專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高溫超導(dǎo)陷波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—種局溫超導(dǎo)陷波器技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種微波器件，尤其是一種高溫超導(dǎo)陷波器。
背景技術(shù)：
[0002]陷波器是利用壓電效應(yīng)制成的帶阻濾波器，它的作用是阻止或?yàn)V掉信號(hào)中有害分量對(duì)電路的影響。目前的陷波器產(chǎn)品的插損大于2dB，插損較高；矩形系數(shù)大于10，矩形系數(shù)較差；抑制度在60dB左右，抑制度較低，無(wú)法滿(mǎn)足高性能捷變頻接收機(jī)的要求。實(shí)用新型內(nèi)容[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種插損小、矩形系數(shù)高、抑制度高的高溫超導(dǎo)陷波器。[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案:一種高溫超導(dǎo)陷波器，包括盒體，盒體內(nèi)部設(shè)置陷波器芯片，盒體的兩端分別設(shè)置輸入、輸出接口，陷波器芯片上刻蝕由主線(xiàn)及諧振器組成的高溫超導(dǎo)陷波器電路。[0005]所述的盒體的材料采用合金鈦。[0006]所述的盒體上設(shè)置的輸入接口通過(guò)金絲與輸入SMA連接器相連，盒體上設(shè)置的輸出接口通過(guò)金絲與輸出SMA連接器相連。[0007]所述的陷波器芯片包括基片，基片的上、下兩面均濺射高溫超導(dǎo)薄膜，高溫超導(dǎo)薄膜上濺射金膜，位于基片的上表面的金膜上刻蝕高溫超導(dǎo)陷波器電路。[0008]所述的主線(xiàn)為微帶線(xiàn)，其長(zhǎng)度方向上刻蝕多個(gè)諧振器，且均位于主線(xiàn)的同一側(cè)，主線(xiàn)的兩端分別與輸入、輸出接口焊接。[0009]所述的基片通過(guò)銦片焊接在盒體的底面上。[0010]所述的基片的材料采用氧化鎂，基片的厚度為0.5mm。[0011]所述的諧振器的個(gè)數(shù)為7個(gè)。[0012]由上述技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型采用高溫超導(dǎo)材料作為載體，插損小于0.5dB,插損較??；矩形系數(shù)小于2，矩形系數(shù)高；抑制度大于70dB，抑制度較高，滿(mǎn)足了高性能變頻接收機(jī)的要求，提高了接收機(jī)的性能。


[0013]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；[0014]圖2是本實(shí)用新型中高溫超導(dǎo)陷波器電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0015]一種高溫超導(dǎo)陷波器，包括盒體10，盒體10內(nèi)部設(shè)置陷波器芯片40，盒體10的兩端分別設(shè)置輸入、輸出接口 20、30，陷波器芯片40上刻蝕由主線(xiàn)42及諧振器43組成的高溫超導(dǎo)陷波器電路41。所述的主線(xiàn)42為微帶線(xiàn)，其長(zhǎng)度方向上刻蝕多個(gè)諧振器43，且均位于主線(xiàn)42的同一側(cè)，主線(xiàn)42的兩端分別與輸入、輸出接口 20、30焊接。所述的諧振器43的個(gè)數(shù)為7個(gè)。如圖1、2所示。[0016]如圖1所示，所述的盒體10的材料采用合金鈦。所述的盒體10上設(shè)置的輸入接口 20通過(guò)金絲與輸入SMA連接器相連，盒體10上設(shè)置的輸出接口 30通過(guò)金絲與輸出SMA連接器相連。[0017]如圖2所示，所述的陷波器芯片40包括基片，基片的上、下兩面均濺射高溫超導(dǎo)薄膜，高溫超導(dǎo)薄膜上濺射金膜，位于基片的上表面的金膜上刻蝕高溫超導(dǎo)陷波器電路41。所述的基片通過(guò)Φ0.1mm的銦片焊接在盒體10的底面上。所述的基片的材料采用氧化鎂，基片的厚度為0.5mm。[0018]如圖2所示，所述陷波器芯片40采用氧化鎂(MgO)作為基片，厚度為0.5mm;在基片兩面濺射上5000埃高溫超導(dǎo)YBa2Cu3O7-A薄膜，即高溫超導(dǎo)薄膜，在高溫超導(dǎo)薄膜上原位濺射500埃金膜，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc ^ 90K，臨界電流密度Jc ^ 2X106A/cm2。通過(guò)光刻、干法刻蝕、切割等工藝制作高溫超導(dǎo)陷波器，其中一面的高溫超導(dǎo)薄膜和金膜全部保留，作為接地面；另一面刻蝕高溫超導(dǎo)陷波器電路41，即在金膜上刻蝕高溫超導(dǎo)陷波器電路41。[0019]綜上所述，本實(shí)用新型采用高溫超導(dǎo)材料作為載體，插損小于0.5dB，插損較?。痪匦蜗禂?shù)小于2，矩形系數(shù)高；抑制度大于70dB，抑制度較高，滿(mǎn)足了高性能變頻接收機(jī)的要求，提高了接 收機(jī)的性能。
權(quán)利要求1.一種高溫超導(dǎo)陷波器，其特征在于:包括盒體(10)，盒體(10)內(nèi)部設(shè)置陷波器芯片(40)，盒體(10)的兩端分別設(shè)置輸入、輸出接口(20、30)，陷波器芯片(40)上刻蝕由主線(xiàn)(42 )及諧振器(43 )組成的高溫超導(dǎo)陷波器電路(41)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫超導(dǎo)陷波器，其特征在于:所述的盒體(10)的材料采用合金鈦。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫超導(dǎo)陷波器，其特征在于:所述的盒體(10)上設(shè)置的輸入接口(20)通過(guò)金絲與輸入SMA連接器相連，盒體(10)上設(shè)置的輸出接口(30)通過(guò)金絲與輸出SMA連接器相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫超導(dǎo)陷波器，其特征在于:所述的陷波器芯片(40)包括基片，基片的上、下兩面均濺射高溫超導(dǎo)薄膜，高溫超導(dǎo)薄膜上濺射金膜，位于基片的上表面的金膜上刻蝕高溫超導(dǎo)陷波器電路(41)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫超導(dǎo)陷波器，其特征在于:所述的主線(xiàn)(42)為微帶線(xiàn)，其長(zhǎng)度方向上刻蝕多個(gè)諧振器(43)，且均位于主線(xiàn)(42)的同一側(cè)，主線(xiàn)(42)的兩端分別與輸入、輸出接口(20、30)焊接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高溫超導(dǎo)陷波器，其特征在于:所述的基片通過(guò)銦片焊接在盒體(10)的底面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高溫超導(dǎo)陷波器，其特征在于:所述的基片的材料采用氧化鎂，基片的厚度為0.5mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高溫超導(dǎo)陷波器，其特征在于:所述的諧振器(43)的個(gè)數(shù)為7個(gè)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種高溫超導(dǎo)陷波器，包括盒體，盒體內(nèi)部設(shè)置陷波器芯片，盒體的兩端分別設(shè)置輸入、輸出接口，陷波器芯片上刻蝕由主線(xiàn)及諧振器組成的高溫超導(dǎo)陷波器電路。本實(shí)用新型采用高溫超導(dǎo)材料作為載體，插損小于0.5dB，插損較??；矩形系數(shù)小于2，矩形系數(shù)高；抑制度大于70dB，抑制度較高，滿(mǎn)足了高性能變頻接收機(jī)的要求，提高了接收機(jī)的性能。
文檔編號(hào)H03H7/06GK203071886SQ20122073439
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者楊時(shí)紅, 劉洋, 左濤, 陸勤龍, 汪名峰, 陳新民, 賓峰, 丁曉杰, 劉少敏 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十六研究所