節(jié)省邊料的多晶硅坩堝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及化學(xué)儀器領(lǐng)域，尤其涉及一種省邊料的多晶硅坩禍。
【背景技術(shù)】
[0002]坩禍?zhǔn)腔瘜W(xué)儀器的重要組成部分，它是熔化和精煉金屬液體以及固液加熱、反應(yīng)的容器，是保證化學(xué)反應(yīng)順利進行的基礎(chǔ)。
[0003]由于坩禍的穩(wěn)定化學(xué)性能要求，因此，制造坩禍的材料都是比較珍貴的，在制造坩禍時除了需要把控制造成品的性能品質(zhì)，同時也需要盡量節(jié)約坩禍的邊角料，降低坩禍的制造成本。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型的目的是:提供一種節(jié)省邊料的多晶硅坩禍，結(jié)構(gòu)合理，采用上端沿削尖結(jié)構(gòu)，使模具制造多晶硅坩禍過程中減少廢料，從而節(jié)省邊料，降低制造成本。
[0005]為了解決【背景技術(shù)】中的技術(shù)問題，本實用新型提供了一種節(jié)省邊料的多晶硅坩禍，包括坩禍本體和坩禍蓋體，其中，所述坩禍本體的上端沿為削尖狀，所述坩禍蓋體的下側(cè)面設(shè)有長方形圈狀凹槽，當(dāng)所述坩禍蓋體蓋設(shè)于所述坩禍本體上時，所述削尖狀的坩禍本體的上端沿容置于所述長方形圈狀凹槽內(nèi)。
[0006]優(yōu)選地，所述坩禍本體的下端面為光滑平面結(jié)構(gòu)。
[0007]優(yōu)選地，所述坩禍本體的側(cè)壁和下端面的交接處為非直角狀，所述側(cè)壁和下端面通過弧面連接。
[0008]進一步地，所述坩禍本體為一正方體容器，所述坩禍本體的邊長范圍為0.8-lm。
[0009]采用上述技術(shù)方案，本實用新型的省邊料的多晶硅坩禍結(jié)構(gòu)合理，采用上端沿削尖結(jié)構(gòu)，使模具制造多晶硅坩禍過程中減少廢料，從而節(jié)省邊料，降低制造成本。
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實用新型的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它附圖。
[0011]圖1是本實用新型實施例提供的省邊料的多晶硅坩禍的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]其中，圖中附圖標(biāo)記對應(yīng)為:1-坩禍本體1，2-坩禍蓋體。
【具體實施方式】
[0013]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0014]實施例:圖1為本實用新型實施例提供的省邊料的多晶硅坩禍的結(jié)構(gòu)示意圖，從圖中可以清楚地看出，本實施例提供的省邊料的多晶硅坩禍包括坩禍本體1和坩禍蓋體2，其中，所述坩禍本體1的上端沿為削尖狀，所述坩禍蓋體2的下側(cè)面設(shè)有長方形圈狀凹槽，當(dāng)所述坩禍蓋體1蓋設(shè)于所述坩禍本體1上時，所述削尖狀的坩禍本體1的上端沿容置于所述長方形圈狀凹槽內(nèi)。
[0015]優(yōu)選地，所述坩禍本體1的下端面為光滑平面結(jié)構(gòu)。
[0016]優(yōu)選地，所述坩禍本體1的側(cè)壁和下端面的交接處為非直角狀，所述側(cè)壁和下端面通過弧面連接。
[0017]相應(yīng)地，制造多晶硅坩禍的模具內(nèi)腔也設(shè)置為與所述坩禍本體1和坩禍蓋體2形狀一樣，由于坩禍本體1的上端沿為削尖狀，因此，在模具中成型后的多晶硅坩禍原體的邊角料與產(chǎn)品只有薄薄的線狀連接，不僅節(jié)省了邊角料，而且在去除邊角料時省時省力，不容易對坩禍產(chǎn)品造成損壞，降低了工藝成本，提高了產(chǎn)品合格率。
[0018]進一步地，由于坩禍本體1的側(cè)壁和下底面為非直角狀，因此在模具成型過程中，在坩禍本體1的側(cè)壁和下底面連接處不會產(chǎn)生邊料，不僅節(jié)省了邊料，還提高了產(chǎn)品成型的效率。
[0019]進一步地，所述坩禍本體1為一正方體容器，所述坩禍本體1的邊長范圍為0.8-lm0
[0020]本實用新型的省邊料的多晶硅坩禍結(jié)構(gòu)合理，采用上端沿削尖結(jié)構(gòu)，使模具制造多晶硅坩禍過程中減少廢料，從而節(jié)省邊料，降低制造成本。
[0021]以上所揭露的僅為本實用新型的幾種較佳實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本實用新型之權(quán)利范圍，因此依本實用新型權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本實用新型所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項】
1.省邊料的多晶硅坩禍，其特征在于，包括坩禍本體(1)和坩禍蓋體(2)，其中，所述坩禍本體(1)的上端沿為削尖狀，所述坩禍蓋體(2)的下側(cè)面設(shè)有長方形圈狀凹槽，當(dāng)所述坩禍蓋體(2)蓋設(shè)于所述坩禍本體(1)上時，所述削尖狀的坩禍本體(1)的上端沿容置于所述長方形圈狀凹槽內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的省邊料的多晶硅坩禍，其特征在于，所述坩禍本體(1)的下端面為光滑平面結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的省邊料的多晶硅坩禍，其特征在于，所述坩禍本體(1)的側(cè)壁和下端面的交接處為非直角狀，所述側(cè)壁和下端面通過弧面連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的省邊料的多晶硅坩禍，其特征在于，所述坩禍本體(1)為一正方體容器，所述坩禍本體(1)的邊長范圍為0.8-lm。
【專利摘要】本實用新型涉及石英陶瓷領(lǐng)域，公開了一種省邊料的多晶硅坩堝，包括坩堝本體和坩堝蓋體，其中，所述坩堝本體的上端沿為削尖狀，所述坩堝蓋體的下側(cè)面設(shè)有長方形圈狀凹槽，當(dāng)所述坩堝蓋體蓋設(shè)于所述坩堝本體上時，所述削尖狀的坩堝本體的上端沿容置于所述長方形圈狀凹槽內(nèi)。本實用新型的省邊料的多晶硅坩堝結(jié)構(gòu)合理，采用上端沿削尖結(jié)構(gòu)，使模具制造多晶硅坩堝過程中減少廢料，從而節(jié)省邊料，降低制造成本。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
【公開號】CN205035496
【申請?zhí)枴緾N201520625748
【發(fā)明人】鐘偉, 陸文研
【申請人】無錫舜陽新能源科技有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2015年8月19日