層疊封裝結(jié)構(gòu)中的無(wú)源器件及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了層疊封裝結(jié)構(gòu)中的無(wú)源器件及其形成方法，其中該器件包括聚合物。器件管芯設(shè)置在聚合物中。無(wú)源器件包括穿透聚合物的三個(gè)組件通孔(TAV)，其中TAV串聯(lián)連接。再分布線(RDL)位于聚合物下方。RDL將TAV中的第一個(gè)電連接至TAV中的第二個(gè)。
【專利說(shuō)明】層疊封裝結(jié)構(gòu)中的無(wú)源器件及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總的來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及層疊封裝結(jié)構(gòu)中的無(wú)源器件及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]無(wú)源器件(諸如電感器、變壓器、傳輸線等)通常被用于射頻(RF)應(yīng)用。無(wú)源器件可嵌入芯片上系統(tǒng)(SoC)應(yīng)用。然而，無(wú)源器件的性能(諸如Q因數(shù))由于附近硅襯底中產(chǎn)生的渦電流而較低。當(dāng)封裝器件管芯時(shí)，無(wú)源器件也可以形成在玻璃襯底上或者器件管芯的扇出結(jié)構(gòu)中。然而，結(jié)果仍然不令人滿意。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種器件，包括:聚合物；器件管芯，位于聚合物中；以及無(wú)源器件。無(wú)源器件包括:三個(gè)組件通孔(TAV)，穿透聚合物，三個(gè)TAV串聯(lián)連接；以及第一再分布線(RDL)，位于聚合物下方，第一 RDL將三個(gè)TAV中的第一個(gè)TAV與三個(gè)TAV中的第二個(gè)TAV電連接。
[0004]優(yōu)選地，三個(gè)TAV包括:頂端，與聚合物的頂面平齊；以及底端，與器件管芯的金屬柱的端部平齊。
[0005]優(yōu)選地，聚合物包括模塑料。
[0006]優(yōu)選地，無(wú)源器件進(jìn)一步包括位于聚合物上方的第二 RDL，第二 RDL將三個(gè)TAV中的第二個(gè)TAV與三個(gè)TAV中的第三個(gè)TAV電連接。
[0007]優(yōu)選地，無(wú)源器件進(jìn)一步包括三個(gè)焊球，每個(gè)焊球均位于三個(gè)TAV中的一個(gè)的上方并與這一個(gè)TAV電連接，并且三個(gè)焊球和三個(gè)TAV串聯(lián)連接。
[0008]優(yōu)選地，無(wú)源器件包括線圈，并且線圈的軸平行于器件管芯的背面。
[0009]優(yōu)選地，無(wú)源器件進(jìn)一步包括平行于線圈的軸的順磁線，順磁線包括順磁材料。
[0010]優(yōu)選地，無(wú)源器件包括電感器。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種器件，包括:器件管芯，在器件管芯的第一表面處包括多個(gè)金屬部件；模塑料，器件管芯模制在其中，所述模塑料包括與器件管芯的第二表面平齊的頂面和與多個(gè)金屬部件的端部平齊的底面；以及無(wú)源器件，包括線圈，線圈包括穿透所述模塑料的多個(gè)組件通孔(TAV)和位于模塑料下方的多條第一再分布線(RDL)，多條第一 RDL和多個(gè)TAV串聯(lián)電連接。
[0012]優(yōu)選地，多個(gè)TAV包括:第一端部，與模塑料的頂面平齊；以及第二端部，與模塑料的底面平齊。
[0013]優(yōu)選地，無(wú)源器件進(jìn)一步包括位于模塑料上方的多條第二 RDL，并且多條第二 RDL電互連多個(gè)第二 TAV。
[0014]優(yōu)選地，該器件進(jìn)一步包括:位于多條第二 RDL上方并與多條第二 RDL接合的封裝部件。[0015]優(yōu)選地，無(wú)源器件進(jìn)一步包括多個(gè)焊球，多個(gè)焊球中的每一個(gè)焊球都位于多個(gè)TAV中的一個(gè)上方并與這一個(gè)TAV電連接，并且多個(gè)焊球和多個(gè)TAV串聯(lián)連接。
[0016]優(yōu)選地，線圈的軸平行于器件管芯的主面。
[0017]優(yōu)選地，無(wú)源器件進(jìn)一步包括平行于線圈的軸的順磁線，并且順磁線包括順磁材料。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括:將器件管芯放置在載體上方；在載體上方形成多個(gè)組件通孔(TAV);在聚合物中模制器件管芯和多個(gè)TAV;減薄所述聚合物，在減薄步驟之后，TAV的端部與器件管芯的導(dǎo)電部件的端部平齊，并且通過(guò)聚合物暴露所述TAV的端部和導(dǎo)電部件的端部；在聚合物的第一側(cè)上形成多條第一再分布線(RDL)，多條第一 RDL電連接至多個(gè)TAV ；以及使用多條導(dǎo)線互連多個(gè)TAV以形成無(wú)源器件，多條導(dǎo)線和多條第一 RDL位于聚合物的相對(duì)側(cè)上，并且無(wú)源器件包括多條第一 RDL中的一條和多個(gè)TAV。
[0019]優(yōu)選地，互連多個(gè)TAV的步驟包括形成多條第二 RDL作為多條導(dǎo)線。
[0020]優(yōu)選地，互連多個(gè)TAV的步驟包括將封裝部件接合至多個(gè)TAV，封裝部件中的導(dǎo)線形成無(wú)源器件的一部分，并且封裝部件中的導(dǎo)線和多個(gè)TAV串聯(lián)連接。
[0021]優(yōu)選地，使用多個(gè)焊球執(zhí)行接合步驟，多個(gè)焊球和多個(gè)TAV串聯(lián)連接，并且多個(gè)焊球形成部分無(wú)源器件。
[0022]優(yōu)選地，無(wú)源器件包括線圈，該方法進(jìn)一步包括形成平行于線圈的軸并位于線圈內(nèi)的順磁線，并且在形成多條第一 RDL中的一條時(shí)同時(shí)形成順磁線。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更加完整地理解本實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在接合附圖作為參考進(jìn)行下列的描述，其中:
[0024]圖1至圖10是根據(jù)一些示例性實(shí)施例的制造層疊封裝(PoP)結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖；
[0025]圖11和圖12示出了根據(jù)可選實(shí)施例的制造PoP結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖；以及
[0026]圖13和圖14分別示出了圖10和12所示PoP結(jié)構(gòu)中的無(wú)源器件的一部分的立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面詳細(xì)討論本發(fā)明實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，實(shí)施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中具體化的可應(yīng)用發(fā)明概念。所討論的具體實(shí)施例是說(shuō)明性的而不是限制本公開(kāi)的范圍。
[0028]根據(jù)各種示例性實(shí)施例提供了其中形成有無(wú)源器件的層疊封裝(PoP)結(jié)構(gòu)及其形成方法。示出了形成PoP結(jié)構(gòu)的中間階段。還討論了實(shí)施例的變化。在各個(gè)附圖和示例性實(shí)施例中，類似的參考標(biāo)號(hào)用于表示類似的元件。
[0029]圖1至圖10是根據(jù)一些示例性實(shí)施例的制造PoP結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖。圖1示出了載體20和載體20上的粘合劑層22。載體20可以是玻璃載體、陶瓷載體等。粘合劑層22可以由諸如紫外線(UV)凝膠的粘合劑形成。[0030]如圖2所示，在粘合劑層22上放置或形成封裝部件24和導(dǎo)電柱28。在整個(gè)描述中，導(dǎo)電柱28可選地稱為組件通孔(TAV, through assembly via) 28。封裝部件24和TAV28的位置與期望位置對(duì)準(zhǔn)，使得隨后形成的再分布線可以電連接至TAV28并形成具有TAV28的無(wú)源器件64(圖10和12)。在一些實(shí)施例中，封裝部件24包括器件管芯，其可以是邏輯管芯、存儲(chǔ)器管芯等。器件管芯還可以包括諸如晶體管的有源器件(未示出)以及諸如電阻器、電容器等的無(wú)源器件(未示出)。封裝部件24還可以是包括器件管芯、中介片、封裝襯底(未示出)等的封裝件。
[0031]在一些示例性實(shí)施例中，金屬柱26 (諸如銅柱)形成為封裝部件24的頂部并且電連接至封裝部件24中的器件。在一些實(shí)施例中，介電層27形成在封裝部件24的頂面處，其中至少金屬柱26的底部位于介電層27中。介質(zhì)層27的頂面可以與金屬柱26的頂端基本平齊?？蛇x地，金屬柱26突出到封裝部件24的剩余部分的上方。
[0032]TAV28可包括柱狀凸塊和連接至柱狀凸塊的接合線。TAV28可形成在粘合劑層22之上，或者形成在其他地方并置于粘合劑層22之上。在形成一個(gè)TAV28的示例性工藝中，執(zhí)行引線接合以形成柱狀凸塊，然后切割引線。接合引線的一部分被剩下連接至柱狀凸塊，并且剩余的接合線和柱狀凸塊組合形成TAV28。TAV28的材料可包括銅、鋁等。在圖2中的所獲結(jié)構(gòu)中，TAV28的底端與封裝部件24的底面基本平齊。
[0033]參照?qǐng)D3，聚合物40模制在封裝部件24和TAV28上。聚合物40填充封裝部件24和TAV28之間的間隙并且可與粘合劑層22接觸。此外，聚合物40填充到金屬柱26之間的間隙中。聚合物40可包括模塑料、模制底部填充物或一種環(huán)氧樹(shù)脂。聚合物40的頂面高于金屬柱26和TAV28的頂端。接下來(lái)，執(zhí)行減薄步驟(其可以是研磨步驟)以減薄聚合物40，直到露出金屬柱26和TAV28為止。在圖4中示出了所得到的結(jié)構(gòu)。由于減薄步驟，TAV28的頂端28A與金屬柱26的頂端26A基本平齊，并且與聚合物40的頂面40A基本平齊。
[0034]接下來(lái)，參照?qǐng)D5，再分布線(RDL) 42形成在聚合物40之上，以連接至金屬柱26和TAV28并使金屬柱26和TAV28互連。RDL42形成在介電層43中。在一些實(shí)施例中，通過(guò)沉積金屬層并且隨后圖案化金屬層來(lái)形成RDL42。在可選實(shí)施例中，使用鑲嵌工藝形成RDL42和介電層43。RDL42可包括鋁、銅、鎢和/或其他合金。一些RDL42還可以包括順磁材料，其可以包括鐵、鈷、鎳或它們的組合。
[0035]圖6示出了電連接件44的形成。在一些示例性實(shí)施例中，電連接件44的形成包括在RDL42的露出部分上放置焊球，然后回流焊球。在可選實(shí)施例中，電連接件44的形成包括執(zhí)行噴鍍步驟以在RDL42上形成焊料區(qū)域，然后回流焊料區(qū)域。連接件44還可以包括金屬柱，或者金屬柱和焊帽，其也可以通過(guò)噴鍍形成。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，包括封裝部件24、TAV28和聚合物40的組合結(jié)構(gòu)被稱為封裝件46。
[0036]參照?qǐng)D7，執(zhí)行載體轉(zhuǎn)換。在載體轉(zhuǎn)換工藝中，載體48首先附接至封裝件46，其中載體20和48位于封裝件46的相對(duì)側(cè)。載體48可通過(guò)粘合劑50 (其可以是UV凝膠、膠帶等)而附接至封裝件46。然后，通過(guò)使粘合劑層22失去附著力而從封裝件46拆離載體20。然后去除粘合劑層22。例如，當(dāng)粘合劑層22由UV凝膠形成時(shí)，粘合劑層22可以被暴露于UV光，使得粘合劑層22失去附著力，因此可以從封裝件46去除載體20和粘合劑層22。
[0037]參照?qǐng)D8，在載體轉(zhuǎn)換之后，TAV28的后端28B被暴露。在所示結(jié)構(gòu)中，TAV28的端部28B與封裝部件24的背面24A平齊。TAV28的端部28B還可以與聚合物40的表面40B基本平齊。在一些實(shí)施例中，執(zhí)行研磨以輕微得研磨封裝部件24和TAV28的背面，使得TAV28突出到封裝部件24的背面上方?？蛇x地，跳過(guò)研磨步驟。
[0038]如圖9所示，在所示封裝件46的頂面上形成介電層52和RDL54。在一些實(shí)施例中，介電層52包括聚合物，其可以是聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)等。介電層52可由感光材料(諸如聚酰亞胺)形成，其可以在光刻步驟中曝光，然后被圖案化?？蛇x地，介電層52可由其他材料形成，諸如氧化物、氮化物、碳化物、氮化碳、它們的組合和它們的多層。RDL54形成在介電層52中并連接至TAV28。RDL54可以在封裝部件24上方延伸并與封裝部件24對(duì)準(zhǔn)。因此，RDL54具有扇入(fan-1n)結(jié)構(gòu)。位于封裝部件24上方并與封裝部件24對(duì)準(zhǔn)的RDL54的一部分可以連接至位于TAV28上方并與TAV28對(duì)準(zhǔn)的RDL的一部分。接下來(lái)，載體48 (圖8)與封裝件46分離。由此完成封裝件46的形成。
[0039]參照?qǐng)D10，封裝件46被接合至頂部封裝部件56以形成PoP結(jié)構(gòu)60。封裝部件56可包括器件管芯、中介片、封裝襯底或它們的組合。通過(guò)連接件57(例如，其可以為焊球)執(zhí)行接合。聚合物58分布在封裝件46和封裝部件56之間。聚合物58可以是底部填充物或模制底部填充物?？蛇x地，用模塑料或模制底部填充物來(lái)模制PoP結(jié)構(gòu)60。
[0040]圖11和圖12示出了根據(jù)可選實(shí)施例的形成PoP結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖。除非另外說(shuō)明，否則通過(guò)基本類似的參考標(biāo)號(hào)表示這些實(shí)施例中與圖1至圖10所示實(shí)例中類似的組件的材料和形成方法。由此可以在圖1至圖10所示實(shí)施例的討論中找到關(guān)于在圖11至圖12所示組件的形成工藝和材料的細(xì)節(jié)。
[0041]這些實(shí)施例的初始步驟與圖1至圖8所示的基本相同。接下來(lái)，如圖11所示，電連接件62形成在聚合物40上方，并且位于TAV28上方且電連接至TAV28。電連接件62可以是焊球、金屬柱、包括金屬柱和上覆預(yù)焊料的組合連接件等。在圖12中，電連接件62用于將封裝部件56接合至封裝件46。
[0042]圖13示出了形成在圖10所示PoP結(jié)構(gòu)中的無(wú)源器件64的立體圖。在圖10中，示意性示出了無(wú)源器件64，但是更詳細(xì)的結(jié)構(gòu)可以參照?qǐng)D13來(lái)得到。無(wú)源器件64可以是電感器、變壓器等。如圖10和圖13所示，無(wú)源器件64具有包括一層或多層RDL42、TAV28以及一層或多層RDL54的垂直結(jié)構(gòu)，其中RDL42和54形成在聚合物40和TAV28的相對(duì)側(cè)。TAV28形成在無(wú)源器件64的垂直部分，并且具有垂直于封裝部件24的背面24A的縱向。RDL42和54形成無(wú)源器件64的水平部分，并且還可以形成一些垂直部分。
[0043]如圖13所示，無(wú)源器件64可包括線圈，其中線圈的軸(與線66重疊)平行于器件管芯24的主面24A(圖10)。因此，對(duì)應(yīng)的無(wú)源器件64被稱為垂直無(wú)源器件。在一些實(shí)施例中，順磁線(paramagnetic line)66(其是RDL42的一部分)平行于無(wú)源器件64的線圈的軸或者與無(wú)源器件64的線圈的軸重疊。在這些實(shí)施例中，順磁線66可包括鐵、鈷、鎳以及它們的組合。RDL42的對(duì)應(yīng)層由與順磁線66相同的材料形成。順磁線66的形成可以使得顯著改善無(wú)源器件64的Q因數(shù)。在圖10所示的示例性實(shí)施例中，順磁線66是RDL42的一部分。可選地，順磁線66可以是RDL54的一部分。
[0044]圖14示出了形成在圖12的PoP結(jié)構(gòu)中的無(wú)源器件64更詳細(xì)的立體圖。這些實(shí)施例中的無(wú)源器件64包括TAV28和電連接件62 (例如其可以是焊球)。封裝部件56中的導(dǎo)線68(圖12)形成無(wú)源器件64的一些水平部分。導(dǎo)線68可以構(gòu)建在封裝部件56內(nèi)，或者作為封裝部件56的表面線。在無(wú)源器件64中，導(dǎo)線68、電連接件62、TAV28和RDL42串聯(lián)連接以形成無(wú)源器件64的線圈。
[0045]圖13和圖14中的箭頭70示意性示出了對(duì)應(yīng)無(wú)源器件64的操作期間的電流。如箭頭70所示，每個(gè)無(wú)源器件64都包括至少三個(gè)串聯(lián)連接的TAV28，其中TAV28形成無(wú)源器件64的對(duì)應(yīng)線圈的垂直部分。無(wú)源器件64還可以包括四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)或任意多個(gè)串聯(lián)連接的TAV28。此外，如圖14所示，無(wú)源器件64可包括三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)或任何多個(gè)與TAV28串聯(lián)的電連接件62 (例如，焊球)。
[0046]在實(shí)施例中，通過(guò)在PoP結(jié)構(gòu)中形成垂直無(wú)源器件，無(wú)源器件的Q因數(shù)會(huì)由于垂直結(jié)構(gòu)適合于封閉對(duì)應(yīng)無(wú)源器件中更多空間的事實(shí)而增加。此外，無(wú)源器件延伸至聚合物40(圖10和圖12)的相對(duì)側(cè)，并且可能延伸進(jìn)頂部封裝部件56 (圖12)。結(jié)果，無(wú)源器件的尺寸可以增大而不擴(kuò)展所得PoP結(jié)構(gòu)的水平尺寸。無(wú)源器件尺寸的增加也引起電感(例如，所得電感器)的改善。
[0047]根據(jù)實(shí)施例，一種器件包括聚合物。器件管芯設(shè)置在聚合物中。無(wú)源器件包括穿透聚合物的三個(gè)TAV，其中三個(gè)TAV串聯(lián)連接。RDL位于聚合物下方。RDL將三個(gè)TAV中的第一個(gè)連接至三個(gè)TAV中的第二個(gè)。
[0048]根據(jù)其他實(shí)施例，一種器件包括器件管芯，器件管芯在第一表面處包括多個(gè)金屬部件。器件管芯模制在模塑料中，其中模塑料的頂面與器件管芯的第二表面平齊并且底面與多個(gè)金屬部件的端部平齊。無(wú)源器件包括線圈，其中線圈包括穿透模塑料的多個(gè)TAV。多條RDL位于模塑料下方，其中多條RDL和多個(gè)TAV串聯(lián)電連接。
[0049]根據(jù)又一些實(shí)施例，一種方法包括:在載體上方放置器件管芯；在載體上方形成多個(gè)TAV;以及在聚合物中模制器件管芯和多個(gè)TAV。然后減薄聚合物。在減薄步驟之后，TAV的端部與器件管芯的導(dǎo)電部件的端部平齊，其中通過(guò)聚合物的表面暴露TAV的端部和導(dǎo)電部件的端部。在聚合物的側(cè)面上形成多條RDL，其中多條RDL電連接至多個(gè)TAV。該方法進(jìn)一步包括使用多條導(dǎo)線互連多個(gè)TAV以形成無(wú)源器件。多條導(dǎo)電線和多條第一 RDL位于聚合物的相對(duì)側(cè)。無(wú)源器件包括多個(gè)TAV和一條RDL。用于互連多個(gè)TAV的多條導(dǎo)線可形成在聚合物上或者位于封裝部件內(nèi)。
[0050]盡管已經(jīng)詳細(xì)描述了實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)該理解，可以進(jìn)行各種替換和更改而不背離所附權(quán)利要求限定的實(shí)施例的精神和范圍。此外，本申請(qǐng)的范圍不旨在限于說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)械裝置、制造以及物質(zhì)組成、工具、方法和步驟的特定實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，根據(jù)本公開(kāi)可以利用與本文描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例基本執(zhí)行相同功能或?qū)崿F(xiàn)基本相同結(jié)果的目前現(xiàn)有或即將開(kāi)發(fā)的工藝、機(jī)械裝置、制造、物質(zhì)組成、工具、方法、或步驟。因此，所附權(quán)利要求旨在包括在這種工藝、機(jī)械裝置、制造、物質(zhì)組成、工具、方法、或步驟的范圍內(nèi)。此外,每個(gè)權(quán)利要求都構(gòu)成獨(dú)立的實(shí)施例,并且各種權(quán)利要求和實(shí)施例的組合均在本公開(kāi)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種器件，包括: 聚合物； 器件管芯，位于所述聚合物中；以及 無(wú)源器件，包括: 三個(gè)組件通孔(TAV)，穿透所述聚合物，所述三個(gè)TAV串聯(lián)連接；以及第一再分布線(RDL)，位于所述聚合物下方，所述第一 RDL將所述三個(gè)TAV中的第一個(gè)TAV與所述三個(gè)TAV中的第二個(gè)TAV電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述三個(gè)TAV包括: 頂端，與所述聚合物的頂面平齊；以及 底端，與所述器件管芯的金屬柱的端部平齊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述聚合物包括模塑料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述無(wú)源器件進(jìn)一步包括位于所述聚合物上方的第二 RDL，所述第二 RDL將所述三個(gè)TAV中的第二個(gè)TAV與所述三個(gè)TAV中的第三個(gè)TAV電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述無(wú)源器件進(jìn)一步包括三個(gè)焊球，每個(gè)焊球均位于所述三個(gè)TAV中的一個(gè)的上方并與這一個(gè)TAV電連接，并且所述三個(gè)焊球和所述三個(gè)TAV串聯(lián)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述`的器件，其中，所述無(wú)源器件包括線圈，并且所述線圈的軸平行于所述器件管芯的背面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述無(wú)源器件進(jìn)一步包括平行于所述線圈的所述軸的順磁線，所述順磁線包括順磁材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述無(wú)源器件包括電感器。
9.一種器件，包括: 器件管芯，在所述器件管芯的第一表面處包括多個(gè)金屬部件； 模塑料，所述器件管芯模制在其中，所述模塑料包括: 頂面，與所述器件管芯的第二表面平齊；和 底面，與所述多個(gè)金屬部件的端部平齊；以及 無(wú)源器件，包括線圈，所述線圈包括: 多個(gè)組件通孔(TAV)，穿透所述模塑料；和 多條第一再分布線(RDL)，位于所述模塑料下方，所述多條第一 RDL和所述多個(gè)TAV串聯(lián)電連接。
10.一種方法，包括: 將器件管芯放置在載體上方； 在所述載體上方形成多個(gè)組件通孔(TAV)； 在聚合物中模制所述器件管芯和所述多個(gè)TAV ； 減薄所述聚合物，在減薄步驟之后，TAV的端部與所述器件管芯的導(dǎo)電部件的端部平齊，并且通過(guò)所述聚合物暴露所述TAV的端部和所述導(dǎo)電部件的端部； 在所述聚合物的第一側(cè)上形成多條第一再分布線(RDL)，所述多條第一 RDL電連接至所述多個(gè)TAV ；以及使用多條導(dǎo)線互連所述多個(gè)TAV以形成無(wú)源器件，所述多條導(dǎo)線和所述多條第一 RDL位于所述聚合物的相對(duì)側(cè)上，并且 所述無(wú)源器件包括所述多條第一 RDL中的一條和所述多個(gè) TAV。
【文檔編號(hào)】H01L25/00GK103681561SQ201310024884
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年1月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月20日
【發(fā)明者】陳志華, 陳承先 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司