，不使用該單位塊，通過不使用的單位塊的載體塊側(cè)的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的工序；接著，通過輔助移載機構(gòu)，將該基板搬送到其它的階層的后段處理用的單位塊的工序;和然后，通過該后段處理用的單位塊內(nèi)的模塊，形成上層側(cè)的膜的工序。
10.一種存儲介質(zhì)，其是存儲有涂敷顯影裝置中使用的計算機程序的存儲介質(zhì)， 所述計算機程序為實施權(quán)利要求8或9所述的涂敷顯影方法用的程序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種涂敷顯影裝置、涂敷顯影方法和存儲介質(zhì)，在單位塊發(fā)生異常時，進行維修時，抑制涂敷顯影裝置的生產(chǎn)率降低并且抑制處理塊的設(shè)置面積。構(gòu)成涂敷顯影裝置，具備層疊的前段處理用的單位塊；在各個對應(yīng)的層疊的后段處理用的單位塊之間設(shè)置、在兩單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接用的涂敷處理用的交接部；在各段的涂敷處理用的交接部之間進行基板的搬送用的能夠自由升降的輔助移載機構(gòu)；在上述前段處理用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊。在各層之間交接基板，能夠避免不可以使用的單位塊搬送基板。此外，顯影用的單位塊和前段處理用的單位塊層疊，抑制設(shè)置面積。
文檔編號H01L21/027GK102315091SQ20111019792
公開日2012年1月11日 申請日期2011年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月9日
發(fā)明者宮田亮, 松岡伸明, 林伸一, 榎木田卓 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社