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半導(dǎo)體器件及其制備方法與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):39729421

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本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體,特別是涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)、bcd(bipolar-cmos-dmos)工藝是一種單片集成工藝技術(shù),這種工藝能夠在同一芯片上制作bipolar(雙極)、cmos(complementary?metal?oxide?semiconductor,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和dmos(double-diffused?metal?oxide?semiconductor,雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件。bcd工藝綜合了以上三種器件的優(yōu)點(diǎn),成為了集成電路的主流工藝技術(shù),實(shí)現(xiàn)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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