本發(fā)明涉及醫(yī)療器械相關(guān)
技術(shù)領(lǐng)域：
：，尤其，涉及一種植入式醫(yī)療器械(ImplantableMedicalDevice,IMD)。
背景技術(shù)：
：：植入式醫(yī)療器械種類很多，如心臟起搏器和除顫器、植入式神經(jīng)刺激器、植入式肌肉刺激器等。植入式醫(yī)療器械一般包含體內(nèi)植入裝置和體外控制裝置，兩者之間通過雙向無線通訊交換信息。在現(xiàn)有的技術(shù)中，植入式醫(yī)療器械一般利用電池供電，通過脈沖發(fā)生電路發(fā)出特定頻率的刺激脈沖，對(duì)特定的靶點(diǎn)進(jìn)行刺激，從而改善患者的癥狀。所述脈沖發(fā)生電路通常包括一DC-DC電壓變換電路。然而，在強(qiáng)磁場環(huán)境下，例如磁共振成像(MRI)環(huán)境下，該DC-DC電壓變化電路中的磁芯電感由于磁芯飽和而導(dǎo)致電感量下降，這會(huì)影響脈沖發(fā)生電路發(fā)出的刺激脈沖，從而影響對(duì)患者的治療效果以及帶來安全隱患。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種可以自動(dòng)檢測強(qiáng)磁場環(huán)境的植入式醫(yī)療器械的工作方法以及采用該方法的植入式醫(yī)療器械。一種具有MRI模式的植入式醫(yī)療器械的工作方法，該植入式醫(yī)療器械包括一體內(nèi)植入裝置和一外設(shè)控制器，且該體內(nèi)植入裝置包括一對(duì)外部強(qiáng)磁場敏感的電路元件；該植入式醫(yī)療器械的工作方法包括控制該體內(nèi)植入裝置的方法；其中，該控制該體內(nèi)植入裝置的方法包括以下步驟：步驟S11，檢測外部強(qiáng)磁場并判斷是否檢測到外部強(qiáng)磁場的存在，如果是，進(jìn)入步驟S12，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S11；步驟S12，記錄檢測到外部強(qiáng)磁場的時(shí)間和體內(nèi)植入裝置的狀態(tài)，標(biāo)記處于強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S13；步驟S13，切換為MRI模式，標(biāo)記MRI模式切換事件，并進(jìn)入步驟S14；步驟S14，判斷外部強(qiáng)磁場是否消失，如果是，則進(jìn)入步驟S15，如果否，則重復(fù)步驟S14；步驟S15，記錄外部強(qiáng)磁場消失的時(shí)間和體內(nèi)植入裝置的狀態(tài)，標(biāo)記離開強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S16；以及步驟S16，切換為正常模式，標(biāo)記MRI模式切換事件，并返回步驟S11。根據(jù)上述植入式醫(yī)療器械的工作方法，其中，所述控制體內(nèi)植入裝置的方法進(jìn)一步包括以下步驟：步驟S17，判斷是否接收到外設(shè)控制器的詢問指令，如果是，進(jìn)入步驟S18，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S17；步驟S18，判斷是否有MRI模式切換事件，如果是，進(jìn)入步驟S19，如果否，則進(jìn)入步驟S22；步驟S19，向外設(shè)控制器發(fā)送MRI模式切換事件相關(guān)信息，然后進(jìn)入步驟S20；步驟S20，等待外設(shè)控制器的應(yīng)答，并進(jìn)入步驟S21；步驟S21，重置MRI模式切換事件標(biāo)記，并進(jìn)入步驟S22；以及步驟S22，結(jié)束。根據(jù)上述植入式醫(yī)療器械的工作方法，其中，該植入式醫(yī)療器械的工作方法還包括控制該外設(shè)控制器的方法；該控制外設(shè)控制器的方法包括以下步驟：步驟S23，向體內(nèi)植入裝置發(fā)送詢問指令，并進(jìn)入步驟S24；步驟S24，判斷是否接收到MRI模式切換事件提示，如果是，進(jìn)入步驟S25，如果否，進(jìn)入步驟S29；步驟S25，接收MRI模式切換事件相關(guān)信息，然后進(jìn)入步驟S26；步驟S26，顯示MRI模式切換事件提示警告，然后進(jìn)入步驟S27；步驟S27，等待用戶查看，并進(jìn)入步驟S28；步驟S28，向體內(nèi)植入裝置發(fā)送應(yīng)答，并進(jìn)入步驟S29；以及步驟S29，結(jié)束。一種具有MRI模式的植入式醫(yī)療器械的工作方法，該植入式醫(yī)療器械包括一體內(nèi)植入裝置和一外設(shè)控制器，且該體內(nèi)植入裝置包括一對(duì)外部強(qiáng)磁場敏感的電路元件；該植入式醫(yī)療器械的工作方法包括控制該體內(nèi)植入裝置的方法；其中，該控制該體內(nèi)植入裝置的方法包括以下步驟：步驟S10，判斷是否接收到外設(shè)控制器的檢測指令，如果是，進(jìn)入步驟S11，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S10；步驟S11，開始檢測外部強(qiáng)磁場并判斷是否檢測到外部強(qiáng)磁場的存在，如果是，進(jìn)入步驟S12，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S11；步驟S12，記錄檢測到外部強(qiáng)磁場的時(shí)間和體內(nèi)植入裝置的狀態(tài)，標(biāo)記處于強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S13；步驟S13，切換為MRI模式，標(biāo)記MRI模式切換事件，并進(jìn)入步驟S14；步驟S14，判斷外部強(qiáng)磁場是否消失，如果是，則進(jìn)入步驟S15，如果否，則重復(fù)步驟S14；步驟S15，記錄外部強(qiáng)磁場消失的時(shí)間和體內(nèi)植入裝置的狀態(tài)，標(biāo)記離開強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S16；步驟S16，切換為正常模式，標(biāo)記MRI模式切換事件，并進(jìn)入步驟S17；以及步驟S17，停止檢測外部強(qiáng)磁場，并返回步驟S10。根據(jù)上述植入式醫(yī)療器械的工作方法，其中，所述步驟S17中，所述停止檢測外部強(qiáng)磁場的方法包括以下步驟：步驟S171，判斷是否接收到外設(shè)控制器的停止檢測指令，如果是，進(jìn)入步驟S173，如果否，進(jìn)入步驟S172；步驟S172，是否超過一時(shí)間閾值，如果是，進(jìn)入步驟S173，如果否，返回步驟S171；以及步驟S173，停止檢測外部強(qiáng)磁場。根據(jù)上述植入式醫(yī)療器械的工作方法，其中，所述控制體內(nèi)植入裝置的方法進(jìn)一步包括以下步驟：步驟S17A，判斷是否接收到外設(shè)控制器的詢問指令，如果是，進(jìn)入步驟S18，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S17A；步驟S18，判斷是否有MRI模式切換事件，如果是，進(jìn)入步驟S19，如果否，則進(jìn)入步驟S22；步驟S19，向外設(shè)控制器發(fā)送MRI模式切換事件相關(guān)信息，然后進(jìn)入步驟S20；步驟S20，等待外設(shè)控制器的應(yīng)答，并進(jìn)入步驟S21；步驟S21，重置MRI模式切換事件標(biāo)記，并進(jìn)入步驟S22；以及步驟S22，結(jié)束。根據(jù)上述植入式醫(yī)療器械的工作方法，其中，該植入式醫(yī)療器械的工作方法還包括控制該外設(shè)控制器的方法；該控制外設(shè)控制器的方法包括以下步驟：步驟S23，向體內(nèi)植入裝置發(fā)送詢問指令，并進(jìn)入步驟S24；步驟S24，判斷是否接收到MRI模式切換事件提示，如果是，進(jìn)入步驟S25，如果否，進(jìn)入步驟S29；步驟S25，接收MRI模式切換事件相關(guān)信息，然后進(jìn)入步驟S26；步驟S26，顯示MRI模式切換事件提示警告，然后進(jìn)入步驟S27；步驟S27，等待用戶查看，并進(jìn)入步驟S28；步驟S28，向體內(nèi)植入裝置發(fā)送應(yīng)答，并進(jìn)入步驟S29；以及步驟S29，結(jié)束。一種具有MRI模式的植入式醫(yī)療器械，其包括：一外設(shè)控制器以及一體內(nèi)植入裝置；所述體內(nèi)植入裝置內(nèi)部包括：一電源模塊，一穩(wěn)壓器，一DC-DC電壓變換電路，一控制電路，一磁場傳感器以及一通訊模塊，其中，所述植入式醫(yī)療器械的工作方法為上述所述植入式醫(yī)療器械的工作方法中的任意一種。根據(jù)上述植入式醫(yī)療器械，其中，所述磁場傳感器包括一磁場感應(yīng)元件以及一與該磁場感應(yīng)元件電連接的判斷模塊；所述判斷模塊根據(jù)該磁場感應(yīng)元件的檢測數(shù)據(jù)，判斷是否存在能夠使所述DC-DC電壓變換電路中的儲(chǔ)能電感飽和的磁場。根據(jù)上述植入式醫(yī)療器械，其中，所述磁場感應(yīng)元件為霍爾效應(yīng)傳感器；或所述磁場感應(yīng)元件為一檢測所述體內(nèi)植入裝置的脈沖發(fā)生器內(nèi)部電路參數(shù)的檢測元件，通過所述脈沖發(fā)生器內(nèi)部電路參數(shù)的變化推定外部強(qiáng)磁場的存在。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的植入式醫(yī)療器械及其工作方法可以自動(dòng)檢測強(qiáng)磁場環(huán)境，從而實(shí)現(xiàn)MRI模式和正常模式的切換，避免了安全隱患，提高了安全性。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例采用的腦深部電刺激器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的腦深部電刺激器的脈沖發(fā)生器的結(jié)構(gòu)方框圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的腦深部電刺激器的磁場傳感器的結(jié)構(gòu)方框圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的腦深部電刺激器的另一種磁場傳感器的結(jié)構(gòu)方框圖。圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的腦深部電刺激器的DC-DC電壓變換電路的結(jié)構(gòu)方框圖。圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的腦深部電刺激器的DC-DC電壓變換電路的電感電流在正常工作與在3T核磁強(qiáng)磁場下工作時(shí)的對(duì)比結(jié)果。圖7為本發(fā)明實(shí)施例采用的DC-DC電壓變換電路的反饋控制電路。圖8為本發(fā)明實(shí)施例采用的包括正常模式與MRI模式的DC-DC電壓變換電路的反饋控制電路。圖9為本發(fā)明實(shí)施例1提供的腦深部電刺激器的脈沖發(fā)生器的工作流程圖。圖10為本發(fā)明實(shí)施例1提供的腦深部電刺激器的脈沖發(fā)生器的進(jìn)一步工作流程圖。圖11為本發(fā)明實(shí)施例1提供的腦深部電刺激器的外設(shè)控制器的工作流程圖。圖12為本發(fā)明實(shí)施例2提供的腦深部電刺激器的脈沖發(fā)生器的工作流程圖。圖13為本發(fā)明實(shí)施例3提供的腦深部電刺激器的脈沖發(fā)生器的工作流程圖。圖14為本發(fā)明實(shí)施例4提供的腦深部電刺激器的脈沖發(fā)生器的工作流程圖。主要元件符號(hào)說明腦深部電刺激器10外部程控儀11脈沖發(fā)生器12延長導(dǎo)線14刺激電極16電極觸點(diǎn)18電源模塊100穩(wěn)壓器101DC-DC電壓變換電路102通訊模塊103磁場傳感器104控制電路105電池1001限流電阻RS1002A/D1003判斷模塊1004磁場感應(yīng)元件1005如下具體實(shí)施例將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。具體實(shí)施方式本發(fā)明提供了一種植入式醫(yī)療器械及其控制方法。其中該植入式醫(yī)療器械可以為心臟起搏器、除顫器、腦深部電刺激器、脊髓刺激器、迷走神經(jīng)刺激器、腸胃刺激器或者其他類似的植入式醫(yī)療器械。本發(fā)明僅以腦深部電刺激器為例進(jìn)行說明，結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。請(qǐng)參見圖1，所述腦深部電刺激器10包括：一外部程控儀11以及植入體內(nèi)的脈沖發(fā)生器12，延長導(dǎo)線14和刺激電極16組成。所述外部程控儀11控制該脈沖發(fā)生器12用于產(chǎn)生一定模式的電脈沖，通過該延長導(dǎo)線14傳到刺激電極16的電極觸點(diǎn)18處，通過該電極觸點(diǎn)18刺激特定核團(tuán)可以達(dá)到治療疾病的目的。請(qǐng)參見圖2，所述脈沖發(fā)生器12內(nèi)部包括：一電源模塊100，穩(wěn)壓器101，DC-DC電壓變換電路102，控制電路105，磁場傳感器104，以及通訊模塊103等。所述電源模塊100通過所述穩(wěn)壓器101產(chǎn)生恒定的電壓，作為所述DC-DC電壓變換電路102的輸入電壓。所述控制電路105用于控制DC-DC電壓變換電路102中電感的儲(chǔ)能與釋能。所述磁場傳感器104用于檢測外部的強(qiáng)磁場環(huán)境，并根據(jù)反饋的結(jié)果調(diào)整控制電路105。所述通訊模塊103用于與所述外部程控儀11之間的通訊。所述磁場傳感器104的結(jié)構(gòu)不限。請(qǐng)參見圖3，所述磁場傳感器104通常包括磁場感應(yīng)元件1005以及與該磁場感應(yīng)元件1005電連接的判斷模塊1004。所述判斷模塊1004根據(jù)該磁場感應(yīng)元件1005的檢測數(shù)據(jù)，判斷是否存在外部強(qiáng)磁場，即，是否存在能夠使所述DC-DC電壓變換電路102中的儲(chǔ)能電感飽和的磁場。該磁場感應(yīng)元件1005可以為專門的外部強(qiáng)磁場感應(yīng)元件，例如霍爾效應(yīng)傳感器，也可以為一檢測所述脈沖發(fā)生器12內(nèi)部電路參數(shù)的檢測元件，通過所述脈沖發(fā)生器12內(nèi)部電路參數(shù)的變化推定外部強(qiáng)磁場的存在。所述判斷模塊1004可以是單獨(dú)的判斷模塊，也可以是所述脈沖發(fā)生器12的中央控制模塊(圖未示)的一部分。如果所述判斷模塊1004是單獨(dú)的判斷模塊，則需要連接到中央控制模塊。請(qǐng)參見圖4，本實(shí)施例中，所述電源模塊100包括：電池1001，限流電阻RS1002以及A/D1003。所述限流電阻RS1002用于限制該電池1001的輸出電流，從而保護(hù)電池1001。所述A/D1003用于監(jiān)測限流電阻RS1002兩端的電壓，從而實(shí)時(shí)監(jiān)測電池1001的電壓及輸出電流，從而監(jiān)測電池1001的工作狀態(tài)。所述磁場傳感器104包括：限流電阻RS1002，A/D1003以及與該A/D1003連接的判斷模塊1004。所述判斷模塊1004根據(jù)所述A/D1003對(duì)電池1001的監(jiān)測數(shù)據(jù)，判斷是否存在外部強(qiáng)磁場?？梢岳斫猓趶?qiáng)磁環(huán)境下，所述DC-DC電壓變換電路102中的儲(chǔ)能電感由于飽和而導(dǎo)致電感量下降，從而流過電感的電流增大。由于電感電流來自于所述電池1001的輸出電流，所述電感電流的增大必然會(huì)引起所述電池1001的輸出電流的增大。因此，將所述電池1001的實(shí)際輸出電流與所述電池1001在所述DC-DC電壓變換電路102中的儲(chǔ)能電感飽和狀態(tài)下的電流進(jìn)行對(duì)比，就可以判斷是否存在外部強(qiáng)磁場。本發(fā)明實(shí)施例的磁場傳感器104通過監(jiān)測電池1001電流就可實(shí)現(xiàn)磁場傳感器的功能，不需要額外的磁感應(yīng)元器件。可以理解，所述磁場傳感器104可以一直工作，也可以在外設(shè)控制器的控制下開始工作或結(jié)束工作。例如，所述磁場傳感器104可以在接收到外設(shè)控制器的檢測指令后在開始工作，在接收到所述外部程控儀11的停止檢測指令后在結(jié)束工作。所述外設(shè)控制器可以為外部程控儀11或電腦、手機(jī)等其它與脈沖發(fā)生器12連接的控制設(shè)備。本實(shí)施例中，該外設(shè)控制器為外部程控儀11。所述脈沖發(fā)生器12具有MRI模式和正常模式兩種工作模式。所述脈沖發(fā)生器12可以根據(jù)所述磁場傳感器104檢測到的外部強(qiáng)磁場信息或者根據(jù)接收到的來自外設(shè)控制器的指令在MRI模式和正常模式之間的相互切換，并記錄相關(guān)的切換信息。以下介紹所述脈沖發(fā)生器12的MRI模式和正常模式的區(qū)別以及切換方式。請(qǐng)參見圖5，以DC-DCBoost電路為例，所述DC-DC電壓變換電路102包括：儲(chǔ)能電感L，電感等效串聯(lián)電阻RL，開關(guān)管M1，續(xù)流二極管D1，以及濾波電容Cload。通常情況下，為了提高DC-DC電壓變換電路102的效率，儲(chǔ)能電感L通常為磁芯電感。在MRI下，磁芯飽和，導(dǎo)致儲(chǔ)能電感感值L呈數(shù)量級(jí)下降，從而引起了電路的其它參數(shù)改變，最典型的就是引起電感電流成倍的增加。請(qǐng)參見圖6，電感電流在正常工作與在3T核磁強(qiáng)磁場下工作時(shí)的對(duì)比結(jié)果，其中，inormal(t)表示正常工作時(shí)的實(shí)時(shí)電流，ipnormal表示正常工作時(shí)的電流峰值，imri(t)表示MRI強(qiáng)磁場下工作時(shí)的實(shí)時(shí)電流，ipmri表示MRI強(qiáng)磁場下工作時(shí)的電流峰值。由圖6可知，正常工作時(shí)，DC-DC電壓變換電路102中的電感值保持正常值，電感電流峰值ipnormal較小。在3T核磁下，由于磁芯的飽和效應(yīng)，磁芯電感接近于空芯電感，電感值呈數(shù)量級(jí)下降。降低的電感值，導(dǎo)致電感電流峰值ipmri較大。電感電流的增大一方面可能對(duì)電路造成損害，另一方面引起電路的功耗增大，導(dǎo)致電路的效率降低?，F(xiàn)以DC-DCBoost電路為例，并假設(shè)電路工作于電感電流斷續(xù)模式(DCM)，在MRI強(qiáng)磁場下，假設(shè)電感值降低N倍，如果不考慮線圈等效串聯(lián)電路，開關(guān)導(dǎo)通電阻等各種電阻的影響，電感電流峰值將增大N倍。這樣，在MRI強(qiáng)磁場下，DC-DC電路的功耗明顯增大。另外，電感電流的均方根值表達(dá)如下：其中，IL,RMS表示電感電流均方根值，Vo，Io分別表示輸出電壓及電流，M表示輸出電壓與輸入電壓的比值，L表示電感值，fs表示開關(guān)調(diào)控頻率。在MRI模式下，假設(shè)式(1)中的其它參數(shù)不變，電感值L變小N倍，IL，RMS_MRI＝N1/4IL，RMS_NMRI(2)也就是說，MRI強(qiáng)磁場下，電感電流的均方根值是正常工作時(shí)電感電流均方根值的N1/4倍。在Boost電路中，由于電源與電感始終串聯(lián)，電感電流與電源輸出電流一致。因此，式(2)同時(shí)意味著MRI強(qiáng)磁場下，DC-DC電壓變換電路102的功耗是正常工作時(shí)的N1/4倍。換句話說，在MRI強(qiáng)磁場下工作1小時(shí)，相當(dāng)于正常工作N1/4小時(shí)，也就是說，在MRI強(qiáng)磁場下與正常情況下工作的效率比為N1/4:1。。由上可見，在MRI強(qiáng)磁場下，DC-DC開關(guān)電路102存在的隱患主要是由成倍增大的電感電流造成的，為此，可對(duì)MRI強(qiáng)磁場下的DC-DC電壓變換電路102進(jìn)行改進(jìn)。以下介紹本發(fā)明如何對(duì)MRI強(qiáng)磁場下對(duì)DC-DC電壓變換電路102進(jìn)行改進(jìn)，從而實(shí)現(xiàn)MRI模式。請(qǐng)參見圖7，為本發(fā)明采用的DC-DC電壓變換電路102的反饋控制電路。所述DC-DC電壓變換電路102的輸出電壓經(jīng)分壓電阻Rf1及Rf2分壓后得到的反饋電壓Vfb與預(yù)期參考電壓Vref進(jìn)行比較，得到誤差信號(hào)，該誤差信號(hào)與控制脈沖201共同控制DC-DC電壓變換電路102中開關(guān)的導(dǎo)通與斷開。所述控制脈沖201通常包括頻率及占空比兩個(gè)參數(shù)，為了適應(yīng)MRI強(qiáng)磁場下電路參數(shù)發(fā)生的變化，為此，可對(duì)此控制脈沖201進(jìn)行改進(jìn)。如，圖8所示，在正常工作時(shí)，控制脈沖201可采用時(shí)第一鐘發(fā)生電路301所產(chǎn)生的控制頻率fs1，該時(shí)鐘信號(hào)的產(chǎn)生是由外部低頻時(shí)鐘源提供。在MRI強(qiáng)磁場下，控制脈沖201可采用第二時(shí)鐘發(fā)生電路302所產(chǎn)生的頻率更高的fs2進(jìn)行控制，該時(shí)鐘信號(hào)由微控制器的內(nèi)部時(shí)鐘DCO提供。此做法的好處是，電路不需要增加額外的裝置，正常工作模式下的fs1可采用外部時(shí)鐘源提供，MRI強(qiáng)磁場下的fs2可采用微控制器內(nèi)部自帶的數(shù)字時(shí)鐘，該時(shí)鐘的最高頻率都在10MHz量級(jí)，通過軟件即可簡單的進(jìn)行頻率調(diào)控。此外，除了通過改變控制脈沖201的控制頻率，也可改變其占空比，或者同時(shí)改變控制頻率和占空比。如此，便可以實(shí)現(xiàn)正常模式與MRI模式的轉(zhuǎn)換。以下分不同實(shí)施例介紹所述腦深部電刺激器10的工作方法。實(shí)施例1參見圖9，在實(shí)施例1中，所述脈沖發(fā)生器12根據(jù)所述磁場傳感器104檢測到的外部強(qiáng)磁場信息自動(dòng)實(shí)現(xiàn)MRI模式和正常模式之間的相互切換。所述磁場傳感器104一直處于工作狀態(tài)。具體地，所述腦深部電刺激器10的脈沖發(fā)生器12的工作流程包括以下步驟：步驟S11，檢測外部強(qiáng)磁場并判斷是否檢測到外部強(qiáng)磁場的存在，如果是，進(jìn)入步驟S12，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S11；步驟S12，記錄檢測到外部強(qiáng)磁場的時(shí)間和脈沖發(fā)生器12的狀態(tài)，標(biāo)記處于強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S13；步驟S13，切換為MRI模式，標(biāo)記MRI模式切換事件，并進(jìn)入步驟S14；步驟S14，判斷外部強(qiáng)磁場是否消失，如果是，則進(jìn)入步驟S15，如果否，則重復(fù)步驟S14；步驟S15，記錄外部強(qiáng)磁場消失的時(shí)間和脈沖發(fā)生器12的狀態(tài)，標(biāo)記離開強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S16；步驟S16，切換為正常模式，標(biāo)記MRI模式切換事件，并返回步驟S11?？梢岳斫?，上述工作方法通常發(fā)生在患者進(jìn)入MRI檢測室，在MRI檢測室內(nèi)進(jìn)行MRI檢測以及離開MRI檢測室的過程中。進(jìn)一步參見圖10，實(shí)施例1中，當(dāng)患者離開MRI檢測室之后(即外部強(qiáng)磁場消失后)，所述腦深部電刺激器10的脈沖發(fā)生器12的工作流程還可以包括以下步驟：步驟S17，判斷是否接收到外設(shè)控制器的詢問指令，如果是，進(jìn)入步驟S18，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S17；步驟S18，判斷是否有MRI模式切換事件，如果是，進(jìn)入步驟S19，如果否，則進(jìn)入步驟S22；步驟S19，向外設(shè)控制器發(fā)送MRI模式切換事件相關(guān)信息，然后進(jìn)入步驟S20；步驟S20，等待外設(shè)控制器的應(yīng)答，并進(jìn)入步驟S21；步驟S21，重置MRI模式切換事件標(biāo)記，并進(jìn)入步驟S22；步驟S22，結(jié)束。進(jìn)一步參見圖11，實(shí)施例1中，當(dāng)患者離開MRI檢測室之后(即外部強(qiáng)磁場消失后)，所述腦深部電刺激器10的外設(shè)控制器的工作流程包括以下步驟：步驟S23，向脈沖發(fā)生器12發(fā)送詢問指令，并進(jìn)入步驟S24；步驟S24，判斷是否接收到MRI模式切換事件提示，如果是，進(jìn)入步驟S25，如果否，進(jìn)入步驟S29；步驟S25，接收MRI模式切換事件相關(guān)信息，然后進(jìn)入步驟S26；步驟S26，顯示MRI模式切換事件提示警告，然后進(jìn)入步驟S27；步驟S27，等待用戶查看，并進(jìn)入步驟S28；步驟S28，向脈沖發(fā)生器12發(fā)送應(yīng)答，并進(jìn)入步驟S29；步驟S29，結(jié)束。進(jìn)一步，所述步驟S25還可以包括：根據(jù)監(jiān)測到的電池電流計(jì)算MRI強(qiáng)磁場下與正常工作時(shí)的效率比。所述步驟S26還可以包括：將該效率比顯示給用戶。實(shí)施例2參見圖12，在實(shí)施例2中，所述腦深部電刺激器10的脈沖發(fā)生器12的工作流程包括以下步驟：步驟S10，判斷是否接收到外設(shè)控制器的檢測指令，如果是，進(jìn)入步驟S11，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S10；步驟S11，開始檢測外部強(qiáng)磁場并判斷是否檢測到外部強(qiáng)磁場的存在，如果是，進(jìn)入步驟S12，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S11；步驟S12，記錄檢測到外部強(qiáng)磁場的時(shí)間和脈沖發(fā)生器12的狀態(tài)，標(biāo)記處于強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S13；步驟S13，切換為MRI模式，標(biāo)記MRI模式切換事件，并進(jìn)入步驟S14；步驟S14，判斷外部強(qiáng)磁場是否消失，如果是，則進(jìn)入步驟S15，如果否，則重復(fù)步驟S14；步驟S15，記錄外部強(qiáng)磁場消失的時(shí)間和脈沖發(fā)生器12的狀態(tài)，標(biāo)記離開強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S16；步驟S16，切換為正常模式，標(biāo)記MRI模式切換事件，并進(jìn)入步驟S17；步驟S17，停止檢測外部強(qiáng)磁場，并返回步驟S10。本發(fā)明實(shí)施例2中，所述磁場傳感器104在外設(shè)控制器控制下開始工作或結(jié)束工作。本發(fā)明實(shí)施例2中，所述腦深部電刺激器10的脈沖發(fā)生器12的工作方法與本發(fā)明實(shí)施例1中脈沖發(fā)生器12的工作方法基本相同，其區(qū)別在于，步驟S11之前包括一判斷是否接收到外設(shè)控制器的檢測指令的步驟S10；而且步驟S16之后不是返回步驟S11，而是進(jìn)入步驟S17。進(jìn)一步，所述步驟S17可以具體包括：步驟S171，判斷是否接收到外設(shè)控制器的停止檢測指令，如果是，進(jìn)入步驟S173，如果否，進(jìn)入步驟S172；步驟S172，是否超過一時(shí)間閾值，如果是，進(jìn)入步驟S173，如果否，返回步驟S171；步驟S173，停止檢測外部強(qiáng)磁場。可以理解，本發(fā)明實(shí)施例2中，也可以包括上述圖10和圖11所述的工作方法。實(shí)施例3參見圖13，在實(shí)施例3中，所述腦深部電刺激器10的脈沖發(fā)生器12的工作流程包括以下步驟：步驟S10，判斷是否接收到外設(shè)控制器的切換為MRI模式指令，如果是，進(jìn)入步驟S11，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S10；步驟S11，切換為MRI模式，并進(jìn)入步驟S12；步驟S12，判斷是否接收到外設(shè)控制器的切換為正常模式指令，如果是，進(jìn)入步驟S15，如果否，進(jìn)入步驟S13；步驟S13，判斷是否超過時(shí)間閾值，如果是，進(jìn)入步驟S14，如果否，返回步驟S12；步驟S14，切換為正常模式，記錄超時(shí)切換事件，并進(jìn)入步驟S15；步驟S15，判斷是否收到外設(shè)控制器的詢問指令，如果是，進(jìn)入步驟S16，如果否，進(jìn)入步驟S17；步驟S16，向外設(shè)控制器發(fā)送超時(shí)切換事件信息，進(jìn)入步驟S17；步驟S17，結(jié)束。本發(fā)明實(shí)施例3中，通過手動(dòng)切換實(shí)現(xiàn)所述脈沖發(fā)生器12的MRI模式和正常模式之間的切換。而上述實(shí)施例1和2均通過自動(dòng)切換實(shí)現(xiàn)所述脈沖發(fā)生器12的MRI模式和正常模式之間的切換。所述步驟S13中，該時(shí)間閾值為一經(jīng)驗(yàn)值，通常為患者進(jìn)入MRI檢測室，在MRI檢測室內(nèi)進(jìn)行MRI檢測以及離開MRI檢測室所需要的時(shí)間?？梢岳斫猓景l(fā)明實(shí)施例3中，步驟S15和S16為可選步驟。實(shí)施例4參見圖14，在實(shí)施例4中，所述腦深部電刺激器10的脈沖發(fā)生器12的工作流程包括以下步驟：步驟S10，判斷是否接收到外設(shè)控制器的切換為MRI模式指令，如果是，進(jìn)入步驟S11，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S10；步驟S11，切換為MRI模式，并進(jìn)入步驟S12；步驟S12，開始檢測外部強(qiáng)磁場并判斷是否檢測到外部強(qiáng)磁場的存在，如果是，進(jìn)入步驟S13，如果否，繼續(xù)重復(fù)步驟S12；步驟S13，記錄檢測到外部強(qiáng)磁場的時(shí)間和脈沖發(fā)生器12的狀態(tài)，標(biāo)記處于強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S14；步驟S14，判斷外部強(qiáng)磁場是否消失，如果是，則進(jìn)入步驟S15，如果否，則重復(fù)步驟S14；步驟S15，記錄外部強(qiáng)磁場消失的時(shí)間和脈沖發(fā)生器12的狀態(tài)，標(biāo)記離開強(qiáng)磁場環(huán)境，并進(jìn)入步驟S16；步驟S16，判斷是否接收到外設(shè)控制器的切換為正常模式指令，如果是，進(jìn)入步驟S18，如果否，進(jìn)入步驟S17；步驟S17，判斷是否超過時(shí)間閾值，如果是，進(jìn)入步驟S18，如果否，返回步驟S16；步驟S18，停止檢測外部強(qiáng)磁場，切換為正常模式，記錄超時(shí)切換事件，并進(jìn)入步驟S19；步驟S19，判斷是否收到外設(shè)控制器的詢問指令，如果是，進(jìn)入步驟S20，如果否，進(jìn)入步驟S21；步驟S20，向外設(shè)控制器發(fā)送超時(shí)切換事件信息，進(jìn)入步驟S21；步驟S21，結(jié)束。本發(fā)明實(shí)施例4中，所述磁場傳感器104在所述脈沖發(fā)生器12開啟MRI模式之后，自動(dòng)開始工作，并在檢測到外部強(qiáng)磁場消失后自動(dòng)結(jié)束工作。本發(fā)明實(shí)施例4中，所述腦深部電刺激器10的脈沖發(fā)生器12的工作方法與本發(fā)明實(shí)施例3中脈沖發(fā)生器12的工作方法基本相同，其區(qū)別在于，增加了所述磁場傳感器104檢測外部強(qiáng)磁場的步驟，以及將檢測到的外部強(qiáng)磁場信息和所述脈沖發(fā)生器12在該外部強(qiáng)磁場下的工作狀態(tài)進(jìn)行記錄的步驟?？梢岳斫?，本發(fā)明實(shí)施例4中，也可以包括上述圖10和圖11所述的工作方法。以上已經(jīng)給出了本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，可以理解的是，在不偏離本公開內(nèi)容精神以及范圍的情況下，可以做出各種變化、替換、以及改變，這些實(shí)施方式也在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3