技術(shù)編號(hào):9368232
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。伴隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的高集成化,大多采用一種將金屬氧化物等高電介質(zhì)材料用作電介質(zhì)層的電容器。這樣的電容器的電極是由具有較大的功函數(shù)的例如氮化鈦(TiN)形成的。形成TiN電極能夠通過(guò)這樣的方式進(jìn)行例如,如日本特許第4583764號(hào)公報(bào)所述,利用將氯化鈦(TiCl4)和氨(NH3)用作原料氣體的化學(xué)氣相成膜(CVD)法,在高電介質(zhì)層上形成TiN膜,并進(jìn)行圖案化。而且,也公知有基于進(jìn)行原子層或分子層級(jí)別的成膜的ALD(Atomic LayerDeposit1n,...
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