專利名稱：中頻饋線電涌保護(hù)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多芯中頻饋線電涌保護(hù)器，特別涉及第三代移動(dòng)通信
TD-SCDMA系統(tǒng)中的的電涌保護(hù)器，該電涌保護(hù)器用于基站室內(nèi)設(shè)備與遠(yuǎn)端子
系統(tǒng)間的中頻拉遠(yuǎn)電纜中多芯中頻饋線的電涌保護(hù)。
背景技術(shù)：
目前，現(xiàn)有的中頻饋線電涌保護(hù)器采用開(kāi)關(guān)型保護(hù)電路與限壓型保護(hù)電路 進(jìn)行組合的前、后兩級(jí)防護(hù)電路。該防護(hù)電路與輸入端射頻連接器、輸出端 射頻連接器連接成單一單元的電涌保護(hù)器，該電涌保護(hù)器的防護(hù)電路由退耦 元件和電壓限制器件串接而成，能起到逐步削弱電涌的作用。前級(jí)電路采用 氣體放電管進(jìn)行粗保護(hù)，在有電涌流入時(shí)，能泄放掉大量的能量；后級(jí)電路 采用瞬態(tài)抑制二極管并配備有二極管陣列進(jìn)行精密保護(hù)，使電涌保護(hù)器輸出 端的電壓限制在使用該保護(hù)器設(shè)備的承載能力范圍之內(nèi)，保護(hù)電路中兩級(jí)之 間通過(guò)退耦元件(浪涌電阻)連接，使雷電在線纜上產(chǎn)生的電磁感應(yīng)和靜電 感應(yīng)電流進(jìn)入基站的室內(nèi)外系統(tǒng)，有效地泄放饋線上的雷電流，保護(hù)基站設(shè) 備不遭受雷擊。但是，應(yīng)用這種電路構(gòu)成的電涌保護(hù)器的駐波系數(shù)及插入損 耗較大，影響信號(hào)傳輸。
《高壓電器》2003年第3期公開(kāi)了一篇題為《電涌綜合保護(hù)裝置的研究》 論文，該文在對(duì)限幅型電涌保護(hù)器波特性分析的基礎(chǔ)上，指出濾波環(huán)節(jié)對(duì)于 提高設(shè)備電涌抑制能力和滿足電磁兼容的重要性。與壓敏電阻配合的濾波電 路只能采用LC型濾波電路。顯然，采用微帶電路的中頻饋線電涌保護(hù)器由于
保護(hù)對(duì)象不同，其結(jié)構(gòu)也不同于上述限幅型電涌保護(hù)器。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有的中頻饋線電涌保護(hù)器傳輸性能不足的缺陷，本發(fā)明提供 一種中頻饋線電涌保護(hù)器，該保護(hù)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能提供優(yōu)良的電涌防護(hù)性能，
滿足TD-SCDMA系統(tǒng)中的基站室內(nèi)設(shè)備與遠(yuǎn)端子系統(tǒng)間的多芯中頻饋線電涌保 護(hù)及傳輸要求。
本發(fā)明的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)。
一種中頻饋線電涌保護(hù)器，包括電涌保護(hù)器殼體、輸入端射頻連接器、 輸出端射頻連接器、微帶電路板。所述輸入端射頻連接器至少2個(gè)，每個(gè)射 頻連接器伸入電涌保護(hù)器殼體內(nèi)，其內(nèi)導(dǎo)體焊接在微帶電路板的輸入端上， 外導(dǎo)體通過(guò)螺紋與電涌保護(hù)器殼體的一側(cè)連接。所述輸出端射頻連接器至少2 個(gè)，每個(gè)射頻連接器伸入電涌保護(hù)器殼體內(nèi)，其內(nèi)導(dǎo)體焊接在微帶電路板的 輸出端上，外導(dǎo)體通過(guò)螺紋與電涌保護(hù)器殼體的另一側(cè)連接。所述電涌保護(hù) 器殼體通過(guò)螺釘固定在基站設(shè)備上。所述電涌保護(hù)器殼體內(nèi)橫向分隔成至少2 個(gè)四周封閉的相互分隔的獨(dú)立腔體，所述各腔體內(nèi)均設(shè)有相同的電涌保護(hù)微 帶電路板，所述微帶電路板用緊固件固定在腔體內(nèi)。
本發(fā)明的目的還可以通過(guò)以下技術(shù)解決措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 所述電涌保護(hù)器殼體為頂部可用蓋封閉的容器狀金屬殼體，其底部與從 底部垂直延伸的側(cè)壁為整體結(jié)構(gòu)。
所述微帶電路板的電路主要由氣體放電管G、浪涌電阻R、電容C1、 C2、電 感L和雙向瞬態(tài)抑制二極管TVS組成，由氣體放電管G和浪涌電阻R及電容C1組 成前級(jí)粗保護(hù)電路，由電容C2、電感L和雙向瞬態(tài)抑制二極管TVS組成后級(jí)高
通濾波電路。所述氣體放電管G跨接于微帶傳輸線輸入端與地線之間，所述輸
入端經(jīng)由浪涌電阻R與電容C1并聯(lián)的電路后再串接電容C1，然后連接微帶傳輸 線輸出端；所述電感L跨接于電容C1和電容C2的連接點(diǎn)和地線之間，所述雙向 瞬態(tài)抑制二極管TVS跨接于電容C2與微帶傳輸線輸出端的連接點(diǎn)和地線之間。
本發(fā)明的有益效果是由于在電涌保護(hù)器殼體內(nèi)設(shè)置了多個(gè)相互分隔的 獨(dú)立腔體，殼體的底部與從底部垂直延伸的側(cè)壁為整體結(jié)構(gòu)，各腔體之間對(duì) 中頻信號(hào)實(shí)現(xiàn)了極高的電磁隔離，端口隔離度^80dB。該電涌保護(hù)電路采用 了微帶傳輸線設(shè)計(jì)，克服了現(xiàn)有的傳輸性能指標(biāo)不足的缺點(diǎn)，傳輸性能指標(biāo) 達(dá)到6-200MHz頻率范圍內(nèi)的駐波系數(shù)《1.1，插入損耗《0.5dB，本發(fā)明的中 頻饋線電涌保護(hù)器具有元件數(shù)量少、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)，將通過(guò)下面優(yōu)選實(shí)施例的非限制性說(shuō)明進(jìn)行圖示 和解釋，這些實(shí)施例，是參照附圖僅作為例子給出的。


圖l是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖。
圖2是圖1的A-A剖視圖。
圖3是現(xiàn)有技術(shù)的電路原理圖。
圖4是本發(fā)明的電路原理圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明
本實(shí)施例的中頻饋線電涌保護(hù)器的結(jié)構(gòu)如圖1所示，該電涌保護(hù)器的輸
入端有5個(gè)相同的射頻連接器4，該電涌保護(hù)器殼體3的輸出端有5個(gè)相同的 射頻連接器1 。該電涌保護(hù)器的輸入端的每個(gè)射頻連接器4均伸入電涌保護(hù)
殼體3內(nèi)，射頻連接器4的內(nèi)導(dǎo)體41焊接在微帶電路板2的輸入端23上， 外導(dǎo)體42通過(guò)螺紋與電涌保護(hù)器殼體3的一側(cè)連接。該電涌保護(hù)器的輸出端 的每個(gè)射頻連接器1伸入電涌保護(hù)器殼體3內(nèi)，其內(nèi)導(dǎo)體11焊接在微帶電路 板2的輸出端21上，外導(dǎo)體12通過(guò)螺紋與電涌保護(hù)器殼體3的另一側(cè)連接。 電涌保護(hù)器殼體3通過(guò)螺釘31固定在基站設(shè)備(圖1中虛線所示)上，本實(shí) 施例的電涌保護(hù)器殼體3內(nèi)橫向分隔成5個(gè)四周封閉的相互分隔的獨(dú)立腔體 32，在腔體32內(nèi)有電涌保護(hù)電路的微帶電路板2，該微帶電路板2用緊固件 22固定在腔體32內(nèi)，緊固件21除了將微帶電路板2固定在腔體32內(nèi)夕卜，還 起了連接微帶電路板2地線的作用，該電涌保護(hù)器殼體3頂部可用蓋(圖中 未畫(huà)出)封閉。
圖2所示電涌保護(hù)器殼體3的A-A剖視圖，該電涌保護(hù)器殼體3的底部 與從底部垂直延伸的側(cè)壁為整體結(jié)構(gòu)，這種整體結(jié)構(gòu)使各腔體之間對(duì)中頻信 號(hào)實(shí)現(xiàn)了極高的電磁隔離。
圖3為現(xiàn)有的單一單元的電涌保護(hù)器的電路原理圖，該電路由退耦元件(浪 涌電阻R)和電壓限制器件串接而成，由氣體放電管G進(jìn)行粗保護(hù)，后級(jí)電路采 用瞬態(tài)抑制二極管TVS并有Dl、 'D2、 D3、 D4組成的二極管陣列進(jìn)行精密保護(hù)， 氣體放電管G和后級(jí)電路之間通過(guò)退耦元件(浪涌電阻R)連接，這樣的電路 能使電涌保護(hù)器輸出端的電壓限制在使用該保護(hù)器設(shè)備的承載能力范圍之 內(nèi)，也能有效地泄放饋線上的雷電流，保護(hù)基站設(shè)備不遭受雷擊，但應(yīng)用這種電路構(gòu)成的電涌保護(hù)器的駐波系數(shù)及插入損耗較大，影響信號(hào)傳輸。
本發(fā)明的電路原理圖如圖3所示，該電路主要由氣體放電管G、浪涌電阻R、 電容C1、 C2、電感L和雙向瞬態(tài)抑制二極管TVS組成，由氣體放電管G和浪涌電
阻R及電容C1組成前級(jí)粗保護(hù)電路，由電容C2、電感L和雙向瞬態(tài)抑制二極管 TVS組成后級(jí)高通濾波電路。所述氣體放電管G跨接于微帶傳輸線輸入端與地 線之間，所述輸入端經(jīng)由浪涌電阻R與電容C1并聯(lián)的電路后再串接電容C1，然 后連接微帶傳輸線輸出端；所述電感L跨接于電容C1和電容C2的連接點(diǎn)和地線 之間，所述雙向瞬態(tài)抑制二極管TVS跨接于電容C2與微帶傳輸線輸出端的連接 點(diǎn)和地線之間。
中頻饋線電涌保護(hù)器的輸入端通過(guò)射頻連接器4接中頻饋線，該電涌保 護(hù)器的輸出端通過(guò)射頻連接器1與被保護(hù)的TD-SCDMA系統(tǒng)的基站設(shè)備相 連，電涌保護(hù)器殼體3通過(guò)螺釘31接地。其工作過(guò)程如下信號(hào)由射頻連接 器4進(jìn)入微帶電路板2，至射頻連接器l輸出。電涌保護(hù)電路中前級(jí)采用氣體 放電管G進(jìn)行粗保護(hù)，在有浪涌電涌流入時(shí)，能泄放掉大量的能量；后級(jí)采 用高通濾波電路，在6-200MHz的通帶內(nèi)功率衰減極小，中頻信號(hào)、校準(zhǔn)信號(hào) 都能通過(guò)。阻帶內(nèi)功率衰減趨于無(wú)窮大，而90%以上的雷電波能量分布在10 多KHz以下，浪涌電流不能通過(guò)。使其保護(hù)器輸出端的電壓限制在基站設(shè)備 的承載能力范圍之內(nèi)。電路中兩級(jí)之間通過(guò)浪涌電阻R (退耦元件)連接。
除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式，凡采用等同替換 或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種中頻饋線電涌保護(hù)器，包括電涌保護(hù)器殼體(3)、輸入端射頻連接器(4)、輸出端射頻連接器(1)、微帶電路板(2)；其特征在于，所述輸入端射頻連接器(4)至少2個(gè)，每個(gè)射頻連接器(4)伸入電涌保護(hù)器殼體(3)內(nèi)，其內(nèi)導(dǎo)體(41)焊接在微帶電路板(2)的輸入端(23)上，外導(dǎo)體(42)通過(guò)螺紋與電涌保護(hù)器殼體(3)的一側(cè)連接；所述輸出端射頻連接器(1)至少2個(gè)，每個(gè)射頻連接器(1)伸入電涌保護(hù)器殼體(3)內(nèi)，其內(nèi)導(dǎo)體(11)焊接在微帶電路板(2)的輸出端(21)上，外導(dǎo)體(12)通過(guò)螺紋與電涌保護(hù)器殼體(3)的另一側(cè)連接；所述電涌保護(hù)器殼體(3)通過(guò)螺釘(3 1)固定在基站設(shè)備上；所述電涌保護(hù)器殼體(3)內(nèi)橫向分隔成至少2個(gè)四周封閉的相互分隔的獨(dú)立腔體(32)，所述各獨(dú)立腔體(32)內(nèi)均設(shè)有相同的電涌保護(hù)微帶電路板(2)，所述微帶電路板(2)用緊固件(22)固定在腔體(32)內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中頻饋線電涌保護(hù)器，其特征在于，所述電涌 保護(hù)器殼體(3)為頂部可用蓋封閉的容器狀金屬殼體，其底部與從底部垂直 延伸的側(cè)壁為整體結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中頻饋線電涌保護(hù)器，其特征在于，所述微帶電 路板(2)的電路主要由氣體放電管(G)、浪涌電阻(R)、電容(Cl)、電容(C2)、電感(L)和雙向瞬態(tài)抑制二極管(TVS)組成，由氣體放電管(G) 和浪涌電阻(R)及電容(Cl)組成前級(jí)粗保護(hù)電路，由電容(C2)、電感(L) 和雙向瞬態(tài)抑制二極管(TVS)組成后級(jí)高通濾波電路；所述氣體放電管(G) 跨接于微帶傳輸線輸入端(23)與地線之間，所述輸入端(23)經(jīng)由浪涌電 阻(R)與電容(Cl)并聯(lián)的電路后再串接電容(Cl)，然后連接微帶傳輸線 輸出端(21);所述電感(L)跨接于電容(Cl)和電容(C2)的連接點(diǎn)和地 線之間，所述雙向瞬態(tài)抑制二極管(TVS)跨接于電容(C2)與微帶傳輸線輸 出端(21)的連接點(diǎn)和地線之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種中頻饋線電涌保護(hù)器，用于TD-SCDMA系統(tǒng)基站室內(nèi)設(shè)備與遠(yuǎn)端子系統(tǒng)間的中頻拉遠(yuǎn)電纜中多芯中頻饋線的電涌保護(hù)。該電涌保護(hù)器包括電涌保護(hù)器殼體，至少各有2個(gè)輸入端射頻連接器、輸出端射頻連接器和微帶電路板。電涌保護(hù)器殼體內(nèi)橫向分隔成至少2個(gè)四周封閉相互分隔的獨(dú)立腔體，各腔體內(nèi)均設(shè)有電涌保護(hù)微帶電路板。所述微帶電路板的電路主要由氣體放電管G、浪涌電阻R、電容C1、C2、電感L和雙向瞬態(tài)抑制二極管TVS組成。該電涌保護(hù)器各腔體之間對(duì)中頻信號(hào)實(shí)現(xiàn)了極高的電磁隔離，傳輸性能指標(biāo)達(dá)到6-150MHz頻率范圍內(nèi)的駐波系數(shù)≤1.15，插入損耗≤0.5dB。
文檔編號(hào)H02H7/26GK101106272SQ20071002342
公開(kāi)日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2007年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月1日
發(fā)明者珂 梁, 殷國(guó)平 申請(qǐng)人:鎮(zhèn)江通達(dá)電子有限公司