專利名稱：聲表面波器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種聲表面波器件，具體地說，涉及一種包含聲表面波元件的聲表面 波器件。
背景技術：
迄今為止，在具有第一級的非平衡_平衡型濾波器與第二級的平衡_平衡型濾波 器級聯(lián)在一起的平衡型SAW(聲表面波)濾波器中，已經提出一種結構，其中，連接濾波器的 平衡端子的信號接線位于兩級之間，并且連接到第一級的非平衡端子IDT(叉指換能器，梳 狀電極)的另一端子的接地墊片位于信號接線之間。 圖5是相關示例的聲表面波器件中所包含的襯底的俯視圖。襯底1210是LiTa03 單晶襯底，并且如圖5所示，在其主面1212上形成了固定圖樣的金屬膜。也就是說，構成這 樣一種平衡型SAW濾波器，其中第一級的縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器1220與第二級 的縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器1230級聯(lián)在一起，墊片1251用作非平衡端子，并且墊 片1252和1253用作平衡端子。在濾波器1220和1230以及用于級聯(lián)濾波器1220和1230 的接線1241和1242所包圍的區(qū)域中，設置與包含非平衡端子1251的IDT 1223相連的接 地墊片1256 (比如參見專利文獻1)。 另外，近年來，對于用在便攜式電話的RF級中的聲表面波濾波器中所包含的平 衡_非平衡變換功能或者所謂平衡_非平衡變換器功能的需求已經變強。最近，尤其是可 以應對高頻波并且也可以容易地應對平衡_非平衡變換功能的縱向耦合諧振器型聲表面 波濾波器已經變?yōu)楸銛y式電話的RF級的帶通濾波器的主流。 具有平衡-非平衡變換功能的聲表面波濾波器連接到具有平衡或差分輸入和輸 出端的混合器IC(下稱平衡型混合器IC)。當使用這種平衡型混合器IC時，減小了噪聲的 影響，并且可使輸出穩(wěn)定，于是，近年來常把這種聲表面波濾波器用于改進便攜式電話的特 性。 關于這種包含平衡-非平衡變換功能的聲表面波濾波器，曾經考慮到過多種結 構，并且已經提出過其中的許多結構。其中每一種結構都具有優(yōu)點和缺點，并且根據預期使 用與用戶的需求適當?shù)厥褂?。作為其中一種結構，平衡端子連接到一個IDT的兩個端子。
例如，圖6中示意性地示出這種聲表面波濾波器的元件芯片30。以如下方式使聲表面波濾波器具有平衡_非平衡變換功能包含三個IDT 1、2和3以及兩個反射器4和5 的縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器元件6的中間IDT 1的兩端分別連接到平衡信號端子 11和12，并且左側和右側IDT 2和3中每一個的一端通過聲表面波諧振器10的IDT 7連 接到非平衡信號端子13，其中在聲表面波諧振器10中，在IDT 7每一側都設置有反射器8 和9。在這種聲表面波濾波器中，IDT 2和3的另一端連接到接地端子。
元件芯片30安裝于在底部可以分為上部分和下部分的封裝中。圖7示出其中安 裝有元件芯片30之封裝底部31的上部分33的上表面，圖8示出封裝底部31的下部分36 的上表面，而圖9示出封裝底部31的下部分36的下表面(封裝的底面)。
如圖7所示，接線圖樣(連接盤)42至45暴露在封裝底部31的上部分33的管芯 附著部分41中，并且通過圖6和7中白色圓圈所示的隆起墊片39隆起連接到元件芯片30 的端子(墊片)。在圖7中，黑色圓圈所示的過孔46和47穿過封裝底部31的上部分33， 并且接線圖樣45和44與圖8所示的下部分36的接線圖樣61和63連接在一起。在圖9 所示的外部端子中，右側中間的外部端子56是非平衡信號端子，左側上面和下面的外部端 子52和53是平衡信號端子，并且其它外部端子54和55是接地端子。作為非平衡信號端 子的外部端子56通過"城堡形(castellation)"部分48連接到非平衡信號接線圖樣42。 作為平衡信號端子的外部端子52和53通過"城堡形"部分49和50連接到平衡信號接線 圖樣43和44。 最后，如圖7所示，與圖6所示的元件芯片30上的第一和第二平衡信號端子(墊 片)11和12的布置相對應，在元件芯片30的倒裝晶片(flip-chip)安裝封裝中，第一平 衡信號端子接線圖樣(墊片)43形成在封裝一側的中間，并且第二平衡信號端子接線圖樣 (連接盤)44形成在與第一平衡信號端子接線圖樣(連接盤)43接近的拐角部分。在元件 芯片30中，用于連接IDT 1的一端和第一平衡信號端子11的信號線la以及用于連接平 衡的IDT 1的另一端和第二平衡信號端子12的信號線lb變得是非對稱的，并且當它們按 原樣不變時，平衡惡化。于是，如圖9所示，設置為第一和第二平衡信號端子的外部端子52 和53，使之關于封裝的中心軸對稱，并且通過改變封裝中連接到作為第一平衡信號端子的 外部端子52的信號線和連接到作為第二平衡信號端子的外部端子53的信號線之間的路徑 差，可以調節(jié)平衡(如專利文獻2)。 圖6至9中的聲表面波濾波器封裝還可以用于安裝具有如下結構的元件芯片60 : 其中兩個縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器66和68各自具有三個IDT 66a、66b和66c以 及68a、68b和68c，還具有兩個反射器66s和66t以及68s和68t，如圖22所示那樣。也就 是說，圖1所示的元件芯片30和圖22所示的元件芯片60具有相同的外部尺寸和相同的端 子(墊片)配置。 專利文獻3公開一種浮置平衡型聲表面波濾波器，其中以如下方式改進了平衡 沿與縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器元件的中間ITD的聲表面波傳播方向垂直的方向 的任一側延伸的兩個端子連接到平衡信號端子，兩側的IDT用兩條非平衡信號線連接到非 平衡信號端子，并且一條平衡信號線和一條非平衡信號線通過絕緣膜以三維方式相交。
專利文獻1 :日本未審專利申請公開No. 2002-300004
專利文獻2 :日本未審專利申請公開No. 2002-271168
專利文獻3 :日本未審專利申請公開No. 2002-204243
有如圖5中的相關示例，當兩個元件級聯(lián)在一起，并且接地墊片位于兩級之間時， 由于用于級聯(lián)連接的接線與接地墊片之間的雜散電容大，所以存在通帶中插入損耗大的問 題。 考慮到這些因素，本發(fā)明的第一目的是提供一種兩個元件級聯(lián)連接的聲表面波器 件，其中可以減小通帶中的插入損耗。 另外，在用專利文獻2中公開的方法將平衡信號端子連接到一個IDT兩側的端子 從而包含平衡_非平衡變換功能的這種結構的聲表面波濾波器中，由于這種封裝的結構是 復雜且特定的，所以封裝變?yōu)槭芟抻谠Y構。因此，比如具有圖io所示結構的聲表面波 濾波器70，其中使具有三個IDT 71a、71b、71c和72a、72b、72c以及兩個反射器71s、71t和 72s、72t的兩個縱向耦合諧振器型濾波器元件71和72級聯(lián)在一起， 一個縱向耦合諧振器 型濾波器元件71的中間IDT 71a的一端連接到非平衡端子73 ;并且另一縱向耦合諧振器 型濾波器元件72的中間IDT 72a的一端( 一條母線)被分為兩部分，這兩段連接到平衡信 號端子74和75。具有圖11所示結構的聲表面波濾波器80，其中，關于兩組聲表面波濾波 器元件81、82、83和84，具有級聯(lián)在一起的三個IDT 81a、81b和81c ;82a、82b和82c ;83a、 83b和83c ;及84a、84b和84c，以及兩個反射器81s和81t ;82s和82t ;83s和83t ;及84s 和84t，一組聲表面波濾波器元件81和83中的每個中間IDT 81a和83a的一端連接到平衡 端子85和86，而另一聲表面波濾波器元件中每一個的一端連接到非平衡端子87 ;其他聲表 面波濾波器不能與具有平衡_非平衡變換功能但在聲表面波元件耦合方式方面結構不同 的聲表面波濾波器共享封裝。 此外，由于封裝內部的信號線變得不對稱，所以寄生電容等的影響在平衡信號端 子之間變?yōu)椴煌Y果，存在使平衡信號端子之間的平衡變差的問題。 在專利文獻3的聲表面波濾波器中，通過在壓電襯底上形成平衡信號線，以及在 平衡信號線上所形成的絕緣膜上形成非平衡信號線，以實現(xiàn)相交。因此，進入兩個平衡信號 端子的寄生電容和橋接電容之間的差增加，并且不能充分改進平衡。 考慮到這些因素，本發(fā)明的第二目的是提供一種易于與其他結構的聲表面波濾波
器共享封裝并且改進平衡信號端子之間的平衡的聲表面波濾波器。 也就是說，本發(fā)明提供一種可以改進特性的聲表面波器件。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種具有如下結構的聲表面波器件。 —種聲表面波器件包括襯底；多個端子，它們位于襯底上，并且至少包括非平衡 端子和兩個平衡端子；以及位于襯底上的非平衡端子和平衡端子之間的至少一個聲表面波 元件。在這種聲表面波器件中，連接到相同聲表面波元件的不同信號線通過絕緣膜相交。
在上述結構中，襯底可以是壓電襯底，其中整個襯底由壓電材料制成，或者其中在 由非壓電材料制成的襯底主體上形成壓電材料的薄膜(壓電薄膜)的壓電襯底。在后種情 況下，至少在部分聲表面波元件中形成壓電薄膜。向/從平衡端子輸入/輸出平衡信號，并 且向/從非平衡端子輸入/輸出非平衡信號。 在上述結構中，當聲表面波元件連接的不同信號線通過絕緣膜相交時，與信號線 被設置為不相交的情形相比，可以更多地縮短信號線，并且可以減輕關于信號線設置的限制。 以這種方式，例如，當使用信號線連接兩個聲表面波元件構成平衡型聲表面波濾 波器時，可按如下方式減小插入損耗通過使兩個聲表面波元件之間的間隔變窄，而聲表面 波元件之間不包括墊片，縮短連接在聲表面波元件之間的信號線。 另外，關于連接在聲表面波元件之間的信號線以及連接在聲表面波元件和端子之 間的信號線，由于減輕對于設置線路的限制，所以變?yōu)橐子诠灿梅庋b。
優(yōu)選的是，絕緣膜為聚酰亞胺樹脂。 因為聚酰亞胺樹脂的相對介電常數(shù)與壓電襯底的相對介電常數(shù)相比非常小，所以 可以減小雜散電容。 作為第一種優(yōu)選的方式，包括至少兩個聲表面波元件。這兩個聲表面波元件之一 (下稱第一元件)由不同的信號線連接到非平衡端子和用于接地的接地端子(下稱接地墊 片)。形成用于連接所述兩個聲表面波元件中另一個(下稱第二元件)和第一元件的至少 兩條信號線(下稱信號接線)。至少一條信號接線和用于連接接地墊片與第一元件的信號 線(下稱接地接線)通過絕緣膜相交。接地墊片位于第一元件、第二元件和信號接線所包 圍的區(qū)域之外。 在相關器件中，在第一元件、第二元件和信號接線所包圍的區(qū)域內形成接地墊片， 并且通帶中的插入損耗增加。但是，根據上述結構，減小了接地墊片和信號線之間的雜散電 容，結果，可以以如下方式減小通帶中的插入損耗在第一元件、第二元件和信號接線所包 圍的區(qū)域之外形成接地墊片。 最好使第一元件包含三個IDT，它們被設置成具有相同聲表面波傳播方向，并使非 平衡端子和接地墊片連接到中間的IDT。第二元件包含三個IDT，它們被設置成具有相同的 聲表面波傳播方向，并使兩個平衡端子連接到中間的IDT。第一元件的兩側的IDT和第二元 件的兩側的IDT通過信號接線連接起來。 根據上述結構，可以減小其中縱向耦合諧振器型SAW濾波器元件(第一元件和第 二元件)級聯(lián)在一起的平衡型SAW濾波器的通帶中的插入損耗。 優(yōu)選的是，在襯底上形成兩組第一元件、信號接線和第二元件。每一組的第一元件 包含三個IDT，它們被設置成具有相同的聲表面波傳播方向，并使非平衡端子和接地墊片連 接到中間的IDT。每一組的第二元件包括一個IDT，該IDT連接到平衡端子中與另一組中第 二元件的IDT所連接到的平衡端子不同的一個平衡端子。在每一組中，兩條信號接線連接 第一元件兩側的IDT和第二元件的IDT。這兩組的第一元件彼此反相。
根據上述結構，連接到平衡墊片的縱向耦合諧振器型SAW濾波器(第一元件)和 單端口 SAW諧振器(第二元件)串聯(lián)連接在一起，兩組這種結構并聯(lián)連接在一起，使縱向耦 合諧振器型SAW濾波器(第一元件)反相，并且單端口 SAW諧振器(第二元件)被用作陷波 器。于是，在具有改進的濾波器特性的平衡型SAW濾波器中，可以減小通帶中的插入損耗。
優(yōu)選的是，使接地接線包含除絕緣膜及其附近之外所形成的第一層和包含絕緣膜 及其附近所形成的第二層。 根據上述結構，關于接地接線，由于兩層中一層繞著絕緣膜置于另一層之上，所以 減小了接地剩余阻抗，并且改進了頻帶外的衰減。另外，可以僅使用一層來形成信號接線， 則由于不需要在絕緣膜附近將兩側中一層置于另一層之上，所以可以縮短信號接線，并且通過縮短第一元件和第二元件之間的距離，可以減小尺寸。 作為第二種優(yōu)選的方式，包含至少兩個彼此連接在一起的聲表面波元件。這兩個 聲表面波元件之一(下稱第一聲表面波元件)是縱向耦合諧振器型聲表面波元件，它具有 沿著聲表面波傳播方向放置的三個IDT，并且這三個IDT中的中間IDT通過兩條信號線(下 稱第一和第二信號線)連接到兩個平衡信號端子。兩個平衡信號端子位于襯底的與兩個聲 表面波元件排列方向實質上為平行的中心軸兩側。第一和第二信號線中至少一條位于襯底 上所形成的絕緣膜之上。 在上述結構中，當?shù)谝缓偷诙盘柧€中至少一條與連接在聲表面波元件之間的信 號線相交時，在該相交部分，通過絕緣膜實現(xiàn)三維相交。 按照上述結構，將平衡信號端子布置在與耦合聲表面波元件的條件不相同的另一 結構的聲表面波濾波器相同的位置處，可以共用封裝。另外，關于進入兩個平衡信號端子的 每一個中的寄生電容和橋接電容，通過將連接到平衡信號端子的信號線放置在絕緣膜上， 減小了它們之間的差異，于是可以改進平衡。 優(yōu)選的是，兩個平衡信號端子實質上相對于襯底的中心軸對稱。 按照上述結構，由于平衡信號端子位于與其中平衡信號端子對稱放置的另一結構
的聲表面波濾波器實質上相同的位置處，所以可以極好地共用封裝。 優(yōu)選的是，沿聲表面波傳播的方向設置第二聲表面波元件，并且是縱向耦合諧振 器型聲表面波濾波器元件，它具有級聯(lián)到第一聲表面波元件的三個IDT。
根據上述結構，可以增大通帶外的衰減。 優(yōu)選的是，第二聲表面波元件是一個或多個連接在一起的聲表面波諧振器元件。
根據上述結構，可以增加通帶外的衰減。 作為第三種優(yōu)選的方式，聲表面波元件是縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器元 件，它包含沿著聲表面波傳播方向放置的三個IDT，并且這三個IDT中的中間IDT通過信號 線(下稱第一和第二信號線)連接到兩個平衡端子。這兩個平衡信號端子位于襯底的與聲 表面波傳播方向實質上垂直的中心軸兩側。第一和第二信號線中至少一條位于在襯底上所 形成的絕緣膜之上。 在上述結構中，當?shù)谝缓偷诙盘柧€中至少一條與連接在IDT和平衡端子之外的
端子之間的信號線和連接線相交時，在該相交部分中，通過絕緣膜實現(xiàn)三維相交。 根據上述結構，通過將平衡信號端子布置在與耦合聲表面波元件模式不同的另一
結構的聲表面波濾波器相同的位置處，可以共用封裝。另外，關于進入兩個平衡信號端子的
每一個中的寄生電容和橋接電容，通過將連接到平衡信號端子的信號線放置在絕緣膜上，
減小了它們之間的差異，于是可以改進平衡。 按照本發(fā)明的聲表面波器件，可以改進特性。例如，在上述第一方式的情況下，可 以減小通帶中的插入損耗。另外，在第二和第三方式的情況下，比專利文獻2中所述結構 更多地減小了進入每個平衡信號端子的寄生電容差異，并且改進了平衡信號端子之間的平
衡。另外，變?yōu)榭梢耘c圖10、圖ii等所示的另一結構的具有平衡-非平衡變換功能的聲表
面波濾波器共用封裝，因此，不必生產專用的封裝。


圖1是平衡型SAW濾波器的俯視圖；(實施例1)
圖2是沿圖1中II-II線取的截面圖；(實施例1) 圖3是平衡型SAW濾波器的俯視圖；(實施例2) 圖4是沿圖3中IV-IV線取的截面圖；(實施例2) 圖5是平衡型SAW濾波器的俯視圖；(相關示例)
圖6表示一種壓電襯底的結構；(相關示例2) 圖7是封裝的上部的俯視圖；(相關示例2) 圖8是封裝的下部的俯視圖；(相關示例2) 圖9表示封裝的底面；(相關示例2)



































(參考示例1) (參考示例2) (參考示例3)
圖10表示一種聲表面波濾波器的結構 圖11表示一種聲表面波濾波器的結構 圖12表示一種聲表面波濾波器的結構 圖13是壓電襯底的俯視圖；(實施例3) 圖14是表示一種聲表面波濾波器特性的示意圖；(實施例3) 圖15是壓電襯底的俯視圖；(對比示例) 圖16是壓電襯底的俯視圖；(實施例4) 圖17是壓電襯底的俯視圖；(實施例5) 圖18是壓電襯底的俯視圖；(參考示例1) 圖19是壓電襯底的俯視圖；(參考示例2) 圖20是封裝的仰視圖；(實施例3) 圖21是壓電襯底的俯視圖；(實施例6)
圖22是壓電襯底的俯視圖；(相關示例2) 圖23是壓電襯底的俯視圖。(實施例7)
參考標記
100壓電襯底
101聲表面波濾波器元件(第二聲表面波元件) 102聲表面波濾波器元件(第一聲表面波元件) 103、104和105 IDT 108、109和110 IDT 118和119平衡信號端子 123和124 信號線
150聲表面波諧振器元件(第二聲表面波元件) 250、251和252 絕緣膜 500壓電襯底
502聲表面波濾波器元件(聲表面波元件)
508、509和510 IDT
518和519平衡信號端子
523和524 信號線0095] 0096] 0097] 0098] 0099] 0100] 0101] 0102] 0103] 0104] 0105] 0106] 0107] 0108] 0109] 0110] 0111 ] 0112] 0113] 0114] 0115] 0116] 0117] 0118] 0119] 0120] 0121] 0122] 0123] 0124] 0125] 0126] 0127] 0128]
650和652 1010襯底 1014和1016 1020濾波器(第一元件) 1022、1023和1024 IDT 1030濾波器(第二元件) 1032、1033和1034 IDT 1041和1042接線(信號接線) 1048接線(接地線) 1048a、 1048b和1048c 第一層 1048s第二層 1051墊片(非平衡端子) 1052和1053墊片(平衡端子) 1054和1055 接地墊片 1100襯底 1106和1107 絕緣膜 1110濾波器(第一元件) 1114U116和1118 1120濾波器(第 1124U126和1128 1130陷波器(第 IDT
陷波器(第二元件) IDT
接線(接地線)
IDT
:元件)
IDT
:元件)
1134 1140 1144
1153 1153a 1153s
1154 1154a 1154s
第二層 接線(接地線)
第一層 第二層
H55、1156、1157和1158 接線(信號接線)
1172接地墊片(接地端子)
1173墊片(非平衡端子)
1174和1175墊片(平衡端子)
具體實施例方式
下面參考圖1至23描述本發(fā)明的實施例。
首先，參考圖1至4描述實施例1和2 。
實施例1
參考圖1和2描述實施例1的聲表面波器件。圖1是實施例1聲表面波器件中所 含襯底1010的俯視圖，而圖2是沿圖1中的II-II線取的截面圖。 實施例1的聲表面波器件是EGSM接收頻帶濾波器。例如，輸入阻抗是50 Q ，輸出 阻抗是150Q ，通頻帶是925-960MHz，而中心頻率是942. 5MHz。 由LiTa03單晶壓電襯底制成襯底IOIO，并在它的主面1012上形成固定圖樣的金 屬膜，如圖2所示。也就是說，構成這樣一種平衡型SAW濾波器，其中，第一級縱向耦合諧振 器型聲表面波濾波器1020(下稱濾波器1020)和第二級的縱向耦合諧振器型聲表面波濾波 器1030 (下稱濾波器1030)級聯(lián)在一起，墊片1051為非平衡端子，并且墊片1052和1053 是平衡端子。作為第一元件的濾波器1020和作為第二元件的濾波器1030用來級聯(lián)在一起 的接線，即信號接線1041和1042以三維方式與接地接線1048相交，其中接地接線1048連 接到包括非平衡端子1051的IDT 1023。到非平衡端子1051的接地接線1048連接到級間 的外部位置中所包含的接地墊片1054和1055。接地墊片1054和1055是用于接地的接地 端子。濾波器1020和1030平行放置，從而聲表面波的傳播方向可以彼此平行。
詳細地說，在第一級濾波器1020中，將三個IDT 1022、 1023和1024與聲表面波的 傳播方向設置成一直線，并在IDT 1022、 1023和1024的兩側設置兩個反射器1021和1025。 中間IDT 1023的一側電極通過接線1047連接到作為非平衡端子的墊片1051。通過接線 1043和1046，使另一側電極從接線1040和1048連接到接地墊片1054和1055。其他IDT 1022和1024的一側電極也通過接線1044和1045連接到接地墊片1054和1055。
在第二級的濾波器1030中，將三個IDT 1032、1033和1034與聲表面波的傳播方 向設置成一直線，并在IDT 1032、 1033和1034的兩側設置兩個反射器1031和1035。
中間IDT 1033的一側電極連接到作為平衡端子的墊片1052和1053，并使另一電 極成為浮置電極。位于IDT 1033兩側的IDT 1032和1034的一側電極連接到第一級濾波 器的IDT 1022和1024的另一側電極。IDT 1032和1034的另一側電極通過接線1043和 1046連接到接地墊片1054和1055。 形成矩形絕緣膜1014和1016，以便覆蓋連接濾波器1020和1030的信號線的接線 1041和1042的部分，在絕緣膜1014和1016上形成接線1048，并使接線1041和1042與接 線1048通過絕緣膜1014和1016以三維方式相交。 在絕緣膜1014和1016的測量中，圖中橫向(接線1048的延伸方向)的尺寸是 50iim，圖中縱向(接線1041和1042的延伸方向)的尺寸是40-50 y m，并且厚度是2 y m。 下面接線1041和1042的寬度是大約30iim，而上面接線1048的寬度是20-30 ym，其中這 些接線以三維方式相交。濾波器1020和1030之間的間隔是60-70 y m。接地墊片1054和 1055的尺寸是100iimX100iim。在相關示例中，其中級聯(lián)的縱向耦合諧振器型聲表面波 濾波器之間包含相同尺寸接地墊片，由于濾波器之間的距離是大約200ym，所以在實施例 1中，將濾波器元件之間的距離縮短為相關示例中的三分之一或更小。例如，使用光敏樹脂 (聚酰亞胺，相對介電常數(shù)約為2)作為絕緣沒1014和1016。 在實施例1中，當用于連接到接地墊片1054和1055的接線1048(也稱接地接線 1048)與用于在濾波器1020和1030之間進行連接的接線1041和1042 (也稱信號接線1041 和1042)相交時，從頂部看到的相交區(qū)域非常小，絕緣膜1014和1016的相對介電常數(shù)與 LiTaOs襯底10的相對介電常數(shù)(約為50)相比非常小，并且絕緣膜1Q14和1016的厚度非常大。因此，與相關示例中的兩個元件級聯(lián)在一起并且接地墊片位于兩級之間的結構相比， 可以減小雜散電容。 接著，描述襯底1010的制造方法。 首先，在襯底1010的主面1012上通過干法刻蝕或剝離形成第一層鋁膜圖樣。第 一層鋁膜圖樣實際上與IDT、墊片、接線等的最終金屬圖樣匹配。然而，如圖2所示，對于接 線1048，在形成絕緣膜1014和1016的部分及其附近并不形成第一層圖樣，從而可以將絕緣 膜1014和1016設在第一層翻a、翻b和1048c之間。使第一層鋁膜的厚度與IDT 1022 至1024以及1032至1034的膜厚度相同，并且比如800腿z頻帶SAW濾波器中的厚度是300 至400nm，并且2GHz頻帶SAW濾波器中的厚度是150至200nm。 接著，涂上光敏樹脂，并用光刻在濾波器1020和1030之間的接線1041和1042與 接地接線1048的相交部分形成絕緣膜1014和1016。 接下去，形成抗蝕劑掩模，它具有與除濾波器1020和1030以及接線1041和1042 的暴露部分之外的最終金屬膜圖樣對應的開口 ，并且使用剝離，形成第二層的鋁膜圖樣?？?以在第一層鋁與襯底1010之間，或在第二層的鋁與第一層鋁之間形成作為粘合層的Ti或 NiCr層。 按照這種方式，有如圖2所示那樣，將接線1048的第二層1048s置于第一層 1048a、 1048b和1048c頂部，并且連接起來。在第二層1048s與第一層1048a、 1048b和1048c 之間的連接部分中，連接部分應該具有固定的面積，或者該面積比足以減小第二層1048s 與第一層1048a、1048b和1048c之間的連接電阻所必需的面積大。因此，在接線1048中， 使第一層1048a、1048b和1048c與第二層1048s之間的重疊區(qū)域的面積為每邊20 y m或更 大。 必須在特定位置處使三維交點的上接線(第二層)連接到與IDT相連的第一層。 當用于連接兩個元件的信號線位于三維交點的上部時，在一個元件與三維交點之間以及另 一元件與三維交點之間需要連接部分，用于連接第一層和第二層。也就是說，必須增大兩個 元件之間的距離，以便不僅包含三維交點的絕緣膜，而且還包含第一層和第二層之間的連 接部分。 另一方面，當用于連接兩個元件(濾波器1020和1030)的信號線(接線1041和
1042)位于三維交點的下部時，有如實施例1中那樣，由于不必在元件與三維交點之間提供
連接部分，所以，可以僅僅由三維交點的絕緣膜的尺寸決定兩個元件之間的距離。 具體地說，在實施例1中，第二級中的中間IDT 1033被劃分并構造成應對平衡輸
出(或平衡輸入)，并且在第二級中的中間IDT 1033中不需要接地接線。因此，對于濾波器
1020和1030之間的接地接線，只需要第一級中的中間IDT 1023的接地接線1048。 在實施例1中，在第一層中只包含濾波器1020和1030之間的信號接線1041和
1042，而且線路的電阻率增大。然而，濾波器1020和1030之間的距離縮短，可以防止頻帶
中插入損耗的惡化。 在實施例1的聲表面波器件中，通過從濾波器1020和1030之間移出接地墊片 1054和1055，減小了信號線與接地墊片之間的雜散電容，并且通過使級間距離變小(即縮 短濾波器1020和1030之間的信號接線1041和1042)，可以減小通帶中的插入損耗。
實施例2
接下去參照圖3和4描述本發(fā)明實施例2的聲表面波器件。圖3是實施例2聲表 面波器件中所包含襯底1100的俯視圖，而圖4是沿圖3中IV-IV線取的截面圖。
在實施例2的聲表面波器件中，把具有形成于主面1102上的固定圖樣的金屬膜的 襯底1100安裝在封裝(未示出)中，并且可以利用與實施例1相同的方法來制造。后文中， 主要描述與實施例1的不同點。 實施例2的聲表面波器件是接收DCS的頻帶聲表面波濾波器。例如，輸入阻抗是 50Q ，輸出阻抗是150Q ，并且通頻帶是1805-1880MHz。 如圖3所示，作為第一元件的兩組縱向耦合諧振器型SAW濾波器1110和1120 (下 稱濾波器1110和1120)并聯(lián)連接到作為非平衡端子的墊片1173，并將墊片1174和1175用 作平衡端子。作為第二元件的單端口諧振器1130和1140(下稱陷波器1130和1140)串聯(lián) 連接到濾波器1110和1120。 實施例1中的縱向耦合諧振器型SAW濾波器中的雙元件級聯(lián)連接的優(yōu)點在于可以 在通帶外實現(xiàn)高衰減，但是其缺點是使通帶中的插入損耗增加。在實施例2中，通過將單端 口 SAW諧振器1130和1140串聯(lián)連接到縱向耦合諧振器型SAW濾波器1110和1120，可以在 通帶附近實現(xiàn)高衰減。單端口 SAW諧振器1130和1140用作陷波器，其中反諧振頻率位于 比諧振器型SAW濾波器1110和1120的通帶高的一側。 詳細地說，在濾波器1110和1120中，將三個IDT 1114、 1116和1118以及1124、 1126和1128與聲表面波的傳播方向設置成一直線，并在IDT的兩側分別設置兩個反射器 1112和1122。中間IDT 1116和1126的一側電極分別通過接線1151和1152連接到作為 非平衡端子的墊片1173。另一側電極通過接線1153a和1153以及1154a和1154連接到作 為接地端子的接地墊片1172。其它IDT 1114和1118及1124和1128的一側電極也通過接 線1150和1159與接地墊片1172相連。 濾波器1110與濾波器1120相位相反。另夕卜，在一個濾波器1120的IDT 1124和 1128中，對交叉值加權，以便調節(jié)平衡。 在陷波器1130和1140中，將反射器1132和1142設置在IDT 1134和1144的兩 側。IDT 1134和1144的一側電極分別通過接線1155和1156以及1157和1158連接到濾 波器1110和1120的IDT 1114和1118以及1124和1128的另一側電極。IDT 1134和1144 的另一側電極分別通過接線1160和1162連接到作為平衡端子的墊片1174和1175。
使濾波器1110和1120與陷波器1130和1140縱向連接的接線1155、 1156、 1157、 1158當中的接線1156和1157，通過絕緣膜1106和1107，與使位于中間的接地墊片1172與 濾波器1110和1120連接的接線1153和1154成三維形式地相交。另夕卜，接線1151和1152 也通過絕緣膜1104和1105與接線1150相交。 對于絕緣膜1104、1105、1106禾P 1107的尺寸，圖3中橫向(接線1150、1153和 1154的延伸方向)的尺寸為70iim，圖3中縱向(接線1151和1152的延伸方向，并垂直于 接線1153和1154的延伸方向)的尺寸為40-50iim，而厚度為2iim。三維交點中下部接線 1150U156和1157的寬度是大約30iim，并且上部接線1151、 1152、 1153和1154的寬度是 20-30 iim。濾波器1110和1120與陷波器1130和1140之間的間隔是60-70 y m。接地墊 片1172的尺寸是100iimX100iim。在濾波器與陷波器之間包含相同尺寸接地墊片的相關 示例中，濾波器和陷波器之間的間隔是大約200 ii m，并且在實施例2中，可以使濾波器1110和1120與陷波器1130和1140之間的間隔約為相關示例中的三分之一或更小。
如圖4所示，在絕緣層1106和1107上形成接線1153和1154的第二層1153s和 1154s，并在絕緣膜1106和1107兩側，將第二層1153s和1154s置于接地墊片1172的第一 層1172a以及只是第一層的接線1153a和1154a上。在每邊為20 y m或更大的區(qū)域中，將 第一層置于第二層之上，并且將兩者連接起來。 此外，在墊片H72、1173、1174和1175、接線1150的中間部分以及接線1151、 1152、1153、1154、1159、1160和1162中形成第二層。 在實施例2中，在濾波器1110和1120與陷波器1130和1140之間實現(xiàn)三維接線， 但是可以獲得與實施例1相同的效果。也就是說，由于可以僅由三維交點的絕緣膜1106和 1107的尺寸確定濾波器1110和1120與陷波器1130和1140的兩個元件之間的間隔，所以 可以使間隔變小。 由于接地接線在陷波器1130和1140中不是必要的，所以在用于將濾波器1110和 1120接地的兩個元件之間只需要一個接地接線。即使只通過第一層來實現(xiàn)兩個元件之間的 接線1155和1156以及1157和1158，并且線路的電阻率增加，但由于兩個元件之間的距離 縮短，所以，仍然可以防止頻帶中插入損耗的惡化。 接下去，參照圖12至21以及圖23描述實施例3至7。此外，各圖中對相同結構的
部分給予相同參考標記。
實施例3 參照圖12至19以及圖22描述實施例3的聲表面波濾波器。實施例3的聲表面 波濾波器包括平衡_非平衡變換功能。這里，描述作為示例的EGSM(擴展全球移動通信系 統(tǒng))接收濾波器，其中非平衡信號端子的阻抗是50 Q ，而平衡信號端子的阻抗是100 Q 。
首先，參考圖12和13描述實施例3的結構。 在實施例3的聲表面波濾波器中，在壓電襯底100上形成兩個縱向耦合諧振器型 聲表面波濾波器元件(下稱濾波器元件)101和102，并且級聯(lián)在一起。在壓電襯底100中 使用40±5° Y切X傳播的LiTa03襯底，并用鋁電極形成濾波器元件101和102。
有如圖12中示意性表示的基本結構，濾波器元件101包含沿著聲表面波傳播方向 設置的三個IDT 103、 104和105以及兩個反射器106和107。另外的IDT 103和105形成 為它們當中夾置有中間IDT 104，并且，在它們兩側形成反射器106和107。中間IDT 104 的一端通過信號線122連接到非平衡信號端子117。 按照同樣的方式，另一濾波器元件102也包含沿著聲表面波傳播方向設置的三個 IDT 108、109和110以及兩個反射器lll和112。另外的IDT 108和110形成為它們當中 夾置有中間IDT 109，并在它們兩側形成反射器111和112。中間IDT 109的兩端分別通過 信號線123和124連接到平衡信號端子118和119。 兩個濾波器元件101和102級聯(lián)在一起。也就是說，濾波器元件101的IDT 103 和105中每一個的一端分別通過信號線120和121連接到另一元件102的IDT 108和110 中每一個的一端。濾波器元件101的IDT 103和105中每一個的另一端以及另一濾波器元 件102的IDT108和110中每一個的另一端分別接地。此外，即使所述這些"另一端"以與 所述這些"一端"相同的方式彼此連接在一起，而不是連接到地，在操作中也不存在問題。
調節(jié)IDT 103、104、105、108、109和110中每一個的方向，從而使在連接在IDT 103
13和108之間的信號線120上傳送的電信號的相位可與在連接在IDT 105和110之間的信號 線121上傳送的電信號的相位相差大約180° 。這樣，作為聲表面波濾波器可以獲得極好的 幅度平衡和相位平衡。 在圖12中標號113至116所示的部分(下稱窄節(jié)距電極指部分)中，即在濾波器 元件101的IDT 103和104之間以及IDT 104和105之間、以及在另一濾波器元件102的 IDT 108和109之間以及IDT 109和110之間的部分，使少數(shù)相鄰電極指的節(jié)距(電極指的 寬度加上電極指之間的間隔)小于IDT 103、 104、 105、 108、 109和110的其它部分中電極指 的節(jié)距。此外，為簡單計，圖12中所圖示的電極指數(shù)目小于實際數(shù)目。可以按下述方式獲 得寬帶通濾波器通過包含這種窄節(jié)距電極指部分113至116，使IDT彼此相鄰部分處的不 連續(xù)性最大程度地被減小，并使IDT 103、 104、 105、 108、 109和110之間的間隔受到調節(jié)。
圖13表示壓電襯底IOO上的實際布局。在圖13中，窄間隔的斜線部分是在第一 光刻過程中形成的電極圖樣(下稱第一層圖樣)。寬間隔的斜線部分是在第二光刻過程中 形成的電極圖樣(下稱第二層圖樣)。沒有斜線的部分250、251和252是通過使用低介電 常數(shù)的樹脂等在形成第二層圖樣之前形成的絕緣膜。為簡明起見，在圖13中將第一層圖樣 和第二層圖樣被圖示為彼此接觸，但是實際上，第一層圖樣和第二層圖樣中至少一個在這 兩者彼此接觸的位置附近被形成為比所圖示的要大，并將第二層圖樣置于第一層圖樣上， 以連接兩者。 在圖13中，非平衡端子117位于壓電襯底100上面的中部。在圖13中，平衡信號 端子118和119分別位于壓電襯底100的左下和右下部分。在圖13中，接地端子201和 202分別位于壓電襯底100的左上和右上部分。也就是說，將平衡信號端子118和119設置 成關于壓電襯底100的假想中心軸對稱。 濾波器元件101的中間IDT 104的一端連接到非平衡端子117，而另一端連接到 接地端子202。在濾波器元件101兩側的IDT 103和105中每一個的一端分別連接到接地 端子201和202，并且另一端分別通過信號線120和121連接到另一濾波器元件102的IDT 108和110中每一個的一端。在由標記203所示的部分中，通過連接在IDT 105和110之 間的信號線121上所形成的絕緣膜251，使得將中間IDT 104的另一端連接到接地端子202 的連接線與信號線201以三維形式相交。 另一濾波器元件102的IDT 108的另一端通過反射器111和106連接到接地端子 201。也就是說，IDT 108的另一端和反射器111通過連接線130連接在一起，并且反射器 106和接地端子201連接在一起。IDT 10的另一端連接到接地端子202。中間IDT 109的 一端通過信號線123連接到一個平衡信號端子118。信號線123的大部分形成在絕緣膜250 上。信號線123與用于連接反射器106和111的連接線在標號204所示的部分中通過絕緣 膜250以三維方式相交，并在標記205所示的部分中，通過絕緣膜250與連接在IDT 103和 108之間的信號線120以三維方式相交。IDT 109的另一端通過信號線124連接到另一平 衡信號端子119。絕緣膜252形成在信號線124與襯底100之間，并且維持平衡信號端子之 間的對稱性。 接下去，描述在襯底100上形成每個圖樣的方法。 首先，在襯底100上通過干法刻蝕或剝離方法形成第一層鋁膜圖樣。第一層鋁膜 圖樣包括IDT 1Q3、104和105 ;108、109和110、反射器106禾口 107 ;以及111和112、信號線120和121、以及連接線130和131。 IDT 103、 104和105以及108、 109和110中第一層鋁 膜的厚度相同。 接著，涂上光敏樹脂，并且通過使用光刻方法形成絕緣膜250、251和252。例如，使 用聚酰亞胺樹脂(相對介電常數(shù)2)作為光敏樹脂。在這種情形中，由于與LiTa03襯底100 大約為50的相對介電常數(shù)相比該相對介電常數(shù)非常小，所以當連接到平衡信號端子118和 119的信號線123和124形成在絕緣膜250和251上時，與連接到平衡信號端子的信號線直 接形成在襯底上的情形相比，可以減小雜散電容。 接著，形成具有與第二層圖樣對應開口的抗蝕劑掩模，并使用剝離方法形成第二 層的鋁膜圖樣。 此外，可以在第一層鋁膜和襯底100之間或者在第二層的鋁膜和第一層鋁膜之間 形成Ti或NiCr層作為粘合層。 在圖20中，表示實施例3聲表面波濾波器封裝的底面上的外部端子401-405的布 局圖。在該附圖中，上面中間的外部端子401是非平衡端子，并且連接到圖12和13中的端 子117。右下和左下方的外部端子402和403是平衡信號端子，并且分別連接到圖12和13 中的端子118和119。中間部分的外部端子404和405是接地端子。 如圖18和19所示，在該封裝中，可以安裝其它結構的具有平衡-非平衡變換功能 的聲表面波濾波器元件芯片，其中在與壓電襯底100相同大小的壓電襯底70和80上形成 聲表面波元件71和72，以及81至84。圖18對應于圖IO中的結構，而圖19對應于圖11中 的結構。在其它結構的具有平衡_非平衡變換功能的聲表面波濾波器中，以與實施例3的 壓電襯底100相同的方式，使非平衡端子73和87在圖中位于壓電襯底70和80的上面的 中間部分，并使平衡信號端子74和75以及86和85在圖中位于左下和右下部分，并且接地 端子76和77以及88和89在圖中位于左上和右上部分。 因此，圖3的聲表面波濾波器與如圖18和19所示的其它結構的具有平衡_非平 衡變換功能的聲表面波濾波器可以共用封裝。 此外，在圖18和19中，以與圖13相同的方式示出第一層圖樣、第二層圖樣和絕緣 膜圖樣。在圖18中，通過絕緣膜78和79，使IDT 71b和72b之間以及IDT 71c和72c之 間的信號線與用于連接在IDT 71a與第二端子76和77之間的連接線以三維方式相交。圖 19中，通過絕緣膜90和91，使用于連接在IDT 84a和82a與端子87之間的信號線與用于 連接在IDT 84b和82c與端子88和89之間的信號線以三維方式相交，并且，通過絕緣膜92 和93，使用于連接在IDT 83a和81a與端子86和85之間的信號線與用于連接在IDT 83b 和81c與端子88和89之間的連接線以三維方式相交。 接著，給出一種關于聲表面波濾波器元件101和102的設計示例。當用A工表示 由窄節(jié)距電極指部分113至116之外的節(jié)距未變窄處電極指的節(jié)距所確定的波長時，可以 得到如下的關系
交叉寬度48. l入工 濾波器元件101的電極指數(shù)目(按IDT 103、104和105的順序)28(6)/ (6) 24 (6) / (6) 28 (括號中的數(shù)字表示窄節(jié)距電極指的數(shù)目) 濾波器元件102的電極指數(shù)目(按IDT 108、 109和110的順序)28(6)/ (3) 24 (3) / (6) 28 (括號中的數(shù)字表示窄節(jié)距電極指的數(shù)目)
反射器的數(shù)目80
金屬化比例O. 70
電極膜厚度0.080入工 圖14表示上述設計示例(實施例3)的頻率與共模衰減特性之間的關系。共模衰 減特性在平衡信號端子之間表現(xiàn)出平衡，并且衰減增加越多，平衡信號端子之間的平衡變 得越好。 在圖14中，作為對比示例，表示在如下情形中頻率與共模衰減特性之間的關系 如專利文獻2中那樣，在封裝內部包含平衡信號端子的額外接線，并使封裝底面上的端子 布局圖與圖20中相同。圖15示出該對比示例的壓電襯底上的布局圖。濾波器101和102 的規(guī)格與上述設計示例(實施例3)相同。在表示壓電襯底300上的布局圖的圖15中，非 平衡信號端子117'位于上面的中間部分，平衡信號端子118'位于中間略偏右側，而平衡 信號端子119'位于右下部分。接地端子301位于左上部分，接地端子302位于右上部分， 接地端子303位于中間略偏左側，而接地端子304位于左下部分。 EGSM接收濾波器的通帶為925-960MHz。在圖14中，當在該頻帶中比較最大共模衰 減時，雖然在對比示例中共模衰減約為24. OdB，但該實施例中共模衰減約為27. 5dB，結果， 與對比示例相比，共模衰減改進了大約3. 5dB。 關于可以獲得這種效果的主要原因，首先，由于與對比示例不同，沒有使連接到平 衡信號端子的附加的接線不對稱，所以消除了寄生電容等的影響差異，另外，由于在由低介 電常數(shù)的樹脂制成的絕緣膜圖樣上設置用于在壓電襯底上連接在IDT與平衡信號端子之 間的信號線123和124，所以即使信號線123和124的長度在壓電襯底上彼此不同，也認為 進入每個平衡端子的寄生電容的差別是小的。 如上所述，根據實施例3，當具有三個IDT的縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器中 三個IDT中的中間IDT的端子分別連接到平衡信號端子時，在具有平衡_非平衡變換功能 的該聲表面波濾波器中，與相關方法相比，可以獲得在平衡信號端子之間具有極好平衡的 濾波器。另外，上述聲表面波濾波器可以與另一結構的具有平衡-非平衡變換功能的聲表 面波濾波器共享封裝。 接下去描述另外的實施例4至7。在實施例4至7中，可以獲得與實施例3相同的 效果。后文主要描述與實施例3的不同點。
實施例4 在實施例3中，信號線123和124形成在絕緣膜250和251上，但是在實施例4中， 有如圖16所示那樣，在絕緣膜250上只包含較長的信號線123。
實施例5 如圖17所示，IDT 108與接地端子之間的連接方法不同于實施例3。也就是說，不 存在用于連接在IDT 108和反射器111之間、反射器106和111之間、以及反射器106和接 地端子201之間的連接線。相反，為了連接到接地端子202，由第一層圖樣形成用于連接到 IDT 108的連接線132。連接線132連接到第二層圖樣中用于連接在IDT IIO和接地端子 202之間的連接線。絕緣膜252形成在連接線132上，并且與用于連接在中間IDT 109和平 衡信號端子119之間的信號線124以三維方式相交。
實施例6
如圖21所示，聲表面波諧振器元件(下稱諧振器元件)150串聯(lián)連接到濾波器元件102。在這種情形中，同樣可以按照與其中兩個縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器元件級聯(lián)在一起的實施例3至5相同的方式來增加通帶外的衰減。 在諧振器元件150中，反射器152和153位于IDT 151兩偵U。 IDT151的一端連接到非平衡信號端子117，并且另一端通過信號線120'和121'連接到濾波器元件102的IDT108和110的一端。 第一層圖樣包括濾波器元件102、諧振器元件150、信號線120'和121' 、 IDT和反射器111之間的連接線130、以及從反射器111延伸到諧振器元件150 —側中間的連接線131'。延伸到諧振器元件150—側中間的連接線131'通過第二層圖樣的連接線連接到接地端子201。用于連接在濾波器元件102的IDT 109和平衡端子118之間的信號線123與信號線120'和連接線131'通過絕緣膜250以三維方式相交。 在諧振器元件150中，可將IDT 151的一端連接到接地端子201或202，可以連接到濾波器102的另一端通過信號線120'和121'連接到非平衡端子117，并且，諧振器元件150可以并聯(lián)連接到濾波器元件102。 另外，在諧振器150中，可以串聯(lián)或并聯(lián)連接多個諧振器元件。
實施例7 如圖23所示，只有一個濾波器元件502位于壓電襯底500上。與相關方法相比，在該情形中，同樣可以以與實施例3至6相同的方式獲得平衡信號端子518和519之間的極好平衡。另外，該濾波器與另一結構的具有平衡_非平衡變換功能的聲表面波濾波器可以公用封裝。 濾波器元件502包括在三個IDT 508、509和510兩側的反射器511和512。在兩側的IDT 508和510中，一個IDT 508的一端連接到信號線520'，并且另一個IDT 510的一端連接到信號線521'。信號線520'和521'通過第二層圖樣的連接線連接到非平衡端子517。 第一層圖樣包括濾波器元件502、信號線520'和521'、以及用于連接在IDT 508的另一端與反射器511之間的連接線530。從反射器511延伸到中間的連接線531'通過第二層圖樣的連接線連接到接地端子601。 IDT 510的另一端通過第二層圖樣的連接線連接到接地端子602。用于連接在濾波器元件502的IDT 509的一端與一個平衡端子518之間的信號線523與信號線520'以及連接線531'通過絕緣膜650以三維方式相交。在用于連接在濾波器元件502的IDT 509的另一端和另一平衡端子519之間的信號線524與壓電襯底500之間也形成絕緣膜652。 如上所述，在實施例3至7的聲表面波濾波器中，由于可以使壓電襯底上形成的每個端子(隆起墊片)的布局圖與另一結構的聲表面波濾波器的元件芯片中每個端子(隆起墊片)相同，所以上述聲表面波濾波器可以與另一結構的聲表面波濾波器共用封裝。
另外，由于通過在壓電襯底上所形成的絕緣膜圖樣上形成連接到平衡信號端子的信號線，可以大大減小元件芯片中信號線之間的路線差異，所以可以改進平衡，而不用在封裝中提供路線差。 按照實施例1至7，可以改進聲表面波器件的特性。
此外，本發(fā)明不限于上述實施例，而是可以做出各種修改。
例如，除LiTa03之外，可將石英、LiNb03等的單晶襯底用作襯底。另外，本發(fā)明可以適用于使用ZnO、AlN等壓電薄膜的聲表面波器件。 例如，雖然在實施例3至7中使用40±5° Y切X傳播的LiTa03襯底，但是在本發(fā)明中，所述襯底并不局限于此，通過使用64-72° Y切X傳播的LiNb(^、4r Y切X傳播的LiNb03等，都可以獲得相同效果。 另外，本發(fā)明不僅可以適用于具有平衡-非平衡變換功能這種結構的聲表面波濾波器，也可以適用于具有平衡到平衡變換功能這種結構的聲表面波濾波器。
權利要求
一種聲表面波器件，包括，襯底；多個端子，設在所述襯底上，并且至少包括非平衡端子和兩個平衡端子；以及至少一個聲表面波元件，位于所述襯底上的所述非平衡端子和所述平衡端子之間；其中，連接到相同聲表面波元件的不同信號線通過絕緣膜相交；所述聲表面波元件是縱向耦合諧振器型聲表面波濾波器元件，它包含沿聲表面波傳播方向設置的三個IDT，并且這三個IDT中的中間IDT通過被稱作第一和第二信號線的信號線連接到所述兩個平衡端子；所述平衡端子位于所述襯底的與所述聲表面波傳播方向垂直的中心軸兩側；并且所述第一和第二信號線中至少一條設在所述襯底上所形成的所述絕緣膜之上。
全文摘要
一種能改進特性的聲表面波器件。所述聲表面波器件包括襯底(1010)、包含非平衡端子(1051)和平衡端子(1052和1053)的多個端子(1051-1055)、以及位于非平衡端子(1051)和兩個平衡端子(1052和1053)之間的至少一個聲表面波元件(1020、1030)。通過絕緣膜(1014、1016)使與相同聲表面波元件(1020)相連的不同信號線(1048、1041、1042)相交。
文檔編號H03H9/02GK101699768SQ20091022658
公開日2010年4月28日 申請日期2005年7月12日 優(yōu)先權日2004年7月23日
發(fā)明者藤井裕久, 高峰裕一 申請人:株式會社村田制作所