本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體器芯片制備領(lǐng)域，尤其涉及一種晶片載盤，其應(yīng)用于晶片研磨制程。

背景技術(shù)：

LED加工領(lǐng)域中，要獲得LED 芯粒，需以藍(lán)寶石等為襯底，經(jīng)PSS圖形化、外延MOCVD技術(shù)磊晶，芯片前段工藝制作電極后，交芯片后段進(jìn)行晶片減薄、劃裂成芯粒。

但如附圖1所示，襯底210實(shí)際外延生長(zhǎng)中，由于襯底210邊緣（0~300um）出現(xiàn)PSS圖形212缺失異常，邊緣區(qū)域在外延層220生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)磊晶異常，呈現(xiàn)凸起211狀（高度3~20um）。

晶片進(jìn)入芯片后段減薄工藝前，需通過(guò)上蠟機(jī)使用熔融的粘結(jié)蠟對(duì)晶片進(jìn)行壓蠟固定，后使用吸蠟紙（吸出邊緣擠出的多余蠟）壓蠟冷卻固定，但因現(xiàn)有載盤100’表面平整，如附圖2所示，晶片200邊緣凸起211磊晶會(huì)起到支撐的作用，研磨機(jī)構(gòu)300在下壓研磨的過(guò)程中由于晶片200表示受力的不均勻性，晶片200的研磨表面會(huì)成下凹弧形213，繼而造成減薄下蠟后邊緣芯粒實(shí)際厚度較訂單卡控厚度偏薄，造成外圈芯粒（如4寸影響1~20圈）良率損失，且偏薄異常芯粒易流出，存在較大客訴隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述為問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種晶片載盤，用于所述晶片的減薄工藝，其特征在于：所述載盤上表面具有復(fù)數(shù)個(gè)環(huán)形溝槽，所述環(huán)形溝槽圍繞形成放置晶片的晶片放置區(qū)，所述環(huán)形溝槽的內(nèi)環(huán)直徑即所述晶片放置區(qū)的直徑小于所述晶片的直徑，所述環(huán)形溝槽的外環(huán)直徑大于等于所述晶片的直徑。

優(yōu)選的，所述晶片直徑與所述環(huán)形溝槽內(nèi)環(huán)直徑的差為：0~2mm。

優(yōu)選的，所述環(huán)形溝槽的深度與晶片固定時(shí)滴蠟量m，晶圓直徑d，蠟密度γ，壓蠟層厚度a，晶圓厚度A，載盤厚度X及溝槽寬度W有關(guān)。

優(yōu)選的，所述溝槽的深度為：，其中所述滴蠟量m，晶圓直徑d，蠟密度γ，壓蠟層厚度a，晶圓厚度A，載盤厚度X及溝槽寬度W的單位均為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位。

優(yōu)選的，所述環(huán)形溝槽還包括位于溝槽頂部的弧形倒角。

優(yōu)選的，所述弧形倒角的半徑為0.03~0.07mm。

優(yōu)選的，所述晶片包括一襯底及形成于所述襯底上的外延層。

優(yōu)選的，所述襯底為圖形化襯底，所述襯底由于邊緣圖形的缺失，邊緣具有呈凸結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，相鄰的環(huán)形溝槽可相互連通。

優(yōu)選的，所述載盤為陶瓷盤。

本實(shí)用新型至少具有以下有益效果：減少晶片研磨過(guò)程中出現(xiàn)的晶片邊緣偏薄現(xiàn)象，同時(shí)節(jié)省壓蠟冷卻前需使用吸蠟紙吸出邊緣多余蠟量的工序，多余的蠟則直接流入環(huán)形溝槽內(nèi)，有利用蠟的回收再利用。

附圖說(shuō)明

構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。

圖1現(xiàn)有技術(shù)中晶片結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2 現(xiàn)有技術(shù)中載盤、晶片及研磨機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3 本實(shí)用新型實(shí)施例1之載盤俯視圖。

圖4 本實(shí)用新型實(shí)施例1之載盤及晶片剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5本實(shí)用新型實(shí)施例1之變形實(shí)施方式之載盤俯視圖。

圖6 本實(shí)用新型實(shí)施例2之載盤結(jié)構(gòu)剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)注：100’：現(xiàn)有載盤；100：載盤；110：晶片放置區(qū)；120：環(huán)形溝槽；121：U型結(jié)構(gòu)；122：弧形倒角；200：晶片；210：襯底；211：凸起；212：圖形；213：下凹弧形；220：外延層；300：研磨機(jī)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

參看附圖3和4，本實(shí)施例提出一種晶片載盤100，用于晶片200的減薄工藝，其上表面具有復(fù)數(shù)個(gè)環(huán)形溝槽120，環(huán)形溝槽120圍繞形成放置晶片的晶片放置區(qū)110，設(shè)定環(huán)形溝槽120的內(nèi)環(huán)直徑即晶片放置區(qū)110的直徑小于晶片200的直徑，且環(huán)形溝槽120的外環(huán)直徑大于等于晶片200的直徑，以使晶片200在放置于晶片放置區(qū)110時(shí)，晶片200邊緣呈懸空狀態(tài)。本實(shí)施例優(yōu)選的晶片200包括襯底210及位于所述襯底210上的外延層220，其中襯底210為圖形化襯底，圖形化襯底在制備過(guò)程中由于邊緣圖形212的缺失，邊緣具有凸起211結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，本實(shí)用新提供的晶片載盤100也適用于平片襯底制備的晶片的研磨工藝。

為了滿足晶片200能較大面積的位于晶片200放置區(qū)110上，使得在研磨過(guò)程中，晶片200受力均勻，又要求晶片200邊緣凸起211能位置環(huán)形溝槽120內(nèi)，防止在研磨過(guò)程中出現(xiàn)的晶片200邊緣偏薄現(xiàn)象；我們?cè)O(shè)定晶片200的直徑與環(huán)形溝槽120的內(nèi)環(huán)直徑差為：0~2mm。

環(huán)形溝槽120的作用除了容置晶片200邊緣凸起211，還可以在容置上蠟過(guò)程中多余的蠟，減少現(xiàn)有工藝中需要使用吸蠟紙吸除多余蠟的過(guò)程造成的人力物力的浪費(fèi)。因此環(huán)形溝槽120的深度H與晶片200固定時(shí)滴蠟量m、晶圓直徑d、蠟密度γ、壓蠟層厚度a、晶圓厚度A、陶瓷盤厚度X及溝槽寬度W有關(guān)，其具體的關(guān)系式為，其中滴蠟量m，晶圓直徑d，蠟密度γ，壓蠟層厚度a，晶圓厚度A，載盤厚度X及溝槽寬度W的單位均為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位。

繼續(xù)參看附圖3~4，載盤100可以為圓形的陶瓷盤，其上可以同時(shí)設(shè)置3個(gè)晶片200放置區(qū)110，每一晶片200放置區(qū)110周圍均設(shè)置有一環(huán)形溝槽120，而環(huán)形溝槽120的剖視圖為U型結(jié)構(gòu)121，晶片200的邊緣凸起部分懸置于環(huán)形溝槽120內(nèi)，而非凸起部分則位于晶片200放置區(qū)110上。如此設(shè)置的晶片200在研磨機(jī)構(gòu)下壓研磨時(shí)晶片200的研磨面則不會(huì)出現(xiàn)下凹的弧形，進(jìn)而也就避免了研磨后晶片200邊緣偏薄的現(xiàn)象，提高晶片200邊緣良率。

在一變形實(shí)施方式中，參看附圖5，相鄰的環(huán)形溝槽120可相互連通，以增大多余蠟的容積量。當(dāng)然環(huán)形溝槽120與晶片200邊緣可設(shè)置一蠟流出通道。

實(shí)施例2

本實(shí)施例與實(shí)施例1不同之處在于：本實(shí)施例中的環(huán)形溝槽120由由位于溝槽底部U型結(jié)構(gòu)121及位于溝槽頂部弧形倒角122組成?；⌒蔚菇?22的半徑為0.03~0.07mm，弧形倒角122的設(shè)計(jì)一方面可以分散壓蠟時(shí)晶片200邊緣對(duì)載盤100溝槽上臂應(yīng)力損傷，減少芯粒刮傷；另一方面，圓弧形倒角122坡面利于余蠟擠出時(shí)流動(dòng)速度，降低邊緣外延凸起對(duì)蠟擠出阻力。

應(yīng)當(dāng)理解的是，上述具體實(shí)施方案為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)用新型的范圍不限于該實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型所做的任何變更，皆屬本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。