技術(shù)編號(hào)：39728290
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電力電子領(lǐng)域，特別涉及一種功率器件。背景技術(shù)、在電力電子應(yīng)用中，需要功率器件具有快速反向恢復(fù)和高雪崩耐量的特性，以應(yīng)對(duì)功率器件在實(shí)際工作中的各種復(fù)雜工況。、si?mosfet功率器件的體內(nèi)具備天然的體二極管，當(dāng)漏極電壓升高時(shí)，si?mosfet可通過其體二極管發(fā)生雪崩效應(yīng)從而泄放電壓應(yīng)力，保護(hù)系統(tǒng)安全可靠，但是，si?mosfet器件的體二極管是雙極性器件，存在反向恢復(fù)時(shí)間，大大增加了功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的功耗；gan?hemt功率器件本身是具有零反向恢復(fù)的特性，但是gan?hem...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。