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一種液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法

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一種液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及液晶面板領(lǐng)域,尤其涉及一種液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)。



背景技術(shù):

低溫多晶硅具有高遷移率的優(yōu)點(diǎn),因此在進(jìn)行像素設(shè)計(jì)時(shí),薄膜晶體管TFT開(kāi)關(guān)的W/L可以設(shè)計(jì)的很小,從而像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口率相對(duì)就比較高,因此低溫多晶硅液晶面板具有極大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

TFT-LCD可分為多晶硅(Poly-Si TFT)與非晶硅(a-Si TFT),兩者的差異在于電晶體特性不同。多晶硅的分子結(jié)構(gòu)在一顆晶粒(Grain)中的排列狀態(tài)是整齊而有方向性的,因此電子移動(dòng)率比排列雜亂的非晶硅快了200-300倍;一般所稱(chēng)的TFT-LCD是指非晶硅,技術(shù)成熟,為L(zhǎng)CD的主流產(chǎn)品。而多晶硅品則主要包含高溫多晶硅(HTPS)與低溫多晶硅(LTPS)二種產(chǎn)品。

低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon;簡(jiǎn)稱(chēng)LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器是在封裝過(guò)程中,利用準(zhǔn)分子鐳射作為熱源,鐳射光經(jīng)過(guò)投射系統(tǒng)后,會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的鐳射光束,投射于非晶硅結(jié)構(gòu)的玻璃基板上,當(dāng)非晶硅結(jié)構(gòu)玻璃基板吸收準(zhǔn)分子鐳射的能量后,會(huì)轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu),因整個(gè)處理過(guò)程都是在600℃以下完成,故一般玻璃基板皆可適用。

LTPS-TFT LCD具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開(kāi)口率等優(yōu)點(diǎn),加上由于LTPS-TFT LCD的硅結(jié)晶排列較a-Si有次序,使得電子移動(dòng)率相對(duì)高100倍以上,可以將外圍驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)制作在玻璃基板上,達(dá)到系統(tǒng)整合的目標(biāo)、節(jié)省空間及驅(qū)動(dòng)IC的成本。

LTPS-TFT LCD液晶面板在設(shè)計(jì)過(guò)程中,陣列基板的四周會(huì)設(shè)置一圈GND金屬走線11,如圖1,GND金屬走線11,GOA驅(qū)動(dòng)區(qū)12,面板顯示區(qū)13,GND金屬走線11設(shè)置在面板的四周邊緣,設(shè)置GND金屬走線11的目的在于當(dāng)有靜電電壓產(chǎn)生時(shí),可以通過(guò)GND金屬走線快速將靜電釋放掉,防止靜電累計(jì)而對(duì)面板內(nèi)部造成擊傷,影響顯示。但這種GND金屬走線釋放靜電的功能是有限的,當(dāng)靜電電壓過(guò)高時(shí),會(huì)造成GND金屬走線的炸傷,甚至影響內(nèi)部線路,造成顯示不良。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了一定程度上增強(qiáng)靜電的釋放能力,本發(fā)明提出一種液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提出的液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu),包括GND金屬走線、第二金屬走線、第五金屬走線、第六金屬走線,其中

所述GND金屬走線為閉合線路結(jié)構(gòu),沿陣列基板的外邊緣設(shè)置,

所述第二金屬走線設(shè)置在所述GND金屬走線的外部,所述第二金屬走線與所述GND金屬走線的外邊緣之間具有間隙,

所述第二金屬走線與所述GND金屬走線通過(guò)第五金屬走線和/或第六金屬走線相連。

這種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu),間接增大了GND金屬走線的的金屬寬度,減小了GND金屬走線的電阻,增強(qiáng)了GND金屬走線的靜電耐壓量,降低了靜電發(fā)生擊傷的風(fēng)險(xiǎn)。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),多個(gè)所述GND金屬走線以矩形陣列的方式排布,所述矩形陣列的列沿第一方向延伸,所述矩形陣列的行沿第二方向延伸,所述第一方向和所述第二方向相互垂直,所述矩形陣列的相鄰兩列間設(shè)置有第一間隙,所述矩形陣列的相鄰兩行間設(shè)置有第二間隙。

進(jìn)一步,相鄰兩列的GND金屬走線的相鄰兩邊通過(guò)第三金屬走線相連,所述第三金屬走線沿第二方向延伸,所述第三金屬走線設(shè)置于所述第一間隙內(nèi),所述第三金屬走線的長(zhǎng)度與所述第一間隙的寬度相等。在所述相鄰兩列的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個(gè)端部處均連接有所述第三金屬走線。

進(jìn)一步,相鄰兩行的GND金屬走線的相鄰兩邊通過(guò)第四金屬走線相連,所述第四金屬走線沿第一方向延伸,所述第四金屬走線設(shè)置于所述第二間隙內(nèi),所述第四金屬走線的長(zhǎng)度與所述第二間隙的寬度相等。在所述相鄰兩行的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個(gè)端部處均連接有所述第四金屬走線。

這樣的結(jié)構(gòu)使得多個(gè)GND金屬走線連接成一個(gè)巨大的金屬網(wǎng),增加了靜電的釋放路徑,加速了靜電的釋放。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述第二金屬走線與所述多個(gè)GND金屬走線的矩形陣列的外邊緣之間設(shè)置有第三間隙和第四間隙,所述第三間隙沿所述第一方向延伸,所述第四間隙沿所述第二方向延伸,所述多個(gè)GND金屬走線的矩形陣列的四個(gè)邊角處的GND金屬走線分別通過(guò)第五金屬走線和/或第六金屬走線與第二金屬走線相連,第五金屬走線沿第一方向延伸,第六金屬走線沿第二方向延伸,所述第六金屬走線設(shè)置于所述第三間隙內(nèi),所述第六金屬走線的長(zhǎng)度與所述第三間隙的寬度相等;所述第五金屬走線設(shè)置于第四間隙內(nèi),所述第五金屬走線的長(zhǎng)度與所述第四間隙的寬度相等。

在呈陣列式排列的多個(gè)GND金屬走線的外部設(shè)置第二金屬走線,并使多個(gè)GND金屬走線與第二金屬走線相連,形成了一個(gè)巨大的GND金屬網(wǎng),進(jìn)一步加快了靜電的釋放,提高了靜電電壓的耐受量。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述矩形陣列的首行和尾行中非端部的GND金屬走線分別通過(guò)所述第五金屬走線與所述第二金屬走線相連。所述矩形陣列的首列和尾列中非端部的GND金屬走線分別通過(guò)所述第六金屬走線與所述第二金屬走線相連。從而,使得中間的GND金屬走線上的靜電快速的通過(guò)第二金屬走線釋放。

所述的第三金屬走線、第四金屬走線、第五金屬走線、第六金屬走線中至少一種金屬走線由低溫多晶硅制成。低溫多晶硅的分子結(jié)構(gòu)在一顆晶粒中的排列狀態(tài)是整齊而有方向性的,因此其電子移動(dòng)率非常快,比非晶硅快了200~300倍,所以摻雜低溫多晶硅的使用進(jìn)一步增強(qiáng)了靜電的釋放速度,提高了靜電的釋放能力。

本發(fā)明提出的液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu),同樣可以應(yīng)用在LCD制程過(guò)程中,預(yù)防發(fā)生靜電擊穿現(xiàn)象,通過(guò)在TFT外圍設(shè)置金屬布線,在TFT制程前半段就形成靜電釋放路徑,降低局部電流強(qiáng)度,降低靜電發(fā)生擊傷的風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說(shuō)明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中:

圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中GND金屬走線結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2顯示實(shí)施例中含有兩個(gè)GND金屬走線的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3顯示實(shí)施例中含有三行三列GND金屬走線的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)示意圖;

在附圖中,相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。

實(shí)施例中的水平方向、豎直方向、端部等用語(yǔ)是相對(duì)于圖片的位置的方向,不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

如圖2顯示了本發(fā)明中,兩個(gè)GND金屬走線11所構(gòu)成的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)示意圖。兩個(gè)相鄰的GND金屬走線11排列為一行兩列,沿所述行的方向?yàn)榈诙较?,第一方向與所述第二方向垂直,相鄰兩列的GND金屬走線之間具有第一間隙27,相鄰兩列的GND金屬走線11的相鄰兩邊的兩個(gè)端部均通過(guò)第三金屬走線23相連接,從而將兩個(gè)GND金屬走線11連接為一體,同時(shí),第三金屬走線23位于第一間隙27內(nèi),第三金屬走線23的長(zhǎng)度與第一間隙27的寬度相等,保證了靜電在兩個(gè)GND金屬走線11間傳輸時(shí)路徑最短,縮短了靜電釋放的時(shí)間。

在兩個(gè)GND金屬走線11的外部設(shè)置有第二金屬走線22,第二金屬走線22與所述兩個(gè)GND金屬走線11的外邊緣分別有沿第一方向延伸的第三間隙29、沿第二方向延伸的第四間隙30,優(yōu)選為第三間隙29與第四間隙30的寬度相等,當(dāng)寬度相等時(shí),更有利于布線和實(shí)施。第二金屬走線22的四個(gè)邊角處分別通過(guò)第五金屬走線25或第六金屬走線26與GND金屬走線11相連接,第六金屬走線26位于第三間隙29內(nèi)且沿第二方向延伸,第六金屬走線26的長(zhǎng)度與第三間隙29的寬度相等,第五金屬走線25位于第四間隙30內(nèi)且沿第一方向延伸,第五金屬走線25的長(zhǎng)度與第四間隙30的寬度相等,保證了靜電在GND金屬走線11和第二金屬走線22間傳輸時(shí)路徑最短,縮短了靜電釋放的時(shí)間。

圖3為9個(gè)GND金屬走線11排列成三行三列的矩形陣列,所述矩形陣列的列沿第一方向延伸,所述矩形陣列的行沿第二方向延伸,所述第一方向和所述第二方向相互垂直,所述矩形陣列的相鄰兩列間設(shè)置有沿第一方向延伸的第一間隙27,所述矩形陣列的相鄰兩行間設(shè)置有沿第二方向延伸的第二間隙28。

相鄰兩列間的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個(gè)端部均通過(guò)第三金屬走線23相連,相鄰兩行間的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個(gè)端部均通過(guò)第四金屬走線24相連,從而將所有的GND金屬走線11連接為一個(gè)整體,同時(shí),第三金屬走線23位于第一間隙27內(nèi),第三金屬走線23的長(zhǎng)度與第一間隙27的寬度相等,第四金屬走線24位于第二間隙28內(nèi),第四金屬走線27的長(zhǎng)度與第二間隙28的寬度相等,優(yōu)選為第一間隙27與第二間隙28的寬度相等,更節(jié)省空間,同時(shí)使得間隙間的金屬走線長(zhǎng)度與間隙寬度相等,保證了靜電在相鄰GND金屬走線11間傳輸時(shí)路徑最短,縮短了靜電釋放的時(shí)間。

在三行三列GND金屬走線11的外圍設(shè)置有第二金屬走線22,第二金屬走線22與所述GND金屬走線11陣列的外邊緣分別有沿第一方向延伸的第三間隙29、沿第二方向延伸的第四間隙30,優(yōu)選為第三間隙29與第四間隙30的寬度相等,當(dāng)寬度相等時(shí),更有利于布線和實(shí)施。第二金屬走線22的四個(gè)邊角處分別通過(guò)第五金屬走線25或第六金屬走線26與GND金屬走線11相連接,第六金屬走線26位于第三間隙29內(nèi)且沿所述第二方向延伸,第六金屬走線26的長(zhǎng)度與第三間隙29的寬度相等,第五金屬走線25位于第四間隙30內(nèi)且沿所述第一方向延伸,第五金屬走線25的長(zhǎng)度與第四間隙30的寬度相等,保證了靜電在GND金屬走線11和第二金屬走線22間傳輸時(shí)路徑最短,縮短了靜電釋放的時(shí)間。

位于首行和尾行的非端部的GND金屬走線11同樣通過(guò)第五金屬走線25與第二金屬走線22相連,位于首列和尾列的非端部的GND金屬走線11同樣通過(guò)第六金屬走線26與第二金屬走線22相連,這樣就將GND金屬走線所形成的陣列與外圍的第二金屬走線22連接成一個(gè)大的GND金屬網(wǎng),一定程度上增加了靜電的耐受電壓,更加有利于靜電的釋放。

優(yōu)選為第三金屬走線23、第四金屬走線24、第五金屬走線25、第六金屬走線26中至少一種由低溫多晶硅制成,由于低溫多晶硅的分子結(jié)構(gòu)在一顆晶粒中的排列狀態(tài)是整齊而有方向性的,因此其電子移動(dòng)率非???,比非晶硅快了200~300倍,所以摻雜低溫多晶硅的使用進(jìn)一步增強(qiáng)了靜電的釋放速度,提高了靜電的釋放能力。

最后說(shuō)明的是,以上實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制,盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍,其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。

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