電感元件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電感元件，該電感元件包括絕緣基材、環(huán)形磁性物、絕緣材料層、繞線結(jié)構(gòu)及防焊層。該絕緣基材具有環(huán)形溝槽，該形磁性物設(shè)置在環(huán)形溝槽內(nèi)，且與環(huán)形溝槽間形成一間隙，該絕緣材料層設(shè)置在絕緣基材上方，具有第一通孔，第一通孔連通至間隙，該繞線結(jié)構(gòu)設(shè)置在環(huán)形溝槽外圍，該防焊層設(shè)置在繞線與絕緣材料層上方，具有第二通孔，其中第二通孔連通至第一通孔，并與第一通孔一起形成排氣孔，供連通外部空氣與間隙。
【專利說明】電感元件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電感元件及其制造方法，特別涉及一種電感元件上的排氣孔及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進步以及市場對輕、薄、短、小元件的需求，電感元件已被廣泛的使用于各種電子設(shè)備中，例如芯片型電感元件，不但在電路板上所占用的體積小，安裝時更符合表面組裝技術(shù)的需要，便于自動化組裝設(shè)置。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)制造過程中，將鐵粉芯放入絕緣基材上的環(huán)形溝槽后，鐵粉芯與環(huán)形溝槽中間會產(chǎn)生一間隙，但存在于間隙中的氣體受熱膨脹后將會導(dǎo)致鐵粉芯產(chǎn)生脫層現(xiàn)象。而圖1則是另一種依據(jù)傳統(tǒng)制程方法生產(chǎn)的電感元件的示意圖，主要是將鐵粉芯與環(huán)形凹槽的間隙用填充物質(zhì)(例如膠狀物質(zhì))填滿，但此種制造方法在實際制作時或完成后，其他原料層與填充物質(zhì)容易壓迫到鐵粉芯，易造成其磁偶集距改變，導(dǎo)致電感值位移。為改善此種電感元件制程與結(jié)構(gòu)，本發(fā)明提供了 一種電感元件及其制造方法，特別是關(guān)于電感元件制造方法與排氣孔的設(shè)置，其可以改善上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，而且本發(fā)明所完成的排氣孔可分布在繞線線路之間，制作時不需為保留排氣孔所需的空間而減少繞線圈數(shù)或繞線范圍，達到成品的最大功效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種電感元件,為了改善上述現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生的問題,該電感元件包括絕緣基材、環(huán)形磁性物、絕緣材料層、繞線結(jié)構(gòu)及防焊層。該絕緣基材具有環(huán)形溝槽，該環(huán)形磁性物設(shè)置在環(huán)形溝槽內(nèi)且與環(huán)形溝槽間形成一間隙，該絕緣材料層設(shè)置在該絕緣基材上方，具有第一通孔，該第一通孔連通至該間隙，該繞線結(jié)構(gòu)設(shè)置在環(huán)形溝槽外圍，該防焊層設(shè)置在該繞線結(jié)構(gòu)與該絕緣材料層上方，具有第二通孔，其中該第二通孔連通至該第一通孔，與該第一通孔一起形成排氣孔，連通外部空氣與間隙。
[0005]本發(fā)明還提供一種電感元件的制造方法，包括以下步驟:提供絕緣基材，在絕緣基材上形成一環(huán)形溝槽；在環(huán)形溝槽內(nèi)放置環(huán)形磁性物，環(huán)形磁性物與環(huán)形溝槽間形成一間隙；形成絕緣材料層于絕緣基材上方；形成繞線結(jié)構(gòu)于環(huán)形溝槽外圍；形成防焊層于繞線結(jié)構(gòu)與絕緣材料層上方，并于防焊層上之預(yù)定位置形成第一通孔；以及形成第二通孔于絕緣材料層，且第二通孔穿通絕緣材料層，連通第一通孔與間隙，并與第二通孔一起形成排氣孔，連通外部空氣與間隙。
[0006]本發(fā)明提供一種電感元件及其制造方法，其中保留環(huán)形溝槽與環(huán)形磁性物的間隙，用以避免填滿后遇熱膨脹，其填充物質(zhì)對環(huán)形磁性物造成壓力，導(dǎo)致磁偶集距改變，電感值位移。
[0007]本發(fā)明提供一種電感元件及其制造方法，其中環(huán)形溝槽與環(huán)形磁性物僅以單面做固定，故可避免環(huán)形磁性物于環(huán)形溝槽內(nèi)，搖晃震動可能造成環(huán)形磁性物結(jié)構(gòu)的破壞損毀。[0008]本發(fā)明提供一種電感元件及其制造方法，其中包含一個以上的排氣孔，排氣孔是由位于防焊層上的第二通孔，連通位于絕緣材料層上的第一通孔至環(huán)形溝槽與環(huán)形磁性物的間隙，達到排氣的作用。
[0009]本發(fā)明提供一種電感元件及其制造方法，其中包含一個以上之排氣孔，且排氣孔是用激光穿孔技術(shù)形成，不僅提供較佳的氣體流通性與氣體泄壓功能，在制程上不需因為排氣孔的形成而減少繞線圈數(shù)，或因需預(yù)留排氣孔之位置而減少繞線范圍。在不降低傳統(tǒng)制程制作出的電感元件的效能的前提下，提供排氣泄壓的功能，改善傳統(tǒng)制程并提高良品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的芯片型電感元件示意圖。
[0011]圖2A至圖2B是依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪制的一種電感元件的制造方法流程示意圖。其中A為俯視圖，B為沿俯視圖A中的a與a’進行切面后的剖面示意圖。
[0012]圖2是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，絕緣基材與下導(dǎo)電材料層的示意圖。圖2A中的圖形，是為后續(xù)預(yù)定步驟實行的位置與完成后的形狀，其中虛線部分為底面完成的示意圖，實線點填滿的部分為頂面完成的示意圖，實線空白的環(huán)形圖案為預(yù)定形成的環(huán)形溝槽位置。
[0013]圖3是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，在絕緣基材上形成環(huán)形溝槽的示意圖。
[0014]圖4是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，置入環(huán)形磁性物并將其固定的示意圖。
[0015]圖5是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，在絕緣基材上表面依次覆蓋一層絕緣材料層和上導(dǎo)電材料層后，進行壓合的示意圖。
[0016]圖6是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，在環(huán)形溝槽內(nèi)外側(cè)形成導(dǎo)體通孔的示意圖。
[0017]圖7是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，在上導(dǎo)電材料層與下導(dǎo)電材料層上形成圖案化隔離層的示意圖。
[0018]圖8是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，移除部分上導(dǎo)電材料層、部分下導(dǎo)電材料層后與圖案化隔離層后，形成頂面與底面的電路線的示意圖。
[0019]圖9是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，在頂面與底面兩表面上形成防焊層的示意圖。
[0020]圖10是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，對防焊層進行另一蝕刻步驟，用以形成圖案化防焊層與防焊層通孔的示意圖。
[0021]圖11是依據(jù)本發(fā)明一實施例實施步驟中，在預(yù)定位置上形成絕緣材料層通孔的示意圖。
[0022]圖12是依據(jù)本發(fā)明一實施例中，黏著劑以及排氣孔的位置示意圖。
【具體實施方式】
[0023]圖2A至圖2B是依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪制的一種電感元件及其制造方法流程示意圖。其中A為俯視圖，B為沿俯視圖A中的a與a’進行切面后的剖面示意圖。
[0024]請參照圖2所示，基底為平板狀絕緣基材10，下方為下導(dǎo)電材質(zhì)層12，為便于區(qū)分方向，圖2中下導(dǎo)電材料層的那一面定義為底面112,反之,另一面為頂面111。在本發(fā)明一實施例中，使用環(huán)氧樹脂玻璃纖維板(FR4)作為基底，下方使用銅箔作為下導(dǎo)電材料層12。圖2A中的圖形，是為后續(xù)預(yù)定步驟施行的位置與完成后的形狀，其中虛線部分為底面112完成的示意圖，實線點填滿的部分，為頂面111完成的示意圖，實線空白的環(huán)形圖案為預(yù)定形成的環(huán)形溝槽位置。后面為方便說明，且為提供較清楚的標示，俯視圖部分將不顯示底面112的完成形狀，僅用頂面111完成的示意圖做說明，用以簡化圖式復(fù)雜度。接著，如圖3所示，在絕緣基材上形成環(huán)形溝槽140，其環(huán)形溝槽深度1405小于絕緣基材高度105。并且環(huán)形溝槽140沒有穿通絕緣基材10，并且環(huán)形溝槽140與下方的下導(dǎo)電材料層12間保有一部分絕緣基材10。再者，請參照圖4，在環(huán)形溝槽140內(nèi)置入該環(huán)形磁性物150，為了制作上的便利，預(yù)先制作完成的環(huán)形磁性物150的尺寸可以略小于環(huán)形溝槽140，因此環(huán)形溝槽140與環(huán)形磁性物150間將具有間隙160，而為了讓環(huán)形溝槽140與環(huán)形磁性物150可以良好固定，還可選擇在環(huán)形溝槽140與環(huán)形磁性物150至少一部分接觸面上設(shè)置一黏著劑310，用以固定環(huán)形磁性物150。在本發(fā)明一實施例中，如圖4B所示，黏著劑310設(shè)置于環(huán)形溝槽底面312，用以固定環(huán)形溝槽140內(nèi)的鐵粉芯(相當(dāng)于環(huán)形磁性物150)，由于其僅是單面固定，保留間隙160，因此不會對此截面積產(chǎn)生壓力，故不會像現(xiàn)有的制造方法一樣，填滿環(huán)形溝槽140后對其內(nèi)的環(huán)形磁性物150產(chǎn)生壓力，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)被破壞。
[0025]其后，請參照圖5，在絕緣基材上方面111依次覆蓋上一層絕緣材料層20與上導(dǎo)電材料層22后,進行壓合。在本發(fā)明一實施例中，絕緣材料層20使用聚丙烯(PoIypropyIene,PP)，上導(dǎo)電材料層22使用一含銅之導(dǎo)電材料。接著，如圖6所示，在預(yù)定位置進行鉆孔步驟，形成外側(cè)導(dǎo)體通孔170與內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔180。其中鉆孔步驟包括，形成穿通整個上導(dǎo)電材質(zhì)層22、絕緣材料層20、絕緣基材10以及下導(dǎo)電材質(zhì)層12的導(dǎo)體通孔在環(huán)形溝槽內(nèi)側(cè)與外側(cè)。其后，在外側(cè)導(dǎo)體通孔170與內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔180內(nèi)，提供一導(dǎo)電材質(zhì)42，供連接上導(dǎo)電材料層與下導(dǎo)電材料層。在本發(fā)明一實施例中，在外側(cè)導(dǎo)體通孔170與內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔180管壁形成一電鍍層，如圖6B中的導(dǎo)電材料42所示。藉由電鍍層，供連接上導(dǎo)電材料層22與下導(dǎo)電材料層12。在本發(fā)明另一實施例中，在外側(cè)導(dǎo)體通孔170內(nèi)與內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔180置入一導(dǎo)電插塞，形成內(nèi)側(cè)導(dǎo)體插塞與外側(cè)導(dǎo)體插塞(未顯示于圖6B，但功能相當(dāng)于導(dǎo)電材料42)，連接上導(dǎo)電材料層22與下導(dǎo)電材料層12。
[0026]接著，對上導(dǎo)電材料層與下導(dǎo)電材料層進行一圖案化步驟。如圖7所示，先在上導(dǎo)電材料層22與下導(dǎo)電材料層12上形成一圖案化隔離層32a，以圖案化隔離層32a為罩幕，接著進行導(dǎo)電材料層的蝕刻步驟以移除部分上導(dǎo)電材料層22與部分下導(dǎo)電材料層12。其中，圖案化隔離層32a的形成方式可以使用印刷技術(shù)。移除部分上導(dǎo)電材料層22與部分下導(dǎo)電材料層12后，進行另一蝕刻步驟以移除圖案化隔離層32a，留下圖案化上導(dǎo)電材料層22a與圖案化下導(dǎo)電材料層(未標示于圖中)，形成頂面111與底面112的電路線，如圖8所示，圖案化上導(dǎo)電材料層22a分布在環(huán)形溝槽140上方，雖未標示出圖案化下導(dǎo)電材料層的分布圖形，但圖案化下導(dǎo)電材料層12相對應(yīng)于圖案化上導(dǎo)電材料層22a的形狀與位置，分布在環(huán)形溝槽140下方，供連接導(dǎo)電材質(zhì)42與圖案化上導(dǎo)電材料層22a，形成回路，如圖2A所示。雖然以上僅提供一種形成圖案化上導(dǎo)電材料層22a與圖案化下導(dǎo)電材料層之方法做為說明，但形成步驟與使用的技術(shù)并不局限于以上內(nèi)容。在本發(fā)明一實施例中，圖案化上導(dǎo)電材料層22a與圖案化下導(dǎo)電材料層是直接使用印刷技術(shù)完成。[0027]再者，如圖9所示，在頂面111與底面112兩表面上形成一防焊層(SolderResist, SR) 50。接著，請參照圖10，對防焊層50進行另一蝕刻步驟，用以形成圖案化防焊層50a與防焊層通孔501。防焊層通孔501即為預(yù)定的排氣孔位置。在此也僅提供一種形成圖案化防焊層50a與防焊層通孔501的方法，但本發(fā)明的應(yīng)用也不局限于以上的說明。其后進行另一鉆孔步驟，在預(yù)定位置形成絕緣材料層通孔502，如圖11所示。絕緣材料層通孔502穿通絕緣材料層20且不傷及環(huán)形磁性物150，并與防焊層通孔501 —起形成一連通間隙160與外部之排氣孔99。在進行鉆孔步驟前，先蝕刻移除預(yù)定排氣孔位置的防焊層，便于后面的穿孔步驟，且可避免不移除防焊層50直接穿孔，可能造成的污染以及對穿孔儀器的損傷。在本發(fā)明一實施例中，先蝕刻形成防焊層通孔501后，使用激光加工法來形成絕緣材料層通孔502，并且絕緣材料層通孔直徑5025小于防焊層通孔直徑5015。上述防焊層蝕刻與穿孔步驟僅為較佳的制程步驟(圖式也是依據(jù)此上述步驟繪制的示意圖)，形成排氣孔99的步驟與方法并不局限于以上的說明內(nèi)容。排氣孔99也可選擇直接使用激光加工法來完成。在本發(fā)明又一實施例中，直接使用激光穿孔技術(shù)來形成防焊層通孔501與絕緣材料層通孔502，此時絕緣材料層通孔直徑5025等于防焊層通孔直徑5015(未標示于圖式中)。在本發(fā)明實施例中，排氣孔孔徑約在4mil至75mil之間。在本發(fā)明一較佳實施例中，加工孔徑設(shè)定為5mil，深度為4-6mil時，加工時間為10us。以上僅提供本案較佳實施例，可依據(jù)所需的孔徑大小與深度調(diào)整設(shè)定所需的各項參數(shù)，如能量、時間、臺面真空吸力等參數(shù)值。
[0028]以上所述的排氣孔配置并不僅限形成于頂面111。排氣孔可使用相同技術(shù)與步驟形成于底面112，或是頂面111與底面112兩面。如圖12，在本發(fā)明一實施例中，黏著劑310設(shè)置在環(huán)形磁性物150外側(cè)側(cè)面，與環(huán)形溝槽140接觸的單一或多個接觸面，并且在頂面111與底面112兩方向面上形成至少一個排氣孔。
[0029]雖然本發(fā)明已揭露上述較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明得由熟習(xí)此技藝的人士任師匠思而為諸般修飾，然皆不脫離如后附權(quán)利要求所與保護者。
【權(quán)利要求】
1.一種電感元件，其特征在于，該電感元件包括絕緣基材、環(huán)形磁性物、絕緣材料層、繞線結(jié)構(gòu)及防焊層，該絕緣基材具有一環(huán)形溝槽，該環(huán)形磁性物設(shè)置在該環(huán)形溝槽內(nèi)，且與該環(huán)形溝槽間形成一間隙，該絕緣材料層設(shè)置在該絕緣基材上方，具有第一通孔，該第一通孔連通至該間隙，該繞線結(jié)構(gòu)設(shè)置在該環(huán)形溝槽外圍，該防焊層設(shè)置在該繞線結(jié)構(gòu)與該絕緣材料層上方，具有第二通孔，其中該第二通孔連通至該第一通孔，與該第一通孔一起形成排氣孔，該排氣孔連通外部空氣與該間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該環(huán)形溝槽與該環(huán)形磁性物間僅于部分接觸面上設(shè)置一黏著劑，用以固定該環(huán)形磁性物。
3.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該繞線結(jié)構(gòu)包括: 一圖案化上導(dǎo)電材料層，設(shè)置在絕緣材料層上方； 一圖案化下導(dǎo)電材料層，設(shè)置在絕緣基材下方； 一內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔，設(shè)置在該環(huán)形溝槽內(nèi)側(cè)，其中在該內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔管壁上設(shè)置一電鍍層，與該環(huán)形磁性物間保有一部分該絕緣基材，連接該圖案化上導(dǎo)電材料層與該圖案化下導(dǎo)電材料層；以及 一外側(cè)導(dǎo)體通孔，設(shè)置在該環(huán)形溝槽外側(cè)，其中在該外側(cè)導(dǎo)體通孔管壁上設(shè)置一電鍍層，與該環(huán)形磁性物間保有一部分該絕緣基材，連接該圖案化上導(dǎo)電材料層與該圖案化下導(dǎo)電材料層。
4.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該繞線結(jié)構(gòu)包括: 一圖案化上導(dǎo)電材料層，設(shè)置在絕緣材料層上方； 一圖案化下導(dǎo)電材料層，設(shè)置在絕緣基材下方； 一內(nèi)側(cè)導(dǎo)體插塞，設(shè)置在該環(huán)形溝槽內(nèi)側(cè)，與該環(huán)形磁性物間保有一部分該絕緣基材，連接該圖案化上導(dǎo)電材料層與該圖案化下導(dǎo)電材料層； 一外側(cè)導(dǎo)體插塞，設(shè)置在該環(huán)形溝槽外側(cè)，與該環(huán)形磁性物間保有一部分該絕緣基材，連接該圖案化上導(dǎo)電材料層與該圖案化下導(dǎo)電材料層。
5.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該環(huán)形溝槽深度小于該絕緣基材厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該排氣孔孔徑介于4μ m至75 μ m之間。
7.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該排氣孔分布在該繞線結(jié)構(gòu)之間。
8.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該排氣孔是多個。
9.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該第二通孔截面積大于該第一通孔截面積。
10.如權(quán)利要求1所述的電感元件，其特征在于，該第二通孔截面積等于該第一通孔截面積。
11.一種電感元件的制造方法，其特征在于，該方法包含以下步驟: 提供一絕緣基材，在該絕緣基材上形成一環(huán)形溝槽； 放置一環(huán)形磁性物在該環(huán)形溝槽內(nèi)，該環(huán)形磁性物與該環(huán)形溝槽間形成一間隙； 形成一絕緣材料層在該絕 緣基材上方； 形成一繞線結(jié)構(gòu)在該環(huán)形溝槽外圍； 形成一防焊層在該繞線結(jié)構(gòu)與該絕緣材料層上方，并于該防焊層上的預(yù)定位置形成一第一通孔；以及形成一第二通孔在該絕緣材料層，且該第二通孔穿通該絕緣材料層，連通該第一通孔與該間隙，并與該第二通孔一起形成一排氣孔，連通外部空氣與該間隙。
12.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，至少一部分該環(huán)形溝槽與該環(huán)形磁性物的接觸面上形成一黏著劑，用以固定該環(huán)形磁性物。
13.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該第二通孔形成于該第一通孔形成之后。
14.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該第二通孔是使用激光穿孔技術(shù)形成。
15.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該排氣孔是使用激光穿孔技術(shù)形成。
16.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該排氣孔是多個。
17.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該排氣孔孔徑介于4μπι至75 μ m之間。
18.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該繞線結(jié)構(gòu)的形成步驟包含: 形成一圖案化上導(dǎo)電材料層在絕緣材料層上方； 形成一圖案化下導(dǎo)電 材料層在絕緣基材下方； 形成一內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔在該環(huán)形溝槽內(nèi)側(cè)，并與該環(huán)形磁性物間保有至少一部分該絕緣基材； 形成一外側(cè)導(dǎo)體通孔在該環(huán)形溝槽外側(cè)，并且與該環(huán)形磁性物間保有一部分該絕緣基材；以及 形成一電鍍層在該內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔管壁與該外側(cè)導(dǎo)體通孔管壁上，用以連接該圖案化上導(dǎo)電材料層與該圖案化下導(dǎo)電材料層。
19.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該繞線結(jié)構(gòu)的形成步驟包含: 形成一圖案化上導(dǎo)電材料層在絕緣材料層上方； 形成一圖案化下導(dǎo)電材料層在絕緣基材下方； 形成一內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔在該環(huán)形溝槽內(nèi)側(cè)，且與該環(huán)形磁性物間保有一部分該絕緣基材； 形成一外側(cè)導(dǎo)體通孔在該環(huán)形溝槽外側(cè)，且與該環(huán)形磁性物間保有至少一部分該絕緣基材；以及 置入一導(dǎo)電插塞在該內(nèi)側(cè)導(dǎo)體通孔與該外側(cè)導(dǎo)體通孔內(nèi)，用以連接該圖案化上導(dǎo)電材料層與該圖案化下導(dǎo)電材料層。
20.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該環(huán)形溝槽深度小于該絕緣基材厚度。
21.如權(quán)利要求11所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該防焊層可為一含氯材質(zhì)或環(huán)氧基樹脂(Epoxy)。
22.一種電感元件的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: 提供一絕緣基材，在該絕緣基材上形成一環(huán)形溝槽；放置一環(huán)形磁性物在該環(huán)形溝槽內(nèi)，該環(huán)形磁性物與該環(huán)形溝槽間形成一間隙； 形成一絕緣材料層在該絕緣基材上方； 形成一繞線結(jié)構(gòu)在該環(huán)形溝槽外圍；以及 以激光加工法形成一排氣孔在該繞線結(jié)構(gòu)之間，連通外部空氣與該間隙。
23.如權(quán)利要求22所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該排氣孔孔徑介于4mil至75mil之間。
24.如權(quán)利要求22所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該排氣孔是多個。
25.如權(quán)利要求22所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該排氣孔形成方法還包含以下步驟: 形成一防焊層在該繞線結(jié)構(gòu)與該絕緣材料層上方，并于該防焊層上的預(yù)定位置形成一第一通孔；以及 形成一第二通孔在該絕緣材料層，且該第二通孔穿通該絕緣材料層，連通該第一通孔與該間隙，并與該第二通孔一起形成該排氣孔。
26.如權(quán)利要求25所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該第二通孔形成于該第一通孔形成之后。
27.如權(quán)利要求25所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該第二通孔是使用激光穿孔技術(shù)形成的。
28.如權(quán)利要求25所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該第一通孔與該第二通孔是使用激光穿孔技術(shù)形成的。
29.如權(quán)利要求25所述的電感元件的制造方法，其特征在于，該第二通孔截面積小于該第一通孔截面積。
【文檔編號】H01F41/00GK103811151SQ201410080594
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月6日
【發(fā)明者】溫耀隆 申請人:上海卓凱電子科技有限公司