本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種反應(yīng)腔室。

背景技術(shù)：

物理氣相沉積(physicalvapordeposition，pvd)技術(shù)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最廣的一類薄膜制造技術(shù)，指采用物理方法將材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜。

目前pvd技術(shù)主要采用靜電卡盤(esc)對(duì)硅片進(jìn)行支撐，與集成電路銅互連工藝不同的是，硅通孔中的沉積的薄膜厚度較大，薄膜應(yīng)力過大會(huì)導(dǎo)致靜電卡盤無法對(duì)晶片進(jìn)行靜電吸附；并且硅通孔薄膜沉積多出現(xiàn)在后道封裝工藝中，晶片一般被減薄后需要采用粘結(jié)玻璃對(duì)晶片進(jìn)行支撐，靜電卡盤同樣無法對(duì)玻璃基底進(jìn)行靜電吸附。因此在硅通孔的工藝中需要采用壓環(huán)對(duì)硅片進(jìn)行固定。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)一反應(yīng)腔室包括腔室本體1，該反應(yīng)腔室為真空反應(yīng)腔室，晶片2放置于可升降的基座3上，上屏蔽件4和下屏蔽件5用于環(huán)繞包圍形成工藝子腔，上屏蔽件4和下屏蔽件5通過轉(zhuǎn)接法蘭6連接于腔室本體1，壓環(huán)7落放于晶片2上。工藝結(jié)束后，基座3下降到低位，壓環(huán)7與下屏蔽件5接觸，工藝時(shí)，基座3上升到高位，晶片2放置于基座3上，壓環(huán)7落放于晶片2上，離開下屏蔽件5。此時(shí)，基座3、晶片2與壓環(huán)7接觸處于同電位，該電位為高電位；上屏蔽件4、下屏蔽件5、轉(zhuǎn)接法蘭6、腔室本體1相連，同處于接地狀態(tài)。

如圖2所示，壓環(huán)7壓在晶片2上，壓環(huán)7上均勻分布六個(gè)壓爪，工藝時(shí)，基座3上升到高位后希望壓爪能夠盡可能均勻壓 到晶片2邊緣，由于基座3頻繁頂起壓環(huán)7的過程中產(chǎn)生誤差累計(jì)，使壓環(huán)7的位置發(fā)生變化，這樣往往壓環(huán)7位置出現(xiàn)偏移，導(dǎo)致壓爪不能均勻壓到晶片2邊緣使得晶片2出現(xiàn)碎片或晶片2卡在壓環(huán)7的壓爪中的現(xiàn)象。

如圖1所示，當(dāng)壓環(huán)7與下屏蔽件5接觸時(shí)，由于壓環(huán)7與晶片2和基座3處于同電位，而下屏蔽件5處于接地狀態(tài)，就會(huì)在壓環(huán)7與晶片2接觸的位置打火；在射頻電壓較大的工藝條件下，如果壓環(huán)7與下屏蔽件5距離太近，也會(huì)出現(xiàn)壓環(huán)7與晶片2接觸的位置打火的情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種反應(yīng)腔室，避免了壓環(huán)與晶片接觸時(shí)出現(xiàn)打火現(xiàn)象；在射頻電壓較大的工藝條件下，即使壓環(huán)本體與下屏蔽件距離近，也不會(huì)在壓環(huán)本體和晶片之間出現(xiàn)打火現(xiàn)象。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種反應(yīng)腔室，包括用于承載晶片的基座，用于將所述晶片固定在所述基座上的壓環(huán)，用于包圍至少部分腔室壁的上屏蔽件和下屏蔽件；所述基座可升降，當(dāng)所述基座下降至低位時(shí)，所述壓環(huán)與所述下屏蔽件接觸，當(dāng)所述基座上升至高位時(shí)，將所述壓環(huán)從所述下屏蔽件上頂起，以使所述壓環(huán)與所述晶片的外緣接觸；所述反應(yīng)腔室還包括絕緣件，所述絕緣件位于所述壓環(huán)與所述下屏蔽件之間，以使所述下屏蔽件與所述壓環(huán)絕緣。

優(yōu)選的是，所述下屏蔽件的內(nèi)側(cè)設(shè)有豎直向上的凸緣，所述絕緣件與所述壓環(huán)固定連接，所述絕緣件的底部設(shè)有豎直向下的凹槽，所述凹槽用于容納所述凸緣。下屏蔽件的內(nèi)側(cè)的凸緣為下屏蔽件的翻邊處。

優(yōu)選的是，所述凹槽的底部的厚度為3mm～10mm，所述凹槽的側(cè)壁的厚度為3mm～10mm。

優(yōu)選的是，所述凹槽的深度大于所述基座位于高位與低位之 間的高度差。

優(yōu)選的是，所述基座位于高位與低位之間的高度差為2～5mm。

優(yōu)選的是，所述凹槽的寬度和所述凸緣的厚度的差為0.5～1mm。

優(yōu)選的是，當(dāng)所述基座下降至低位時(shí)，所述凹槽的底部與所述凸緣的頂端接觸。

優(yōu)選的是，當(dāng)所述基座上升至高位時(shí)，所述凹槽的底部與所述凸緣的頂端不接觸。

優(yōu)選的是，所述壓環(huán)包括設(shè)置在其內(nèi)緣處的至少三個(gè)壓爪，所述壓爪沿所述壓環(huán)周向均勻分布，當(dāng)所述基座上升至高位時(shí)，所述壓爪與所述晶片的外緣接觸。

優(yōu)選的是，所述下屏蔽件的內(nèi)側(cè)設(shè)有豎直向上的凸緣，所述壓環(huán)的底部設(shè)有豎直向下的凹槽，所述凹槽用于容納所述凸緣，所述絕緣件位于所述凹槽的內(nèi)壁和/或所述凸緣的外壁。

本發(fā)明中的反應(yīng)腔室的絕緣件位于所述壓環(huán)與所述下屏蔽件之間，以使所述下屏蔽件與所述壓環(huán)絕緣，從而避免了壓環(huán)與晶片接觸時(shí)出現(xiàn)打火現(xiàn)象；在射頻電壓較大的工藝條件下，即使壓環(huán)與下屏蔽件距離近，也不會(huì)在壓環(huán)和晶片之間出現(xiàn)打火現(xiàn)象。

附圖說明

圖1是背景技術(shù)中的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是背景技術(shù)中的壓環(huán)的俯視圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例中的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-腔室本體；2-晶片；3-基座；4-上屏蔽件；5-下屏蔽件；6-轉(zhuǎn)接法蘭；7-壓環(huán)；8-壓環(huán)本體；9-凸緣；10-絕緣件；11-絕緣件的凹槽；12-支撐部；13-支撐部的凹槽；14-壓爪。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例

如圖3所示，本實(shí)施例提供一種反應(yīng)腔室，包括用于承載晶片2的基座3，用于將所述晶片2固定在所述基座3上的壓環(huán)7，用于包圍至少部分腔室壁的上屏蔽件4和下屏蔽件5；所述基座3可升降，當(dāng)所述基座3下降至低位時(shí)，所述壓環(huán)7與所述下屏蔽件5接觸，當(dāng)所述基座3上升至高位時(shí)，將所述壓環(huán)7從所述下屏蔽件5上頂起，以使所述壓環(huán)7與所述晶片2的外緣接觸；所述反應(yīng)腔室還包括絕緣件10，所述絕緣件10位于所述壓環(huán)7與所述下屏蔽件5之間，以使所述下屏蔽件5與所述壓環(huán)7絕緣。

本實(shí)施例中的反應(yīng)腔室的絕緣件10位于所述壓環(huán)7與所述下屏蔽件5之間，以使所述下屏蔽件5與所述壓環(huán)7絕緣，從而避免了壓環(huán)7與晶片2接觸時(shí)出現(xiàn)打火現(xiàn)象；在射頻電壓較大的工藝條件下，即使壓環(huán)7與下屏蔽件5距離近，也不會(huì)在壓環(huán)7和晶片2之間出現(xiàn)打火現(xiàn)象。

如圖3所示，優(yōu)選的是，所述下屏蔽件5的內(nèi)側(cè)設(shè)有豎直向上的凸緣9，所述絕緣件10與所述壓環(huán)7固定連接，所述絕緣件10的底部設(shè)有豎直向下的絕緣件的凹槽11，所述絕緣件的凹槽11用于容納所述凸緣9。凸緣9為下屏蔽件5的翻邊處。具體的，所述絕緣件10設(shè)置于所述壓環(huán)7的底部，所述絕緣件10與所述壓環(huán)7通過螺釘固定連接，絕緣件10不導(dǎo)電，絕緣件的凹槽11與凸緣9徑向間隙很近。

優(yōu)選的是，所述絕緣件的凹槽11的底部的厚度為3mm～10mm，所述絕緣件的凹槽11的側(cè)壁的厚度為3mm～10mm。

具體的，本實(shí)施例中反應(yīng)腔室包括腔室本體1，該反應(yīng)腔室為真空反應(yīng)腔室，晶片2放置于基座3上，上屏蔽件4和下屏蔽件5用于環(huán)繞包圍形成工藝子腔，上屏蔽件4和下屏蔽件5通過轉(zhuǎn)接 法蘭6連接于反應(yīng)腔室本體1。工藝結(jié)束后，所述基座3下降到低位，所述壓環(huán)7與下屏蔽件5接觸，工藝時(shí)，所述基座3上升到高位，壓環(huán)7落放于晶片2上,離開所述下屏蔽件5。此時(shí)，基座3、晶片2與壓環(huán)7接觸處于同電位，該電位為高電位；下屏蔽件5、上屏蔽件4、轉(zhuǎn)接法蘭6、腔室本體1相連，同處于接地狀態(tài)。因?yàn)榻^緣件10位于所述壓環(huán)7與所述下屏蔽件5之間，以使所述下屏蔽件5與所述壓環(huán)7絕緣，從而避免了壓環(huán)7與晶片2接觸時(shí)出現(xiàn)打火現(xiàn)象；在射頻電壓較大的工藝條件下，即使壓環(huán)7與下屏蔽件5距離近，也不會(huì)在壓環(huán)7和晶片2之間出現(xiàn)打火現(xiàn)象。

優(yōu)選的是，所述絕緣件的凹槽11的寬度與所述凸緣9的厚度的差為0.5～1mm。

優(yōu)選的是，所述絕緣件的凹槽11的深度大于所述基座3位于高位與低位之間的高度差。這樣，基座3在高位和低位之間移動(dòng)時(shí)，凸緣9仍舊在絕緣件的凹槽11內(nèi)，因此在晶片2隨著基座3進(jìn)行頻繁頂起壓環(huán)7的過程中，絕緣件10的位置只會(huì)在微小的范圍內(nèi)變化，這樣壓環(huán)7的位置也就幾乎不會(huì)發(fā)生變化，通過絕緣件10起到了對(duì)于壓環(huán)7的定位作用，避免了晶片2出現(xiàn)碎片或者晶片2卡在壓環(huán)7中的現(xiàn)象。

優(yōu)選的是，所述基座3位于高位與低位之間的高度差為2～5mm。

優(yōu)選的是，所述絕緣件的凹槽11的底部與所述凸緣9的頂端接觸。

優(yōu)選的是，當(dāng)所述基座3上升至高位時(shí)，所述絕緣件的凹槽11的底部與所述凸緣9的頂端不接觸。

優(yōu)選的是，所述壓環(huán)7包括設(shè)置在其內(nèi)緣處的至少三個(gè)壓爪14，當(dāng)所述基座3上升至高位時(shí)，所述壓爪14與所述晶片2的外緣接觸。

優(yōu)選的是，所述壓爪14沿所述壓環(huán)7周向均勻分布。

優(yōu)選的是，所述絕緣件10的材質(zhì)為耐高溫的非金屬材料。

優(yōu)選的是，所述絕緣件10的材質(zhì)為陶瓷或石英。這樣使得絕 緣件10耐高溫和腐蝕。

優(yōu)選的是，所述下屏蔽件5的內(nèi)側(cè)設(shè)有豎直向上的凸緣9，所述壓環(huán)7的底部設(shè)有豎直向下的凹槽，所述凹槽用于容納所述凸緣9，所述絕緣件10位于所述凹槽的內(nèi)壁和/或所述凸緣的外壁。

如圖4所示，所述壓環(huán)7包括壓環(huán)本體8和設(shè)置于所述壓環(huán)本體8的底部用于對(duì)其進(jìn)行支撐的支撐部12，所述支撐部12的底部設(shè)置有支撐部的凹槽13，該支撐部的凹槽13用于容納所述凸緣9，所述絕緣件10設(shè)置于所述支撐部的凹槽13的內(nèi)壁上。

如圖4所示，優(yōu)選的是，所述絕緣件10沿著所述支撐部的凹槽13的內(nèi)壁形成與所述支撐部的凹槽13的內(nèi)壁相適配的絕緣件的凹槽11，所述絕緣件的凹槽11的深度大于所述晶片2位于高位與所述晶片2位于低位之間的高度差。這樣，晶片2在高位和低位之間移動(dòng)時(shí)，凸緣9仍舊在絕緣件的凹槽11內(nèi)，因此在晶片2隨著基座3進(jìn)行頻繁頂起壓環(huán)7的過程中，支撐部12的位置只會(huì)在微小的范圍內(nèi)變化，這樣壓環(huán)7的位置也就幾乎不會(huì)發(fā)生變化，起到了對(duì)于壓環(huán)7的定位作用，避免了晶片2出現(xiàn)碎片或者晶片2卡在壓環(huán)7中的現(xiàn)象。

優(yōu)選的是，所述凸緣9與所述絕緣件10接觸。這樣有利于壓環(huán)7更好的定位。

如圖5所示，所述絕緣件10設(shè)置于所述凸緣9的外壁上。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。