專利名稱：設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種設(shè)定等離子體顯示器(plasma display panel，PDP)的方法，特別是一種設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓的方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器已逐漸應(yīng)用于大尺寸及大面積的顯示裝置。等離子體顯示器的發(fā)光原理是靠電極驅(qū)動(dòng)等離子體來產(chǎn)生紫外光以照射在熒光體上，使熒光體發(fā)出可見光。然而，隨著工藝的改變與進(jìn)步，等離子體顯示器其面板所使用的等離子體材料會(huì)有所變化；而因?yàn)榈入x子體材料的不同，等離子體顯示器的面板所需的寫入電壓也有所不同。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路所提供的寫入電壓(VXDD)不足時(shí)，則會(huì)使等離子體顯示器產(chǎn)生寫入不足(Insufficient Writing，IW)的現(xiàn)象，進(jìn)而使得其顯示畫質(zhì)不佳。
請參考圖1及圖2，圖1為現(xiàn)有等離子體顯示器的結(jié)構(gòu)圖，圖2為圖1中等離子體顯示器的剖面圖。等離子體顯示器包含有一上板10以及一下板90。上板10的下側(cè)設(shè)有一掃瞄電極20Y以及一維持電極20Z。一第一介電層30設(shè)于上板10的下側(cè)并覆蓋了掃瞄電極20Y及維持電極20Z，用于保護(hù)掃瞄電極20Y及維持電極20Z，以及用來累積壁電荷(wall charge)；而一第二介電層70設(shè)于下板90之上，用來累積一尋址電極(address electrode)80X的電荷。一保護(hù)層40設(shè)于第一介電層30的下側(cè)，用來保護(hù)第一介電層30不受等離子體的濺射而造成劣化。下板90上設(shè)有多個(gè)阻隔壁50，而尋址電極80X則設(shè)于阻隔壁50之間并與掃瞄電極20Y及維持電極20Z交錯(cuò)。阻隔壁50之間則依序地填入藍(lán)色、紅色與綠色三種不同顏色的熒光體(phosphor)60，且每兩個(gè)相鄰的阻隔壁50之間充填了電離氣體。各阻隔壁50的頂端系固定于保護(hù)層40的下側(cè)，用以隔絕而使得阻隔壁50二邊的等離子體無法相互流通。
等離子體顯示器的掃瞄電極20Y及維持電極20Z分別由一金屬電極21Y、21Z以及一透明電極22Y、22Z所構(gòu)成。透明電極22Y、22Z較金屬電極21Y、21Z來得寬，其通常由氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)所制成，用來引發(fā)并維持放電，而金屬電極21Y、21Z則是一較細(xì)且不透明的金屬導(dǎo)線所制成，用來輔助透明電極22Y、22Z引發(fā)放電，并降低掃瞄電極20Y與維持電極20Z的電阻。
請參考圖3，圖3為圖1所示的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)訊號時(shí)序圖，其中訊號X為施加于尋址電極80X的尋址電壓訊號，訊號Y為施加于掃瞄電極20Y的掃瞄電壓訊號，而訊號Z為施加于維持電極20Z的維持電壓訊號。已知的等離子體顯示器中，每一像素單元均以一預(yù)定的正常驅(qū)動(dòng)程序施加一連串的驅(qū)動(dòng)脈沖，以形成一組影像顯示脈沖，最后實(shí)現(xiàn)顯示影像的目的。以圖3為例，正常驅(qū)動(dòng)程序通?？煞譃橄铝袔讉€(gè)階段(a)重設(shè)階段(resetperiod)、(b)掃瞄階段(scan period)或稱為尋址階段(address period)以及(c)維持階段(sustain period)。各階段的驅(qū)動(dòng)方法已為本領(lǐng)域的技術(shù)人員熟知，故在此不再贅述。
在掃瞄階段，掃瞄電壓訊號Y中的寫入電壓VXDD的電壓電平會(huì)影響到等離子體顯示器顯示影像數(shù)據(jù)的表現(xiàn)，而當(dāng)寫入電壓VXDD不足時(shí)，等離子體顯示器所顯示的畫面就會(huì)受到影響。如上所述，因?yàn)榈入x子體材料的不同，等離子體顯示器的面板所需的寫入電壓也相應(yīng)地有所不同，而為可以更彈性地設(shè)定等離子體顯示器所需的寫入電壓，已知是藉由一設(shè)定電路來進(jìn)行設(shè)定。請參考圖4，圖4為已知用來設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓VXDD的設(shè)定電路100的電路圖。設(shè)定電路100由多個(gè)二極管、電阻、電容、晶體管所組成，并藉由一系統(tǒng)偏壓VXC來調(diào)制為寫入電壓VXDD，經(jīng)調(diào)制后的寫入電壓VXDD則會(huì)再進(jìn)一步地被用來構(gòu)成掃瞄電壓訊號Y于掃瞄階段時(shí)的一部份。設(shè)定電路100中，晶體管T1的一端電連接于可變電阻R5，當(dāng)可變電阻R5的電阻值改變時(shí)，設(shè)定電路100所產(chǎn)生的寫入電壓VXDD的電壓電平即會(huì)隨著變動(dòng)，故設(shè)定電路100可以提供的寫入電壓VXDD其電壓電平會(huì)落在一特定的范圍內(nèi)。相對地，掃瞄電壓訊號Y中寫入電壓VXDD的部分也可以在上述特定的范圍內(nèi)作調(diào)整。然而，因設(shè)定電路100所能提供的寫入電壓VXDD的電壓電平范圍已被其本身實(shí)際的電路條件所局限，當(dāng)?shù)入x子體顯示器所需的寫入電壓VXDD電壓電平并不落在設(shè)定電路100所能提供電壓電平范圍內(nèi)時(shí)，則需更換設(shè)定電路100的零件(例如以其它不同電阻值的電阻來替換原先的電阻R1、R2)，以改變設(shè)定電路100所能提供的寫入電壓VXDD的電壓電平范圍，進(jìn)而使設(shè)定電路100足以提供所需要的寫入電壓VXDD。然而，更換設(shè)定電路100零件以改變寫入電壓VXDD的電壓電平范圍的作法過于繁雜、耗時(shí)，且其可調(diào)整的電壓范圍有限，并無法滿足立即且全面性改善等離子體顯示器的寫入不足(IW)的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種新的用來設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓的方法，以克服已知設(shè)定電路的限制，并改善上述寫入不足的現(xiàn)象。
該方法應(yīng)用于一等離子體顯示器，用以設(shè)定該等離子體顯示器的寫入電壓。該等離子體顯示器包含有一掃瞄電極、一維持電極以及一尋址電極。該方法包含有下列步驟藉由一外部電源供應(yīng)器，來提供一可調(diào)偏壓予該等離子體顯示器；施加一掃瞄電壓訊號予該掃瞄電極；施加一維持電壓訊號予該維持電極；施加一尋址電壓訊號予該尋址電極；于一掃瞄階段時(shí)，使該尋址電壓訊號的電位于一第一電平及一第二電平之間切換，其中該第一電平低于該第二電平；于該掃瞄階段時(shí)，若該尋址電壓訊號的電位等于該第一電平，則使該掃瞄電壓訊號的電位等于該可調(diào)偏壓；以及調(diào)整該可調(diào)偏壓，以決定該寫入電壓的大小，并于調(diào)整該可調(diào)偏壓時(shí)，維持該掃瞄電壓訊號于一重設(shè)階段內(nèi)以及于一維持階段內(nèi)的波形。


圖1為先前等離子體顯示器的結(jié)構(gòu)圖。
圖2為圖1中等離子體顯示器的剖面圖。
圖3為圖1所示的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)訊號時(shí)序圖。
圖4為先前等離子體顯示器的設(shè)定電路的電路圖。
圖5為依據(jù)本發(fā)明的方法而改善成的設(shè)定電路。
圖6為圖5的設(shè)定電路的等效電路圖。
附圖符號說明10上板20Y掃瞄電極20Z 維持電極21Y、21Z 金屬電極22Y、22Z 透明電極30 第一介電層
40 保護(hù)層 50 阻隔壁60 熒光體 70 第二介電層80X尋址電極90 下板100、110 設(shè)定電路112 外部電源供應(yīng)器具體實(shí)施方式

請參考圖5，圖5為依據(jù)本發(fā)明的方法而改善成的設(shè)定電路110。設(shè)定電路110藉由移除圖4中的設(shè)定電路100中的二極管D1、兩電阻R1及R2、兩電容C1及C2后，再加上一外部的電源供應(yīng)器112所形成。亦即將原先設(shè)定電路100中的二極管D1、兩電阻R1及R2、兩電容C1及C2的地方予以斷路后，再連接上電源供應(yīng)器112即可構(gòu)成設(shè)定電路110。請參考圖6，圖6為圖5的設(shè)定電路110的等效電路圖。其中，外部電源供應(yīng)器112用來提供一可調(diào)偏壓予等離子體顯示器，且因?yàn)殡娫垂?yīng)器的負(fù)極輸出寫入電壓VXDD而其正極接地，故由此可推斷出電源供應(yīng)器112正負(fù)兩輸出端所提供的可調(diào)偏壓等于零電位與寫入電壓VXDD之間的壓差，且寫入電壓VXDD的電壓電平為負(fù)。
當(dāng)在設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓VXDD時(shí)，會(huì)先輸入一畫面數(shù)據(jù)予等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，以使驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生如圖3的各個(gè)電壓訊號X、Y、Z，而與已知等離子體顯示器相同的，所產(chǎn)生的尋址電壓訊號X、掃瞄電壓訊號Y、維持電壓訊號Z會(huì)被分別施加于尋址電極80X、掃瞄電極20Y、維持電極20Z。驅(qū)動(dòng)電路會(huì)依據(jù)系統(tǒng)偏壓VXG以及電路110所產(chǎn)生的寫入電壓VXDD，并藉由調(diào)制的方式來產(chǎn)生掃瞄電壓訊號Y，而其中寫入電壓VXDD亦被用來構(gòu)成掃瞄電壓訊號Y于掃瞄階段時(shí)的一部份。此外，需注意的是，當(dāng)調(diào)整電源供應(yīng)器112所輸出的偏壓時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路所產(chǎn)生的掃瞄電壓訊號Y在掃瞄階段時(shí)的波形會(huì)隨著改變，但掃瞄電壓訊號Y在重設(shè)階段以及在維持階段時(shí)的波形卻不會(huì)有所變化。因此，當(dāng)設(shè)定電路110調(diào)整所輸出的寫入電VXDD時(shí)，掃瞄電壓訊號Y在重設(shè)階段以及在維持階段時(shí)的波形不會(huì)有變化，而在掃瞄階段時(shí)，由寫入電壓VXDD所構(gòu)成的掃瞄電壓訊號Y的部分的電壓電平則會(huì)隨著設(shè)定電路110所輸出的寫入電壓VXDD而改變。此外，請?jiān)賲⒖紙D3，與已知相同的，當(dāng)?shù)入x子體顯示器處于掃瞄階段時(shí)，尋址電壓訊號X的電位于高、低兩電壓電平之間作切換，而使得等離子體顯示器中相對應(yīng)的顯示單元得以表現(xiàn)出該有的光學(xué)特性。其中，當(dāng)尋址電壓訊號X的電位為低電壓電平時(shí)，則掃瞄電壓訊號Y的電位等于設(shè)定電路110所輸出的可調(diào)偏壓VXDD(即寫入電壓)；而當(dāng)尋址電壓訊號X的電位為高電壓電平時(shí)，則掃瞄電壓訊號Y的電位等于系統(tǒng)偏壓VXG，藉此等離子體顯示器的顯示單元即可表現(xiàn)出對應(yīng)的色彩表現(xiàn)。
當(dāng)藉由設(shè)定電路110來調(diào)整寫入電壓VXDD時(shí)，調(diào)整人員藉由等離子體顯示器所顯示的畫面，來判斷調(diào)整后的寫入電壓VXDD是否適合于該等離子體顯示器，而當(dāng)調(diào)整者完成寫入電壓VXDD的設(shè)定之后，可藉由三用電表或是其它量測工具來量測此時(shí)設(shè)定電路110所輸出的寫入電壓VXDD的電壓值。之后，凡經(jīng)相同工藝、使用相同材料所制造出來的等離子體顯示器，即可直接套用已預(yù)先量測出來的寫入電壓VXDD，以使生產(chǎn)等離子體顯示器的過程得以簡化。
相較于已知用來設(shè)定寫入電壓的方式，本發(fā)明的設(shè)定方式是藉由一外部的電源供應(yīng)器來提供調(diào)制掃瞄電壓訊號時(shí)所需的寫入電壓，故寫入電壓的可調(diào)電壓范圍為較已知方法的大。且因?yàn)槔帽景l(fā)明方法所得的寫入電壓的范圍不會(huì)被設(shè)定電路所局限，所以在使用上會(huì)更加的方便。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明的權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓的方法，其包含有下列步驟藉由一外部電源供應(yīng)器，來提供一可調(diào)偏壓予該等離子體顯示器；施加一掃瞄電壓訊號予該等離子體顯示器的一掃瞄電極；施加一維持電壓訊號予該等離子體顯示器的一維持電極；施加一尋址電壓訊號予該等離子體顯示器的一尋址電極；調(diào)整該外部電源供應(yīng)器所提供的該可調(diào)偏壓，以改變該掃瞄電壓訊號于一掃瞄階段時(shí)的波形，進(jìn)而決定該寫入電壓的大??；以及于調(diào)整該可調(diào)偏壓時(shí)，維持該掃瞄電壓訊號于一重設(shè)階段以及于一維持階段時(shí)的波形。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其還包含將該外部電源供應(yīng)器的正電極接地；于該外部電源供應(yīng)器的正電極與負(fù)電極之間串聯(lián)一電阻；以及以該外部電源供應(yīng)器的負(fù)電極的電壓電平來決定該可調(diào)偏壓。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其還包含提供一系統(tǒng)偏壓予該等離子體顯示器；以及依據(jù)該系統(tǒng)偏壓以及該可調(diào)偏壓，來決定該掃瞄電壓訊號于該掃瞄階段內(nèi)的波形。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其還包含于該掃瞄階段時(shí)，使該尋址電壓訊號的電位于一第一電平及一第二電平之間切換，其中該第一電平低于該第二電平。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其還包含于該掃瞄階段時(shí)，若該尋址電壓訊號的電位等于該第一電平，則使該掃瞄電壓訊號的電位等于該可調(diào)偏壓。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其還包含于該掃瞄階段時(shí)，若該尋址電壓訊號的電位等于該第二電平，則使該掃瞄電壓訊號的電位等于一系統(tǒng)偏壓。
7.一種設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓的方法，其包含有下列步驟藉由一外部電源供應(yīng)器，來提供一可調(diào)偏壓予該等離子體顯示器；施加一掃瞄電壓訊號予該等離子體顯示器的一掃瞄電極；施加一維持電壓訊號予該等離子體顯示器的一維持電極；施加一尋址電壓訊號予該等離子體顯示器的一尋址電極；于一掃瞄階段時(shí)，使該尋址電壓訊號的電位于一第一電平及一第二電平之間切換，其中該第一電平低于該第二電平；于該掃瞄階段時(shí)，若該尋址電壓訊號的電位等于該第一電平，則使該掃瞄電壓訊號的電位等于該可調(diào)偏壓；以及調(diào)整該可調(diào)偏壓，以決定該寫入電壓的大小，并于調(diào)整該可調(diào)偏壓時(shí)，維持該掃瞄電壓訊號于一重設(shè)階段內(nèi)以及于一維持階段內(nèi)的波形。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其還包含提供一系統(tǒng)偏壓予該等離子體顯示器；以及于該掃瞄階段時(shí)，若該尋址電壓訊號的電位等于該第二電平，則使該掃瞄電壓訊號的電位等于該系統(tǒng)偏壓。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其還包含將該外部電源供應(yīng)器的正電極接地；于該外部電源供應(yīng)器的正電極與負(fù)電極之間串聯(lián)一電阻；以及以該外部電源供應(yīng)器的負(fù)電極的電壓電平來決定該可調(diào)偏壓。
10.一種設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓的方法，其包含有下列步驟藉由一外部電源供應(yīng)器，來提供一可調(diào)偏壓予該等離子體顯示器；施加一掃瞄電壓訊號予該等離子體顯示器的一掃瞄電極；施加一維持電壓訊號予該等離子體顯示器的一維持電極；施加一尋址電壓訊號予該等離子體顯示器的一尋址電極；以及調(diào)整該外部電源供應(yīng)器所提供的該可調(diào)偏壓，并依據(jù)所調(diào)整的該可調(diào)偏壓，調(diào)制該掃瞄電壓訊號。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其還包含于調(diào)制該掃瞄電壓訊號時(shí)，維持該掃瞄電壓訊號于一重設(shè)階段以及于一維持階段時(shí)的波形。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其還包含將該外部電源供應(yīng)器的正電極接地；于該外部電源供應(yīng)器的正電極與負(fù)電極之間串聯(lián)一電阻；以及以該外部電源供應(yīng)器的負(fù)電極的電壓電平來決定該可調(diào)偏壓。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其還包含提供一系統(tǒng)偏壓予該等離子體顯示器；以及于調(diào)制該掃瞄電壓訊號時(shí)，依據(jù)該系統(tǒng)偏壓以及該可調(diào)偏壓，來決定該掃瞄電壓訊號于一掃瞄階段內(nèi)的波形。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其還包含于一掃瞄階段時(shí)，使該尋址電壓訊號的電位于一第一電平及一第二電平之間切換，其中該第一電平低于該第二電平。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其還包含于該掃瞄階段時(shí)，若該尋址電壓訊號的電位等于該第一電平，則使該掃瞄電壓訊號的電位等于該可調(diào)偏壓。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其還包含于該掃瞄階段時(shí)，若該尋址電壓訊號的電位等于該第二電平，則使該掃瞄電壓訊號的電位等于一系統(tǒng)偏壓。
全文摘要
設(shè)定等離子體顯示器的寫入電壓的方法包含藉由一外部電源供應(yīng)器，來提供一可調(diào)偏壓予該等離子體顯示器；施加一掃描電壓訊號予該等離子體顯示器的一掃描電極；施加一維持電壓訊號予該等離子體顯示器的一維持電極；施加一尋址電壓訊號予該等離子體顯示器的一尋址電極；調(diào)整該外部電源供應(yīng)器所提供的該可調(diào)偏壓，以改變該掃描電壓訊號于一掃描階段時(shí)的波形，進(jìn)而決定該寫入電壓的大?。灰约坝谡{(diào)整該可調(diào)偏壓時(shí)，維持該掃描電壓訊號于一重設(shè)階段以及于一維持階段時(shí)的波形。
文檔編號G09F9/313GK1920909SQ200510092
公開日2007年2月28日 申請日期2005年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者喻良銘, 劉育明 申請人:中華映管股份有限公司