技術(shù)編號(hào)：10651409
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 極紫外光刻(EUVL)是目前國際上最具潛力、可以滿足CD32/22/16nm等節(jié)點(diǎn)1C量產(chǎn) 的光刻技術(shù)。由于大部分氣體都吸收13.5nm的極紫外光，尤其是碳?xì)浠衔?、水蒸汽等?duì)極 紫外光具有強(qiáng)烈吸收作用，因此需要提供給光刻機(jī)清潔的真空環(huán)境。 光刻機(jī)內(nèi)部具有大量的電子電路系統(tǒng)，其中的PCB板和電子元器件在真空環(huán)境下 會(huì)釋放出大量的污染性氣體和微粒，嚴(yán)重破壞光刻機(jī)工作環(huán)境，因此需要為電子電路系統(tǒng) 設(shè)計(jì)真空密封殼體，以防止其釋放出的污染性氣體和微粒直接進(jìn)入光刻...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。