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半導(dǎo)體裝置的制作方法

文檔序號:39729759發(fā)布日期:2024-10-22 13:34閱讀:13來源:國知局
半導(dǎo)體裝置的制作方法

本說明書公開的內(nèi)容涉及半導(dǎo)體裝置。


背景技術(shù):

1、專利文獻(xiàn)1公開了一種半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具備基板(絕緣基板)、在兩面具有主電極的半導(dǎo)體元件、以及主端子(外部連接用端子)。半導(dǎo)體元件的主電極之一經(jīng)由焊料層而與基板的表面金屬體(金屬箔)連接。主端子通過超聲波接合等而與表面金屬體連接?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)的記載內(nèi)容作為本說明書中的技術(shù)要素的說明通過參照而引用。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1:日本特開2014-60410號公報(bào)


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在將主端子與基板接合的結(jié)構(gòu)下,有可能由于接合部附近的電場集中而主端子的耐久壽命下降。此外,考慮焊料層的浸潤性、主端子的接合性等,可以想到在將主端子與表面金屬體接合之后施以鍍膜。該情況下,有可能產(chǎn)生鍍液殘?jiān)?,在后工序中鍍液滲出而引起焊料層的浸潤性下降等。從上述觀點(diǎn)或未言及的其他觀點(diǎn)來看,對于半導(dǎo)體裝置要求進(jìn)一步的改良。

2、公開的一個(gè)目的在于,提供能夠提高主端子的耐久壽命并且抑制因鍍液殘?jiān)斐傻牟涣紶顩r的半導(dǎo)體裝置。

3、這里公開的半導(dǎo)體裝置,具備:半導(dǎo)體元件,具有設(shè)于一面的第1主電極以及設(shè)于與一面在板厚方向上相反的背面的第2主電極;基板,具有絕緣基材、配置于絕緣基材的表面并與第1主電極電連接的表面金屬體、以及配置于絕緣基材中與表面相反的面的背面金屬體;接合件,介于第1主電極與表面金屬體之間,將第1主電極與表面金屬體相接合;主端子,在與表面金屬體之間形成固相接合部;以及鍍膜,以將固相接合部覆蓋的方式設(shè)在表面金屬體及主端子上;主端子的與表面金屬體之間形成的固相接合部為一個(gè);主端子中,作為在板厚方向的平面觀察時(shí)與表面金屬體重疊的重疊區(qū)域而具有:接合區(qū)域,提供固相接合部;以及非接合區(qū)域,是除了接合區(qū)域以外的區(qū)域,在主端子的至少寬度方向上與接合區(qū)域鄰接而設(shè)置;主端子包括重疊區(qū)域的寬度比固相接合部的寬度大的寬度較寬端子。

4、根據(jù)所公開的半導(dǎo)體裝置,主端子包括寬度較寬端子。寬度較寬端子具有非接合區(qū)域。非接合區(qū)域至少在寬度方向上與接合區(qū)域鄰接。由此,重疊區(qū)域的寬度比固相接合部的寬度大。由此,能夠抑制電場集中,進(jìn)而提高主端子(寬度較寬端子)的耐久壽命。

5、此外,鍍膜以將固相接合部覆蓋的方式設(shè)置。即,在固相接合之后形成鍍膜。但是,寬度較寬端子在與表面金屬體之間具有的固相接合部是一個(gè)。非接合區(qū)域向側(cè)方開口。由此,即使鍍液進(jìn)入到非接合區(qū)域與表面金屬體之間,鍍液也容易被排出。鍍液難以積存在非接合區(qū)域與表面金屬體之間。由此,能夠抑制鍍液殘?jiān)漠a(chǎn)生。通過鍍液殘?jiān)囊种?,例如能夠抑制半?dǎo)體元件與表面金屬體的連接可靠性的下降。這樣,能夠抑制由鍍液殘?jiān)斐傻牟涣紶顩r。

6、本說明書中公開的多個(gè)技術(shù)方案為了達(dá)成各自的目的而采用相互不同的技術(shù)手段。權(quán)利要求及其項(xiàng)目中記載的括號內(nèi)的標(biāo)記用來例示性地表示與后述實(shí)施方式的部分的對應(yīng)關(guān)系,并不限定技術(shù)范圍。本說明書公開的目的、特征及效果通過參照后續(xù)的詳細(xì)說明及附圖會(huì)更加明確。



技術(shù)特征:

1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,

5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,

7.如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,

8.如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
在基板(50)配置有半導(dǎo)體元件,漏極電極與表面金屬體(52)電連接。主端子(91)在與表面金屬體(52)之間形成有一個(gè)基于固相接合的接合部(120)。鍍膜(130)以將接合部(120)覆蓋的方式設(shè)在表面金屬體(52)及主端子(91)上。主端子(91)作為與表面金屬體(52)重疊的重疊區(qū)域(911)而具有提供接合部的接合區(qū)域(912)和在主端子(91)的至少寬度方向上與接合區(qū)域(912)鄰接設(shè)置的非接合區(qū)域(913)。主端子(91)是重疊區(qū)域(911)的寬度比接合部(120)的寬度大的寬度較寬端子。

技術(shù)研發(fā)人員:土持真悟,川島崇功
受保護(hù)的技術(shù)使用者:株式會(huì)社電裝
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/21
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