一種掩模板和曝光系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種掩模板和曝光系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)中，薄膜晶體管作為數(shù)字電路的開關(guān)器件，扮演著十分重要的角色。
[0003]目前，在TFT-1XD陣列基板的生產(chǎn)中，普遍采用單縫衍射掩模板(Single SlitMask)、灰色調(diào)掩模板(Gray Tone Mask)或半色調(diào)掩模板(Half Tone Mask)進(jìn)行源漏金屬層掩模(SD Mask)工藝。當(dāng)采用單縫衍射掩模板進(jìn)行源漏金屬層掩模工藝時(shí)，源漏極溝道區(qū)域通過狹縫衍射進(jìn)行曝光。由于源漏極溝道本身較窄，若曝光光線通過狹縫衍射后光強(qiáng)度太低，曝光不足，經(jīng)顯影和刻蝕后，很容易導(dǎo)致TFT-LCD陣列基板發(fā)生源漏極溝道金屬橋接；若曝光光線通過狹縫衍射后光強(qiáng)度太高，曝光過度，經(jīng)顯影和刻蝕后，又可能導(dǎo)致發(fā)生源漏極溝道半導(dǎo)體缺失。無論發(fā)生源漏極溝道金屬橋接還是源漏極溝道半導(dǎo)體缺失，都會導(dǎo)致薄膜晶體管無法正常工作或無法工作。因此，在采用單縫衍射掩模板進(jìn)行源漏金屬層的掩模生產(chǎn)過程中，需要恰當(dāng)?shù)乜刂圃绰O溝道區(qū)域通過單縫衍射后的光強(qiáng)度。
[0004]TFT-1XD陣列基板上，如圖1所示，由于非顯示區(qū)5 (如外圍布線區(qū))薄膜晶體管的分布密度遠(yuǎn)高于顯示區(qū)6 (即像素區(qū)域)，所以在經(jīng)過曝光后顯影的過程中，非顯示區(qū)5單位時(shí)間內(nèi)對顯影液的消耗量遠(yuǎn)低于顯示區(qū)6，這使得非顯示區(qū)5內(nèi)的局部區(qū)域顯影液濃度高于顯示區(qū)6，以至于顯影結(jié)束后容易導(dǎo)致非顯示區(qū)5的薄膜晶體管的溝道區(qū)光刻膠偏薄，經(jīng)刻蝕工藝后易造成源漏極溝道半導(dǎo)體缺失，使源漏極溝道斷開，從而使得TFT-LCD的非顯示區(qū)5的薄膜晶體管無法工作，最終導(dǎo)致顯示區(qū)6無法正常顯示。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種掩模板和曝光系統(tǒng)。該掩模板能使透過第二區(qū)內(nèi)狹縫的曝光光線的強(qiáng)度相對于透過第一區(qū)內(nèi)狹縫的曝光光線的強(qiáng)度減小，從而使顯示區(qū)和非顯示區(qū)內(nèi)的晶體管在經(jīng)過源漏極曝光和顯影后，保留在有源區(qū)膜層上的光刻膠的厚度趨于一致，從而使非顯示區(qū)的晶體管的有源區(qū)在刻蝕中不會產(chǎn)生半導(dǎo)體缺失，進(jìn)而確?？涛g工藝后非顯示區(qū)晶體管的有源區(qū)不會斷開，最終確保非顯示區(qū)的晶體管能夠正常工作，以確保像素區(qū)域能夠正常顯示。
[0006]本實(shí)用新型提供了一種掩模板，包括透明基板，以及形成于透明基板表面的掩模圖形；其中，所述掩模圖形包括用于對應(yīng)形成顯示區(qū)內(nèi)膜層圖形的第一區(qū)和用于對應(yīng)形成非顯示區(qū)內(nèi)膜層圖形的第二區(qū)；
[0007]所述第一區(qū)和所述第二區(qū)內(nèi)均設(shè)置有多個圖形化掩模，且所述第一區(qū)內(nèi)圖形化掩模的分布密度小于所述第二區(qū)內(nèi)圖形化掩模的分布密度；
[0008]每個所述圖形化掩模包括用于形成所述晶體管的源極的第一圖形、用于形成所述晶體管的漏極的第二圖形和夾設(shè)在所述第一圖形和所述第二圖形之間的狹縫，其中，所述第一區(qū)內(nèi)的所述狹縫的寬度大于所述第二區(qū)內(nèi)的所述狹縫的寬度。
[0009]優(yōu)選的，設(shè)所述第一區(qū)內(nèi)的所述狹縫的寬度為L，所述第二區(qū)內(nèi)的所述狹縫的寬度為M，M = L-LXX%，其中，O < X < 100，且X與所述第二區(qū)與所述第一區(qū)內(nèi)所述圖形化掩模的分布密度差值成正比。
[0010]優(yōu)選的，所述第一圖形和所述第二圖形均由遮光材料構(gòu)成，所述狹縫底部暴露所述透明基板。
[0011]優(yōu)選的，所述掩模圖形設(shè)置于所述透明基板一側(cè)的表面；
[0012]所述第一圖形、第二圖形均由低反射率的遮光材料構(gòu)成。
[0013]優(yōu)選的，所述第一區(qū)和所述第二區(qū)內(nèi)還設(shè)置有用于對應(yīng)形成布線的布線圖形，所述布線圖形與所述掩模圖形設(shè)置于所述透明基板同一側(cè)的表面，且與所述第一圖形和所述第二圖形的材料相同。
[0014]本實(shí)用新型還提供了一種曝光系統(tǒng)，包括如上所述的掩模板。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型所提供的掩模板，由于掩模板的第一區(qū)內(nèi)狹縫的寬度大于第二區(qū)內(nèi)狹縫的寬度，使透過第二區(qū)內(nèi)狹縫的曝光光線的強(qiáng)度相對于透過第一區(qū)內(nèi)狹縫的曝光光線的強(qiáng)度減小，從而使顯示區(qū)和非顯示區(qū)內(nèi)的晶體管在經(jīng)過源漏極曝光和顯影后，保留在有源區(qū)膜層上的光刻膠的厚度趨于一致，從而使非顯示區(qū)的晶體管的有源區(qū)在刻蝕中不會產(chǎn)生半導(dǎo)體缺失，進(jìn)而確保非顯示區(qū)晶體管的有源區(qū)不會斷開，最終確保非顯示區(qū)的晶體管能夠正常工作，以確保像素區(qū)域能夠正常顯示。
[0016]本實(shí)用新型所提供的曝光系統(tǒng)，通過采用上述掩模板，提高了該曝光系統(tǒng)的曝光質(zhì)量，從而提高了經(jīng)該曝光系統(tǒng)曝光的產(chǎn)品的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的顯示區(qū)與非顯示區(qū)的分布結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1中掩模板的結(jié)構(gòu)剖視示意圖。
[0019]其中的附圖標(biāo)記說明:
[0020]1.第一區(qū)；2.第二區(qū)；3.圖形化掩模；31.第一圖形；32.第二圖形；33.狹縫；L.第一區(qū)內(nèi)狹縫的寬度；M.第二區(qū)內(nèi)狹縫的寬度；4.布線圖形；5.非顯示區(qū)；6.顯示區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型所提供的一種掩模板和曝光系統(tǒng)作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0022]實(shí)施例1:
[0023]本實(shí)施例提供一種掩模板，如圖2所示，包括透明基板(未標(biāo)識)，以及形成于透明基板表面的掩模圖形。
[0024]其中，所述掩模圖形包括用于對應(yīng)形成顯示區(qū)內(nèi)膜層圖形的第一區(qū)I和用于對應(yīng)形成非顯示區(qū)內(nèi)膜層圖形的第二區(qū)2 ;
[0025]第一區(qū)I和第二區(qū)2內(nèi)均設(shè)置有多個圖形化掩模3，且第一區(qū)I內(nèi)圖形化掩模3的分布密度小于第二區(qū)2內(nèi)圖形化掩模3的分布密度；
[0026]每個圖形化掩模3包括用于形成所述晶體管的源極的第一圖形31、用于形成晶體管的漏極的第二圖形32和夾設(shè)在第一圖形31和第二圖形32之間的狹縫33 ;第一區(qū)I內(nèi)的狹縫33的寬度L大于第二區(qū)2內(nèi)的狹縫33的寬度M0
[0027]通過使掩模板的第一區(qū)I內(nèi)的狹縫33的寬度大于第二區(qū)2內(nèi)的狹縫33的寬度，使透過第二區(qū)2內(nèi)狹縫33的曝光光線的強(qiáng)度相對于透過第一區(qū)I內(nèi)狹縫33的曝光光線的強(qiáng)度減小，從而使顯示區(qū)和非顯示區(qū)內(nèi)的晶體管在經(jīng)過源漏極曝光和顯影后，保留在有源區(qū)膜層上的光刻膠的厚度趨于一致，從而使非顯示區(qū)的晶體管的有源區(qū)在刻蝕中不會產(chǎn)生半導(dǎo)體缺失，進(jìn)而確保非顯示區(qū)晶體管的有源區(qū)不會斷開，最終確保非顯示區(qū)的晶體管能夠正常工作，以確保像素區(qū)域能夠正常顯示。
[0028]其中，由于狹縫33夾設(shè)于第一圖形31和第二圖形32之間，所以狹縫33的寬度指第一圖形31和第二圖形32之間的距離。
[0029]本實(shí)施例中，設(shè)第一區(qū)I內(nèi)的狹縫33的寬度為L，第二區(qū)2內(nèi)的狹縫33的寬度為1肩=1^-1^\乂％，其中，0<父< 100，且X與第二區(qū)2和第一區(qū)I內(nèi)圖形化掩模3的分布密度差值成正比。如此設(shè)置，能使L和M的差值隨著第二區(qū)2與第一區(qū)I內(nèi)圖形化掩模3的分布密度差的增大而增大，由于顯示區(qū)和非顯示區(qū)內(nèi)的晶體管在經(jīng)過源漏極曝光后顯影的過程中，非顯示區(qū)與顯示區(qū)內(nèi)顯影液的濃度差隨著非顯示區(qū)與顯示區(qū)內(nèi)晶體管分布密度差的增大而增大，也即非顯示區(qū)與顯示區(qū)內(nèi)顯影液的濃度差隨著第二區(qū)2與第一區(qū)I內(nèi)晶體管分布密度差的增大而增大，所以，M相對于L的減小能夠相應(yīng)地彌補(bǔ)非顯示區(qū)內(nèi)的顯影液濃度高于顯示區(qū)內(nèi)的濃度對非顯示區(qū)內(nèi)晶體管有源區(qū)形成的過刻，即對應(yīng)顯影液濃度高的非顯示區(qū)，掩模板上狹縫33的寬度M比較??；對應(yīng)顯影液濃度低的顯示區(qū)，掩模板上狹縫33的寬度L比較大，從而使源漏極曝光時(shí)對應(yīng)透射到非顯示區(qū)內(nèi)有源區(qū)的曝光光線的光強(qiáng)度比較小；而對應(yīng)透射到顯示區(qū)內(nèi)有源區(qū)的曝光光線的光強(qiáng)度比較大，最終使源漏極曝光顯影后保留在顯示區(qū)和非顯示區(qū)內(nèi)晶體管有源區(qū)膜層上的光刻膠的厚度趨于一致，以確保經(jīng)刻蝕后非顯示區(qū)內(nèi)晶體管的有源區(qū)不會因半導(dǎo)體缺失而斷開。
[0030]本實(shí)施例中，第一圖形31和第二圖形32均由遮光材料構(gòu)成，狹縫33底部暴露透明基板。由于通常情況下，顯示區(qū)和非顯示區(qū)膜層圖形的曝光工藝中通常采用正性光刻膠，所以，掩模板上第一圖形31和第二圖形32為完全不透光圖形，才能在曝光