一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及真空的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前的真空鍍膜技術(shù)中，真空射頻濺射鍍膜技術(shù)是一種常用的鍍膜技術(shù)之一，由于它具有成膜均勻度高、附著力強(qiáng)等特點(diǎn)，在集成電路和固體電子器件的生產(chǎn)中得到廣泛的應(yīng)用。為了提高薄膜的性能，經(jīng)常需要給襯底加熱，因?yàn)橐r底溫度與薄膜性能有十分緊密的聯(lián)系，如ZnO薄膜的擇優(yōu)取向、內(nèi)應(yīng)力等參數(shù)，然而在鍍膜過程中，襯底暴露于真空室內(nèi)，由于工作氣體在電場(chǎng)作用下發(fā)生電離，真空室內(nèi)存在大量帶電粒子，這些帶電粒子很容易在加熱導(dǎo)線間聚集放電而形成短路，導(dǎo)致燒毀保險(xiǎn)絲或電阻絲而導(dǎo)致加熱無法進(jìn)行。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型為克服上述現(xiàn)有技術(shù)所述的至少一種缺陷，提供一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，僅有加熱片上的凹槽暴露在真空室內(nèi)，有效防止了帶電粒子在加熱導(dǎo)線間放電而形成短路。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，其中，包括屏蔽盒、法蘭、接線柱、熱電偶、導(dǎo)電片、加熱片夾具、加熱片，所述的熱電偶、導(dǎo)電片、加熱片夾具均置于屏蔽盒內(nèi)；
[0005]所述的法蘭包括熱電偶法蘭和導(dǎo)電片法蘭，所述的熱電偶一端與熱電偶法蘭固定，另一端延伸到加熱片上;接線柱設(shè)于熱電偶法蘭和導(dǎo)電片法蘭上；
[0006]導(dǎo)電片法蘭上的接線柱連接導(dǎo)電片，導(dǎo)電片一側(cè)設(shè)有加熱片夾具，加熱片夾具之間夾緊加熱片；
[0007]所述的屏蔽盒在兩加熱片夾具之間上方開有一個(gè)窗口。
[0008]進(jìn)一步的，所述的加熱片上設(shè)有凹槽，凹槽內(nèi)放置襯底，使加熱片上的凹槽能暴露于真空室中。
[0009]進(jìn)一步的，所述的熱電偶位于襯底上方0.5?2cm，通過熱電偶法蘭外端的接線柱與外電路連接。
[0010]進(jìn)一步的，所述的導(dǎo)電片為波浪形銅片，位于加熱片夾具和導(dǎo)電片法蘭之間，連接導(dǎo)電片法蘭上端的接線柱，有效防止加熱和冷卻過程中由于熱脹冷縮而產(chǎn)生的拉伸效應(yīng)。
[0011]進(jìn)一步的，所述的加熱片夾具上設(shè)有兩顆固定螺絲，用于固定加熱片。所述的加熱片是低阻硅片。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果是:本實(shí)用新型將加熱片固定在兩加熱片夾具之間，調(diào)節(jié)輸入電流的大小即可對(duì)襯底進(jìn)行加熱。由于采用了屏蔽盒的設(shè)計(jì)并且加熱導(dǎo)線之間距離較遠(yuǎn)，僅有加熱片上的凹槽暴露在真空室內(nèi)，有效防止了帶電粒子在加熱導(dǎo)線間放電而形成短路。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型真空鍍膜襯底高溫加熱裝置全圖。
[0014]圖2是本實(shí)用新型真空鍍膜襯底高溫加熱裝置具體工件圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]附圖僅用于示例性說明，不能理解為對(duì)本專利的限制;為了更好說明本實(shí)施例，附圖某些部件會(huì)有省略、放大或縮小，并不代表實(shí)際產(chǎn)品的尺寸;對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，附圖中某些公知結(jié)構(gòu)及其說明可能省略是可以理解的。附圖中描述位置關(guān)系僅用于示例性說明，不能理解為對(duì)本專利的限制。
[0016]如圖1、2所示，一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，其中，包括屏蔽盒1、法蘭、接線柱
3、熱電偶4、導(dǎo)電片5、加熱片夾具6、加熱片8，熱電偶4、導(dǎo)電片5、加熱片夾具6均置于屏蔽盒I內(nèi)；
[0017]法蘭包括熱電偶法蘭21和導(dǎo)電片法蘭22，熱電偶4 一端與熱電偶法蘭21固定，另一端延伸到加熱片8上;接線柱3設(shè)于熱電偶法蘭21和導(dǎo)電片法蘭22上；
[0018]導(dǎo)電片法蘭22上的接線柱3連接導(dǎo)電片5，導(dǎo)電片5—側(cè)設(shè)有加熱片夾具6，加熱片夾具6之間夾緊加熱片8;
[0019]屏蔽盒I在兩加熱片夾具6之間上方開有一個(gè)窗口，使襯底能暴露于真空室中。
[0020]熱電偶4位于襯底上方lcm，通過熱電偶法蘭21外端的接線柱3與外電路連接，所述的導(dǎo)電片5為2cm寬的波浪形純銅片，位于加熱片夾具6和導(dǎo)電片法蘭22之間，連接導(dǎo)電片法蘭22上端的接線柱，有效防止加熱和冷卻過程中由于熱脹冷縮而產(chǎn)生的拉伸效應(yīng);所述的加熱片夾具6上均有兩顆固定螺絲7，用于固定加熱片；所述的加熱片8是低阻硅片，低阻硅片上留有放置襯底的凹槽9;所有電源來源均通過屏蔽盒外的接線柱連接外電路得到。
[0021]工作原理:我們把真空鍍膜襯底高溫加熱裝置固定于真空室內(nèi)，連接好外電路，通過調(diào)節(jié)輸入電流的大小控制襯底加熱的溫度，襯底溫度由熱電偶連接的溫度顯示儀可直接顯示。由于采用了屏蔽盒的設(shè)計(jì)并且加熱導(dǎo)線之間距離較遠(yuǎn)，僅有襯底暴露在真空室內(nèi)，使得可以實(shí)現(xiàn)襯底加熱的同時(shí)，又有效防止了帶電粒子在加熱導(dǎo)線間放電而形成短路。
[0022]顯然，本實(shí)用新型的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本實(shí)用新型所作的舉例，而并非是對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，其特征在于，包括屏蔽盒(1)、法蘭、接線柱(3)、熱電偶(4)、導(dǎo)電片(5)、加熱片夾具(6)、加熱片(8)，所述的熱電偶(4)、導(dǎo)電片(5)、加熱片夾具(6)均置于屏蔽盒(I)內(nèi)； 所述的法蘭包括熱電偶法蘭(21)和導(dǎo)電片法蘭(22)，所述的熱電偶(4) 一端與熱電偶法蘭(21)固定，另一端延伸到加熱片(8)上;接線柱(3)設(shè)于熱電偶法蘭(21)和導(dǎo)電片法蘭(22)上; 導(dǎo)電片法蘭(22)上的接線柱(3)連接導(dǎo)電片(5)，導(dǎo)電片(5)—側(cè)設(shè)有加熱片夾具(6)，加熱片夾具(6)之間夾緊加熱片(8)； 所述的屏蔽盒(I)在兩加熱片夾具(6)之間上方開有一個(gè)窗口。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，其特征在于:所述的加熱片(8)上設(shè)有凹槽(9)，凹槽(9)內(nèi)放置襯底。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，其特征在于:所述的熱電偶(4 )位于襯底上方0.5?2 cm，通過熱電偶法蘭(21)外端的接線柱(3 )與外電路連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，其特征在于:所述的導(dǎo)電片(5)為波浪形銅片，位于加熱片夾具(6)和導(dǎo)電片法蘭(22)之間，連接導(dǎo)電片法蘭(22)上端的接線柱。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，其特征在于:所述的加熱片夾具(6)上設(shè)有兩顆固定螺絲(7)，用于固定加熱片(8)。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，其特征在于:所述的加熱片(8)是低阻硅片。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及真空的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置。一種真空鍍膜襯底高溫加熱裝置，包括屏蔽盒、法蘭、接線柱、熱電偶、導(dǎo)電片、加熱片夾具、加熱片，熱電偶、導(dǎo)電片、加熱片夾具均置于屏蔽盒內(nèi)；所述的法蘭包括熱電偶法蘭和導(dǎo)電片法蘭，所述的熱電偶一端與熱電偶法蘭固定，另一端延伸到加熱片上；接線柱設(shè)于熱電偶法蘭和導(dǎo)電片法蘭上；導(dǎo)電片法蘭上的接線柱連接導(dǎo)電片，導(dǎo)電片一側(cè)設(shè)有加熱片夾具，加熱片夾具之間夾緊加熱片；所述的屏蔽盒在兩加熱片夾具之間上方開有一個(gè)窗口。由于采用了屏蔽盒的設(shè)計(jì)并且加熱導(dǎo)線之間距離較遠(yuǎn)，僅有加熱片上的凹槽暴露在真空室內(nèi)，有效防止了帶電粒子在加熱導(dǎo)線間放電而形成短路。
【IPC分類】C23C14/54
【公開號(hào)】CN205368491
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620141448
【發(fā)明人】廖峻, 張軍, 邵樂喜, 李達(dá), 莫德云, 王磊
【申請(qǐng)人】嶺南師范學(xué)院
【公開日】2016年7月6日
【申請(qǐng)日】2016年2月25日