光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法
【專利摘要】光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法。本發(fā)明涉及一種光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法。本制備方法包括步驟一：選擇石英襯底；步驟二：將石英襯底超聲清洗10~20分鐘；步驟三：將超聲清洗后的石英襯底氣吹干；步驟四：將氧化鋅ZnO綁定在銅背板上，組成ZnO靶；步驟五：將ZnO靶與石英襯底均置于射頻磁控濺射儀的射頻濺射射源內(nèi)；步驟六：在射頻磁控濺射儀的直流濺射射源內(nèi)裝入銀Ag靶；步驟七：將射頻磁控濺射儀抽真空；步驟八：將抽真空后的射頻磁控濺射儀運(yùn)行30~60分鐘；步驟九：將運(yùn)行30~60分鐘的射頻磁控濺射儀關(guān)閉，并取出制備完成的Ag摻雜ZnO的薄膜。本發(fā)明用于光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料。
【專利說(shuō)明】
光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在光輻照下，半導(dǎo)體納米材料的導(dǎo)電會(huì)發(fā)生變化，進(jìn)而增強(qiáng)場(chǎng)電子發(fā)射性質(zhì)。而場(chǎng)致發(fā)射在諸多光電子器件中有著十分廣泛而重要的應(yīng)用，如場(chǎng)致發(fā)射顯不器、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡和微波器件等，而這些器件重要的問(wèn)題之一就是設(shè)計(jì)并研究性能優(yōu)異的場(chǎng)發(fā)射材料。
[0003]被稱為萬(wàn)能材料的ZnO，由于具有寬能帶、高激子結(jié)合能、復(fù)雜的本征缺陷、超快的響應(yīng)時(shí)間等特點(diǎn)，使其作為優(yōu)異的非線性光學(xué)材料，已經(jīng)得到廣泛研究和應(yīng)用。特別是大的擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高的載流子迀移率，大的發(fā)射電流，使得它在場(chǎng)發(fā)射研究領(lǐng)域倍受青睞。目前ZnO場(chǎng)發(fā)射特性研究方面，制備方法主要集中在化學(xué)方法制備的一維納米材料，并且主要針對(duì)ZnO本身研究較多。然而，近年來(lái)由于半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)設(shè)想的提出和制作技術(shù)的重大突破，實(shí)現(xiàn)了不同金屬元素?fù)诫sZnO的各種微納結(jié)構(gòu)復(fù)合材料制備，使得ZnO半導(dǎo)體材料非線性光學(xué)性質(zhì)和光電器件應(yīng)用性能得到了很大改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，用以解決上述問(wèn)題，提供的Ag摻ZnO納米薄膜材料的制備方法，證明了其具有強(qiáng)的光場(chǎng)發(fā)射性能；該方法提高了薄膜型ZnO的場(chǎng)發(fā)射電流密度，減小了場(chǎng)發(fā)射開啟場(chǎng)強(qiáng)。
[0005]上述的目的通過(guò)以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，本制備方法包括
步驟一:選擇石英襯底；
步驟二:將石英襯底超聲清洗10?20分鐘；
步驟三:將超聲清洗后的石英襯底氣吹干；
步驟四:將氧化鋅ZnO綁定在銅背板上，組成ZnO靶；
步驟五:將ZnO靶與石英襯底均置于射頻磁控濺射儀的射頻濺射射源內(nèi)；
步驟六:在射頻磁控濺射儀的直流濺射射源內(nèi)裝入銀Ag靶；
步驟七:將射頻磁控濺射儀抽真空；
步驟八:將抽真空后的射頻磁控濺射儀運(yùn)行30?60分鐘；
步驟九:將運(yùn)行30?60分鐘的射頻磁控濺射儀關(guān)閉，并取出制備完成的Ag摻雜ZnO的薄膜。
[0006]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟一中:選擇石英襯底后先進(jìn)行雙面拋光。
[0007 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟二中:將石英襯底超聲清洗的過(guò)程是:首先將石英襯底放入無(wú)水乙醇中超聲清洗10?20分鐘，取出后在去離子超聲清洗10?20分鐘。
[0008]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟三中:將超聲清洗后的石英襯底用純氮?dú)獯蹈伞?br>[0009 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟四中:將氧化鋅ZnO片連接在銅背板上，組成ZnO靶。
[0010 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟五中:將ZnO靶與石英襯底均放置在底座后，再置于射頻磁控濺射儀的射頻濺射射源內(nèi)。
[0011 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟六中:在射頻磁控濺射儀的直流濺射射源內(nèi)裝入銀Ag靶，Ag靶為Ag片。
[00?2 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟七中:將射頻磁控濺射儀按照壓強(qiáng)為6.0XlO-4 Pa進(jìn)行抽真空。
[00?3 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟八中:射頻磁控濺射儀運(yùn)行按照以下條件進(jìn)行運(yùn)行:射頻濺射源的功率為80W?120W，直流濺射源的功率為15W-25W，工作氣壓為I?3Pa，射頻磁控濺射儀內(nèi)的濺射氣體為純氬氣Ar，純氧氣02作為反應(yīng)氣體，純氬氣Ar與純氧氣O2的體積比為2:1，石英襯底的溫度保持在90° O
IlO0Co
[0014]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，制得的Ag摻雜ZnO薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性的測(cè)試包含以下步驟:
步驟一:將制得的Ag摻雜ZnO薄膜切割成0.5cm2作為陰極，將銅電極作為陽(yáng)極；
步驟二:用玻璃絲將陰極與陽(yáng)極隔離，間隔距離為100微米；
步驟三:在陰極與陽(yáng)極之間加可調(diào)節(jié)電壓；
步驟四:將準(zhǔn)備好的陰極與陽(yáng)極送入KEITHLEY2410真空測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試。
[0015]有益效果:
1.本發(fā)明采用半導(dǎo)體摻雜技術(shù)，解決現(xiàn)有的薄膜型ZnO發(fā)射材料場(chǎng)發(fā)射開啟電壓大、發(fā)射電流密度小的不足，為新一代平板顯示器-場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)提供性能優(yōu)良的發(fā)射材料及制備方法。
[0016]2.本發(fā)明的Ag摻雜提高了ZnO薄膜的費(fèi)米能級(jí)，降低了其功函數(shù)，即一定程度上降低了表面隧穿勢(shì)皇高度，增大了場(chǎng)發(fā)射電流密度。
[0017]3.本發(fā)明的Ag原子在晶格中更多的以替代Zn位形式存在。能形成更多的正電子中心和施主能級(jí)。由于正電中心的束縛力比晶格對(duì)參加離子鍵的價(jià)電子的束縛能力小的多，因此將會(huì)有更多的電子解脫束縛而熱激發(fā)到導(dǎo)帶，從而提供了更多的電子源，提高了場(chǎng)發(fā)射電流密度。
[0018]【附圖說(shuō)明】:
附圖1是本發(fā)明Ag摻雜ZnO薄膜的XRD圖譜。
[0019]附圖2是本發(fā)明Ag摻雜ZnO薄膜的參考尺度為I微米的掃描電鏡(SEM)圖。
[0020]附圖3是本發(fā)明Ag摻雜ZnO薄膜的參考尺度為500納米的掃描電鏡(SEM)圖附圖4是本發(fā)明Ag、Zn與O的示意圖。
[0021 ]附圖5是本發(fā)明Ag摻雜ZnO薄膜的EDX圖譜。
[0022]附圖6是本發(fā)明Ag摻雜ZnO的Ag-Zn site圖。
[0023]附圖7是本發(fā)明Ag摻雜ZnO的Ag-Osite圖。
[0024]附圖8是本發(fā)明Ag慘雜ZnO的Agon interstitial site圖。
[0025]附圖9是本發(fā)明不同光功率Ag摻雜ZnO薄膜的J-E曲線。
[0026]附圖10是本發(fā)明不同光功率Ag摻雜ZnO薄膜的F-N曲線。
[0027]【具體實(shí)施方式】:
實(shí)施例1
一種光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，本制備方法包括
步驟一:選擇石英襯底；
步驟二:將石英襯底超聲清洗10?20分鐘(優(yōu)選15分鐘)；
步驟三:將超聲清洗后的石英襯底氣吹干；
步驟四:將氧化鋅ZnO綁定在銅背板上，組成ZnO靶；
步驟五:將ZnO靶與石英襯底均置于射頻磁控濺射儀的射頻濺射射源內(nèi)；
步驟六:在射頻磁控濺射儀的直流濺射射源內(nèi)裝入銀Ag靶；
步驟七:將射頻磁控濺射儀抽真空；
步驟八:將抽真空后的射頻磁控濺射儀運(yùn)行30-60分鐘(優(yōu)選30分鐘)；
步驟九:將運(yùn)行30-60分鐘(優(yōu)選30分鐘)的射頻磁控濺射儀關(guān)閉，并取出制備完成的Ag摻雜ZnO的薄膜。
[0028]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟一中:選擇石英襯底后先進(jìn)行雙面拋光。
[0029 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟二中:將石英襯底超聲清洗的過(guò)程是:首先將石英襯底放入無(wú)水乙醇中超聲清洗10?20分鐘(優(yōu)選15分鐘)，取出后在去離子超聲清洗10?20分鐘(優(yōu)選15分鐘)。
[0030 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟三中:將超聲清洗后的石英襯底用純氮?dú)獯蹈伞?br>[0031 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟四中:將氧化鋅ZnO片連接在銅背板上，組成ZnO靶。
[0032 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟五中:將ZnO靶與石英襯底均放置在底座后，再置于射頻磁控濺射儀的射頻濺射射源內(nèi)。
[0033 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟六中:在射頻磁控濺射儀的直流濺射射源內(nèi)裝入銀Ag靶，Ag靶為Ag片。
[0034]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟七中:將射頻磁控濺射儀按照壓強(qiáng)為6.0XlO-4 Pa進(jìn)行抽真空。
[0035 ]所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，步驟八中:射頻磁控濺射儀運(yùn)行按照以下條件進(jìn)行運(yùn)行:射頻濺射源的功率為80W?120W(優(yōu)選100W)，直流濺射源的功率為15W~25W(優(yōu)選20W)，工作氣壓為I?3Pa(優(yōu)選IPa)，射頻磁控濺射儀內(nèi)的濺射氣體為純氬氣Ar，純氧氣O2作為反應(yīng)氣體，純氬氣Ar與純氧氣O2的體積比為2:I，石英襯底的溫度保持在90° Ol 10° C。
[0036]實(shí)施例2
實(shí)施例1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，制得的Ag摻雜ZnO薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性的測(cè)試包含以下步驟:
步驟一:將制得的Ag摻雜ZnO薄膜切割成0.5cm2作為陰極，將銅電極作為陽(yáng)極；
步驟二:用玻璃絲將陰極與陽(yáng)極隔離，間隔距離為100微米；
步驟三:在陰極與陽(yáng)極之間加可調(diào)節(jié)電壓；
步驟四:將準(zhǔn)備好的陰極與陽(yáng)極送入KEITHLEY2410真空測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試。
[0037]現(xiàn)11'!11^￥2410真空測(cè)試系統(tǒng)的真空度為6.0\10—4?&，紫外光由氙燈提供，波長(zhǎng)為365 nm，頻率是50 Hz，功率為20 W。當(dāng)場(chǎng)發(fā)射電流密度為10—6A/cm2時(shí)，陽(yáng)極和陰極摻Ag的ZnO薄膜之間所加的最低電壓為開啟電壓，對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)為開啟電場(chǎng)。
[0038]實(shí)施例3
實(shí)施例2所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，對(duì)制得的Ag摻雜ZnO薄膜進(jìn)行場(chǎng)發(fā)射測(cè)試，在不同光功率下，其開啟電場(chǎng)值14.3 V/μπι得到最大電流值為0.35μΑ，
電場(chǎng)值13.6 V/μπι得到最大電流值為0.46μΑ，
電場(chǎng)值13.8 V/μπι得到最大電流值為7.35μΑ，
電場(chǎng)值14 V/μπι得到最大電流值為10.59μΑ，
電場(chǎng)值15.2 V/μπι得到最大電流值為12.86μΑ。
[0039]本發(fā)明提供了采用本發(fā)明的材料分析其光場(chǎng)發(fā)射特性的結(jié)果，證明了所述Ag摻雜ZnO薄膜材料與所述純ZnO薄膜相比，其具有強(qiáng)的光場(chǎng)發(fā)射性能。
[0040]
參照?qǐng)D1所示，說(shuō)明摻雜Ag并不會(huì)改變ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，薄膜仍然是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。但是摻Ag后薄膜衍射峰的半峰寬略微變大，主峰位置稍微向小角偏移，說(shuō)明摻Ag后的薄膜結(jié)晶性稍微有所下降；
參照?qǐng)D2與3所示，可見表面均勻分布的帶有納米葉Ag摻雜ZnO薄膜材料，薄膜略有粗糙度，但變化不大。但摻Ag后的薄膜表面微尖端較密，這也反應(yīng)了摻雜后薄膜結(jié)晶性略微下降；
參照?qǐng)D4所不，銀原子成功慘入ΖηΟ，并確定了 Zn，0，Ag原子百分比和質(zhì)莖百分比。
[0041]參照?qǐng)D5-8所示，根據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道銀原子摻入ZnO，主要存在三種情況(I)取代Zn摻雜；(2)間隙摻雜；(3)取代O摻雜;本實(shí)驗(yàn)條件下，根據(jù)數(shù)據(jù)結(jié)果證明主要是第一種情況。
[0042]參照?qǐng)D9所示，不同光功率條件下，光功率越大，電流曲線提升的越高，電流增加的幅度越大。并且Ag摻雜ZnO薄膜開啟電場(chǎng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于未摻雜ZnO薄膜的開啟電場(chǎng)，且Ag摻雜ZnO薄膜的電流密度比未摻雜的ZnO薄膜電流密度整體提高了 4-5個(gè)數(shù)量級(jí)。不同功率光照下，電流曲線有上升的趨勢(shì)，電流增大。光照使得發(fā)射電流增大的原因:光照使得來(lái)自價(jià)帶和價(jià)帶附近受主能級(jí)的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中，增加了電子密度，增加了電子發(fā)射幾率，使得電流增大。
[0043]參照?qǐng)D10所示，在高場(chǎng)下F-N曲線近似為直線，說(shuō)明在較高的電場(chǎng)下為隧穿電子發(fā)射。同時(shí)，由于電場(chǎng)能量增加，摻雜和加光使得價(jià)帶電子也開始發(fā)射，可見光照射，價(jià)帶電子吸收光子，使得高電場(chǎng)區(qū)電流得到更顯著的提高。F-N曲線與高場(chǎng)下不同，較為平緩，即有掃尾現(xiàn)象。這種現(xiàn)象可能是由于在低場(chǎng)下有部分熱電子參與發(fā)射，加之表面吸附的一些極易電離的粒子，在低電場(chǎng)作用下就能輕易的越過(guò)表面勢(shì)皇發(fā)射到真空中。
[0044]當(dāng)然，上述說(shuō)明并非是對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明也并不僅限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:本制備方法包括 步驟一:選擇石英襯底； 步驟二:將石英襯底超聲清洗10?20分鐘； 步驟三:將超聲清洗后的石英襯底氣吹干； 步驟四:將氧化鋅ZnO綁定在銅背板上，組成ZnO靶； 步驟五:將ZnO靶與石英襯底均置于射頻磁控濺射儀的射頻濺射射源內(nèi)； 步驟六:在射頻磁控濺射儀的直流濺射射源內(nèi)裝入銀Ag靶； 步驟七:將射頻磁控濺射儀抽真空； 步驟八:將抽真空后的射頻磁控濺射儀運(yùn)行30?60分鐘； 步驟九:將運(yùn)行30?60分鐘的射頻磁控濺射儀關(guān)閉，并取出制備完成的Ag摻雜ZnO的薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:步驟一中:選擇石英襯底后先進(jìn)行雙面拋光。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:步驟二中:將石英襯底超聲清洗的過(guò)程是:首先將石英襯底放入無(wú)水乙醇中超聲清洗10?20分鐘，取出后在去離子超聲清洗10?20分鐘。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:步驟三中:將超聲清洗后的石英襯底用純氮?dú)獯蹈伞?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:步驟四中:將氧化鋅ZnO片連接在銅背板上，組成ZnO靶。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:步驟五中:將ZnO靶與石英襯底均放置在底座后，再置于射頻磁控濺射儀的射頻濺射射源內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:步驟六中:在射頻磁控濺射儀的直流濺射射源內(nèi)裝入銀Ag靶，Ag靶為Ag片。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:步驟七中:將射頻磁控濺射儀按照壓強(qiáng)為6.0XlO-4 Pa進(jìn)行抽真空。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:步驟八中:射頻磁控濺射儀運(yùn)行按照以下條件進(jìn)行運(yùn)行:射頻濺射源的功率為80W?120W，直流濺射源的功率為15W-25W，工作氣壓為I?3Pa，射頻磁控濺射儀內(nèi)的濺射氣體為純氬氣Ar，純氧氣O2作為反應(yīng)氣體，純氬氣Ar與純氧氣O2的體積比為2: I，石英襯底的溫度保持在90° Ol 10° C。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光場(chǎng)輔助Ag摻雜ZnO強(qiáng)發(fā)射性能帶有納米葉的薄膜材料及其制備方法，其特征是:制得的Ag摻雜ZnO薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性的測(cè)試包含以下步驟: 步驟一:將制得的Ag摻雜ZnO薄膜切割成0.5cm2作為陰極，將銅電極作為陽(yáng)極； 步驟二:用玻璃絲將陰極與陽(yáng)極隔離，間隔距離為100微米； 步驟三:在陰極與陽(yáng)極之間加可調(diào)節(jié)電壓；步驟四:將準(zhǔn)備好的陰極與陽(yáng)極送入KEITHLEY2410真空測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試。
【文檔編號(hào)】C23C14/02GK106086803SQ201610493441
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月29日
【發(fā)明人】姚成寶, 楊守斌, 勵(lì)強(qiáng)華, 張可心, 文杏
【申請(qǐng)人】哈爾濱師范大學(xué)