技術(shù)編號：39716710
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)、半導(dǎo)體溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁氧化層的厚度直接影響半導(dǎo)體的電性和可靠性，例如：單片集成工藝（bipolar-cmos-dmos，bcd）中深溝槽隔離結(jié)構(gòu)（dti，deep?trench?isolation）的側(cè)壁氧化層用于高壓器件的隔離，分立器件中溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁氧化層被作為柵極氧化層。由于溝槽側(cè)壁氧化層si()的氧化速率快于晶圓表面以及溝槽槽底si()的氧化速率，會導(dǎo)致si()氧化層的厚度和si()氧化層的厚度不一致，s...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。