封裝基板、封裝結(jié)構(gòu)以及封裝基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及芯片載板制作領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝基板、芯片封裝結(jié)構(gòu)W及 芯片封裝基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，芯片封裝的目的在于防止芯片受到濕氣、熱量及噪聲的影響，并 提供裸芯片與外部電路之間電性連接的介質(zhì)。近年來(lái)，隨著電子技術(shù)的日新月異W及高科 技電子產(chǎn)品的不斷整合和創(chuàng)新，傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足產(chǎn)品功能與成本需求。 目前半導(dǎo)體封裝技術(shù)已朝向?qū)⑿酒现岭娐坊逯械内厔?shì)邁進(jìn)，W使整個(gè)封裝面積/體 積大幅度縮小，達(dá)到電子產(chǎn)品輕薄短小化的需求。
[0003] 目前，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中基板一般為塑膠或陶瓷基板，用其承載芯片。且基板之 相對(duì)兩個(gè)表面具有連接墊及導(dǎo)電通孔，而由于導(dǎo)電通孔貫穿基板，降低了基板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。 因?yàn)閷?dǎo)電通孔降低了基板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，為了不使基板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度過(guò)低，基板厚度一般也較 厚，W保證其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種較小厚度的封裝基板、封裝結(jié)構(gòu)W及封裝基板的制作 方法。
[0005] -種封裝基板的制作方法，包括步驟；提供一承載板，所述承載板包括基底層及第 二銅鉛層；在所述第二銅鉛層上依次形成表面處理層和第一導(dǎo)電線路層；在所述第一導(dǎo)電 線路層上形成至少一導(dǎo)電栓；形成一封膠體包覆所述第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓且覆蓋于所 述第二銅鉛層；及分離所述基底層及所述第二銅鉛層，W蝕刻的方式除去第二銅鉛層，形成 封裝基板。
[0006] 一種封裝基板，包括表面處理層、第一導(dǎo)電線路層、至少一導(dǎo)電栓W及封膠體，所 述封膠體包覆所述第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓，所述表面處理層露出于所述封膠體，所述第 一導(dǎo)電線路層形成于所述表面處理層，所述至少一導(dǎo)電栓形成于所述第一導(dǎo)電線路層。
[0007] -種封裝結(jié)構(gòu)，包括表面處理層、第一導(dǎo)電線路層、至少一導(dǎo)電栓、封膠體及芯片， 所述封膠體包覆所述第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓，所述表面處理層露出于所述封膠體，所述 第一導(dǎo)電線路層形成于所述表面處理層，所述至少一導(dǎo)電栓形成于所述第一導(dǎo)電線路層， 所屬芯片設(shè)置于所述表面處理層并與表面處理層電性連接。
[0008] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中提供的封裝基板在制作過(guò)程中，通過(guò)在承載板上形 成表面處理層、第一導(dǎo)電線路層及導(dǎo)電栓，再W封膠體包覆所述表面處理層、第一導(dǎo)電線路 層及導(dǎo)電栓，最后移除承載板，得到封裝基板。其中，封裝基板的厚度在50化W內(nèi)，而且導(dǎo) 電栓用W導(dǎo)通封裝基板的上下表面，故本發(fā)明不需要形成導(dǎo)電通孔，從而保證了封裝基板 的強(qiáng)度的同時(shí)也更薄。進(jìn)一步，此封裝基板僅需通過(guò)打磨封膠體即可使導(dǎo)電栓表面和表面 處理層表面均露出于所述封膠體表面，故而無(wú)需形成防焊層。本實(shí)施例提供的封裝基板具 有更薄、更輕、易于制作的特點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0009] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的承載板的剖面示意圖。
[0010] 圖2是在圖1中承載板上形成第一抗蝕劑層的剖面示意圖。
[0011] 圖3是在圖2中未被第一抗蝕劑層覆蓋的第二銅鉛層上形成表面處理層的剖面示 意圖。
[0012] 圖4是在圖3中的表面處理層上形成第一導(dǎo)電線路層的剖面示意圖。
[0013] 圖5是在圖4中形成第二抗蝕劑層的剖面示意圖。
[0014] 圖6是形成導(dǎo)電栓并除去第一和第二抗蝕劑層后的剖面示意圖。
[0015] 圖7是形成一封膠體包覆圖7中第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓且覆蓋于第二銅鉛層的 剖面示意圖。
[0016] 圖8是切割圖7中的承載板，形成兩基板的剖面示意圖。
[0017] 圖9是去除掉圖8中第二銅鉛層后，形成第一封裝基板和第二封裝基板的剖面示 意圖。
[0018] 圖10是本實(shí)施例中封裝基板的剖面示意圖。
[0019] 圖11是采用覆晶封裝的方式形成的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0020] 主要元件符號(hào)說(shuō)明
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種封裝基板的制作方法，包括步驟： 提供一承載板，所述承載板包括基底層及第二銅箔層； 在所述第二銅箔層上依次形成表面處理層和第一導(dǎo)電線路層； 在所述第一導(dǎo)電線路層上形成至少一導(dǎo)電栓； 形成一封膠體包覆所述第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓且覆蓋于所述第二銅箔層；及 分離所述基底層及所述第二銅箔層，以蝕刻的方式除去第二銅箔層，形成封裝基板。
2. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述承載板還包括形成于 基底層上的膠層及形成于膠層上的第一銅箔層，所述第二銅箔層置于所述第一銅箔層。
3. 如權(quán)利要求2所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述第一銅箔層的尺寸小 于所述第二銅箔層的尺寸。
4. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，研磨封膠體表面，使所述導(dǎo) 電栓露出于所述封膠體。
5. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，形成所述表面處理層和第 一導(dǎo)電線路層的步驟為：在所述第二銅箔層上形成第一抗蝕劑層；在未被所述第一抗蝕劑 層覆蓋的第二銅箔層上電鍍以形成表面處理層；在所述表面處理層上電鍍形成第一導(dǎo)電線 路層。
6. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電栓的步驟為： 在所述第一導(dǎo)電線路層和第一抗蝕劑層上形成第二抗蝕劑層；在未覆蓋所述第二抗蝕劑層 的第一導(dǎo)電線路層上進(jìn)行電鍍，形成至少一導(dǎo)電栓；剝離所述第一抗蝕劑層和第二抗蝕劑 層。
7. 如權(quán)利要求6所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述第二抗蝕劑層厚度大 于所述第一抗蝕劑層。
8. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述封膠體是采用轉(zhuǎn)注成 型、注射成型或壓縮成型的方法形成。
9. 一種封裝基板，包括表面處理層、第一導(dǎo)電線路層、至少一導(dǎo)電栓以及封膠體，所述 第一導(dǎo)電線路層形成于所述表面處理層，所述至少一導(dǎo)電栓形成于所述第一導(dǎo)電線路層， 所述封膠體包覆表面處理層、第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓，所述表面處理層和導(dǎo)電栓分別露 出于所述封膠體的相對(duì)兩側(cè)表面。
10. -種封裝結(jié)構(gòu)，包括表面處理層、第一導(dǎo)電線路層、至少一導(dǎo)電栓、封膠體、錫焊球 及芯片，所述封膠體包覆所述第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓，所述第一導(dǎo)電線路層形成于所述 表面處理層，所述至少一導(dǎo)電栓形成于所述第一導(dǎo)電線路層，所述封膠體包覆表面處理層、 第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓，所述表面處理層和導(dǎo)電栓分別露出于所述封膠體的相對(duì)兩側(cè)表 面，所述芯片設(shè)置于所述表面處理層并與表面處理層電性連接，所述錫焊球設(shè)置于所述導(dǎo) 電栓上。
【專利摘要】一種封裝基板，包括表面處理層、第一導(dǎo)電線路層、至少一導(dǎo)電栓以及封膠體，所述封膠體包覆所述第一導(dǎo)電線路層和導(dǎo)電栓，所述表面處理層露出于所述封膠體，所述第一導(dǎo)電線路層形成于所述表面處理層，所述至少一導(dǎo)電栓形成于所述第一導(dǎo)電線路層。本發(fā)明還涉及一種封裝基板的制作方法及一種封裝結(jié)構(gòu)。
【IPC分類】H01L23-498, H05K3-46, H01L21-48, H05K1-02
【公開(kāi)號(hào)】CN104701185
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310646770
【發(fā)明人】蘇威碩
【申請(qǐng)人】富葵精密組件(深圳)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2013年12月6日