專利名稱：等離子體顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示設(shè)備和一種制造等離子體顯示設(shè)備的方法。本發(fā)明尤其涉及一種具有減小的反射率的底架(chassis)的等離子體顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
等離子體顯示屏(PDP)是一種顯示裝置，其中氣體放電產(chǎn)生等離子體，等離子體在真空中產(chǎn)生紫外線，其激發(fā)磷光體來(lái)發(fā)射可見(jiàn)光并產(chǎn)生圖像。PDP可以具有大屏幕且通常具有高分辨率，使得它們作為下一代薄顯示器特別受到青睞。
具有如此的PDP的等離子體顯示設(shè)備包括貼附于底架的一側(cè)的PDP。用于驅(qū)動(dòng)PDP的驅(qū)動(dòng)電路貼附于底架的另一側(cè)。底架不僅用于支撐PDP，而且同時(shí)將熱從驅(qū)動(dòng)電路消散。
為了將底架與PDP對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)儀器通過(guò)底架上的相應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)孔探測(cè)PDP上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
但是，現(xiàn)有技術(shù)的等離子體顯示設(shè)備包括底架，考慮到底架的高熱導(dǎo)率，該底架通常包括具有大于97wt％鋁的材料。但是，由于外部光的高反射率，這些材料可能會(huì)防礙通過(guò)光學(xué)儀器探測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。因此，鋁材料可以導(dǎo)致底架與PDP的失準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供了一種等離子體顯示設(shè)備和一種制造等離子體顯示設(shè)備的方法。依據(jù)本發(fā)明，通過(guò)防止失準(zhǔn)改善了底架和等離子顯示屏之間的對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備包括等離子顯示屏，用于顯示圖像，貼附于底架的第一表面。等離子體顯示屏包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，且底架包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔，在位置上相應(yīng)于等離子體顯示屏上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。底架包含每100重量份的鋁(per 100 parts by weight)約12到約26重量份的量的抗反射材料，其中鋁是底架的主要材料?？拱l(fā)射材料可以包括一種選自由硅、鋅、銅和其混和物構(gòu)成的組中的一種材料。在一實(shí)施例中，使用硅、鋅和銅的至少之一。在另一實(shí)施例中，使用硅、鋅和銅中的至少兩種。
在一個(gè)實(shí)施例中，底架包含每100重量份鋁約10到約18重量份的硅。底架還包含每100重量份的鋁約0到約4重量份的鋅。另外，底架包含每100重量份的鋁約2到約48重量份的銅。底架可以可選地包含少于約0.2重量份的鎂和少于1.5重量份的鐵作為雜質(zhì)。在一實(shí)施例中，底架的反射率少于45％。
依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，等離子體顯示設(shè)備包括設(shè)置于底架的第二表面上的抗反射層，其中底架的第二表面相對(duì)于第一表面。
在一實(shí)施例中，抗反射層覆蓋底架的整個(gè)第二表面。底架包括選自由鋁和鋼構(gòu)成的組的主要材料，且抗反射層可以包含鋅。例如，底架可以包含用鋅電鍍的鐵。
在另一實(shí)施例中，抗反射層可以圍繞對(duì)準(zhǔn)孔設(shè)置。在該實(shí)施例中，抗反射層沿對(duì)準(zhǔn)孔的周邊設(shè)置且可以對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)孔的周邊成形(shaped)。
圍繞對(duì)準(zhǔn)孔的抗反射層設(shè)置得接近底架的角，可以延伸到底架的角，且可以對(duì)應(yīng)于角的形狀成形?？狗瓷鋵涌梢匀绱顺尚?，使得層的區(qū)域從底架的角延伸到底架的外部。
抗反射層可以包含一種選自由塑料、金屬、帶(tape)、硅樹脂以及石墨構(gòu)成的組的材料，且可以在顏色上是黑色的。


當(dāng)結(jié)合附圖，通過(guò)參考以下的詳細(xì)描述，將更好地理解本發(fā)明的這些和其它的特征和優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的分解的等離子體顯示設(shè)備的透視圖；圖2是圖1的等離子體顯示設(shè)備的平面圖；圖3是圖1的等離子體顯示設(shè)備的橫截面示意圖，示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例對(duì)準(zhǔn)底架和等離子體顯示屏的方法；圖4是依據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的橫截面圖；圖5是圖4的等離子體顯示設(shè)備的橫截面示意圖，示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例對(duì)準(zhǔn)底架和等離子體顯示屏的方法；圖6是依據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的平面圖；圖7是圖6的等離子體顯示設(shè)備的橫截面示意圖，示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例對(duì)準(zhǔn)底架和等離子體顯示屏的方法；圖8是依據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的平面圖；圖9是依據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。但是，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以理解可以對(duì)所描述的實(shí)施例做出各種修改，且本發(fā)明不限于所描述的實(shí)施例。相反，描述這些實(shí)施例僅出于例舉目的。
圖1是依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的分解的等離子體顯示設(shè)備的透視圖。圖2是圖1的等離子體顯示設(shè)備的平面圖。如圖1和2所示，依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備包括底架20；等離子體顯示屏(“屏”)10，貼附于底架20的第一表面；和至少一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)屏10的驅(qū)動(dòng)電路30。驅(qū)動(dòng)電路30貼附于底架的第二表面，其中第二表面相對(duì)于第一表面。底架20設(shè)置得相鄰且基本平行于屏10。熱傳導(dǎo)介質(zhì)(未顯示)可以設(shè)置于屏10和底架20之間。
前蓋(未顯示)設(shè)置于屏10的上方，且后蓋設(shè)置于底架20的上方。所有的元件組裝為等離子體顯示設(shè)備。
屏10包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記15且底架20包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔25，對(duì)準(zhǔn)孔25處于相應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記15的位置的位置。對(duì)準(zhǔn)孔25可以具有比對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記15的寬度大的寬度，使得整個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記15設(shè)置于對(duì)準(zhǔn)孔25內(nèi)，從而能夠準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)。
圖1和2示出圓形的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記15和對(duì)準(zhǔn)孔25，設(shè)置于屏10的四角和屏10的中心。但是，可以理解對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記15和對(duì)準(zhǔn)孔25可以取任何適當(dāng)?shù)男螤?，且不受圖1和2所示的示范性實(shí)施例限制。因此，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記15和對(duì)準(zhǔn)孔25可以在形狀和位置上變化，只要它們?cè)谛螤詈臀恢蒙媳舜讼鄳?yīng)即可。
底架20消散在屏10上產(chǎn)生圖像期間從驅(qū)動(dòng)板30產(chǎn)生的熱。底架20還安全地支撐屏10。為了有效的散熱，底架20包含具有高熱導(dǎo)率的鋁(Al)作為主要材料。
為了減小底架20的反射率，底架20可以包含抗反射材料。抗反射材料可以在底架20中以每100重量份的鋁約12到約26重量份的量存在。銀白色材料具有高反射率，且不如抗反射材料有用。在一示范性實(shí)施例中，抗反射材料是具有一種選自由紅、藍(lán)、綠和其組合構(gòu)成的組的顏色的材料，因?yàn)檫@些顏色減小了底架20的反射率。
當(dāng)抗反射材料在底架20中的量少于約12重量份時(shí)，反射率的減小不顯著。當(dāng)抗反射材料在底架20中以大于約26重量份的量存在時(shí)，由于底架20的鋁的量減小從而減小底架20的熱導(dǎo)率。因此，抗反射材料的量依據(jù)底架20的反射率和熱導(dǎo)率決定。
抗反射材料可以包括一種選自由硅(Si)、鋅(Zn)、銅(Cu)和其混合物構(gòu)成的組的材料。在一實(shí)施例中，抗反射材料包含Si、Zn和Cu的至少之一。在另一實(shí)施例中，抗反射材料包含Si、Zn和Cu的至少兩種。
在一實(shí)施例中，底架20可以包含每100重量份的鋁約10到約18重量份的量的藍(lán)紅硅(blue-red silicon)。另外，底架可以包含每100重量份的鋁約0到約4重量份的量的藍(lán)鋅(blue zinc)。底架可以還包含每100重量份的鋁約2到約4重量份的量的紅銅(red copper)。而且，通過(guò)考慮底架20的熱導(dǎo)率和反射率從而決定硅、鋅和銅的含量。
在另一實(shí)施例中，底架20包含減少量的銀白色雜質(zhì)，諸如鉻和鎂(Mg)。例如，底架可以包含少于每100重量份的鋁約0.2重量份的鎂，沒(méi)有鉻且少于每100重量份的鋁約1.5重量份的鐵(Fe)。
通過(guò)在包含每100重量份的鋁約12到約26重量份的抗反射材料的板中形成對(duì)準(zhǔn)孔25從而制造底架20。
底架20不僅支撐屏10和消散來(lái)自驅(qū)動(dòng)電路30的熱，而且通過(guò)包含適當(dāng)重量比的抗反射材料從而有效地減小底架20的反射率。具體地，通過(guò)包含適當(dāng)量的抗反射材料和通過(guò)減小具有高反射率的雜質(zhì)的量從而將底架20的反射率有效地降低到低于45％。因此，在用光學(xué)儀器對(duì)準(zhǔn)期間可以減小底架20和屏10的失準(zhǔn)的發(fā)生。
圖3是示出依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的對(duì)準(zhǔn)方法的示意圖。如圖3所示，設(shè)置底架20于屏10的上方且從屏10分開(kāi)預(yù)定的距離。設(shè)置光學(xué)儀器35于底架20的上方且從底架20分開(kāi)預(yù)定的距離。光學(xué)儀器35對(duì)準(zhǔn)底架20與屏10使得屏10的整個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置于底架20的對(duì)準(zhǔn)孔25內(nèi)。然后屏10貼附于底架20，而且保持對(duì)準(zhǔn)。
以下的示例更詳細(xì)地示出了本發(fā)明的一實(shí)施例。但是應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不受這些示例的限制。
示例1制備依據(jù)本發(fā)明的上述的實(shí)施例的底架和屏，且用Minolta光譜儀(CM-2600D)測(cè)量底架的含量和反射率。
底架和屏采用光學(xué)儀器彼此對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)儀器通過(guò)底架上的對(duì)準(zhǔn)孔探測(cè)屏上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。具有150lux的外部光用于對(duì)準(zhǔn)。
比較例1還測(cè)量了含有大于97％鋁的現(xiàn)有技術(shù)底架的含量和反射率。現(xiàn)有技術(shù)的底架和屏采用光學(xué)儀器彼此對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)儀器通過(guò)底架上的對(duì)準(zhǔn)孔探測(cè)屏上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。反射率測(cè)量和對(duì)準(zhǔn)的條件與實(shí)例1中使用的相同。
表1列出了依據(jù)實(shí)例1的底架和依據(jù)比較例1的底架的組成(以重量份為單位)和反射率。
表1

如表1所示，在實(shí)例1中，抗反射材料硅、鋅和銅以每100重量份的鋁約10到26重量份的量存在。相反，在比較例1中，抗反射材料以每100重量份的鋁小于約0.5重量份的量存在。另外，在實(shí)例1中鎂和鉻的含量小于比較例1，鎂和鉻可以增加底架的反射率。
因此，如表1所示，實(shí)例1的底架的反射率是45％，比較例1的底架的反射率是50％。因此，在比較例1的底架的對(duì)準(zhǔn)期間發(fā)生失準(zhǔn)，而在實(shí)例1的底架的對(duì)準(zhǔn)期間沒(méi)有發(fā)生失準(zhǔn)。這表明通過(guò)在底架中引入適當(dāng)量的抗反射材料有效地減少了底架的反射率，如實(shí)例1那樣。因此，在實(shí)例1中，增加了底架和屏的對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度，由此減小了失準(zhǔn)的發(fā)生。
現(xiàn)將詳細(xì)描述可選的等離子體顯示設(shè)備和制造其的方法。這些可選實(shí)施例的基本元件相似于上述的第一實(shí)施例。因此，相似的附圖標(biāo)記用于描述相似的元件來(lái)省略相同或相似的元件的重復(fù)描述。
在一個(gè)可選實(shí)施例中，如圖4和5所示，底架120包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔125，處于對(duì)應(yīng)于屏110的至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記115的位置?？狗瓷鋵?47位于底架120的第二表面上，其中第二表面相對(duì)于屏110所貼附的第一表面。
在該實(shí)施例中，底架120可以包含一種選自由鋁和鋼構(gòu)成的組的主要材料，且抗反射層147可以包含鋅。抗反射層147可以通過(guò)電鍍形成。例如，底架120可以包含電鍍鋅的鐵(EGI)，即，通過(guò)在電解質(zhì)中電鍍鐵板形成的底架。電鍍鋅的鐵具有出色的機(jī)械加工性且可以與很多種材料一起使用，這是因?yàn)殡婂儨囟冉咏覝兀也牧暇S持其原始特性。
可以通過(guò)在包含鋁或鋼作為主要材料且具有在底架120的一個(gè)表面上形成的鋅層的板中設(shè)置對(duì)準(zhǔn)孔125從而制造該實(shí)施例的底架120。
如圖5所示，通過(guò)在屏110的上方設(shè)置底架120的第一表面且以預(yù)定距離分開(kāi)底架120和屏110從而對(duì)準(zhǔn)本實(shí)施例的底架120和屏110。包含抗反射層147的底架120的第二表面背對(duì)屏110。光學(xué)儀器135設(shè)置于底架120的抗反射層147的上方且以預(yù)定的距離與底架120分開(kāi)?？狗瓷鋵?47包含減少外部光反射的抗反射材料鋅?？狗瓷鋵?47面對(duì)光學(xué)儀器135。底架120和屏110通過(guò)光學(xué)儀器135彼此對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)儀器135通過(guò)對(duì)準(zhǔn)孔125探測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記115。
在該實(shí)施例中，通過(guò)抗反射層147在對(duì)準(zhǔn)期間有效地減少了外部光的反射，抗反射層147可以包含鋅，鋅是一種抗反射材料?？狗瓷鋵?47面對(duì)光學(xué)儀器135。因此，防止了因外部光的反射而可能發(fā)生的失準(zhǔn)。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的平面圖。圖7是圖6的等離子體顯示設(shè)備的橫截面示意圖，示出依據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的對(duì)準(zhǔn)方法。如圖6所示，底架220包含在相應(yīng)于屏210的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記215位置的位置的至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔225。在該實(shí)施例中，抗反射層247圍繞底架220的對(duì)準(zhǔn)孔225?？狗瓷鋵?47如此成形以對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)孔225的周邊的形狀。在描述的實(shí)施例中，抗反射層是圓形的，對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)孔225的圓形。
抗反射層247可以包含一種選自由塑料、金屬、帶、硅樹脂和石墨構(gòu)成的組的材料?？狗瓷鋵?47可以在顏色上是暗的來(lái)防止外部光的反射。
通過(guò)首先形成對(duì)準(zhǔn)孔225且然后貼附塑料、金屬、帶等，或圍繞對(duì)準(zhǔn)孔225涂覆硅樹脂或石墨，從而可以將抗反射層247設(shè)置于底架220上?；蛘?，首先將諸如塑料、金屬或帶的抗反射材料貼附于底架220，或首先將硅樹脂或石墨涂布于底架220上在將形成對(duì)準(zhǔn)孔225的區(qū)域中。抗反射材料涂布在大于對(duì)準(zhǔn)孔的區(qū)域中。然后，在涂布抗反射材料的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)準(zhǔn)孔225。
如圖7所示，底架220的第一表面設(shè)置于屏210的上方且以預(yù)定的距離與屏210分開(kāi)。底架220的第二表面背對(duì)屏210，底架220的第二表面包含抗反射層247。光學(xué)儀器235設(shè)置于底架220的抗反射層247的上方且以預(yù)定的距離與底架220分開(kāi)。通過(guò)光學(xué)儀器235將底架和屏210彼此對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)儀器235通過(guò)對(duì)準(zhǔn)孔225探測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記215。
由于在進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的圍繞對(duì)準(zhǔn)孔225的區(qū)域中最小化了外部光的反射，改善了對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。因?yàn)榭狗瓷鋵?47僅設(shè)置于圍繞對(duì)準(zhǔn)孔的區(qū)域中，在沒(méi)有對(duì)底架220的設(shè)計(jì)作重大改變的情況下獲得了增加的對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
在所述的實(shí)施例中，抗反射層247僅設(shè)置于圍繞對(duì)準(zhǔn)孔225的整個(gè)區(qū)域，如圖6所示。但是，可以理解抗反射層225可以僅部分地圍繞對(duì)準(zhǔn)孔。
圖8是依據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的平面圖。在該實(shí)施例中，如圖8所示，底架320包括位于底架基座320中心附近的至少一個(gè)中心對(duì)準(zhǔn)孔325a。另外，底架320包括位于底架320的角附近的至少一個(gè)角對(duì)準(zhǔn)孔325b。中心抗反射層347a圍繞中心對(duì)準(zhǔn)孔325a，且角抗反射層347b圍繞角對(duì)準(zhǔn)孔325b。角抗反射層347b圍繞位于底架320的角附近的對(duì)準(zhǔn)孔325b，如圖8所示。在該實(shí)施例中，角抗反射層247b延伸到底架320的外邊緣。
如圖8所示，中心抗反射層347a圍繞中心對(duì)準(zhǔn)孔325a且位于底架320的中心附近。在所述的實(shí)施例中，中心抗反射層347a對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)孔325a的形狀成形。但是，可以理解中心抗反射層347a可以取任何適當(dāng)?shù)男螤?，且不受所示的形狀限制?br> 抗反射層347a和347b可以包括抗反射材料，其在顏色上是暗的來(lái)減小外部光的反射?？狗瓷鋵?47a和347b可以包括一種選自由帶、塑料、硅樹脂、石墨和金屬構(gòu)成的組的材料。底架的角在結(jié)構(gòu)上是脆弱的，因此可以通過(guò)包含高強(qiáng)度的塑料或金屬的角抗反射層347a來(lái)增強(qiáng)。
在該實(shí)施例中，抗反射層347a和347b減小了對(duì)準(zhǔn)區(qū)域中的反射率。另外，通過(guò)延伸到底架320的角，角抗反射層347b增強(qiáng)結(jié)構(gòu)上脆弱的底架320的角。
依據(jù)該實(shí)施例的底架320和屏310的對(duì)準(zhǔn)方法與上述參考圖6和7所述的底架220和屏210的對(duì)準(zhǔn)方法基本相同。因此，省略了該方法的重復(fù)描述。
圖9是依據(jù)本發(fā)明的另一可選實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的平面圖。如圖9所示，中心抗反射層447a圍繞位于底架420的中心附近的中心對(duì)準(zhǔn)孔425a。另外，角抗反射層447b圍繞角對(duì)準(zhǔn)孔425b。角抗反射層447b延伸到屏410的角且包含延伸層447c，其延伸超過(guò)底架420的角，如圖9所示。
延伸層447c可以與角抗反射層447b集成。或者，延伸層447c可以在部分重疊角抗反射層447b的位置固定于底架420。在所述的實(shí)施例中，延伸層447c通過(guò)螺絲450固定到底架450。但是，可以理解可以使用將延伸層447c固定到底架的任何裝置，且本方面不限于所示的裝置。
在圖9中，圍繞中心對(duì)準(zhǔn)孔425a的中心抗反射層447a位于底架420的中心附近且對(duì)應(yīng)于中心對(duì)準(zhǔn)孔425a的形狀而成形。但是，可以理解中心抗反射層447a可以取任何適當(dāng)?shù)男螤钋冶景l(fā)明不受所示的形狀限制。
抗反射層447a、447b和447c可以包括抗反射材料，其在顏色上是暗的來(lái)減小外部光的反射?？狗瓷鋵?47a、447b和447c可以包含一種選自由帶、塑料、硅樹脂、石墨和金屬構(gòu)成的組的材料。
可以包含塑料或金屬的角抗反射層447b和延伸層447c可以加強(qiáng)底架420的角。而且，通過(guò)固定延伸層447c將等離子體顯示設(shè)備的底架420安裝于后蓋(未顯示)。
依據(jù)該實(shí)施例的底架420和屏410的對(duì)準(zhǔn)方法與參考圖6和7的上述的對(duì)準(zhǔn)底架220和屏210的方法基本相同。因此，省略了該方法的重復(fù)描述。
雖然參考示范性實(shí)施例具體顯示和描述了本發(fā)明，然而可以理解在不脫離由權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可以做出許多改變和/或修飾。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子顯示屏，包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；和底架，具有第一和第二表面，所述底架包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔，在位置上相應(yīng)于所述等離子體顯示屏上的所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述等離子體顯示屏貼附于所述底架的所述第一表面，所述底架包含鋁和抗反射材料，其中所述抗反射材料以每100重量份的鋁約12到約26重量份的量存在。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述抗反射材料選自由硅、鋅、銅和其混和物構(gòu)成的組。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述抗反射材料包含選自由硅、鋅和銅構(gòu)成的組的至少兩種材料。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架包含鋁，且所述抗反射材料包含每100重量份的鋁約10到約18重量份的量的硅。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架包含鋁，且所述抗反射材料包含每100重量份的鋁約0到約4重量份的量的鋅。
6.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架包含鋁，且所述抗反射材料包含每100重量份的鋁約2到約4重量份的量的銅。
7.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架包含鋁，且所述抗反射材料包含每100重量份的鋁約10到約18重量份的量的硅；每100重量份的鋁約0到約4重量份的量的鋅；以及每100重量份的鋁約2到約4重量份的量的銅。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架還包含每100重量份的鋁少于約0.2重量份的量的鎂；和每100重量份的鋁少于約1.5重量份的量的鐵。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架包含用鋅電鍍的鐵。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架的反射率少于45％。
11.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子顯示屏，包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；和底架，具有第一和第二表面，所述底架包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔，在位置上相應(yīng)于所述等離子體顯示屏上的所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述等離子體顯示屏貼附于所述底架的所述第一表面，所述底架包含至少一個(gè)位于所述底架的所述第二表面上的抗反射層，所述第二表面背對(duì)所述等離子體顯示屏。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述抗反射層設(shè)置于所述底架的整個(gè)所述第二表面上。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架包含一種選自由鋁和鋼構(gòu)成的組的材料，且所述抗反射層包含鋅。
14.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架包含用鋅電鍍的鐵。
15.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述抗反射層圍繞所述對(duì)準(zhǔn)孔。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述抗反射層圍繞所述對(duì)準(zhǔn)孔且對(duì)應(yīng)于所述對(duì)準(zhǔn)孔的形狀成形。
17.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔接近所述底架的角設(shè)置，且所述至少一個(gè)抗反射層圍繞所述底架的所述角附近的所述對(duì)準(zhǔn)孔，所述反射層延伸到所述底架的所述角，且相應(yīng)于所述底架的所述角的形狀成形。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述抗反射層還包括延伸超過(guò)所述底架的所述角的延伸層。
19.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述抗反射層包含一種選自由塑料、金屬、帶、硅樹脂以及石墨構(gòu)成的組的材料。
20.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述抗反射層在顏色上是暗的。
21.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述底架的反射率少于45％。
22.一種等離子體顯示設(shè)備的制造方法，包括制備包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的等離子體顯示屏；制備底架，所述底架包括第一和第二表面，和至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔，該對(duì)準(zhǔn)孔在位置上對(duì)應(yīng)于所述等離子體顯示屏上的所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置，所述底架還包括在其第二表面上的抗反射材料；將所述底架的第一表面設(shè)置于所述等離子體顯示屏的上方；將光學(xué)儀器設(shè)置于所述底架的第二表面的上方；采用所述光學(xué)儀器對(duì)準(zhǔn)所述底架和等離子體顯示屏，所述對(duì)準(zhǔn)包括將所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記置于所述對(duì)準(zhǔn)孔內(nèi)；以及將所述等離子體顯示屏貼附到所述底架。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述底架包含鋁，且所述抗反射材料包含每100重量份的鋁約10到約18重量份的量的硅；每100重量份的鋁約0到約4重量份的量的鋅；以及每100重量份的鋁約2到約4重量份的量的銅。
24.一種等離子體顯示設(shè)備的制造方法，包括制備包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的等離子體顯示屏；制備底架，所述底架包括第一和第二表面和至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔，所述對(duì)準(zhǔn)孔在位置上相應(yīng)于所述等離子體顯示屏上的所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置，所述底架還包括在其第二表面上的至少一個(gè)抗反射層；將所述底架的第一表面設(shè)置于所述等離子體顯示屏的上方；將光學(xué)儀器設(shè)置于所述底架的第二表面的上方；采用所述光學(xué)儀器對(duì)準(zhǔn)所述底架和等離子體顯示屏，所述對(duì)準(zhǔn)包括將所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記置于所述對(duì)準(zhǔn)孔內(nèi)；以及將所述等離子體顯示屏貼附到所述底架。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述底架包含一種選自由鋁和鋼構(gòu)成的組的材料，且所述抗反射層包含鋅。
26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述底架包含用鋅電鍍的鐵。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子體顯示設(shè)備和一種等離子體顯示設(shè)備的制造方法。依據(jù)本發(fā)明，改善了等離子體顯示設(shè)備的對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備包括等離子顯示屏，用于產(chǎn)生圖像；和底架，所述等離子體顯示屏貼附于底架。等離子體顯示屏包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，且貼附于底架的第一表面。底架包括至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔，在位置上相應(yīng)于等離子體顯示屏上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。底架包含鋁和抗反射材料。抗反射材料以每100重量份的鋁約12到約26重量份的量存在。
文檔編號(hào)G09F9/00GK1808530SQ200510092309
公開(kāi)日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2005年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月20日
發(fā)明者姜太京, 金基正 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社