半導(dǎo)體器件及其制造方法
【專利摘要】防止通過(guò)激光修整切斷后的熔絲元件由于具有導(dǎo)電性的殘留物等而漏電。作為用于此的方案，在外延基板的主面上的槽內(nèi)的元件分離區(qū)域上形成熔絲元件的情況下，在元件分離區(qū)域與熔絲元件之間形成導(dǎo)熱率高且比較而言密合性低的絕緣膜。在進(jìn)行激光修整以將熔絲元件切斷時(shí)，將熔絲元件的一部分和熔絲元件的該一部分之下的絕緣膜去除。
【專利說(shuō)明】
半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體器件的制造方法W及半導(dǎo)體器件，能夠利用在具有烙絲的半導(dǎo) 體器件的制造中。
【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，已知有如下的激光修整:通過(guò)利用激光將電路的圖 案的一部分切斷，由此進(jìn)行電路特性的調(diào)整或不良電路的排除。激光修整通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體晶 片上的烙絲元件照射激光光線而執(zhí)行。即，通過(guò)對(duì)由多晶娃布線或金屬布線形成的多個(gè)烙 絲元件中規(guī)定的烙絲照射激光光線而將該烙絲元件烙斷從而進(jìn)行激光修整。
[0003] 在專利文獻(xiàn)1(日本特開(kāi)2004-111680號(hào)公報(bào)）中記載有下述內(nèi)容:通過(guò)在作為切斷 對(duì)象的薄膜電阻之上形成導(dǎo)電性膜，由此使激光對(duì)薄膜電阻的切斷容易度提升。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2004-111680號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的課題
[000引由于烙絲元件上的層間膜的膜厚偏差、激光修整裝置的性能偏差等，有時(shí)即使對(duì) 烙絲元件進(jìn)行激光照射，照射部的烙絲元件也不會(huì)被完全去除。該情況下，具有導(dǎo)電性的殘 留物附著于烙絲元件之下的元件分離膜的表面，該殘留物跨烙絲元件的切斷部而成為漏電 (leak)路徑，切斷了的烙絲元件導(dǎo)通。運(yùn)樣的殘留物殘留成為半導(dǎo)體器件的合格率降低的 原因，所W在對(duì)烙絲元件進(jìn)行激光修整時(shí)，需要確實(shí)地將具有導(dǎo)電性的殘留物去除。
[0009] 其他課題和新特征可W根據(jù)本說(shuō)明書的記述W及附圖予W明確。
[0010] 用于解決課題的技術(shù)方案
[0011] 如果對(duì)本申請(qǐng)所公開(kāi)的實(shí)施方式中具代表性的實(shí)施方式的概要簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明， 則如下所述。
[0012] 作為一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，于在元件分離區(qū)域上形成烙絲元件的情況下， 在元件分離區(qū)域與烙絲元件之間形成有導(dǎo)熱率高且比較而言密合性低的絕緣膜。
[0013] 另外，作為其他實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法，于在元件分離區(qū)域上形成烙 絲元件的情況下，在元件分離區(qū)域與烙絲元件之前形成導(dǎo)熱率高且比較而言密合性低的絕 緣膜。
[0014] 發(fā)明效果
[0015] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，能夠使半導(dǎo)體器件的可靠性提升。特別是，能夠防止進(jìn)行了激 光修整后的烙絲元件的漏電。
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖I是作為實(shí)施方式I的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
[0017] 圖2是作為實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
[0018] 圖3是作為實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
[0019] 圖4是作為實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
[0020] 圖5是作為實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0021] 圖6是相繼于圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0022] 圖7是相繼于圖6的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0023] 圖8是相繼于圖7的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0024] 圖9是相繼于圖8的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0025] 圖10是相繼于圖9的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0026] 圖11是相繼于圖10的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0027] 圖12是相繼于圖11的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0028] 圖13是相繼于圖12的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0029] 圖14是作為實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0030] 圖15是相繼于圖14的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0031] 圖16是相繼于圖15的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0032] 圖17是相繼于圖16的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0033] 圖18是相繼于圖17的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。
[0034] 圖19是作為實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
[0035] 圖20是作為實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
[0036] 圖21是作為實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的變形例的剖視圖。
[0037] 圖22是作為實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的變形例的剖視圖。
[0038] 圖23是作為比較例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
[0039] 圖24是作為比較例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040] W下，基于附圖詳細(xì)地對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在用于對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的 所有附圖中，對(duì)具有同一功能的部件標(biāo)注同一符號(hào)，省略對(duì)其的重復(fù)說(shuō)明。另外，在W下的 實(shí)施方式中，原則上不重復(fù)對(duì)同一或同樣部分的說(shuō)明，除特別需要的情況W外。
[0041] 另外，符號(hào)"-"W及""'表示導(dǎo)電型為N型或P型的雜質(zhì)的相對(duì)濃度，例如在為N型雜 質(zhì)的情況下，雜質(zhì)濃度按"N "、"N"'的順序變高。但是，有時(shí)無(wú)關(guān)雜質(zhì)濃度，將各半導(dǎo)體層的 導(dǎo)電型稱為N型或P型。也就是，有時(shí)將具有"N "、"N"、"N"'等各種濃度的半導(dǎo)體層統(tǒng)稱為N型 層，另外，"P "、"P"、"P"'等各種濃度的半導(dǎo)體層統(tǒng)稱為P型層。例如，有時(shí)將P+型層的半導(dǎo)體 層稱為P型層。
[0042] <關(guān)于半導(dǎo)體器件的構(gòu)造〉
[0043] 本實(shí)施方式的烙絲元件在1個(gè)半導(dǎo)體忍片內(nèi)構(gòu)成電路圖案的一部分，在半導(dǎo)體器 件的制造工藝中，在必需進(jìn)行電路特性的調(diào)整或不良電路的排除等的情況下被激光切斷。 但是，烙絲元件在半導(dǎo)體器件的制造工序中未必被切斷。例如，在該烙絲元件所連接的電路 按所期望的特性工作的情況下，該烙絲元件不被切斷。
[0044] 所謂電路特性的調(diào)整是指:例如在相對(duì)于規(guī)定的電路并列連接有多個(gè)雙極晶體管 的情況下，通過(guò)使連接于各雙極晶體管的基極與發(fā)射極之間烙絲切斷，由此選擇性地使特 定雙極晶體管導(dǎo)通，從而，對(duì)在該電路中流動(dòng)的電流的大小進(jìn)行調(diào)整等。
[0045] 利用圖1~圖4對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。圖IW及圖3是本實(shí)施 方式的半導(dǎo)體器件的俯視圖。圖2W及圖4是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖，在圖2的左 側(cè)示出圖1的A-A線上的剖視圖。圖4是圖3的B-B線上的剖視圖。圖IW及圖2是未照射激光的 情況下的圖，圖3W及圖4是包括被照射激光而被切斷了的烙絲元件的圖。
[0046] 圖1中示出多個(gè)構(gòu)成本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的烙絲元件FE。此外，圖1中僅示出 了形成在半導(dǎo)體基板上的元件分離區(qū)域(第一絕緣膜)I?L和形成在元件分離區(qū)域之上的多 個(gè)烙絲元件FE,省略了形成在烙絲元件FE與元件分離區(qū)域化之間的傳熱用的絕緣膜TC(參 照?qǐng)D2)、W及烙絲元件FE與元件分離區(qū)域化之上的層間絕緣膜、布線、接觸插塞、連接器 (via) W及覆蓋絕緣膜等的圖示。
[0047] 如圖1所示，各烙絲元件FE沿著X方向（其沿著用作半導(dǎo)體基板的外延基板（未圖 示）的主面)延伸。烙絲元件FE在長(zhǎng)度方向（X方向）的兩個(gè)端部具有在沿半導(dǎo)體基板(未圖 示)的主面的Y方向上寬度寬的接觸部。Y方向相對(duì)于X方向正交。此外，W下有時(shí)將沿著外延 基板的主面的方向簡(jiǎn)稱為橫方向。接觸部是用于將接觸插塞連接于烙絲元件FE的端部上表 面的部分。烙絲元件FE是具有將在X方向上并排的一對(duì)接觸部彼此之間相連且寬度小的延 伸部的元件，在要將烙絲元件FE切斷時(shí)，對(duì)該延伸部照射激光。
[0048] 該延伸部、也就是要通過(guò)激光照射使其切斷的部分的烙絲元件FE在Y方向上的寬 度為例如0.3~3WI1。另外，將在X方向上并列的接觸部彼此相連的該延伸部在X方向上的長(zhǎng) 度為例如1~50曲1。另外，在Y方向上相鄰的2個(gè)烙絲元件FE彼此的各個(gè)延伸部彼此之間的距 離為例如0.5~50WI1。此外，本實(shí)施方式中，對(duì)形成寬度比延伸部寬的接觸部的情況進(jìn)行了 說(shuō)明，但是接觸部只要具有能夠?qū)佑|插塞進(jìn)行連接的寬度即可，也不是說(shuō)寬度必須比延 伸部寬。
[0049] 圖2中，在圖的左側(cè)示出烙絲元件FE的剖視圖，在圖的右側(cè)示出與烙絲元件FE形成 于同一半導(dǎo)體忍片的雙極晶體管TR的剖視圖。也就是，在圖的左側(cè)示出烙絲區(qū)域1A，在圖的 右側(cè)示出晶體管區(qū)域1B。
[0050] 如圖2所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體基板SB和形成在半導(dǎo)體基板SB 上且用作半導(dǎo)體基板的一部分的外延基板EP。外延基板是通過(guò)外延生成法而形成在半導(dǎo)體 基板上的半導(dǎo)體層。外延基板EP是導(dǎo)入有N型雜質(zhì)（例如P(憐））的r型Si(娃)膜，比較而言 具有低的雜質(zhì)濃度。
[0051 ]首先，W下對(duì)烙絲區(qū)域IA的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。
[0052]在烙絲區(qū)域1A，在外延基板EP的上表面形成有槽。此外，在烙絲區(qū)域IA的剖視圖 中，未示出該槽的側(cè)壁。也就是，在烙絲區(qū)域1A，外延基板EP的上表面的高度比晶體管區(qū)域 18的活性區(qū)域中外延基板EP的上表面的高度低。在烙絲區(qū)域IA的外延基板EP的上表面形成 的該槽內(nèi)，形成有元件分離區(qū)域化。
[0化3] 元件分離區(qū)域化具有例如LOCOS化ocal Oxidization of Silicon,娃的局部氧 化)構(gòu)造或STI(化allow Trench Isolation,淺溝道隔離）構(gòu)造。元件分離區(qū)域化主要由例 如氧化娃膜形成。元件分離區(qū)域化的上表面在與晶體管區(qū)域18的活性區(qū)域中外延基板EP的 上表面的高度大致同等的高度、或比外延基板EP的該上表面的高度稍高的位置具有平坦的 面。
[0054] 在元件分離區(qū)域化上形成有由絕緣膜TC(第二絕緣膜)和形成在絕緣膜TC上的烙 絲元件FE構(gòu)成的層疊圖案。絕緣膜TC的下表面與元件分離區(qū)域化的上表面相接觸，烙絲元 件FE的下表面與絕緣膜TC相接觸。絕緣膜TC在俯視圖中具有與圖1所示烙絲元件FE同樣的 圖案。絕緣膜IF4的膜厚為例如50 ~ 4000/1。在此，按1500A的膜厚形成絕緣膜IF4。烙絲 元件陽(yáng)的膜厚為例如2500A。
[0055] 絕緣膜TC由例如SiN(氮化娃)膜或SiC(碳化娃)膜形成。由運(yùn)些氮化娃膜或碳化娃 膜形成的絕緣膜TC是導(dǎo)熱率比構(gòu)成元件分離區(qū)域化的SiO(氧化娃)膜高的膜。具體而言，氧 化娃的導(dǎo)熱率是1.38(W/m K)，氮化娃的導(dǎo)熱率是20~28(W/m K)，碳化娃的導(dǎo)熱率是150~ 170(W/m ? K)。
[0056] 另外，由運(yùn)些氮化娃膜或碳化娃膜形成的絕緣膜TC,比較而言是對(duì)于基底的氧化 娃膜的密合性低的膜。具體而言，與多晶娃膜對(duì)于氧化娃膜的密合性相比，絕緣膜IF4-方 對(duì)于氧化娃膜的密合性低。
[0057] -般認(rèn)為，密合的物質(zhì)彼此的熱膨脹系數(shù)或線膨脹率之差越大，物質(zhì)間的密合性 越低。在此，氧化娃(Si〇2)的熱膨脹系數(shù)是0.51~0.58( X I(T6A)，相對(duì)于此，娃(Si)的熱膨 脹系數(shù)是2.4( X I(T6A),氮化娃(SiN)的熱膨脹系數(shù)是3~3.5( X I(T6A),碳化娃(SiC)的 熱膨脹系數(shù)是4~4.5( Xl(T6A)D由此，與Si膜相比，SiN膜或SiC膜一方容易從Si化膜的表 面剝離。
[0058] 本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的主要特征在于，在烙絲元件FE與元件分離區(qū)域化之間 設(shè)置有導(dǎo)熱率高且相對(duì)于基底的密合性低的絕緣膜TC。
[0059] 烙絲元件FE在圖中作為一層膜示出，但是其由多晶娃膜和層疊在該多晶娃膜上的 導(dǎo)電膜(未圖示）的層疊構(gòu)造構(gòu)成。該導(dǎo)電膜由例如含鶴W及娃的WSi膜或鉆娃(CoSi)膜形 成。在構(gòu)成烙絲元件FE的多晶娃膜中W高濃度導(dǎo)入有N型雜質(zhì)（例如As(神））。也就是，該多 晶娃膜是護(hù)型半導(dǎo)體膜。另外，烙絲元件陽(yáng)也可W僅由多晶娃膜構(gòu)成。
[0060] 在元件分離區(qū)域化、絕緣膜TCW及烙絲元件FE之上，W覆蓋元件分離區(qū)域化的上 表面和由絕緣膜TCW及烙絲元件FE構(gòu)成的層疊膜的方式，形成有層間絕緣膜IL1。層間絕緣 膜ILl例如由氧化娃膜形成。在層間絕緣膜ILl上開(kāi)有多個(gè)接觸孔，烙絲元件FE的延伸方向 上的烙絲元件FE的兩側(cè)端部的上表面、也就是接觸部的上表面的一部分在各接觸孔的底部 露出。
[0061] 在多個(gè)接觸孔的各個(gè)孔內(nèi)部埋入有例如主要由鶴形成的接觸插塞CP。各接觸插塞 CP的上表面與層間絕緣膜ILl的上表面在同一高度被平坦化，各接觸插塞CP的底面連接于 烙絲元件FE的端部的上表面。也就是，接觸插塞CP連接于作為烙絲元件FE的長(zhǎng)度方向的一 個(gè)端部的接觸部，其他接觸插塞CP連接于作為烙絲元件FE的另一端部的接觸部。
[0062] 在層間絕緣膜ILl W及接觸插塞CP之上，形成有多個(gè)例如主要由侶形成的布線Ml 的圖案。布線Ml的底面連接于接觸插塞CP的上表面。在俯視圖中，布線Ml不與烙絲元件FE的 長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)端部之前的延伸部重疊。在層間絕緣膜ILl W及布線Ml之上，W覆蓋層間 絕緣膜ILl的上表面W及布線Ml的方式，形成有例如由氧化娃膜形成的層間絕緣膜IL2。
[0063] 在層間絕緣膜IL2上開(kāi)有多個(gè)過(guò)孔(via hole)，布線Ml的上表面的一部分在各過(guò) 孔的底部露出。在多個(gè)過(guò)孔的各個(gè)孔的內(nèi)部埋入有例如主要由鶴形成的連接器VI。各連接 器Vl的上表面與層間絕緣膜IL2的一部分的上表面在同一高度被平坦化，各連接器Vl的底 面連接于布線Ml的上表面。
[0064] 在層間絕緣膜IL2W及連接器Vl之上形成多個(gè)例如主要由侶形成的布線M2的圖 案。布線M2的底面連接于連接器Vl的上表面。在俯視圖中，布線M2不與烙絲元件FE的長(zhǎng)度方 向上的兩個(gè)端部之間的延伸部重疊。
[0065] 在層間絕緣膜IL2的上表面上W及布線M2上依次層疊有覆蓋絕緣膜CVl、CV2。覆蓋 絕緣膜CVl例如由氧化娃膜形成，覆蓋絕緣膜CV2例如由SiON(氮氧化娃)膜形成。
[0066] 在此，在包含層間絕緣膜IL2、覆蓋絕緣膜CVl W及CV2的層疊膜的上表面，形成有 到達(dá)層間絕緣膜IL2的中途深度的開(kāi)口部0P1。在俯視圖中，開(kāi)口部OPl不重疊于連接器VI、 布線Ml、M2W及接觸插塞CP。另外，在俯視圖中，開(kāi)口部OPl不重疊于連接有接觸插塞CP的烙 絲元件FE的端部，而重疊于烙絲元件FE的長(zhǎng)度方向上的中央部也就是延伸部。此外，開(kāi)口部 OPl也可W貫通層間絕緣膜IL2并到達(dá)層間絕緣膜ILl的上表面。
[0067] 從開(kāi)口部OPl的底面到烙絲元件FE的上表面為止層間絕緣膜(第S絕緣膜）的距離 是例如500 ~ 8000A。開(kāi)口部OPi是通過(guò)預(yù)先將成為妨礙的層間絕緣膜化2的一部分和覆 蓋絕緣膜CVUCV2去除而設(shè)置的槽，使得在進(jìn)行激光修整激光適當(dāng)?shù)卣丈淅咏z元件FE。
[0068] 覆蓋絕緣膜CV2的上表面被由聚酷亞胺膜形成的純化膜PI覆蓋。但是，在開(kāi)口部 OPl的正上方和開(kāi)口部OPl附近未形成純化膜PI。
[0069] 接下來(lái)，W下對(duì)晶體管區(qū)域IB的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。
[0070] 在外延基板EP的上表面形成有多個(gè)槽，在該多個(gè)槽的各個(gè)槽的內(nèi)側(cè)埋入有元件分 離區(qū)域化。由相鄰的元件分離區(qū)域化夾著的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)域，在有源區(qū)域，外延基板EP的上 表面未被元件分離區(qū)域化覆蓋。
[0071] 在外延基板EP的下表面，在有源區(qū)域的正下方形成有作為護(hù)型半導(dǎo)體層的埋入護(hù) 型層CN。也就是，在和外延基板EP與半導(dǎo)體基板SB的界面相接觸的外延基板EP內(nèi)，形成有埋 入護(hù)型層CN。在外延基板EP內(nèi)，從埋入護(hù)型層CN的端部起遍及外延基板EP的主面形成有作為 N型半導(dǎo)體層的接觸N型層CCN。也就是，接觸N型層CCN的一部分形成于外延基板EP的主面， 另一部分連接于埋入護(hù)型層CN。
[0072] 埋入護(hù)型層CN中導(dǎo)入有N型雜質(zhì)（例如Sn(錬）），在接觸N型層CCN中導(dǎo)入有N型雜質(zhì) (例如P(憐））。埋入護(hù)型層CN構(gòu)成雙極晶體管TR的集電極層。
[0073] 在有源區(qū)域的側(cè)方的外延基板EP的下表面，形成有作為P+型半導(dǎo)體層的埋入P+型 層SP。在埋入P+型層SP的正上方的外延基板EP的主面的一部分，存在未被元件分離區(qū)域化 覆蓋的區(qū)域，從該區(qū)域的上表面起遍及埋入P+型層SP而形成有P型層化。在外延基板EP的主 面附近，P型層化由在橫方向上并排的元件分離區(qū)域化夾著。
[0074] 埋入P+型層SPW及P型層化中導(dǎo)入有P型雜質(zhì)（例如B(棚））。埋入P+型層SPW及P型 層PL是為了將在外延基板EP并排形成多個(gè)的半導(dǎo)體元件彼此分離而設(shè)置的元件分離層。
[00巧]在埋入護(hù)型層CN的正上方的外延基板EP的主面，并排形成有形成深度比元件分離 區(qū)域化淺的P-型層BPW及P+型層GP 型層BPW及P+型層GP是對(duì)外延基板EP的主面注入P型 雜質(zhì)（例如B(棚））而形成的P型半導(dǎo)體層，與F型層BP相比，P+型層GP-方的雜質(zhì)濃度高。F 型層BP被一對(duì)P+型層GP夾著，型層BP與該一對(duì)P+型層GP彼此相接觸。r型層BPW及P+型層 GP各自的形成深度大致相同。F型層BP構(gòu)成雙極晶體管TR的基極層。P+型層GP是對(duì)作為基極 層的F型層BP供給電位的連接層。
[0076] 在P-型層BP的上表面的局部形成有護(hù)型層EN。護(hù)型層EN是導(dǎo)入有N型雜質(zhì)（例如As (神））的半導(dǎo)體層，并構(gòu)成雙極晶體管TR的發(fā)射極層。N+型層EN的形成深度比F型層BP的形 成深度淺。在護(hù)型層EN的側(cè)方的外延基板EP的主面形成有P-型層BP的一部分。
[0077] 外延基板EP的主面的大部分被絕緣膜IF3覆蓋。絕緣膜IF3由氧化娃膜形成。絕緣 膜IF3在P型層化、接觸N型層CCNW及護(hù)型層EN各自的正上方開(kāi)口。在有源區(qū)域，在P-型層BP 的正上方形成有發(fā)射極電極抓。發(fā)射極電極抓直接與作為發(fā)射極層的N+型層EN的上表面相 接觸，在護(hù)型層EN的側(cè)方的F型層BP的正上方，依次隔著絕緣膜IF3W及絕緣膜IF4而形成有 發(fā)射極電極抓的一部分。也就是，在絕緣膜IF3上形成有絕緣膜IF4,在絕緣膜IF4之上形成 有發(fā)射極電極抓的一部分，在絕緣膜IF3 W及IF4上在N+型層EN的正上方具有開(kāi)口部，在該 開(kāi)口部?jī)?nèi)埋入有發(fā)射極電極邸的另一部分。
[0078] 另外，在上述有源區(qū)域的端部且在俯視圖中不與埋入護(hù)型層CN重疊的區(qū)域，在絕 緣膜IF3上隔著絕緣膜IF4形成有防反轉(zhuǎn)用板FP。與烙絲元件FE同樣地，防反轉(zhuǎn)用板FPW及 發(fā)射極電極ED分別具有N+型多晶娃膜和該多晶娃膜上的含金屬膜的層疊構(gòu)造。此外，圖中 未示出構(gòu)成該層疊構(gòu)造的膜彼此的邊界。另外，烙絲元件FE、防反轉(zhuǎn)用板FPW及發(fā)射極電極 邸也可W分別僅由多晶娃膜構(gòu)成。
[0079] W覆蓋絕緣膜IF4、絕緣膜IF3、防反轉(zhuǎn)用板FPW及發(fā)射極電極抓的方式，在外延基 板EP上形成層間絕緣膜IL1。在層間絕緣膜ILl上開(kāi)出多個(gè)接觸孔，在各個(gè)接觸孔內(nèi)埋入有 接觸插塞CP。多個(gè)接觸插塞CP分別貫通絕緣膜IF3而連接于P型層化的上表面、接觸N型層 CCN的上表面或P+型層GP的上表面。另外，其他多個(gè)接觸插塞CP連接于發(fā)射極電極邸的上表 面或防反轉(zhuǎn)用板FP的上表面。
[0080] 在層間絕緣膜ILl上形成有多個(gè)布線Ml和覆蓋多個(gè)布線Ml的層間絕緣膜IL2。多個(gè) 布線Ml分別連接于多個(gè)接觸插塞CP的任一個(gè)的上表面。在貫通層間絕緣膜IL2的多個(gè)過(guò)孔 的各自的內(nèi)部，形成有連接于布線Ml的上表面的連接器Vl。在層間絕緣膜IL2上，形成有經(jīng) 由連接器Vl電連接于布線Ml的布線M2、覆蓋層間絕緣膜IL2的上表面W及布線M2的覆蓋絕 緣膜CV1、和覆蓋覆蓋絕緣膜CVl的上表面的覆蓋絕緣膜CV2。另外，覆蓋絕緣膜CV2的上表面 被純化膜PI覆蓋。
[0081] 在晶體管區(qū)域IB形成有NPN型雙極晶體管TR，該NPN型雙極晶體管TR具有作為發(fā)射 極層的N+型層EN、作為基極層的P-型層BP和作為集電極層的埋入護(hù)型層CN。形成于烙絲區(qū)域 IA的烙絲元件FE的一個(gè)端部，經(jīng)由接觸插塞CP、布線Ml、連接器Vl W及布線M2等而連接于雙 極晶體管TR的發(fā)射極電極抓。另外，烙絲元件FE的另一端部經(jīng)由接觸插塞CP、布線Ml、連接 器Vl W及布線M2等而連接于作為雙極晶體管TR的集電極層的F型層BP。
[0082] 烙絲元件FE串聯(lián)連接于雙極晶體管TR的發(fā)射極與集電極之間，所W只要烙絲元件 FE導(dǎo)通，雙極晶體管TR的發(fā)射極與集電極就成為同一電位，所W雙極晶體管TR不會(huì)變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)。也就是，在半導(dǎo)體器件的制造工序中，通過(guò)選擇是否將烙絲元件FE切斷，能夠選擇 是否使用雙極晶體管TR。如果將烙絲元件FE切斷則能夠?qū)﹄p極晶體管TR的發(fā)射極和集電極 施加不同的電位，所W能夠?qū)㈦p極晶體管TR在電路中作為開(kāi)關(guān)元件或放大用的元件等使 用。
[0083] 在將烙絲元件FE切斷時(shí)，對(duì)形成在圖2的烙絲區(qū)域IA的烙絲元件FE的中央部(延伸 部）從上方照射激光。在本申請(qǐng)中，將通過(guò)激光照射將烙絲元件FE切斷的作業(yè)稱為激光修 整。激光修整工序中，從被層間絕緣膜ILUIL2覆蓋的烙絲元件FE的上方進(jìn)行激光照射，所 W烙絲元件FE的正上方的層間絕緣膜IL1、IL2也被去除。W下，使用圖3W及圖4,對(duì)進(jìn)行激 光修整時(shí)的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。圖4中，放大地示出烙絲區(qū)域，為了 易于讀圖而省略了比層間絕緣膜IL2靠上的膜等的圖示。
[0084] 圖3中，并排設(shè)置在元件分離區(qū)域化上的多個(gè)烙絲元件陽(yáng)中的1個(gè)烙絲元件通過(guò)激 光修整被切斷。通過(guò)激光照射切斷的部分，不是在X方向上延伸的烙絲元件FE的長(zhǎng)度方向上 的端部，而是延伸部的中央部分。通過(guò)激光修整，焊絲元件FE的一部分被去除，在烙絲元件 FE的該一部分被去除后的區(qū)域，元件分離區(qū)域化的上表面從烙絲元件FEW及絕緣膜TC露 出。
[0085] 在此，形成在烙絲元件FE之下的絕緣膜TC也被去除了一部分，在絕緣膜TC的該一 部分被去除后的區(qū)域與殘留有絕緣膜TC的區(qū)域的邊界附近，絕緣膜TC的端部從烙絲元件FE 露出。也就是，在俯視圖中，絕緣膜TC的端部相對(duì)于烙絲元件FE不重疊，在比烙絲元件FE接 近激光照射部的區(qū)域終止。若換言之，則由激光修整造成的絕緣膜TC的后退量比由激光修 整造成的烙絲元件FE的后退量小。
[0086] 如圖4所示，在進(jìn)行了激光修整的區(qū)域，不僅烙絲元件FE,烙絲元件FE之下的絕緣 膜TC、烙絲元件FE之上的層間絕緣膜ILl W及IL2的各自的一部分都被去除了，由此，形成貫 通包括絕緣膜TC、烙絲元件FE、層間絕緣膜ILl W及IL2在內(nèi)的層疊膜的開(kāi)口部0P2。在開(kāi)口 部0P2的底部，元件分離區(qū)域化的上表面露出。通過(guò)開(kāi)口部0P2,烙絲元件FE被切斷(斷裂）。
[0087] 在開(kāi)口部0P2內(nèi)的側(cè)壁露出的層間絕緣膜ILl、IL2 W及絕緣膜TC的側(cè)壁，與烙絲元 件FE相比帶有斜度。通過(guò)激光修整切斷后的烙絲元件FE的截面、也就是烙絲元件FE的側(cè)壁， 相對(duì)于外延基板EP的主面具有近乎垂直角度的角度。相對(duì)于此，在開(kāi)口部OP露出的層間絕 緣膜ILUIL2W及絕緣膜TC的側(cè)壁，相對(duì)于外延基板EP的主面具有低于90°的角度。
[008引旨P，在開(kāi)口部0P2,層間絕緣膜IL1JL2W及絕緣膜TC各自的開(kāi)口寬度隨著從下方 朝向上方而變寬。因此，在開(kāi)口部0P2，與烙絲元件FE的端部相比，絕緣膜TC的端部在烙絲元 件FEW及絕緣膜TC被去除后的區(qū)域、也就是接近激光照射部的中屯、的位置終止。若換言之， 則與形成在開(kāi)口部0P2的側(cè)壁的烙絲元件FE的端部相比，形成在開(kāi)口部0P2的側(cè)壁的絕緣膜 TC的端部，在接近俯視圖中的開(kāi)口部0P2的中屯、的位置終止。
[0089] 激光修整工序中，通過(guò)隔著層間絕緣膜ILUIL2對(duì)烙絲元件FE照射激光，由此烙絲 元件FE吸收熱，烙絲元件FE的一部分氣化而被排氣。通過(guò)運(yùn)樣去除烙絲元件FE的一部分，由 此烙絲元件FE高電阻化，成為電絕緣的狀態(tài)。運(yùn)樣一來(lái)，烙絲元件FE被切斷。在烙絲元件FE 氣化而被排氣時(shí)，烙絲元件FE上的層間絕緣膜ILUIL2也被去除一部分而開(kāi)口。
[0090] 在此，絕緣膜TC是導(dǎo)熱率比構(gòu)成元件分離區(qū)域化或絕緣膜IF3等的氧化娃膜高的 膜。由此，激光修整工序中，在激光照射時(shí)熱傳遞至絕緣膜TC,所W絕緣膜TC也氣化。
[0091] W下，利用圖23、圖24所示的比較例的半導(dǎo)體器件對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的 效果進(jìn)行說(shuō)明。圖23是比較例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，是含未進(jìn)行激光修整的烙絲元件的 剖視圖。圖24是比較例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，是含進(jìn)行激光修整后的烙絲元件的剖視圖。 此外，圖23W及圖24中未示出雙極晶體管。圖23W及圖24中，放大地示出烙絲區(qū)域，為了易 于讀圖，所W省略比層間絕緣膜IL2靠上的膜等的圖示。
[0092] 如圖23W及圖24所示，比較例的烙絲元件Ffe及其附近的構(gòu)造，具有與利用圖1~ 圖4說(shuō)明的本實(shí)施方式的烙絲元件大致相同的構(gòu)造。但是，比較例的半導(dǎo)體器件中，烙絲元 件FEa與元件分離區(qū)域化的上表面相接觸地形成，在烙絲元件FEa與元件分離區(qū)域化之間未 形成絕緣膜TC(參照?qǐng)D2~圖4)，運(yùn)一點(diǎn)不同于本實(shí)施方式。若換言之，則在比較例中，在烙 絲元件FEa與元件分離區(qū)域化之間未形成導(dǎo)熱率比氧化娃膜高的絕緣膜。
[0093] 在對(duì)運(yùn)樣的比較例的烙絲元件陽(yáng)a進(jìn)行激光修整后的情況下，要考慮烙絲元件FEa 的一部分作為殘?jiān)鴼埩簟⒒驎簳r(shí)氣化后的烙絲元件FEa的一部分附著于元件分離區(qū)域化 的上表面而層疊的情況。運(yùn)些情況下，在烙絲元件陽(yáng)a被去除了的區(qū)域且在元件分離區(qū)域化 的上表面上，形成具有導(dǎo)電性的殘留物RE。
[0094] 運(yùn)起因于:激光修整工序中，難W實(shí)現(xiàn)W使得殘留物RE不殘留的方式將烙絲元件 陽(yáng)a去除，而且，難W防止元件分離區(qū)域化破損而成為異常形狀。也就是，難W提高激光照射 的精度，另外，難W提高烙絲元件陽(yáng)a上且在開(kāi)口部OPl之下的層間絕緣膜ILUIL2的膜厚的 精度。
[0095] 因此，例如在激光的輸出過(guò)小、或烙絲元件陽(yáng)a上的層間絕緣膜IL 1、IL2的膜厚大 等情況下，要考慮烙絲元件FEa未充分氣化，而且氣化后的烙絲元件FEa的一部分遇冷而附 著于元件分離區(qū)域化的上表面的情況。在此，若具有導(dǎo)電性的殘留物RE附著于通過(guò)激光照 射而斷裂后的烙絲元件Ffe兩側(cè)的接觸部之間，則殘留物RE恐會(huì)成為烙絲元件陽(yáng)a兩側(cè)的接 觸部彼此之間的漏電路徑。也就是，本應(yīng)通過(guò)激光修整而切斷的烙絲元件陽(yáng)a由殘留物RE接 通，由此，產(chǎn)生半導(dǎo)體器件變得不再正常工作的問(wèn)題。
[0096] 另外，在激光的輸出過(guò)大的情況下，烙絲元件FEa確實(shí)地被去除，而元件分離區(qū)域 化的表面由于激光照射而被破壞成為異常形狀，產(chǎn)品的成品率恐會(huì)降低。
[0097] 另外，作為防止烙絲元件陽(yáng)a通過(guò)殘留物RE而漏電的方法，可W考慮增大烙絲元件 FEa的延伸長(zhǎng)度，并擴(kuò)寬照射激光的范圍（光斑尺寸）。該情況下，一般認(rèn)為，即使殘留物RE附 著于構(gòu)成通過(guò)激光照射被斷開(kāi)后的烙絲元件FEa的導(dǎo)電膜彼此之前，也能夠使形成漏電路 徑的可能性減低，或者提高由殘留物RE產(chǎn)生的漏電路徑的電阻值。
[0098] 但是，難W擴(kuò)寬一次進(jìn)行的激光照射中的激光的照射范圍。另外，如錯(cuò)開(kāi)激光的照 射位置而進(jìn)行多次激光照射，則在激光的照射范圍重疊的位置由于過(guò)度的激光照射，元件 分離區(qū)域化恐會(huì)被破壞。另外，在激光的照射范圍不重疊的情況下，在多個(gè)激光照射區(qū)域彼 此之間，烙絲元件FE的一部分殘留在未被激光照射的區(qū)域，運(yùn)成為漏電的原因。為了防止運(yùn) 些問(wèn)題的發(fā)生，要對(duì)相鄰的區(qū)域高精度地錯(cuò)開(kāi)照射位置而進(jìn)行多次激光照射，運(yùn)也難W實(shí) 現(xiàn)。
[0099] 相對(duì)于此，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中，如圖2所示，在烙絲元件FE與元件分離區(qū) 域化之前設(shè)置有由導(dǎo)熱率高的材料形成的絕緣膜TC。設(shè)置在烙絲元件FE之下的絕緣膜TC, 在激光修整工序中與烙絲元件FE-并被去除。
[0100] 由此，由烙絲元件FE的殘?jiān)葮?gòu)成的具有導(dǎo)電性的殘留物RE(參照?qǐng)D24)不易附著 于將烙絲元件FE去除后的區(qū)域之下的元件分離區(qū)域化的上表面，所W能夠防止進(jìn)行激光修 整后的烙絲電阻值因殘留物RE而下降因而引發(fā)漏電的情況。
[0101] 運(yùn)是因?yàn)椋涸诶咏z元件FE由于激光照射而過(guò)熱時(shí)，烙絲元件的熱傳遞到導(dǎo)熱率高 的絕緣膜TC,由此烙絲元件FEW及絕緣膜TC氣化。由此，通過(guò)絕緣膜TC的氣化壓力，從烙絲 元件FE的下側(cè)促進(jìn)烙絲元件FE的氣化(揮發(fā)），能夠更確實(shí)地將烙絲元件FE去除。另外，絕緣 膜TC由絕緣體構(gòu)成，所W即使絕緣膜TC的一部分未完全氣化而作為殘留物附著并殘留于元 件分離區(qū)域化的上表面，也不會(huì)成為烙絲元件FE的漏電的原因。由此，能夠使半導(dǎo)體器件的 可靠性提高。
[0102] 另外，絕緣膜TC和元件分離區(qū)域化是相對(duì)于構(gòu)成元件分離區(qū)域化的氧化娃膜的密 合性低于多晶娃膜相對(duì)于氧化娃膜的密合性的膜，所W在激光照射時(shí)絕緣膜TC易于從元件 分離區(qū)域化的方面剝離并去除。因此，在將烙絲元件FEW及絕緣膜TC去除的激光修整工序 中，將基底的元件分離區(qū)域化的表面的一部分與絕緣膜TC一起剝離，能夠防止元件分離區(qū) 域化成為異常形狀。由此，能夠使半導(dǎo)體器件的可靠性提高。
[0103] 另外，圖24中，通過(guò)激光照射而斷裂后的烙絲元件陽(yáng)a之間的漏電路徑僅是元件分 離區(qū)域化的上表面，比較短。相對(duì)于此，本實(shí)施方式中，如圖4所示設(shè)置有絕緣膜TC且絕緣膜 TC的一部分通過(guò)激光修整被去除。在此，設(shè)置有絕緣膜TC,所W在通過(guò)激光照射而斷裂后的 烙絲元件FE之間漏電流能夠流動(dòng)的路徑，與比較例相比變長(zhǎng)。
[0104] 也就是，從開(kāi)口部0P2處的烙絲元件FE的一方的終端部起沿絕緣膜TC的帶斜度的 側(cè)壁W及元件分離區(qū)域化的上表面到達(dá)另一方的烙絲元件FE的終端部為止的路徑的長(zhǎng)度， 比在圖24所示的比較例中從烙絲元件陽(yáng)a的一方的終端部起僅沿元件分離區(qū)域化的上表面 到達(dá)另一方的烙絲元件FEa的終端部為止的路徑的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
[0105] 由此，即使殘留物RE附著于通過(guò)本實(shí)施方式的激光修整而斷裂后的烙絲元件FE之 間（參照?qǐng)D24)，因?yàn)楣┞╇娏髁鲃?dòng)的路徑變長(zhǎng)，所W能夠防止由殘留物RE產(chǎn)生的短路等、并 防止漏電的發(fā)生。另外，能夠使漏電路徑延伸，所W能夠防止進(jìn)行激光修整后的烙絲的電阻 值由于漏電而降低的情況。由此，能夠防止連接于該烙絲元件FE的電路不再正常工作。因 此，能夠使半導(dǎo)體器件的可靠性提高。
[0106] <關(guān)于半導(dǎo)體器件的制造方法>
[0107] 參照?qǐng)D5~圖13對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0108] 圖5~圖13是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序中的剖視圖。圖5~圖13中，在 各圖的左側(cè)示出烙絲區(qū)域1A，在右側(cè)示出晶體管區(qū)域1B。示出在烙絲區(qū)域IA形成有烙絲元 件而在晶體管區(qū)域IB形成有雙極晶體管的樣子。
[0109] 首先，如圖5所示，準(zhǔn)備含B(棚)的P型半導(dǎo)體基板SB。之后，在晶體管區(qū)域IB的半導(dǎo) 體基板SB的上表面的一部分對(duì)作為N型雜質(zhì)的Sb(錬)進(jìn)行離子注入，在晶體管區(qū)域IB的半 導(dǎo)體基板SB的上表面的另一部分對(duì)作為P型雜質(zhì)的B(棚)進(jìn)行離子注入，之后，對(duì)半導(dǎo)體基 板SB進(jìn)行熱處理。接下來(lái)，在半導(dǎo)體基板SB上利用外延生成法形成外延基板EP。
[0110] 外延基板EP由主要含P(憐)且比較而言雜質(zhì)濃度低的r型半導(dǎo)體構(gòu)成。但是，在晶 體管區(qū)域IB的外延基板EP的下表面，在對(duì)B(棚)進(jìn)行離子注入后的半導(dǎo)體基板SB的上表面 的正上方，形成有含B(棚）的埋入P+型層SP。另外，在晶體管區(qū)域IB的外延基板EP的下表面， 在對(duì)Sb(錬)進(jìn)行離子注入后的半導(dǎo)體基板SB的上表面的正上方，形成有含Sb(錬）的埋入護(hù) 型層CN。
[0111] 接著，如圖6所示，在埋入P+型層SP的正上方的外延基板EP內(nèi)，形成具有元件間的 分離作用的P型層化。P型層化能夠通過(guò)針對(duì)外延基板EP的主面的B(棚）的離子注入W及熱 注入而形成。之后，通過(guò)針對(duì)外延基板EP的主面的N型雜質(zhì)（例如P(憐））的離子注入W及熱 注入，由此在外延基板EP內(nèi)形成接觸N型層CCN。接觸N型層CCNW及P型層化哪一個(gè)先形成都 可W。
[0112] P型層化在埋入P+型層SP的正上方從埋入P+型層SP的上端起遍及外延基板EP的主 面而形成。接觸N型層CCN在埋入護(hù)型層CN的端部的正上方從埋入護(hù)型層CN的上端起遍及外 延基板EP的主面而形成。接觸N型層CCN是用于從外延基板EP的主面?zhèn)葘?duì)埋入N+型層CN供給 電位的接觸層。
[0113] 接下來(lái)，如圖7所示，在外延基板EP的主面上利用熱氧化法等形成了由氧化娃膜構(gòu) 成的絕緣膜IFl后，在絕緣膜IFl上利用例如CVD(化emical Vapor D巧osition，化學(xué)氣相沉 積)法形成由氮化娃膜等構(gòu)成的絕緣膜IF2。之后，利用光刻蝕技術(shù)W及蝕刻法對(duì)由絕緣膜 IF2、IFl構(gòu)成的層疊膜進(jìn)行構(gòu)圖。
[0114] 該層疊膜在烙絲區(qū)域IA在形成烙絲元件的圖案之處被全部去除。另外，該層疊膜 在晶體管區(qū)域IB覆蓋埋入護(hù)型層CN的正上方及其附近區(qū)域的外延基板EP的主面，進(jìn)一步， 在從該區(qū)域分離開(kāi)的區(qū)域覆蓋P型層化的上表面。覆蓋埋入N+型層CN的正上方及其附近區(qū) 域與P型層化的上表面之間的外延基板EP的主面的上述層疊膜被去除。
[0115] 接著，通過(guò)W上述層疊膜為掩膜進(jìn)行干式蝕刻，由此對(duì)外延基板EP的主面進(jìn)行深 蝕刻（etch back),從而形成多個(gè)槽。在圖中所示的烙絲區(qū)域1A，外延基板EP的主面整個(gè)面 后退。
[0116] 接下來(lái)，如圖8所示，進(jìn)行氧化處理，在上述多個(gè)槽內(nèi)形成由氧化娃膜構(gòu)成的元件 分離區(qū)域化。由此，上述多個(gè)槽內(nèi)被元件分離區(qū)域化填埋。之后，將絕緣膜IF2去除。在晶體 管區(qū)域IB被相鄰的元件分離區(qū)域化夾著的活性區(qū)域與P型層化的上表面，被絕緣膜IFl覆 主 rm O
[0117] 接下來(lái)，如圖9所示，通過(guò)利用光刻蝕技術(shù)W及離子注入法，對(duì)晶體管區(qū)域IB的埋 入護(hù)型層CN的正上方的外延基板EP的主面導(dǎo)入P型雜質(zhì)（例如B(棚）），由此形成P-型層BP。接 著，利用光刻蝕技術(shù)W及離子注入法，對(duì)晶體管區(qū)域IB的埋入N+型層CN的正上方的外延基 板EP的主面導(dǎo)入P型雜質(zhì)（例如B(棚）），由此形成在橫方向上夾著F型層BP的一對(duì)P+型層GP。 [0 11引P+型層GP與P-型層BP相接觸，與P-型層BP相比P+型層GP-方的雜質(zhì)濃度高。此時(shí)， 在烙絲區(qū)域IA不形成P型半導(dǎo)體層。F型層BPW及P+型層GP的形成深度比元件分離區(qū)域化 淺。
[0119] 接著，如圖10所示，在外延基板EP的主面上形成由氧化娃膜構(gòu)成的絕緣膜IF3。絕 緣膜IF3形成在活性區(qū)域上，幾乎不形成在元件分離區(qū)域RL上。之后，利用例如CV的去在外延 基板EP的主面上形成絕緣膜IF4。絕緣膜IF4的膜厚為例如50 ~ 4000 A。在此，按1500 A 的膜厚來(lái)形成絕緣膜IF4。在烙絲區(qū)域1A，W覆蓋元件分離區(qū)域RL的上表面的方式形成絕緣 膜IF4。在晶體管區(qū)域1B，W覆蓋元件分離區(qū)域化W及絕緣膜IF3的上表面的方式形成絕緣 膜 IF4。
[0120] 絕緣膜IF4由氮化娃膜或碳化娃膜構(gòu)成。構(gòu)成絕緣膜IF4的氮化娃膜或碳化娃膜均 是導(dǎo)熱率比構(gòu)成元件分離區(qū)域化W及絕緣膜IF3的氧化娃膜的導(dǎo)熱率高的膜。具體而言，氧 化娃的導(dǎo)熱率是1.38(W/m ? K)，氮化娃的導(dǎo)熱率是20~28(W/m ? K)，碳化娃的導(dǎo)熱率是150 ~170(W/m ? K)。
[0121] 另外，構(gòu)成絕緣膜IF4的氮化娃膜或碳化娃膜均是相對(duì)于構(gòu)成元件分離區(qū)域化W 及絕緣膜IF3的氧化娃膜的密合性比較低的膜。具體而言，與烙斷元件(多晶娃膜)相對(duì)于氧 化娃膜的密合性相比，絕緣膜IF4相對(duì)于氧化娃膜的密合性較低。
[0122] -般認(rèn)為，密合的物質(zhì)彼此的熱膨脹系數(shù)或線膨脹率之差越大，物質(zhì)間的密合性 越低。在此，氧化娃(Si〇2)的熱膨脹系數(shù)是0.51~0.58( X I(T6A)，相對(duì)于此，娃(Si)的熱膨 脹系數(shù)是2.4( X I(T6A),氮化娃(SiN)的熱膨脹系數(shù)是3~3.5( X I(T6A),碳化娃(SiC)的 熱膨脹系數(shù)是4~4.5( X I(T^K))。由此，與Si膜相比，SiN膜或SiC膜一方相對(duì)于Si化膜的表 面的密合性低，容易從Si化膜的表面剝離。
[0123] 接下來(lái)，如圖11所述，通過(guò)利用光刻蝕技術(shù)W及干式蝕刻將晶體管區(qū)域IB的絕緣 膜IF4的一部分去除，之后將絕緣膜IF4作為掩膜而進(jìn)行濕式蝕刻，由此將絕緣膜IF3的一部 分去除。由此，使F型層BP的上表面的一部分露出。
[0124] 接著，在外延基板EP的主面上利用例如CVD法形成多晶娃膜PS。之后，通過(guò)利用離 子注入法對(duì)成膜后的多晶娃膜PSW比較高的濃度導(dǎo)入N型雜質(zhì)（例如As(神），由此多晶娃膜 PS成為N+型半導(dǎo)體膜。在此，對(duì)雜質(zhì)的注入量進(jìn)行調(diào)整，使得多晶娃膜PS的薄膜電阻PS成為 1~50000/單位面積。另外，在此，按200 ~ 5000 A的膜厚形成多晶娃膜PS。在晶體管區(qū) 域IB，多晶娃膜PS與露出的F型層BP的上表面相接觸。
[0125] 之后，通過(guò)進(jìn)行熱處理，使多晶娃膜PS內(nèi)的N型雜質(zhì)在F型層8P的上表面擴(kuò)散。由 此，在P-型層BP內(nèi)形成含N型雜質(zhì)（例如As(神））的護(hù)型層EN。護(hù)型層EN的形成深度比P-型層 BP的形成深度淺。護(hù)型層EN的上表面與多晶娃膜PS相接觸。
[0126] 接著，如圖12所示，利用光刻蝕技術(shù)W及干式蝕刻方來(lái)加工多晶娃膜PSW及絕緣 膜IF4。由此，絕緣膜IF3W及元件分離區(qū)域化的各自的上表面露出。通過(guò)該加工，在烙絲區(qū) 域IA形成由多晶娃膜PS構(gòu)成的烙絲元件FE。烙絲元件FE具有在俯視圖中沿1個(gè)方向延伸的 圖案，在該圖案的長(zhǎng)度方向上的兩端部形成有寬度比該方向上的中央的延伸部寬的接觸部 的圖案。烙絲元件FE的平面布局是如圖1所示那樣的。在此，烙絲元件FE之下的絕緣膜IF4被 加工成與烙絲元件FE同樣的圖案，由此，形成由絕緣膜IF2構(gòu)成的絕緣膜TC(參照?qǐng)D12)。
[0127] 通過(guò)上述工序，在晶體管區(qū)域IB中，活性區(qū)域W外的多晶娃膜PSW及絕緣膜IF4被 去除。另外，在活性區(qū)域內(nèi)，活性區(qū)域的端部的區(qū)域W及F型層BP的正上方的區(qū)域W外的區(qū) 域的多晶娃膜PSW及絕緣膜IF4被去除。在活性區(qū)域的端部，在外延基板EP上依次隔著絕緣 膜IF3、IF4而形成由多晶娃膜PS構(gòu)成的防反轉(zhuǎn)用板FP。
[012引另外，在P-型層BP的正上方形成由多晶娃膜PS構(gòu)成的發(fā)射極電極抓。在護(hù)型層EN的 正上方區(qū)域的側(cè)方，在外延基板EP的主面上依次隔著絕緣膜IF3、IF4而形成發(fā)射極電極抓 的一部分。在護(hù)型層EN的正上方，未形成絕緣膜IF3JF4,而形成有與外延基板EP的主面相 接觸的發(fā)射極電極ED的一部分。
[0129] 通過(guò)利用圖12說(shuō)明了的工序，在晶體管區(qū)域IB形成縱型的雙極晶體管TR。也就是， 雙極晶體管TR是具有作為發(fā)射極層的護(hù)型層EN、作為基極層的F型層BP和作為集電極層的 埋入護(hù)型層CN的NPN型晶體管。
[0130] 接著，如圖13所示，通過(guò)利用例如CVD法在外延基板EP的主面上形成層間絕緣膜 IL1，由此覆蓋絕緣膜TC、IF4、烙絲元件FE、發(fā)射極電極抓W及防反轉(zhuǎn)用板FP等。之后，在形 成了多個(gè)貫通層間絕緣膜ILl的接觸孔后，由主要由W(鶴)形成的接觸插塞CP將運(yùn)些接觸孔 的各個(gè)孔的內(nèi)側(cè)填埋。
[0131] 在烙絲區(qū)域1A，接觸插塞CP連接于烙絲元件FE兩端的各自的上表面。在晶體管區(qū) 域1B，多個(gè)接觸插塞CP分別貫通絕緣膜IF4而連接于P型層化的上表面、接觸N型層CCN的上 表面或P+型層GP的上表面。另外，另外的多個(gè)接觸插塞CP連接于發(fā)射極電極抓的上表面或 防反轉(zhuǎn)用板FP的上表面。
[0132] 接下來(lái)，通過(guò)在利用例如瓣射法在層間絕緣膜ILl W及接觸插塞CP各自上形成金 屬膜之后，對(duì)該金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成由該金屬膜構(gòu)成的布線Ml。布線Ml例如由Al (侶） 膜構(gòu)成，連接于烙絲區(qū)域IAW及晶體管區(qū)域IB的多個(gè)接觸插塞CP的各個(gè)接觸插塞。層間絕 緣膜ILl例如由氧化娃膜構(gòu)成。
[0133] 接下來(lái)，由通過(guò)例如CVD法形成的層間絕緣膜IL2覆蓋層間絕緣膜ILl W及布線Ml 的各個(gè)。層間絕緣膜IL2由例如氧化娃膜構(gòu)成。之后，在形成了多個(gè)貫通層間絕緣膜IL2的過(guò) 孔后，由主要由W(鶴)形成的連接器Vl填埋運(yùn)些過(guò)孔的各個(gè)過(guò)孔的內(nèi)側(cè)。多個(gè)過(guò)孔Vl的各個(gè) 過(guò)孔連接于布線Ml的上表面。
[0134] 接下來(lái)，在層間絕緣膜IL2上與布線Ml同樣地形成布線M2。布線M2的膜厚比布線Ml 的膜厚大。多個(gè)布線M2的各個(gè)連接于連接器Vl的上表面。
[0135] 接下來(lái)，在層間絕緣膜IL2上，W覆蓋布線M2的方式，利用例如CV的去依次形成覆蓋 絕緣膜CVl、CV2。覆蓋絕緣膜CVl例如由氧化娃膜構(gòu)成，覆蓋絕緣膜CV2例如由SiON(氮氧化 娃)膜構(gòu)成。
[0136] 接下來(lái)，在比對(duì)烙絲元件FE進(jìn)行激光照射時(shí)的激光照射部廣的范圍，通過(guò)將該激 光照射部、其附近的覆蓋絕緣膜CV2、CV1、W及層間絕緣膜IL2的一部分去除，由此形成開(kāi)口 部0P1。形成開(kāi)口部OPl的上述去除工序，例如利用光刻蝕技術(shù)W及干式蝕刻法來(lái)進(jìn)行。開(kāi)口 部OPl，形成于在俯視圖中重疊于烙絲元件FE的延伸部也就是激光照射部的位置。從開(kāi)口部 OPi的底面到烙絲元件陽(yáng)的上表面為止的距離例如是:500 ~ 8000A。
[0137] 接下來(lái)，通過(guò)利用光刻蝕技術(shù)W及干式蝕刻法在未圖示區(qū)域?qū)⒏采w絕緣膜CV2、 CVl去除，由此使成為焊盤的布線M2露出。接下來(lái)，在覆蓋絕緣膜CV2上形成由純化膜PI (其 由含聚酷亞胺形成)構(gòu)成的圖案。通過(guò)W上步驟，形成本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。
[0138] 本實(shí)施方式的烙絲元件FE,在進(jìn)行電路特性的調(diào)整或不良電路的排除等的情況 下，根據(jù)需要被激光切斷。在利用激光照射將烙絲元件FE切斷的工序即激光修整工序中，按 W下運(yùn)樣的條件進(jìn)行激光照射。即，用于將烙絲元件FE切斷所進(jìn)行的激光照射的條件，例如 將照射能量設(shè)為0.1~0.化J、將脈沖寬度設(shè)為10~30ns、將光斑尺寸設(shè)為10~40WI1。
[0139] 本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法中，如圖13所示，在烙絲元件FE與元件分離 區(qū)域化之間設(shè)置有由導(dǎo)熱率高的材料形成的絕緣膜TC。在進(jìn)行激光修整工序的情況下，設(shè) 置在烙絲元件FE之下的絕緣膜TC，與烙絲元件FE-起被去除。由此，如圖3所示形成開(kāi)口部 0P2,烙絲元件FE被切斷。W下，利用比較例（參照?qǐng)D23W及圖24)對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器 件的制造方法的效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0140] 在比較例的半導(dǎo)體器件中，由于如利用圖23W及圖24說(shuō)明了的那樣，W與元件分 離區(qū)域化的上表面相接觸的方式形成烙絲元件FEa,由此產(chǎn)生殘留物RE附著于烙絲切斷部 的問(wèn)題。也就是，殘留物RE成為漏電路徑，由此W切斷為目的而進(jìn)行激光修整后的烙絲元件 FEa導(dǎo)通，由此，產(chǎn)生半導(dǎo)體器件的可靠性降低的問(wèn)題。
[0141] 但是，從防止在進(jìn)行激光修整后的烙絲元件FEa中發(fā)生漏電的觀點(diǎn)、W及防止元件 分離區(qū)域化的表面由于激光照射而成為異常形狀的觀點(diǎn)出發(fā)，對(duì)激光修整要求高精度。相 對(duì)于此，在激光修整工序中難W提高激光照射的精度，而且，難W提高烙絲元件FEa上且開(kāi) 口部OPl之下的層間絕緣膜ILUIL2的膜厚的精度。也就是，難W W不殘留殘留物RE的方式 將烙絲元件FEa去除、而且難W防止元件分離區(qū)域化被破壞而成為異常形狀。因此，產(chǎn)品的 合格率減低，因而有半導(dǎo)體器件的成品率降低、制造成本增加的問(wèn)題。
[0142] 相對(duì)于此，在本實(shí)施方式中，通過(guò)在圖13所示的烙絲區(qū)域IA的元件分離區(qū)域化上 形成導(dǎo)熱率高且相對(duì)于氧化娃膜的密合性低的絕緣膜TC,由此，能夠得到與利用圖1、圖4、 圖23W及圖24說(shuō)明的效果同樣的效果。另外，能夠防止漏電的發(fā)生W及激光照射部的元件 分離區(qū)域的異常形狀的產(chǎn)生，所W能夠提高產(chǎn)品的合格率。由此，能夠提高半導(dǎo)體器件的制 造工序中的成品率，能夠降低半導(dǎo)體器件的制造成本。
[0143] 因此，即使不提高激光修整工序中的激光照射的精度、或、圖13所示的烙絲元件FE 上且開(kāi)口部OPl之下的層間絕緣膜ILl~IL2的膜厚的精度等，也能夠防止切斷后的烙絲元 件FE漏電。也就是，可W對(duì)激光照射的精度W及烙絲元件FE上的絕緣膜的膜厚的精度設(shè)置 余裕，所W半導(dǎo)體器件的制造工序變得容易，由此能夠降低半導(dǎo)體器件的制造成本。
[0144] 另外，本實(shí)施方式中，如圖13所示，能夠通過(guò)與作為雙極晶體管TR的一部分的絕緣 膜IF3同層的膜來(lái)形成絕緣膜TC。另外，能夠通過(guò)與作為雙極晶體管TR的一部分的發(fā)射極電 極抓W及防反轉(zhuǎn)用板FP同層的膜來(lái)形成烙絲元件FE。因此，能夠通過(guò)共用的工序來(lái)形成雙 極晶體管TR和烙絲元件FE的各個(gè)元件的構(gòu)造的一部分。因此，在將雙極晶體管TR和烙絲元 件FE混合載置于同一半導(dǎo)體忍片上的情況下，能夠使制造工序簡(jiǎn)易化。
[0145] (實(shí)施方式2)
[0146] W下，利用圖14~圖20對(duì)通過(guò)在烙絲元件之下形成導(dǎo)熱性高的膜、進(jìn)一步在烙絲 元件的正下方的元件分離區(qū)域的上表面形成凹部從而防止漏電流的產(chǎn)生的情況進(jìn)行說(shuō)明。 本實(shí)施方式，在進(jìn)行激光修整后的烙絲元件的切斷部，通過(guò)延長(zhǎng)漏電流能夠流動(dòng)的漏電路 徑，從而防止漏電流的產(chǎn)生。圖14~圖18是對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說(shuō) 明的剖視圖。圖14~圖18中，與圖5~圖13同樣地示出烙絲區(qū)域IAW及晶體管區(qū)域18。圖19 是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的俯視圖。圖20是進(jìn)行激光修整后的情況下圖19的C-C線 上的剖視圖。
[0147] 首先，如圖14所示，通過(guò)進(jìn)行與利用圖5~圖9說(shuō)明的工序同樣的工序，而在由半導(dǎo) 體基板SBW及外延基板EP構(gòu)成的基板上形成元件分離區(qū)域化，并在該基板內(nèi)形成各種半導(dǎo) 體層。
[0148] 接下來(lái)，利用光刻蝕技術(shù)、干式蝕刻法或濕式蝕刻法，在烙絲區(qū)域IA的元件分離區(qū) 域化的上表面形成作為凹部的槽D1。槽Dl是不貫通元件分離區(qū)域化而使元件分離區(qū)域化的 上表面的一部后退直至元件分離區(qū)域化的中途深度為止而形成的臺(tái)階部。一般認(rèn)為，槽Dl 的側(cè)壁沿相對(duì)于外延基板EP的主面垂直的方向形成。
[0149] 但是，在利用濕式蝕刻法形成了槽Dl的情況下，一般認(rèn)為，槽Dl的側(cè)壁相對(duì)于外延 基板EP的主面帶有斜度。也就是，一般認(rèn)為，隨著從槽Dl底部朝向上方，槽Dl的開(kāi)口寬度變 寬。圖中，示出槽Dl的側(cè)壁相對(duì)于外延基板EP的主面垂直地形成的構(gòu)造。槽Dl形成于在激光 修整工序中將照射激光的區(qū)域。例如，槽Dl形成在烙絲元件FE的延伸方向上的中屯、部的正 下方。該情況下，烙絲元件FE的延伸方向上的中屯、部是激光的照射點(diǎn)的中屯、部。
[0150] 接著，如圖15所示，通過(guò)進(jìn)行與利用圖10說(shuō)明的工序同樣的工序，由此在元件分離 區(qū)域化上形成絕緣膜IF3。絕緣膜IF3的上表面，優(yōu)選是在烙絲區(qū)域IA的元件分離區(qū)域化上 包含槽Dl的正上方的區(qū)域而成為平坦的，但是也可W如圖15所示，絕緣膜IF3的膜厚比較 薄，絕緣膜IF3沿槽Dl的側(cè)壁形成，并在槽Dl的正上方的絕緣膜IF3的上表面形成有槽。
[0151] 接著，如圖16所示，通過(guò)進(jìn)行與利用圖11說(shuō)明的工序同樣的工序，由此在絕緣膜 IF3上形成多晶娃膜PS。
[0152] 接著，如圖17所示，通過(guò)進(jìn)行與利用圖12說(shuō)明的工序同樣的工序，由此形成由雙極 晶體管TR和多晶娃膜PS構(gòu)成的烙絲元件FE。烙絲元件FE的上表面，優(yōu)選是包含槽Dl的正上 方的區(qū)域而成為平坦的，但是也可W如圖17所示，在槽Dl的正上方的烙絲元件FE的上表面 形成有槽。
[0153] 接著，如圖18所示，通過(guò)進(jìn)行與利用圖13說(shuō)明的工序同樣的工序，形成覆蓋烙絲元 件FEW及雙極晶體管TR的層間絕緣膜ILUIL2W及其他布線等，從而形成本實(shí)施方式的半 導(dǎo)體器件。在此，圖19示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的俯視圖。與圖1同樣，圖19中示出多個(gè) 烙絲元件FE,省略了運(yùn)些烙絲元件FE上的層間絕緣膜W及布線等的圖示。
[0154] 圖19中，通過(guò)虛線的圖案D2示出槽DU參照?qǐng)D18)的輪廓的一例。另外，圖19中，通 過(guò)雙點(diǎn)劃線的圖案D3示出槽DU參照?qǐng)D18)的輪廓的另一例。如圖中通過(guò)虛線所示，槽的圖 案D2也可W與在Y方向上并排的烙絲元件FE的各個(gè)相對(duì)應(yīng)而形成。也就是，各烙絲元件FE的 正下方的槽的圖案D2彼此相互分離。相對(duì)于此，也可W如圖2中通過(guò)雙點(diǎn)劃線所示，在Y方向 上并排的烙絲元件FE分別共有在Y方向上延伸的1個(gè)槽的圖案D3。也就是，1個(gè)槽的圖案D3也 可W在俯視圖中重疊于多個(gè)烙絲元件FE。
[01W]接著，利用圖20對(duì)激光修整工序中照射激光后的烙絲元件FE的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。激 光的照射條件與上述實(shí)施方式1同樣。在激光照射后，如利用圖4說(shuō)明的那樣，形成有開(kāi)口部 0P2。在此，在形成于槽Dl內(nèi)的絕緣膜TC被去除且槽Dl的內(nèi)側(cè)的表面露出運(yùn)一點(diǎn)上，不同于 圖4。
[0156] 本實(shí)施方式中，能夠得到與上述所述實(shí)施方式1同樣的效果。另外，能夠得到W下 說(shuō)明的效果。
[0157] 本實(shí)施方式中，在通過(guò)激光照射將烙絲元件FEW及絕緣膜TC去除的區(qū)域、也就是 開(kāi)口部0P2的底部，在元件分離區(qū)域化的上表面形成有槽Dl。即，在開(kāi)口部0P2的底面，槽Dl 的側(cè)壁W及底面露出。如利用比較例（參照?qǐng)D24)說(shuō)明的那樣，有時(shí)切斷后的烙絲元件FE之 間的元件分離區(qū)域化的上表面成為漏電流的路徑。相對(duì)于此，本實(shí)施方式中，通過(guò)形成槽 Dl，能夠延長(zhǎng)該漏電流的路徑。也就是，通過(guò)形成槽Dl，因而，作為該漏電流的路徑，相對(duì)于 槽Dl的側(cè)方的元件分離區(qū)域化的上表面和槽Dl的底面追加槽Dl的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁。
[0158] 因此，假設(shè)具有導(dǎo)電性的殘留物RE(參照?qǐng)D24)附著于將烙絲元件FE去除后的區(qū)域 的元件分離區(qū)域化的上表面，因?yàn)橛糜诠┞╇娏髁鲃?dòng)的路徑比比較例長(zhǎng)，所W能夠防止由 殘留物RE造成的短路等能夠防止漏電的發(fā)生。另外，能夠使漏電路徑延伸，所W能夠防止進(jìn) 行激光修整后的烙絲的電阻值由于漏電而降低。由此，能夠防止連接于該烙絲元件FE的電 路不再正常工作。因此，能夠使半導(dǎo)體器件的可靠性提高。
[0159] 另外，上述具有導(dǎo)電性的殘留物RE,相對(duì)于通過(guò)激光照射將烙絲元件FEW及絕緣 膜TC去除后的元件分離區(qū)域化的上表面，垂直地下降而沉積。因此，槽Dl的側(cè)壁，優(yōu)選是相 對(duì)于外延基板EP的主面垂直。運(yùn)是因?yàn)?在槽Dl的側(cè)壁垂直地形成的情況下，相對(duì)于元件分 離區(qū)域化的上表面垂直地下降而沉積的殘留物RE不易附著于該側(cè)壁。由此，如果槽Dl的側(cè) 壁垂直地形成，則能夠有效地防止漏電路徑的形成。為了垂直地形成槽Dl的側(cè)壁，在利用圖 14說(shuō)明了的工序中形成槽Dl時(shí)，優(yōu)選是使用干式蝕刻也就是各向異性蝕刻。
[0160] <關(guān)于變形例〉
[0161] W下，利用圖21W及圖22對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的變形例進(jìn)行說(shuō)明。圖21W 及圖22是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的變形例的剖視圖。圖21中放大地示出未進(jìn)行激光修整 的烙絲元件FE,圖22中放大地示出進(jìn)行了激光修整后的烙絲元件FE。圖21W及圖22中，為了 易于讀圖，省略了比層間絕緣膜IL2靠上的膜等的圖示。本變形例與圖18~圖20所示構(gòu)造的 差異是如圖21W及圖22所示槽Dl的側(cè)壁為屋檐狀運(yùn)一點(diǎn)。
[0162] 目P，如圖21W及圖22所示，槽Dl的側(cè)壁相對(duì)于外延基板EP的主面具有帶倒錐形的 角度。也就是，隨著從槽Dl的底部朝向上方，槽Dl的開(kāi)口寬度變小。即，槽Dl的側(cè)壁具有外伸 (overhang)形狀。
[0163] 如上述那樣，具有導(dǎo)電性的殘留物RE(參照?qǐng)D24)，相對(duì)于通過(guò)激光照射將烙絲元 件FEW及絕緣膜TC去除后的元件分離區(qū)域化的上表面，垂直地下降而沉積。因此，與如圖20 所示，槽Dl的側(cè)壁垂直地形成的情況相比較，如果槽Dl的側(cè)壁具有屋檐狀的形狀，則能夠更 為有效地防止殘留物RE相對(duì)于槽Dl的側(cè)壁的附著。由此，能夠更為有效地防止漏電路徑的 形成。
[0164] 為了如本實(shí)施方式那樣、將槽Dl的側(cè)壁形成為屋檐狀，在利用圖14說(shuō)明的工序中 形成槽Dl時(shí)，優(yōu)選是使用干式蝕刻也就是各向異性蝕刻。
[0165] W上，對(duì)于由本
【發(fā)明人】完成的發(fā)明基于其實(shí)施方式具體地進(jìn)行了說(shuō)明，但是當(dāng)然， 本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，可W在不脫離其主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。
[0166] 附圖標(biāo)記的說(shuō)明
[0167] IA 烙絲區(qū)域
[016引 IB 晶體管區(qū)域
[0169] CP 接觸插塞
[0170] CVUCV2覆蓋絕緣膜
[0171] EP 外延基板
[0172] FE 烙絲元件
[0173] IF3、IF4 絕緣膜
[0174] ILUIL2層間絕緣膜
[0175] Ml .M2 布線
[0176] OP 開(kāi)口部
[0177] PI 純化膜
[017引 RL 元件分離區(qū)域
[0179] SB 半導(dǎo)體基板
[0180] TC 絕緣膜
[0181] TR 雙極晶體管
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體器件，其中，具有： 半導(dǎo)體基板； 所述半導(dǎo)體基板上的第一絕緣膜； 形成在所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜;和 形成在所述第二絕緣膜上且含硅的導(dǎo)電膜； 所述導(dǎo)電膜構(gòu)成熔絲， 所述第二絕緣膜的導(dǎo)熱率比所述第一絕緣膜的導(dǎo)熱率高。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述第二絕緣膜相對(duì)于所述第一絕緣膜的密合性比硅膜相對(duì)于所述第一絕緣膜的密 合性低。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 在所述導(dǎo)電膜的正下方的所述第一絕緣膜的上表面形成有槽， 所述第二絕緣膜的一部分埋入所述槽內(nèi)。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述槽的側(cè)壁相對(duì)于所述半導(dǎo)體基板的主面垂直地形成。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述槽的側(cè)壁形成為屋檐狀。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 在所述導(dǎo)電膜上形成有第三絕緣膜， 由所述第二絕緣膜、所述導(dǎo)電膜以及所述第三絕緣膜構(gòu)成的層疊膜具有開(kāi)口部， 通過(guò)所述開(kāi)口部，所述熔絲被切斷， 所述第一絕緣膜的上表面在所述開(kāi)口部的底面露出。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中， 在所述第一絕緣膜的上表面形成的槽的側(cè)壁在所述開(kāi)口部的所述底面露出。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中， 在所述開(kāi)口部?jī)?nèi)的側(cè)壁，所述第二絕緣膜與所述導(dǎo)電膜相比，在俯視圖中接近所述開(kāi) 口部的中央的位置終止。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述第一絕緣膜含氧化硅， 所述第二絕緣膜含氮化硅或碳化硅。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 具有多個(gè)隔著所述第二絕緣膜形成在所述第一絕緣膜上的所述熔絲， 多個(gè)所述熔絲中的一部分所述熔絲被切斷。11. 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，具有： (a) 準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序； (b) 在所述半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜的工序； (c) 在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜的工序;和 (d) 在所述第二絕緣膜上形成含硅的導(dǎo)電膜的工序， 所述導(dǎo)電膜構(gòu)成熔絲， 所述第二絕緣膜的導(dǎo)熱率比所述第一絕緣膜的導(dǎo)熱率高。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 所述第二絕緣膜相對(duì)于所述第一絕緣膜的密合性比硅膜相對(duì)于所述第一絕緣膜的密 合性低。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 還包括(bl):在所述(c)工序前，在所述第一絕緣膜的上表面形成槽的工序， 所述(c)工序中，將所述第二絕緣膜的一部分埋入所述槽內(nèi)。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 所述(b 1)工序中，通過(guò)各向異性蝕刻來(lái)形成所述槽。15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，還包括： (e) 在所述導(dǎo)電膜上形成第三絕緣膜的工序;和 (f) 通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電膜進(jìn)行激光照射，由此形成貫通由所述第二絕緣膜、所述導(dǎo)電膜以 及所述第三絕緣膜構(gòu)成的層疊膜的開(kāi)口部，從而將所述熔絲切斷的工序， 所述第一絕緣膜的上表面在所述開(kāi)口部的底面露出。
【文檔編號(hào)】H01L21/82GK105830209SQ201480030385
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2014年11月27日
【發(fā)明人】?jī)河駱s介
【申請(qǐng)人】瑞薩電子株式會(huì)社