本發(fā)明屬于電磁吸波硅膠片,特別涉及一種高強(qiáng)度吸波硅膠片及制備方法。
背景技術(shù):
1、目前,有效抑制和防止電磁波的輻射和泄漏,主要以屏蔽和吸波為主。電磁波屏蔽是指電磁波的能量被表面反射而使其傳播受阻或減少,它是實(shí)現(xiàn)電磁兼容的有效方法之一,然而反射式屏蔽有許多不足,其使用有諸多限制和不便。吸波材料能夠?qū)㈦姶拍芰课辙D(zhuǎn)化為熱能,貼裝吸波材料能夠抑制腔體諧振,減少設(shè)備向外電磁輻射,提高殼體屏蔽效能,減弱電路本身各部分之間的相互干擾,提高電子設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性。
2、微波收發(fā)組件電磁兼容問(wèn)題主要有:一是各功能模塊電路之間的相互影響,如發(fā)射模塊和接收模塊之間、微波元器件和數(shù)控電路之間、微波元器件之間;二是通道之間的空間相互耦合。電磁隔離需要采用金屬進(jìn)行遮擋,這影響了組件內(nèi)的耦合互聯(lián),也不利于器件的小型化,相對(duì)下采用吸波材料是最經(jīng)濟(jì)有效的解決辦法。吸波硅膠由于其一定的彈性和易粘貼性,在本領(lǐng)域有著較為廣泛的應(yīng)用。
3、隨著器件小型化的發(fā)展,對(duì)硅膠的厚度要求越來(lái)越嚴(yán)格,一般要求硅膠具有5%左右的厚度偏差。目前的吸波硅膠可分為平板硫化和流延法兩種,平板硫化所制備的硅膠面積越大,但由于模具和壓力的矛盾局限,無(wú)法保證厚度均勻,導(dǎo)致力學(xué)性能差;流延法采用雙組分固化,所制備的硅膠力學(xué)性能較差,容易撕裂。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于如何提高吸波硅膠片力學(xué)強(qiáng)度。
2、本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問(wèn)題的:
3、本發(fā)明第一方面提供了一種高強(qiáng)度吸波硅膠片,按照質(zhì)量份數(shù)計(jì)包括以下組分:硅烷偶聯(lián)劑40-60份;吸波材料60-80份;乙烯基硅橡膠100份;氣相白炭黑30份;羥基硅油5份;乙烯基硅油2份;復(fù)配硫化劑11份;所述復(fù)配硫化劑為過(guò)氧化雙(2,4-二氯苯甲酰)和過(guò)氧化二異丙苯按照質(zhì)量比1:0.1混合得到。
4、有益效果:本發(fā)明將硅烷偶聯(lián)劑與吸波材料混合,提高了吸波材料與硅橡膠的相容性和分子間的結(jié)合性,進(jìn)而提高拉伸強(qiáng)度;本發(fā)明加入白炭黑增大與硅橡膠的接觸面積,同時(shí)白炭黑表面的硅醇基較多,通過(guò)氫鍵或者范德華力與聚合物、二氧化硅分子之間產(chǎn)生強(qiáng)力作用,增強(qiáng)硅橡膠的力學(xué)性能。
5、優(yōu)選的,所述吸波材料為碳纖維、石墨烯、碳納米管、鐵氧體或羰基鐵粉其中的一種。
6、本發(fā)明第二方面提供了上述高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,包括以下步驟:
7、(1)將乙醇:水:硅烷偶聯(lián)劑按照質(zhì)量比為1:5:19配制混合溶液,進(jìn)行攪拌醇解,將醇解后的混合溶液噴涂在吸波材料表面上,經(jīng)烘干得到改性吸波材料;
8、(2)將改性吸波材料、乙烯基硅橡膠、氣相白炭黑、羥基硅油、乙烯基硅油和復(fù)配硫化劑按照質(zhì)量份數(shù)進(jìn)行密煉得到混合膠料;
9、(3)采用四輥壓延機(jī)對(duì)混合膠料進(jìn)行壓延成型、烘道硫化、二次硫化,制得高強(qiáng)度吸波硅膠片。
10、優(yōu)選的,所述醇解時(shí)間為40min。
11、優(yōu)選的,所述步驟(1)中使用psc型粉體表面改性機(jī)將混合溶液噴涂在吸波材料表面上。
12、優(yōu)選的,所述烘干溫度為120℃。
13、優(yōu)選的,所述烘道硫化溫度為120℃,時(shí)間為45min。
14、優(yōu)選的,所述二次硫化溫度為150℃,時(shí)間為6min。
15、優(yōu)選的,所述硅烷偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑kh550、硅烷偶聯(lián)劑kh560或硅烷偶聯(lián)劑kh570其中的一種。
16、本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
17、1.本發(fā)明通過(guò)硅烷偶聯(lián)劑對(duì)吸波材料進(jìn)行改性,提高了吸波材料分散性,提高了吸波材料與硅橡膠的相容性和分子間的結(jié)合性,在受到外力時(shí)不易斷裂,進(jìn)而提高拉伸強(qiáng)度;本發(fā)明加入白炭黑增大與硅橡膠的接觸面積,同時(shí)白炭黑表面的硅醇基較多,通過(guò)氫鍵或者范德華力與聚合物、二氧化硅分子之間產(chǎn)生強(qiáng)力作用,增強(qiáng)硅橡膠的力學(xué)性能。
18、2.本發(fā)明對(duì)吸波材料進(jìn)行改性處理,并使用復(fù)配硫化劑,采用四輥壓延機(jī)制備厚度均勻性的硅膠片,并對(duì)硅膠片采用烘道無(wú)壓分段硫化方式進(jìn)行硫化,從而能夠得到大面積、力學(xué)強(qiáng)度高的吸波硅膠片。
1.一種高強(qiáng)度吸波硅膠片,其特征在于,按照質(zhì)量份數(shù)計(jì)包括以下組分:硅烷偶聯(lián)劑40-60份;吸波材料60-80份;乙烯基硅橡膠100份;氣相白炭黑30份;羥基硅油5份;乙烯基硅油2份;復(fù)配硫化劑11份;所述復(fù)配硫化劑為過(guò)氧化雙(2,4-二氯苯甲酰)和過(guò)氧化二異丙苯按照質(zhì)量比1:0.1混合得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片,其特征在于,所述吸波材料為碳纖維、石墨、鈦酸鋇、鐵氧體或羰基鐵粉其中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,其特征在于,所述醇解時(shí)間為40min。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,其特征在于,所述烘干溫度為120℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,其特征在于,所述烘道硫化溫度為120℃,時(shí)間為45min。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,其特征在于,所述二次硫化溫度為150℃,時(shí)間為6min。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,其特征在于,所述硅烷偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑kh550、硅烷偶聯(lián)劑kh560或硅烷偶聯(lián)劑kh570其中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,其特征在于,所述乙烯基硅橡膠為甲基乙烯基硅橡膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高強(qiáng)度吸波硅膠片制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中使用psc型粉體表面改性機(jī)將混合溶液噴涂在吸波材料表面上。