一種平面光波導(dǎo)分路器等離子體刻蝕后的清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種去除光波導(dǎo)分路器在生產(chǎn)過程中引入的清洗工藝，尤其是涉及一種平面光波導(dǎo)分路器等離子體刻蝕后的清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]平面波導(dǎo)型光分路器(PLC Splitter)是一種基于石英基板的集成波導(dǎo)光功率分配器件，具有體積小，工作波長范圍寬，可靠性高，分光均勻性好等特點，特別適用于無源光網(wǎng)絡(luò)(EPON，BPON，GPON等)中連接局端和終端設(shè)備并實現(xiàn)光信號的分路。
[0003]現(xiàn)階段的光波導(dǎo)分路器生產(chǎn)工藝，是生產(chǎn)光波導(dǎo)器件的核心技術(shù)之一。在生產(chǎn)過程中需要用到干法等離子體刻蝕技術(shù)。但在這些技術(shù)引入的同時，也對光波導(dǎo)器件造成了不同程度上的損傷，稱為等離子體損傷。這種損傷會造成器件的不穩(wěn)定性，而最終導(dǎo)致器件性能的下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的就是為了解決干法等離子體刻蝕帶來的波導(dǎo)層的損傷的現(xiàn)狀，提供的一種平面光波導(dǎo)分路器等離子體刻蝕后的清洗方法。
[0005]一種平面光波導(dǎo)分路器等離子體刻蝕后的清洗方法，其特征在于:其特征在于:包括以下步驟:
101、將表面進行等離子體物理刻蝕后的后的晶圓放入硫酸與雙氧水的混合溶液中，其中硫酸與雙氧水的混合比例大于3比1，然后加熱到100-150度，持續(xù)時間為1-10分鐘，用來去除表面殘留的有機物；
102、將晶圓放入去離子水中反復(fù)沖洗2次以上，隨后用甩干機就行甩干處理，來去除表面可能殘留的酸液；
103、將表面生長二氧化硅(Si02)的監(jiān)控硅片測量氧化層厚度；
104、將監(jiān)控硅片放入配比好的氫氟酸中，氟化氫與氟化銨的比例為1:40到1:60之間，持續(xù)2-10分鐘，取出并測量氧化層厚度；
105、計算前后兩次監(jiān)控硅片的氧化層厚度差，如厚度差范圍在500A-700A之間，執(zhí)行步驟106，如厚度差范圍不在500A-700A之間，重新調(diào)配氫氟酸，并執(zhí)行104 ；
106、將晶圓放入氫氟酸中，持續(xù)2-10分鐘后取出；
107、將晶原用等離子水沖洗晶原并甩干。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的效果是積極明顯的。本發(fā)明利用氫氟酸對二氧化硅的腐蝕作用，將表面有損傷的波導(dǎo)層除去，這樣根本上杜絕了離子損傷帶來的不穩(wěn)定因素，從而提高工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品的合格率。
【附圖說明】
[0006]圖1為本發(fā)明的方法流程圖。
【具體實施方式】
[0007]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。
[0008]實施例1
101、將表面進行等離子體物理刻蝕后的晶圓放入硫酸+雙氧水(3:1)的混合溶液中并加熱到120度，持續(xù)時間為10分鐘，用來去除表面殘留的有機物；
102、將晶圓放入去離子水中反復(fù)沖洗3次，每次充洗時間為I分30秒；隨后用甩干機就行甩干處理，去除表面可能殘留的酸液；
103、將表面生長二氧化硅(Si02)的監(jiān)控硅片測量氧化層厚度；
104、將監(jiān)控硅片放入配比好的氫氟酸中(氟化氫:氟化銨=1:40)，持續(xù)3分鐘后取出，并測量氧化層厚度；
105、計算前后兩次監(jiān)控硅片的氧化層厚度差，厚度差為550A；
106、將產(chǎn)晶圓放入氫氟酸中，持續(xù)3分鐘后取出；
107、將晶原用等離子水沖洗晶原并甩干。
[0009]實施例2
101、將表面進行等離子體物理刻蝕后的晶圓放入硫酸+雙氧水(4:1)的混合溶液中并加熱到120度，持續(xù)時間為8分鐘，用來去除表面殘留的有機物；
102、將晶圓放入去離子水中反復(fù)沖洗3次，每次沖洗時間為2分鐘；隨后用甩干機就行甩干處理，去除表面可能殘留的酸液；
103、將表面生長二氧化硅(Si02)的監(jiān)控硅片測量氧化層厚度；
104、將監(jiān)控硅片放入配比好的氫氟酸中(氟化氫:氟化銨=1:50)，持續(xù)5分鐘后取出，并測量氧化層厚度；
105、計算前后兩次監(jiān)控硅片的氧化層厚度差，厚度差為800A，從新調(diào)配氫氟酸，再次測量氧化層厚度，厚度差為600A ；
106、將產(chǎn)晶圓放入氫氟酸中，持續(xù)5分鐘后取出；
107、將晶原用等離子水沖洗晶原并甩干。
[0010]實施例3
101、將表面進行等離子體物理刻蝕后的晶圓放入硫酸+雙氧水(5:1)的混合溶液中并加熱到120度，持續(xù)時間為6分鐘，用來去除表面殘留的有機物；
102、將晶圓放入去離子水中反復(fù)沖洗3次，每次充洗時間為2分40秒；隨后用甩干機就行甩干處理，去除表面可能殘留的酸液；
103、將表面生長二氧化硅(Si02)的監(jiān)控硅片測量氧化層厚度；
104、將監(jiān)控硅片放入配比好的氫氟酸中(氟化氫:氟化銨=1:60)，持續(xù)7分鐘后取出，并測量氧化層厚度；
105、計算前后兩次監(jiān)控硅片的氧化層厚度差，厚度差為700A；
106、將產(chǎn)晶圓放入氫氟酸中，持續(xù)7分鐘后取出；
107、將晶原用等離子水沖洗晶原并甩干。
[0011]當(dāng)然，上述說明并非是對本發(fā)明的限制，本發(fā)明也并不僅限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的實質(zhì)范圍內(nèi)做出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種平面光波導(dǎo)分路器等離子體刻蝕后的清洗方法，其特征在于包括以下步驟: .101、將表面進行等離子體物理刻蝕后的晶圓放入硫酸與雙氧水的混合溶液中，其中硫酸與雙氧水的混合比例大于3比1，然后加熱到100-150度，持續(xù)時間為1-10分鐘，用來去除表面殘留的有機物； .102、將晶圓放入去離子水中反復(fù)沖洗2次以上，隨后用甩干機就行甩干處理，來去除表面可能殘留的酸液； . 103、將表面生長二氧化硅(Si02)的監(jiān)控硅片測量氧化層厚度； .104、將監(jiān)控硅片放入配比好的氫氟酸中，氟化氫與氟化銨的比例為1:40到1:60之間，持續(xù)2-10分鐘，取出并測量氧化層厚度； . 105、計算前后兩次監(jiān)控硅片的氧化層厚度差，如厚度差范圍在500A-700A之間，執(zhí)行步驟106，如厚度差范圍不在500A-700A之間，重新調(diào)配氫氟酸，并執(zhí)行104 ； .106、將晶圓放入氫氟酸中，持續(xù)2-10分鐘后取出； .107、將晶原用等離子水沖洗晶原并甩干。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種平面光波導(dǎo)分路器等離子體刻蝕后的清洗方法，其特征在于：將表面進行等離子體物理刻蝕后的晶圓放入硫酸與雙氧水的混合溶液中，用來去除表面殘留的有機物；將晶圓放入去離子水中沖洗，隨后用甩干機就行甩干處理；將表面生長二氧化硅（SiO2）的監(jiān)控硅片測量氧化層厚度；將監(jiān)控硅片放入配比好的氫氟酸中，取出并測量氧化層厚度；計算前后兩次監(jiān)控硅片的氧化層厚度差，如厚度差范圍在500A-700A之間，將晶圓放入氫氟酸中，持續(xù)2-10分鐘后取出；將晶原用等離子水沖洗晶原并甩干。本發(fā)明杜絕了離子損傷帶來的不穩(wěn)定因素，從而提高工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品的合格率。
【IPC分類】G02B6-136
【公開號】CN104570211
【申請?zhí)枴緾N201310510671
【發(fā)明人】呂耀安, 翟繼鑫
【申請人】無錫宏納科技有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月26日