本發(fā)明屬于顯示控制技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，尤其涉及一種GOA驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

GOA(Gate Driver On Array，集成在陣列基板上的行掃描)是利用現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器陣列制程，將行掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)電路制作在陣列基板上，實(shí)現(xiàn)逐行掃描驅(qū)動(dòng)的一項(xiàng)技術(shù)。

現(xiàn)有傳統(tǒng)的CMOS GOA電路設(shè)計(jì)中規(guī)中矩，其對(duì)時(shí)鐘控制信號(hào)的使用并沒有進(jìn)行太多的優(yōu)化，導(dǎo)致用于產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的負(fù)載和功耗較大，使得整個(gè)GOA電路的功耗很難減小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種GOA驅(qū)動(dòng)電路，不采用時(shí)鐘控制信號(hào)控制輸入控制模塊，可以有效地降低產(chǎn)生時(shí)鐘控制信號(hào)的負(fù)載和電路的功耗。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種GOA驅(qū)動(dòng)電路，包括：

輸入控制模塊，用于輸入級(jí)傳信號(hào)；

鎖存模塊，用于鎖存輸入的級(jí)傳信號(hào)；

處理模塊，用于將所述鎖存模塊輸出的級(jí)傳信號(hào)處理為第一中間信號(hào)；

緩存模塊，用于緩存并處理所述第一中間信號(hào)為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二中間信號(hào)，所述第一中間信號(hào)和所述第二中間信號(hào)的相位相反，

其中，由上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路和下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的所述第一中間信號(hào)和/或所述第二中間信號(hào)控制所述輸入控制模塊來輸入級(jí)傳信號(hào)，以及控制所述鎖存模塊鎖存由所述輸入控制模塊輸入的級(jí)傳信號(hào)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述輸入控制模塊包括：

第一晶體管，其為P型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)，源極用于輸入第一控制信號(hào)，漏極連接所述鎖存模塊；

第二晶體管，其為N型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)，源極用于輸入第二控制信號(hào)，漏極連接所述鎖存模塊。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述鎖存模塊包括：

第一反相器，其輸入端連接所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極，輸出端連接所述處理模塊；

第三晶體管，其為P型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)，漏極連接所述第一反相器的輸入端；

第四晶體管，其為N型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)，漏極連接所述第三晶體管的源極；

第二反相器，其輸入端連接所述第一反相器的輸出端，輸出端連接所述第四晶體管的源極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述輸入控制模塊包括：

第一晶體管，其為P型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)，源極用于輸入第一控制信號(hào)，漏極連接所述鎖存模塊；

第二晶體管，其為N型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)，源極用于輸入第二控制信號(hào)，漏極連接所述鎖存模塊。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述鎖存模塊包括：

第一反相器，其輸入端連接所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極；

第二反相器，其輸入端連接所述第一反相器的輸出端，輸出端連接所述處理模塊；

第三晶體管，其為N型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)，漏極連接所述第一反相器的輸入端；

第四晶體管，其為P型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)，漏極連接所述第三晶體管的源極，源極連接所述第二反相器的輸出端。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述輸入控制模塊包括：

第一晶體管，其為N型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)，源極用于輸入第二控制信號(hào)，漏極連接所述鎖存模塊；

第二晶體管，其為N型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)，源極用于輸入第二控制信號(hào)，漏極連接所述鎖存模塊。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述鎖存模塊包括：

第一反相器，其輸入端連接所述第一晶體管的漏極，輸出端連接所述處理模塊；

第三晶體管，其為P型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)，漏極連接所述第一反相器的輸入端；

第四晶體管，其為P型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)，源極連接所述第一反相器的輸出端；

第二反相器，其輸入端連接所述第三晶體管的漏極，輸出端連接所述第四晶體管的源極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述輸入控制模塊包括：

第一晶體管，其為P型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)，源極用于輸入第一控制信號(hào)，漏極連接所述鎖存模塊；

第二晶體管，其為P型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)，源極用于輸入第一控制信號(hào)，漏極連接所述鎖存模塊。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述鎖存模塊包括：

第一反相器，其輸入端連接所述第一晶體管的漏極，輸出端連接所述處理模塊；

第三晶體管，其為N型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)，漏極連接所述第一反相器的輸入端；

第四晶體管，其為N型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)，源極連接所述第一反相器的輸出端；

第二反相器，其輸入端連接所述第四晶體管的漏極，輸出端連接所述第三晶體管的源極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，

所述處理模塊包括一與非門，其第一輸入端連接所述鎖存模塊的輸出端，第二輸入端連接第一時(shí)序驅(qū)動(dòng)信號(hào)，輸出端與所述緩存模塊連接并輸出所述第一中間信號(hào)，

所述緩存模塊包括串聯(lián)的第三反相器、第四反相器和第五反相器，其中，

所述第三反相器的輸入端連接所述處理模塊，輸出端連接所述第四反相器的輸入端；

所述第四反相器的輸出端連接所述第五反相器的輸入端，并輸出所述第二中間信號(hào)；

所述第五反相器的輸出端輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，

所述復(fù)位模塊包括第六反相器及與所述第六反相器連接的第五晶體管，其中，

所述第六反相器的輸出端連接所述緩存模塊的輸出端，輸入端分別連接所述第五晶體管的漏極和所述第六反相器的輸入端；

所述第五晶體管的源極引入第一控制信號(hào)，柵極引入復(fù)位信號(hào)。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明提供的GOA驅(qū)動(dòng)電路，不采用時(shí)鐘控制信號(hào)控制輸入控制模塊，有效地降低了產(chǎn)生時(shí)鐘控制信號(hào)的負(fù)載和電路的功耗。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種GOA驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖2a-2c是圖1中部分電路元器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖1掃描時(shí)的工作時(shí)序圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；

圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)示意圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路掃描時(shí)的工作時(shí)序圖；

圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的掃描時(shí)的仿真波形時(shí)序圖；

圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的掃描時(shí)的仿真波形時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖1所示是現(xiàn)有技術(shù)中一種傳統(tǒng)的CMOS GOA驅(qū)動(dòng)電路，該電路采用交錯(cuò)驅(qū)動(dòng)方式，單邊GOA驅(qū)動(dòng)電路需要兩條時(shí)鐘控制信號(hào)CK走線(如時(shí)鐘控制信號(hào)CK1走線、時(shí)鐘控制信號(hào)CK2走線)，一條啟動(dòng)信號(hào)STV走線(未示出)，一條復(fù)位信號(hào)RESET走線，一條高電位信號(hào)VGH走線和一條低電位信號(hào)VGL走線。如圖1所示，這種CMOS GOA驅(qū)動(dòng)電路主要由如下幾個(gè)部分組成。

輸入控制模塊100用于GOA驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)輸入控制，通過CK1信號(hào)和XCK1信號(hào)控制其內(nèi)部的時(shí)鐘控制反相器，實(shí)現(xiàn)上一級(jí)Q點(diǎn)信號(hào)的傳輸；鎖存模塊200通過對(duì)其內(nèi)部時(shí)鐘控制反相器的控制，實(shí)現(xiàn)本級(jí)Q點(diǎn)信號(hào)的鎖存；RESET模塊300包括一晶體管PTFT1和反相器IN2，用于電路中信號(hào)節(jié)點(diǎn)的復(fù)位處理；Q點(diǎn)信號(hào)的處理模塊400(與非門NAND)通過CK3信號(hào)與Q點(diǎn)信號(hào)的與非處理，產(chǎn)生本級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)緩存處理模塊500，包括三個(gè)串聯(lián)的反相器IN3、IN4、IN5，用于提高柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力。其中，圖1中的Q(N)表示第N級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路的Q點(diǎn)信號(hào)，Q點(diǎn)是用于控制柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出的點(diǎn)；P(N)表示第N級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路的P點(diǎn)信號(hào)，P點(diǎn)是用于控制在電路非作用期間保持電路穩(wěn)定輸出的點(diǎn)。CK1信號(hào)經(jīng)反相器IN1反相后得到XCK1信號(hào)。Q(N-1)是第N級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路的級(jí)傳信號(hào)。

如圖2a-2c是圖1中CMOS GOA驅(qū)動(dòng)電路中部分元器件的等效電路圖，其中，圖2a為圖1中各反相器對(duì)應(yīng)的等效電路，圖2b為圖1中時(shí)鐘控制反相器對(duì)應(yīng)的等效電路，圖2c為圖1中與非門對(duì)應(yīng)的等效電路。

圖3是圖1所示GOA驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖，由圖3分析可知，圖1所示電路的工作原理為：在級(jí)傳信號(hào)Q(N-1)輸入之前，所有GOA驅(qū)動(dòng)電路先進(jìn)行復(fù)位處理，所有電路的Q節(jié)點(diǎn)復(fù)位為低電平，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電平；當(dāng)上一級(jí)Q點(diǎn)信號(hào)和本級(jí)控制輸入的CK1信號(hào)的高電平脈沖信號(hào)同時(shí)來臨時(shí)，Q(N)點(diǎn)被充電至高電平，當(dāng)控制輸入的CK1信號(hào)變成低電平時(shí)，鎖存模塊200鎖存Q(N)點(diǎn)的高電平信號(hào)；當(dāng)與非門的控制CK3信號(hào)的高電平脈沖信號(hào)來臨時(shí)，GATE(n)信號(hào)輸出高電平信號(hào)，即產(chǎn)生本級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；當(dāng)控制輸入的CK1信號(hào)的高電平脈沖信號(hào)再一次來臨時(shí)，Q(N)點(diǎn)被充電至低電平，之后，Q(N)點(diǎn)一直鎖存和輸入低電平信號(hào)，GATE(N)信號(hào)維持穩(wěn)定的低電平輸出。

由以上分析可知，現(xiàn)有的COMS GOA驅(qū)動(dòng)電路輸入控制模塊100需要CK1信號(hào)進(jìn)行控制，其用于產(chǎn)生CK1信號(hào)的電路和負(fù)載消耗較大，使得整個(gè)GOA電路的功耗很難減小。

因此，本發(fā)明提供了一種GOA驅(qū)動(dòng)電路，其輸入控制模塊100不需要CK1信號(hào)進(jìn)行控制，有效地降低用于產(chǎn)生CK1信號(hào)的負(fù)載和電路的功耗。如圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的GOA驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖，以下參考圖4來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

該GOA驅(qū)動(dòng)電路包括輸入控制模塊21、鎖存模塊22、處理模塊23和緩存模塊24。輸入控制模塊21用于輸入級(jí)傳信號(hào)；鎖存模塊22用于鎖存輸入的級(jí)傳信號(hào)；處理模塊23用于將鎖存模塊輸出的級(jí)傳信號(hào)處理為第一中間信號(hào)；緩存模塊24用于緩存并處理第一中間信號(hào)為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二中間信號(hào)，第一中間信號(hào)和第二中間信號(hào)的相位相反，其中，由上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路和下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)和/或第二中間信號(hào)控制輸入控制模塊21來輸入級(jí)傳信號(hào)，以及控制鎖存模塊22鎖存由輸入控制模塊21輸入的級(jí)傳信號(hào)。

本發(fā)明提供的GOA驅(qū)動(dòng)電路，鎖存模塊22與輸入控制模塊21不采用時(shí)鐘控制信號(hào)控制，有效地降低了產(chǎn)生時(shí)鐘控制信號(hào)的負(fù)載和電路的功耗。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該輸入控制模塊21包括第一晶體管T11和第二晶體管T12，如圖5所示。第一晶體管T11為P型晶體管，其柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP((N+1)，源極用于輸入第一控制信號(hào)VGH，漏極連接鎖存模塊22；第二晶體管T12為N型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P((N-1)，源極用于輸入第二控制信號(hào)VGL，漏極連接鎖存模塊22。圖5所示的GOA驅(qū)動(dòng)電路去除了傳統(tǒng)CMOS GOA電路中的時(shí)鐘控制反相器模塊，輸入控制模塊不采用CK1信號(hào)進(jìn)行控制，直接采用上一級(jí)的第一中間信號(hào)和下一級(jí)的第二中間信號(hào)分別對(duì)本級(jí)的Q點(diǎn)進(jìn)行上拉和下拉的處理。

如圖5所示，利用T12、T13和P(N-1)信號(hào)對(duì)本級(jí)Q點(diǎn)信號(hào)進(jìn)行上拉處理，T12晶體管用于Q點(diǎn)信號(hào)的傳輸，T13晶體管用于鎖存環(huán)路的開關(guān)控制，P(N-1)為上一級(jí)GOA電路的第二中間信號(hào)，用于T12和T13晶體管的開關(guān)控制。利用T11、T14和XP(N+1)信號(hào)對(duì)本級(jí)Q點(diǎn)信號(hào)進(jìn)行下拉處理，T11晶體管用于Q點(diǎn)信號(hào)低電平信號(hào)的傳輸，T14晶體管用于鎖存環(huán)路的開關(guān)控制，XP(N+1)為下一級(jí)GOA電路的第一中間信號(hào)。圖5所示電路利用PTFT進(jìn)行VGH信號(hào)的傳遞，利用NTFT進(jìn)行VGL信號(hào)的傳遞，可以減小傳輸信號(hào)的門限電壓Vth損失。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該鎖存模塊包括第一反相器IN11、第二反相器IN12、第三晶體管T13和第四晶體管T14，如圖5所示。第一反相器IN11的輸入端連接第一晶體管T11和第二晶體管T12的漏極，輸出端連接處理模塊23；第三晶體管T13為P型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N-1)，漏極連接第一反相器IN11的輸入端；第四晶體管T14為N型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N+1)，漏極連接第三晶體管T13的源極；第二反相器IN12的輸入端連接第一反相器IN11的輸出端，輸出端連接第四晶體管T14的源極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該輸入控制模塊包括第一晶體管T21和第二晶體管T22，如圖6所示。第一晶體管T21為P型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N-1)，源極用于輸入第一控制信號(hào)VGH，漏極連接鎖存模塊23.第二晶體管T22為N型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N+1)，源極用于輸入第二控制信號(hào)VGL，漏極連接鎖存模塊23。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該鎖存模塊包括第一反相器IN21、第二反相器IN22、第三晶體管T23和第四晶體管T24，如圖6所示。第一反相器IN21的輸入端連接第一晶體管T11和第二晶體管T12的漏極；第二反相器IN22的輸入端連接第一反相器IN21的輸出端，輸出端連接處理模塊23；第三晶體管T23為P型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N+1)，漏極連接第二反相器IN22的輸出端；第四晶體管T24為N型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N-1)，漏極連接第三晶體管T23的源極，源極連接第一反相器IN21的輸入端。

由圖5和圖6可知，第三晶體管和第四晶體管用于鎖存模塊中鎖存回路的開關(guān)控制。如圖5所示，該鎖存回路由第一反相器IN11、第二反相器IN12、第三晶體管T13和第四晶體管T14構(gòu)成。當(dāng)級(jí)傳信號(hào)通過第一晶體管T11或第二晶體管T12到達(dá)鎖存模塊后，上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N-1)為低電平，下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N+1)為高低電平，此時(shí)第三晶體管T13和第四晶體管T14打開，級(jí)傳信號(hào)保存在鎖存回路中。如圖6所示，該鎖存回路由第一反相器IN21、第二反相器IN22、第三晶體管T23和第四晶體管T24構(gòu)成。當(dāng)級(jí)傳信號(hào)通過第一晶體管T21或第二晶體管T22到達(dá)鎖存模塊后，上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N-1)為高電平，下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N+1)為低電平，此時(shí)第三晶體管T23和第四晶體管T24打開，級(jí)傳信號(hào)保存在鎖存回路中。在本發(fā)明中，鎖存模塊不采用時(shí)鐘控制信號(hào)控制，可以有效降低產(chǎn)生時(shí)鐘控制信號(hào)的負(fù)載和電路的功耗。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該輸入控制模塊包括第一晶體管T31和第二晶體管T32，如圖7所示。第一晶體管T31為N型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N-1)，源極用于輸入第二控制信號(hào)VGL，漏極連接鎖存模塊22；第二晶體管T32為N型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N+1)，源極用于輸入第二控制信號(hào)VGL，漏極連接鎖存模塊22。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該鎖存模塊包括第一反相器IN31、第二反相器IN32、第三晶體管T33和第四晶體管T34，如圖7所示。第一反相器IN31輸入端連接第一晶體管T31的漏極，輸出端連接處理模塊；第三晶體管T33為P型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N-1，漏極連接第一反相器IN31的輸入端；第四晶體管T34為P型晶體管，其柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N+1)，源極連接第一反相器IN31的輸出端；第二反相器IN32輸出端連接第三晶體管T33的源極，輸入端連接第四晶體管T34的漏極。

如圖7所示，利用T32、T34和P(N+1)信號(hào)對(duì)本級(jí)Q點(diǎn)信號(hào)進(jìn)行下拉處理，T32晶體管用于Q點(diǎn)信號(hào)的傳輸，T34晶體管用于鎖存環(huán)路的開關(guān)控制，P(N+1)為下一級(jí)GOA電路的第二中間信號(hào)，用于T32和T34晶體管的開關(guān)控制。利用T31、T33和P(N-1)信號(hào)對(duì)本級(jí)Q點(diǎn)信號(hào)進(jìn)行下拉處理，T31晶體管用于Q點(diǎn)信號(hào)低電平信號(hào)的傳輸，T33晶體管用于鎖存環(huán)路的開關(guān)控制。圖7所示電路利用NTFT進(jìn)行VGL信號(hào)的傳遞，可以減小傳輸信號(hào)的門限電壓Vth損失。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該輸入控制模塊包括第一晶體管T41和第二晶體管T42，如圖8所示。第一晶體管T41為P型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N+1)，源極用于輸入第一控制信號(hào)VGH，漏極連接鎖存模塊22。第二晶體管T42為P型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)P(N-1)，源極用于輸入第一控制信號(hào)VGH，漏極連接鎖存模塊22。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該鎖存模塊包括第一反相器IN41、第二反相器IN42、第三晶體管T43和第四晶體管T44，如圖8所示。第一反相器IN41的輸入端連接第一晶體管T41的漏極，輸出端連接處理模塊23；第三晶體管T43為N型晶體管，柵極用于輸入下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N+1)，漏極連接第一反相器IN41的輸入端；第四晶體管T44為N型晶體管，柵極用于輸入上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N-1)，漏極連接第一反相器IN41的輸出端；第二反相器IN42的輸入端連接第四晶體管T44的漏極，輸出端連接第三晶體管T43的源極。

由圖7和圖8可知，第三晶體管和第四晶體管用于鎖存模塊中鎖存回路的開關(guān)控制。如圖7所示，該鎖存回路由第一反相器IN31、第二反相器IN32、第三晶體管T33和第四晶體管T34構(gòu)成。當(dāng)級(jí)傳信號(hào)通過第一晶體管T31或第二晶體管T32到達(dá)鎖存模塊后，上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N-1)為低電平，下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第二中間信號(hào)P(N+1)為低電平，此時(shí)第三晶體管T33和第四晶體管T34打開，級(jí)傳信號(hào)保存在鎖存回路中。如圖8所示，該鎖存回路由第一反相器IN41、第二反相器IN42、第三晶體管T43和第四晶體管T44構(gòu)成。當(dāng)級(jí)傳信號(hào)通過第一晶體管T41或第二晶體管T42到達(dá)鎖存模塊后，上一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N-1)為高電平，下一級(jí)GOA驅(qū)動(dòng)電路輸出的第一中間信號(hào)XP(N+1)為低電平，此時(shí)第三晶體管T43和第四晶體管T44打開，級(jí)傳信號(hào)保存在鎖存回路中。在本發(fā)明中，鎖存模塊不采用時(shí)鐘控制信號(hào)控制，可以有效降低產(chǎn)生時(shí)鐘控制信號(hào)的負(fù)載和電路的功耗。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該處理模塊23包括一與非門NAND，其第一輸入端連接鎖存模塊的輸出端，第二輸入端連接第一時(shí)序驅(qū)動(dòng)信號(hào)CK3，輸出端連接緩存模塊并輸出本級(jí)的第一中間信號(hào)P(N)，如圖5-圖8所示。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該緩存模塊24包括串聯(lián)的第三反相器IN23、第四反相器IN24和第五反相器IN25，其中，第三反相器IN23的輸入端連接處理模塊，輸出端連接第四反相器IN24的輸入端；第四反相器IN24的輸出端連接第五反相器IN25的輸入端，并輸出第二中間信號(hào)；第五反相器IN25的輸出端輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，如圖5-圖8所示。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，復(fù)位模塊包括第六反相器IN26及與第六反相器IN26連接的第五晶體管T25，其中，第六反相器IN26的輸出端連接緩存模塊的輸出端，輸入端分別連接第五晶體管T25的漏極和第六反相器IN26的輸入端；第五晶體管T25的源極引入第一控制信號(hào)，柵極引入復(fù)位信號(hào)。

如圖9所示為圖5-至圖8所示電路的驅(qū)動(dòng)框架圖，該驅(qū)動(dòng)框架圖為單邊驅(qū)動(dòng)框架圖，對(duì)應(yīng)奇數(shù)行的掃描線，其中，單邊GOA電路需要兩根STV信號(hào)走線，分別用于第一級(jí)GOA電路Q點(diǎn)的上拉和最后一級(jí)GOA電路Q點(diǎn)的下拉；單邊需要兩根CK信號(hào)走線，用于柵極移位驅(qū)動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生；單邊需要一根RESET走線，用于每一級(jí)GOA電路的復(fù)位處理；單邊需要一條VGH走線和一條VGL走線，用于CMOS GOA電路的驅(qū)動(dòng)。

如圖10為圖9所示驅(qū)動(dòng)框架的掃描驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖，由時(shí)序圖分析可知，本專利提供的GOA電路的工作原理為：當(dāng)RESETt信號(hào)低電平脈沖信號(hào)來臨時(shí)，所有的GOA電路進(jìn)行復(fù)位處理，Q點(diǎn)復(fù)位后鎖存低電平信號(hào)；當(dāng)XP0低電平脈沖或者P0高電平脈沖信號(hào)來臨時(shí)，Q點(diǎn)被充電至高電平，之后Q點(diǎn)鎖存高電平信號(hào)；當(dāng)CK3信號(hào)的高電平脈沖來臨時(shí)，產(chǎn)生本級(jí)第一中間信號(hào)XP1；本級(jí)第一中間信號(hào)XP1經(jīng)緩存模塊處理為本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)GATE1；當(dāng)XP2的低電平脈沖活著P2的高電平脈沖信號(hào)來臨時(shí)，Q點(diǎn)被充電至低電平，之后Q點(diǎn)一直鎖存低電平信號(hào)，GOA電路穩(wěn)定輸出低電平柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

如圖11為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一種掃描驅(qū)動(dòng)仿真示意圖，如圖12為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第二種掃描驅(qū)動(dòng)仿真示意圖，由圖11和圖12可知，本發(fā)明的電路可以實(shí)現(xiàn)正向或反向輸出掃描信號(hào)。

雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。