技術(shù)編號：6902558
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制作例如EEPROM等快閃存儲元件的改進(jìn)方法。更確切地說，本發(fā)明涉及具有不同植入的源極與漏極摻雜以及具有較低的溝道摻雜的非揮發(fā)性快閃存儲元件，以增進(jìn)執(zhí)行速度并將該快閃存儲單元的短溝道效應(yīng)減至最低。背景技術(shù) 半導(dǎo)體組件一般包括在一底材之上或之中形成多重個(gè)別部件。這些組件通常包含一高密度區(qū)塊及一低密度區(qū)塊。舉例而言，如圖1a所示的已有技術(shù)，諸如閃存10的存儲元件在單一底材13上由一個(gè)或多個(gè)高密度核心區(qū)域11及一低密度外圍部份12所構(gòu)成。該高密度核心區(qū)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。