專利名稱：磨片機研磨盤下砂口的改良構造的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于用于生產單晶硅片的研磨設備的主要磨具工件領域，尤其是涉及一種磨片機研磨盤下砂口的改良構造。
背景技術：
近年來，由于電子行業(yè)的飛速發(fā)展、產品需求的多元化，用于電子產品的最初原材料晶圓片也有新的提高，而娃片本身的技術參數(shù)，如表面粗糙度Ra/Rz、TTV、warp等,對娃片的要求也是越來越高。此外，用于硅片加工生產的原輔料的成本隨著市場的發(fā)展呈遞增趨勢增長，研磨盤的消耗是生產成本的主要部分之一，為了最大限度地提高生產效率，降低生產成本，有必要對當前使用的設備部件進行結構改造。研磨盤屬于耗材類，其真正的使用壽命為一個隨機出現(xiàn)的數(shù)值，生產中掌控難度
很大，經過一段時間的研磨后帶有盤槽的磨盤面厚度不斷降低，當磨盤面與下砂口相接的位置磨至很薄時，由于下砂口處的磨盤面部分沒有磨盤基體的支撐，磨盤面很容易斷裂，存在質量隱患。為防止質量隱患，需提前停止使用仍可使用的研磨盤，從而造成了浪費。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的問題是提供一種磨片機研磨盤下砂口的改良構造，尤其適合用于提聞娃片生廣中研磨盤的壽命。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是一種磨片機研磨盤下砂口的改良構造，所述下砂口為垂直于水平面的通孔，位于所述研磨盤的上磨盤的磨盤基體內，所述上磨盤還包括位于所述磨盤基體下方且與所述磨盤基體下表面緊密貼合的磨盤面，所述磨盤面內部貫通有垂直于水平面的盤槽，所述下砂口的形狀為圓錐形，且靠近所述磨盤面位置的內徑小于遠離所述磨盤面位置的內徑，所述下砂口與所述磨盤面相貼處的內徑與所述盤槽的寬度相等，所述下砂口正對所述盤槽。本發(fā)明還可以采用以下技術措施所述下砂口均勻排布于所述磨盤基體內。本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是上述技術方案將圓柱形的下砂口，更改成圓椎形，磨盤基體加固了原來的磨盤面易斷位置，防止了質量隱患，延長了使用壽命，具有結構簡單，加工成本低等優(yōu)點。


圖I是改良前上磨盤剖面2是改良后上磨盤剖面中I、改良前下砂口 2、磨盤基體 3、磨盤面4、盤槽 5、磨盤面易斷位置 6、下砂口
具體實施例方式如圖I所示，改良前下砂口 I為垂直于水平面的圓柱形通孔，均勻排布于研磨盤的上磨盤的磨盤基體2內，上磨盤還包括位于磨盤基體2下方且與磨盤基體2下表面緊密貼合的磨盤面3，磨盤面3內部貫通有垂直于水平面的盤槽4，下砂口 6的中心軸線與盤槽4的中心軸線重合。如圖2所示，本發(fā)明提供一種磨片機研磨盤下砂口的改良構造，下砂口 6的形狀為圓錐形，且靠近磨盤面3位置的內徑小于遠離磨盤面3位置的內徑，下砂口 6與磨盤面3相貼處的內徑與盤槽4的寬度相等，下砂口 6正對盤槽4。下砂口 6均勻排布于磨盤基體2內。本實例的工作過程研磨時，不斷有磨料由下砂口 6注入至磨盤面3，經盤槽4流至上下磨盤之間，在上下磨盤相對運動的過程中，磨料微粒在工件表面靠磨盤帶動滾動，依靠磨料對工件進行磨削以達到研磨目的。運用本發(fā)明的下砂口 6的改良構造以后，磨盤面3完全緊貼磨盤基體2，即便達到使用極限，磨盤面3變薄，磨盤基體2能夠加固改良前的磨 盤面易斷位置5，防止了質量隱患。因能夠避免潛在的質量風險，故磨盤不必提前報廢，延長了其使用壽命。以上對本發(fā)明的一個實施例進行了詳細說明，但所述內容僅為本發(fā)明的較佳實施例，不能被認為用于限定本發(fā)明的實施范圍。凡依本發(fā)明申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本發(fā)明的專利涵蓋范圍之內。
權利要求
1.一種磨片機研磨盤下砂口的改良構造，所述下砂口為垂直于水平面的通孔，位于所述研磨盤的上磨盤的磨盤基體內，所述上磨盤還包括位于所述磨盤基體下方且與所述磨盤基體下表面緊密貼合的磨盤面，所述磨盤面內部貫通有垂直于水平面的盤槽，其特征在于所述下砂口的形狀為圓錐形，且靠近所述磨盤面位置的內徑小于遠離所述磨盤面位置的內徑，所述下砂口與所述磨盤面相貼處的內徑與所述盤槽的寬度相等，所述下砂口正對所述舟擲InLl 曰 O
2.根據(jù)權利要求I所述的改良構造，其特征在于所述下砂口均勻排布于所述磨盤基體內。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磨片機研磨盤下砂口的改良構造，所述下砂口為垂直于水平面的通孔，位于所述研磨盤的上磨盤的磨盤基體內，所述上磨盤還包括位于所述磨盤基體下方且與所述磨盤基體下表面緊密貼合的磨盤面，所述磨盤面內部貫通有垂直于水平面的盤槽，所述下砂口的形狀為圓錐形，且靠近所述磨盤面位置的內徑小于遠離所述磨盤面位置的內徑，所述下砂口與所述磨盤面相貼處的內徑與所述盤槽的寬度相等，所述下砂口正對所述盤槽。本發(fā)明的有益效果是磨盤基體加固了原來的磨盤面易斷位置，防止了質量隱患，延長了使用壽命，具有結構簡單，加工成本低等優(yōu)點。
文檔編號B24B37/34GK102950539SQ201210499518
公開日2013年3月6日 申請日期2012年11月28日 優(yōu)先權日2012年11月28日
發(fā)明者李海龍, 張雪囡, 蘇榮義, 陳宗永, 郭紅慧, 陳強, 邢玉軍 申請人:天津市環(huán)歐半導體材料技術有限公司