一種用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖,包括劃片槽和光刻標(biāo)記,所述光刻版圖上設(shè)置有用于解理的劃片槽,所述劃片槽圍成光刻激光器圖形區(qū)域,所述激光器圖形區(qū)域上設(shè)置有光刻標(biāo)記。本實(shí)用新型在半導(dǎo)體制造工藝中光刻版圖上設(shè)置光刻標(biāo)記,能夠使激光器封裝中更容易區(qū)分激光器管芯的放置方向。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種在激光器封裝過程中的光刻版圖,特別涉及一種用于輔助激 光器封裝辨識的光刻版圖。 一種用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖
【背景技術(shù)】
[0002] 根據(jù)激光的產(chǎn)生原理,受激輻射光在光學(xué)諧振腔中來回震蕩,介質(zhì)被反復(fù)利用,激 發(fā)更多粒子產(chǎn)生光輻射,從而得到光放大,使得腔軸方向受激輻射光越來越強(qiáng),其中一部分 光從部分反射鏡端射出,就得到了激光。但由激光器自身解理面形成的諧振腔面,反射率僅 有32%,透射率及其他損失高達(dá)68%,使得器件產(chǎn)生的激光有2 / 3因散射和透射及其他 損耗從后腔面浪費(fèi)掉。因此,對激光器兩端腔面鍍制反射率不同的膜來實(shí)現(xiàn)諧振,成為了激 光器制造中的重要工藝,例如一端鍍制反射率為90%的高反膜,將大部分激光反射回腔內(nèi), 另一端作為出光面,鍍制反射率為5%的增透膜,輸出激光。目前腔面鍍膜技術(shù)作為半導(dǎo)體 激光器(LD)的一種常規(guī)制作工藝,能夠進(jìn)一步提高輸出功率,降低閾值電流,并能有效保 護(hù)其腔面,防止腔面溫度過高,提高災(zāi)變性端面燒毀(C0D)閾值,有效提高產(chǎn)品可靠性。
[0003] 激光器封裝工藝,是影響激光器成品率的重要工序。除了燒結(jié)、壓焊等十分關(guān)系到 最終成品率的步驟外,管芯的擺放也會影響到激光器的成品率、出光性能和可靠性。
[0004] 兩端腔面鍍膜之后的管芯,其中一端為出光面,封裝擺放時應(yīng)朝向出光方向放置。 但是常規(guī)工藝中并無任何輔助辨識標(biāo)識,通常通過肉眼觀測腔面不同反射率膜呈現(xiàn)出的顏 色來區(qū)分,但由于腔面較小,呈色也因工藝參數(shù)變化而不穩(wěn)定或不明顯,僅通過顏色不便區(qū) 分出出光面,因而給封裝帶來困難。
[0005] 因此,按照傳統(tǒng)方法僅靠顏色來區(qū)分出光面,既不可靠也耗費(fèi)時間。因此,需要一 種方法能夠在封裝擺放管芯的時候,輔助識別兩端所鍍膜的作用。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0006] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠區(qū)分激光器管芯在封裝過程中 鍍制高反膜和增透膜方向的用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖。
[0007] 本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種用于輔助激光器封裝辨識的 光刻版圖,包括劃片槽和光刻標(biāo)記,所述光刻版圖上設(shè)置有劃片槽,所述劃片槽圍成光刻激 光器圖形區(qū)域,所述光刻激光器圖形區(qū)域上設(shè)置有光刻標(biāo)記。
[0008] 本實(shí)用新型的有益效果是:在光刻版圖上的劃片槽外邊界區(qū)域設(shè)置光刻標(biāo)記,來 區(qū)分激光器管芯鍍膜的方向,可以降低人工辨識的難度,使辨識激光器管芯的鍍膜方向更 加簡單快捷。
[0009] 在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。
[0010] 進(jìn)一步,所述光刻標(biāo)記設(shè)置于劃片槽圍成的光刻激光器圖形區(qū)域的一端。
[0011] 進(jìn)一步,所述光刻標(biāo)記設(shè)置于所述劃片槽圍成的光刻激光器圖形區(qū)域中將要鍍制 商反I旲的一端。
[0012] 進(jìn)一步,所述劃片槽的寬度為20um?60um。
[0013] 采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是在光刻版圖上劃片槽圍成的光刻激光器圖形 區(qū)域的一端設(shè)置光刻標(biāo)記,并指示該端將要鍍制高反膜,可以在腔面鍍膜工藝中起到指示 作用,使得鍍膜后能夠快速辨別高反膜的方向,即非出光端腔面的方向,使封裝工藝中擺放 管芯的操作更加簡便準(zhǔn)確。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014] 圖1為本實(shí)用新型光刻版圖的結(jié)構(gòu)圖;
[0015] 圖2為本實(shí)用新型帶有窗口結(jié)構(gòu)的激光器的光刻版圖的結(jié)構(gòu)圖。
[0016] 附圖中,各標(biāo)號所代表的部件列表如下:
[0017] 1、劃片槽,2、光刻激光器圖形區(qū)域,3、光刻標(biāo)記,4、窗口結(jié)構(gòu)的圖形區(qū)域,5、出光 腔面。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述,所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用 新型,并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0019] 如圖1所示,為本實(shí)用新型光刻版圖的結(jié)構(gòu)圖;圖2為本實(shí)用新型帶有窗口結(jié)構(gòu)的 激光器的光刻版圖的結(jié)構(gòu)圖。
[0020] 實(shí)施例1
[0021] 一種用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖,包括劃片槽1和光刻標(biāo)記3,所述光刻 版圖上設(shè)置有用于把制作完電極的外延片解理成激光器管芯的劃片槽1,所述劃片槽1圍 成光刻激光器圖形區(qū)域2,所述光刻激光器圖形區(qū)域2上設(shè)置有光刻標(biāo)記3,光刻標(biāo)記3的 形狀為Η形,或者其他任何形狀。
[0022] 所述光刻標(biāo)記3設(shè)置于劃片槽1圍成的光刻激光器圖形區(qū)域2的一端。
[0023] 所述光刻標(biāo)記3設(shè)置于所述劃片槽1圍成的光刻激光器圖形區(qū)域2中將要鍍制高 反膜的一端。
[0024] 所述劃片槽1的寬度為20um?60um。
[0025] 在具體實(shí)施中,輔助辨識的光刻標(biāo)記3放置在劃片槽1邊界區(qū)域,且所述光刻標(biāo)記 3位于每個激光器管芯對應(yīng)的光刻版圖區(qū)域2內(nèi)部,僅在激光器管芯的一端放置,通過光刻 工藝將光刻標(biāo)記3最終呈現(xiàn)在每個激光器管芯表面,帶有光刻標(biāo)記3的該端根據(jù)膜系的配 合設(shè)計,鍍制所需反射率薄膜,在封裝放置激光器管芯時,光刻標(biāo)記3可對激光器管芯的朝 向起到指示作用。在腔面的一側(cè)添加高反膜標(biāo)記"H",并在該腔面鍍制高反膜,腔面B鍍制 增透膜,封裝放置激光器管芯時,光刻標(biāo)記3 "H"所指示的一端朝下,另一個腔面朝上放置 出光。
[0026] 光刻標(biāo)記3的尺寸和形狀可根據(jù)實(shí)際需要制定,劃片槽1的參考尺寸為寬20um? 60um,光刻套刻圖形按常規(guī)版圖設(shè)計放置。
[0027] 如果激光器出光面的一端帶有非吸收窗口結(jié)構(gòu),光刻版圖如圖2所示,虛線劃分 部分與窗口結(jié)構(gòu)的圖形區(qū)域4對應(yīng),窗口結(jié)構(gòu)的圖形區(qū)域4的端面為出光腔面5,光刻標(biāo)記 3應(yīng)根據(jù)窗口尺寸向內(nèi)部移動,避開窗口結(jié)構(gòu)。
[0028] 本申請的光刻版圖結(jié)構(gòu)在軟件中生成。將劃片槽1的結(jié)構(gòu)與光刻標(biāo)記3的圖形設(shè) 置在同一層規(guī)則文件中,且與單個激光器管芯對應(yīng)圖形組成一個單元,解理版圖為該單元 的重復(fù)排列。
[0029] 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用 新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖,其特征在于:包括劃片槽(1)和光刻標(biāo) 記(3),所述光刻版圖上設(shè)置有劃片槽(1),所述劃片槽(1)圍成光刻激光器圖形區(qū)域(2), 所述光刻激光器圖形區(qū)域(2)上設(shè)置有光刻標(biāo)記(3)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖,其特征在于:所述光 刻標(biāo)記(3)設(shè)置于劃片槽(1)圍成的光刻激光器圖形區(qū)域(2)的一端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖,其特征在于: 所述光刻標(biāo)記(3)設(shè)置于所述劃片槽(1)圍成的光刻激光器圖形區(qū)域(2)中將要鍍制高反 膜的一端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于輔助激光器封裝辨識的光刻版圖,其特征在于:所述劃 片槽(1)的寬度為20um?60um。
【文檔編號】G03F7/20GK203894532SQ201420167543
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月8日
【發(fā)明者】崔碧峰, 李佳莼, 徐旭紅, 計偉 申請人:北京牡丹電子集團(tuán)有限責(zé)任公司