技術(shù)編號(hào)：39710380
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種功率器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車(chē)輛。背景技術(shù)、常規(guī)的功率器件中，平面結(jié)構(gòu)碳化硅(sic)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)的外延層、溝道區(qū)均為碳化硅。由于碳化硅材料的界面態(tài)密度較高，其溝道遷移率往往低于cm/v·s。常規(guī)的平面結(jié)構(gòu)sic?mosfet在h-sic(-)面形成溝道，但(-)面的界面缺陷密度高，使碳化硅的溝道遷移率降低；溝槽結(jié)構(gòu)的sic?mosfet在h-sic(-)面形成溝道，(-)面...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。