技術(shù)編號：39707111
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及mems器件和生產(chǎn)mems器件的方法。更具體地，本發(fā)明涉及包括兩個(gè)器件層的mems器件和用于制造雙層mems器件的方法。背景技術(shù)、使用硅基技術(shù)制造的微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件是普遍的。mems器件的典型應(yīng)用是慣性傳感器，其檢測加速度和角速度中的至少一個(gè)。該類型的mems器件廣泛用于消費(fèi)、汽車和工業(yè)應(yīng)用中。、mems器件中的電容感測通過檢測由兩個(gè)電極之間的距離變化引起的電容變化來實(shí)現(xiàn)。通常，在可移動(dòng)電極與一個(gè)或更多個(gè)靜態(tài)電極之間感測電容。、在用于慣性感測的典型電容mems器件中，在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。