本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。

背景技術(shù)：

1、在用于測量壓力的半導(dǎo)體器件中，在襯底中形成有空腔，在空腔上方形成有敏感膜層，并在敏感膜層兩側(cè)形成有電極，在受到壓力時，敏感膜層發(fā)生形變而產(chǎn)生極化現(xiàn)象，此時能夠通過電極來測量敏感膜層兩側(cè)電勢差，進而計算得到壓力的大小。

2、然而，相關(guān)技術(shù)中的用于測量壓力的半導(dǎo)體器件易發(fā)生性能下降甚至失效等問題，且同批次的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品之間的均勻性和一致性較差。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在
技術(shù)實現(xiàn)要素：
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。

2、針對目前存在的問題，本發(fā)明一方面提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

3、提供第一襯底，所述第一襯底的第一表面上依次形成有第一絕緣層和敏感膜層，所述敏感膜層上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有與所述敏感膜層貼合的第一電極，所述介質(zhì)層露出所述第一電極的部分表面，第一電極引出結(jié)構(gòu)與露出的所述第一電極的表面貼合并延伸至所述介質(zhì)層的表面，所述第一電極引出結(jié)構(gòu)的部分表面上形成有第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)；

4、提供第二襯底，所述第二襯底的第一表面上依次形成有第二絕緣層和焊盤，在所述焊盤的部分表面上形成有第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)；

5、將所述第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)和所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)進行鍵合，以在所述介質(zhì)層和所述第二襯底之間形成空腔；

6、依次去除所述第一襯底和所述第一絕緣層，以露出所述敏感膜層；

7、在所述敏感膜層上形成第二電極，并去除位于所述焊盤上的部分所述介質(zhì)層和所述敏感膜層，以露出所述焊盤的部分表面。

8、示例性地，在所述第二襯底中形成有自所述第二襯底的第一表面延伸至所述第二襯底中的凹槽，所述第二絕緣層、所述焊盤和所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述凹槽的外側(cè)，所述凹槽構(gòu)成所述空腔的一部分。

9、示例性地，所述第一襯底還包括與所述第一襯底的第一表面相背的第二表面，所述第二襯底還包括與所述第二襯底的第一表面相背的第二表面，在所述第一襯底的第二表面上形成有第一對準(zhǔn)標(biāo)記，在所述第二襯底的第二表面上形成有第二對準(zhǔn)標(biāo)記，通過所述第一對準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二對準(zhǔn)標(biāo)記進行對準(zhǔn)以執(zhí)行所述鍵合步驟。

10、示例性地，所述第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)和所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)呈環(huán)狀。

11、示例性地，采用劃片工藝來去除位于所述焊盤上的部分所述介質(zhì)層和所述敏感膜層。

12、示例性地，在去除位于所述焊盤上的部分所述介質(zhì)層和所述敏感膜層之后，所述方法還包括：

13、采用劃片工藝，將所述半導(dǎo)體器件單獨隔開；

14、在露出的所述焊盤的表面上形成第一電極引線，并在所述第二電極的表面上形成第二電極引線。

15、本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

16、第二襯底，第二襯底的第一表面上依次形成有第二絕緣層和焊盤；

17、相互鍵合的第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)和第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)，所述第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)上，所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述焊盤的部分表面上；

18、介質(zhì)層和第一電極引出結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層和所述第二襯底之間形成有空腔，所述介質(zhì)層中形成有第一電極，所述介質(zhì)層露出所述第一電極的部分表面，所述第一電極引出結(jié)構(gòu)與露出的所述第一電極的表面貼合并延伸至所述介質(zhì)層的表面與所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)貼合；

19、敏感膜層，位于所述介質(zhì)層上并與所述第一電極貼合；

20、第二電極，位于所述敏感膜層上。

21、示例性地，還包括位于所述焊盤的表面上的第一電極引線以及位于所述第二電極的表面上的第二電極引線。

22、示例性地，所述第二襯底中還形成有自所述第二襯底的第一表面延伸至所述第二襯底中的凹槽，所述第二絕緣層、所述焊盤和所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述凹槽的外側(cè)，所述凹槽構(gòu)成所述空腔的一部分。

23、本發(fā)明再一方面提供一種電子裝置，所述電子裝置包括上述的半導(dǎo)體器件。

24、本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置，通過將第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)和第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)進行鍵合以形成空腔，能夠精準(zhǔn)地控制空腔的尺寸，同時不需要形成貫穿敏感膜層的釋放孔并通過釋放孔來形成空腔，能夠有效提高產(chǎn)品的均勻性和一致性，并能夠有效降低對敏感膜層的損傷，進而能夠提高器件性能和產(chǎn)品良率。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二襯底中形成有自所述第二襯底的第一表面延伸至所述第二襯底中的凹槽，所述第二絕緣層、所述焊盤和所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述凹槽的外側(cè)，所述凹槽構(gòu)成所述空腔的一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一襯底還包括與所述第一襯底的第一表面相背的第二表面，所述第二襯底還包括與所述第二襯底的第一表面相背的第二表面，在所述第一襯底的第二表面上形成有第一對準(zhǔn)標(biāo)記，在所述第二襯底的第二表面上形成有第二對準(zhǔn)標(biāo)記，通過所述第一對準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二對準(zhǔn)標(biāo)記進行對準(zhǔn)以執(zhí)行所述鍵合步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)和所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)呈環(huán)狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用劃片工藝來去除位于所述焊盤上的部分所述介質(zhì)層和所述敏感膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在去除位于所述焊盤上的部分所述介質(zhì)層和所述敏感膜層之后，所述方法還包括：

7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括位于所述焊盤的表面上的第一電極引線以及位于所述第二電極的表面上的第二電極引線。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二襯底中還形成有自所述第二襯底的第一表面延伸至所述第二襯底中的凹槽，所述第二絕緣層、所述焊盤和所述第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述凹槽的外側(cè)，所述凹槽構(gòu)成所述空腔的一部分。

10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權(quán)利要求7至9之一所述的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置，該方法包括：第一襯底上形成有第一絕緣層和敏感膜層，敏感膜層上形成有介質(zhì)層，介質(zhì)層中形成有第一電極，介質(zhì)層露出第一電極的部分表面，第一電極引出結(jié)構(gòu)與露出的第一電極的表面貼合并延伸至介質(zhì)層的表面，第一電極引出結(jié)構(gòu)上形成有第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)；第二襯底上形成有第二絕緣層和焊盤，在焊盤上形成有第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)；將第一鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)和第二鍵合金屬環(huán)結(jié)構(gòu)進行鍵合，以在敏感膜層和第二襯底之間形成空腔；去除第一襯底和第一絕緣層，以露出敏感膜層；在敏感膜層上形成第二電極，并去除部分介質(zhì)層和敏感膜層，以露出焊盤的部分表面。本發(fā)明能夠提高器件性能和產(chǎn)品良率。

技術(shù)研發(fā)人員：康曉旭,郭佳惠,高晉文,湯添皓,王晉,萬星星
受保護的技術(shù)使用者：潤芯感知科技（南昌）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10