技術編號:10658451
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極性晶體管(S01-LIGBT)是集功率SOI橫向雙擴散金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(LDM0SFET)的高速度、功率雙極型晶體管(BJT)的大電流密度和SOI全介質(zhì)隔離等優(yōu)點于一身的功率器件,因而它具有驅(qū)動簡單、保護容易、開關頻率高等優(yōu)點,因此基于以上優(yōu)點,S01-LIGBT現(xiàn)廣泛應用于各種高功率的電力電子設備中。由于S01-LIGBT通常在集成電路中用作功率開關器件,當S01-LIGBT工作在開關狀態(tài)時,隨著開關頻率的增加,開...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。