等離子體清洗設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和顯示行業(yè)中的對玻璃基板等進(jìn)行清洗的技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種等離子體清洗設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]冷等離子體具有宏觀溫度低，電子溫度高的特點，其富含高活性激發(fā)態(tài)離子和高能帶電粒子，因而適用于對材料表面的改性和玻璃基板的清洗等工藝中；此外，其還適用于對熱敏材料的處理，在該過程中，其可以減少被處理對象因高溫而變形。而大氣壓冷等離子體不需要真空設(shè)備，可以極大的減少成本和簡化工藝，因此，在對玻璃基板等進(jìn)行清洗時，廣泛使用大氣壓冷等離子體。
[0003]現(xiàn)有顯示面板廠商在對玻璃基板進(jìn)行清洗時，通常所采用的產(chǎn)生等離子體的方式是通過介質(zhì)阻擋(DBD)放電，產(chǎn)生等離子體。這種產(chǎn)生等離子體的方式的缺點是設(shè)備復(fù)雜，能耗高，而且電極材料會對玻璃基板產(chǎn)生污染。
[0004]射流是另一種產(chǎn)生等離子體的方式。用于產(chǎn)生等離子體射流的射流設(shè)備主要包括具有開孔的等離子體發(fā)生筒；所述等離子體發(fā)生筒在其一端將通入到其內(nèi)部的氣體激發(fā)為等離子體，所述等離子體在筒內(nèi)流動，并從所述開孔內(nèi)射出，從而形成等離子體射流。在利用上述射流設(shè)備對玻璃基板進(jìn)行清洗時，放電區(qū)域和工作區(qū)域分離，可以避免電極結(jié)構(gòu)和材料的影響，同時，射流設(shè)備的結(jié)構(gòu)簡單，工作成本低，且穩(wěn)定性高。
[0005]但利用上述射流設(shè)備對玻璃基板進(jìn)行清洗也存在以下問題:
[0006]首先，上述射流設(shè)備射出的等離子體難以對玻璃基板形成全覆蓋，玻璃基板上的部分區(qū)域會沒有等離子體或等離子體的密度較低，從而無法達(dá)到較好的清洗效果。
[0007]其次，等離子體發(fā)生筒的長度和其上開孔的數(shù)量會與等離子體的密度之間相互制約。具體地，等離子體發(fā)生筒的長度越長，開孔的數(shù)量越多，等離子體密度的衰減就越嚴(yán)重，等離子體發(fā)生筒內(nèi)的等離子體的密度均勻性就越低，從而會導(dǎo)致各開孔處等離子體的密度具有較大的差別，從而影響等離子體清洗工藝的均勻性；反之，若使等離子體發(fā)生筒內(nèi)的等離子體分布均勻，就需要等離子體發(fā)生筒的長度短，且開孔的數(shù)量少，這樣一方面會使得等離子體發(fā)生筒的長度小于玻璃基板的邊長，不利于對高世代線的大尺寸玻璃基板進(jìn)行清洗，同時，各開孔之間的間隙變大，使玻璃基板表面的等離子體的密度降低，且均勻性下降，從而會降低對玻璃基板清洗的速度和均勻性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種等離子體清洗設(shè)備，其輸出的等離子體可以將玻璃基板均勻地覆蓋，從而可以實現(xiàn)更好的清洗效果。
[0009]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種等離子體清洗設(shè)備，其包括多個等離子體發(fā)生筒；所述等離子體發(fā)生筒的一端為進(jìn)氣口，另一端為出氣口，每個所述等離子體發(fā)生筒將位于其內(nèi)部的氣體激發(fā)為等離子體；所述多個等離子體發(fā)生筒陣列設(shè)置；且所述多個等離子體發(fā)生筒下端的開孔交錯設(shè)置。
[0010]其中，所述等離子體發(fā)生筒包括筒體，所述筒體的兩端設(shè)置有環(huán)形電極，所述環(huán)形電極環(huán)繞在所述筒體的外側(cè)，且與激勵電源連接。
[0011 ] 其中，所述激勵電源為射頻電源或高壓交流電源。
[0012]其中，所述筒體的材料為石英玻璃。
[0013]其中，每個等離子體發(fā)生筒還包括設(shè)置在其下端每個開孔處的噴管。
[0014]其中，所述等離子體發(fā)生筒上的相鄰開孔之間的間距相同。
[0015]其中，所述等離子體發(fā)生筒上的開孔的直徑小于所述等離子體發(fā)生筒的內(nèi)壁的直徑。
[0016]其中，所述等離子體發(fā)生筒的長度至少大于待清洗的玻璃基板最短的一條邊的邊長。
[0017]其中，所述等離子體發(fā)生筒的進(jìn)氣口設(shè)置有質(zhì)量流量計。
[0018]其中，所述等離子體發(fā)生筒的出氣口設(shè)置有廢氣回收處理裝置。
[0019]其中，所述等離子體發(fā)生筒內(nèi)產(chǎn)生的等離子體為大氣壓冷等離子體。
[0020]其中，所述等離子體發(fā)生筒的各開孔的直徑相同，且相鄰等離子體發(fā)生筒上的開孔錯開的距離等于所述開孔的直徑。
[0021]其中，每個等離子體發(fā)生筒上開孔的數(shù)量不少于10個。
[0022]其中，所述開孔的直徑為6?10毫米。
[0023]其中，所述等離子體發(fā)生筒的數(shù)量不少于10個。
[0024]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0025]本發(fā)明提供的等離子體清洗設(shè)備，其多個等離子體發(fā)生筒陣列設(shè)置，且多個等離子體發(fā)生筒下端的開孔交錯設(shè)置，使各等離子體發(fā)生筒上的開孔在一水平面內(nèi)均勻分布，從而使自開孔射出的等尚子體均勾地覆蓋需要清洗的玻璃基板，與現(xiàn)有技術(shù)相比，對玻璃基板清洗時，減少未被等離子體覆蓋的死角，從而可以保證對玻璃基板的清洗效果。
【附圖說明】
[0026]附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0027]圖1為本發(fā)明提供的等離子體清洗設(shè)備在其實施方式中的示意圖；
[0028]圖2為多個等離子體發(fā)生筒及其開孔的設(shè)置方式的示意圖。
[0029]其中，附圖標(biāo)記:
[0030]1:等離子體發(fā)生筒；2:激勵電源；10:進(jìn)氣口 ；11:出氣口 ；12:開孔；13:筒體；14:環(huán)形電極；15:噴管；K1?K5:開孔；S:玻璃基板；A:等尚子體覆蓋區(qū)域。
【具體實施方式】
[0031]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0032]本發(fā)明提供一種等離子體清洗設(shè)備的實施方式。圖1為本發(fā)明提供的等離子體清洗設(shè)備在其實施方式中的示意圖；圖2為多個等離子體發(fā)生筒及其開孔的設(shè)置方式的示意圖。如圖1及圖2所示，在本實施方式中，所述等離子體清洗設(shè)備包括多個等離子體發(fā)生筒I;所述等離子體發(fā)生筒I的一端為進(jìn)氣口 10，另一端為出氣口 11，每個所述等離子體發(fā)生筒I將位于其內(nèi)部的氣體激發(fā)為等離子體；所述多個等離子體發(fā)生筒I陣列設(shè)置；且所述多個等離子體發(fā)生筒I下端的開孔12交錯設(shè)置。
[0033]如圖2所示，多個等離子體發(fā)生筒I陣列設(shè)置，且多個等離子體發(fā)生筒I下端的開孔12交錯設(shè)置，使各等離子體發(fā)生筒I上的開孔12在一水平面內(nèi)均勻分布，從而使自開孔12射出的等離子體均勻地覆蓋需要清洗的玻璃基板S (圖2中區(qū)域A為從開孔12射出的等尚子體所覆蓋的區(qū)域)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，對玻璃基板S清洗時，減少了未被等尚子體覆蓋的死角，從而可以保證對玻璃基板S的清洗效果。
[0034]如圖1所示，所述等離子體發(fā)生筒I包括筒體13，所述筒體13的兩端設(shè)置有環(huán)形電極14，所述環(huán)形電極14環(huán)繞在所述筒體13的外側(cè)，且與激勵電源2連接。所述激勵電源2具體可以為射頻電源或高