技術(shù)編號(hào):9368223
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在對(duì)被加工工件表面進(jìn)行沉積外延層的工藝過(guò)程中,一般需要先將被加工工件表面的雜質(zhì)去除,該過(guò)程是在半導(dǎo)體加工設(shè)備的預(yù)清洗腔室中進(jìn)行的。所述預(yù)清洗腔室通過(guò)將通入其內(nèi)部的Ar (氬氣)、He (氦氣)、H2 (氫氣)等氣體激發(fā)為等離子體,并使等離子體中的粒子轟擊被加工工件表面或與被加工工件表面的雜質(zhì)發(fā)生反應(yīng),從而將被加工工件表面的雜質(zhì)去除。圖1為現(xiàn)有的預(yù)清洗腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參看圖1,該預(yù)清洗腔室包括側(cè)壁1、底壁2、頂蓋9以及設(shè)置于預(yù)清洗腔室內(nèi)部的基座4。其中,...
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