本發(fā)明涉及一種注射器，其配置用于布置在襯底處理設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)，以將氣體注入反應(yīng)室中。注射器可以沿著第一軸線大致伸長，并且配置有沿著第一軸線延伸的內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道，并且設(shè)置有至少一個氣體入口和至少一個氣體出口。注射器可以具有沿著垂直于第一軸線的第二軸線延伸的寬度，該寬度基本大于注射器沿著垂直于第一和第二軸線的第三軸線延伸的深度。

背景技術(shù)：

1、一種用于處理襯底例如半導(dǎo)體晶片的襯底處理設(shè)備(比如立式爐)可以包括放置在鐘罩形處理管周圍的加熱元件。處理管的上端可以是封閉的，例如通過圓頂形結(jié)構(gòu)，而處理管的下端表面可以是開放的。

2、下端可以由凸緣部分地封閉。由管和凸緣界定的內(nèi)部形成反應(yīng)室，待處置的晶片可以在其中被處理。凸緣可以設(shè)置有入口開口，用于將承載晶片的晶片舟皿插入反應(yīng)室。晶片舟皿可被放置在門上，該門被豎直可移動地布置并且配置成封閉凸緣中的入口開口。

3、凸緣可以支撐一個或多個注射器，以向反應(yīng)室提供氣體。為此目的，注射器可以配置有內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道。此外，排氣管可以設(shè)置在凸緣中。該排氣裝置可以連接到真空泵，用于從反應(yīng)室中抽出氣體。由反應(yīng)室中的注射器提供的氣體可以是用于晶片上沉積反應(yīng)的反應(yīng)(處理)氣體。該反應(yīng)氣體也可以沉積在晶片以外的其他表面上，例如它可以沉積在內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道中。這些沉積物形成的層可能會導(dǎo)致注射器堵塞和/或破裂。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、因此，可能需要一種改進(jìn)的注射器。

2、在一實施例中，可以提供一種注射器，其配置用于布置在襯底處理設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)，以將氣體注入反應(yīng)室中，該注射器沿著第一軸線大致伸長，并且配置有沿著第一軸線延伸的內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道，并且設(shè)置有至少一個氣體入口和至少一個氣體出口，并且注射器具有沿著垂直于第一軸線的第二軸線延伸的寬度，該寬度基本大于注射器沿著垂直于第一和第二軸線的第三軸線延伸的深度，其中注射器的壁具有變化的厚度。

3、本發(fā)明的各種實施例可以彼此分開應(yīng)用或者可以組合應(yīng)用。本發(fā)明的實施例將參考附圖中所示的一些示例在詳細(xì)描述中進(jìn)一步闡明。

技術(shù)特征：

1.一種注射器，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿著所述第二軸線具有變化的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿著所述第三軸線具有變化的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿著所述第二和第三軸線在其圓周上具有變化的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿著所述第一軸線具有變化的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道具有基本上橢圓形的橫截面，由此所述內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道沿著第二軸線延伸基本大于內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道沿著第三軸線延伸，其中所述基本橢圓形的橫截面在第二方向的中間被具有增加厚度的壁局部夾縮。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述內(nèi)表面在所述壁的橫截面中具有凸起部分和凹陷部分，在所述橫截面，所述內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道由所述壁圍繞。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述氣體注射器的至少一個氣體入口是在注射器的第一端的單個氣體入口。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的注射器，其中，所述氣體注射器的至少一個氣體出口是在與所述第一端相對的第二端的單個氣體出口。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的注射器，其中，所述注射器沿其長度在與所述第一端相對的第二端的方向上具有多個氣體出口孔。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述注射器在第三方向上的深度朝向第二端減小。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其中，所述內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道在注射器內(nèi)部的水平內(nèi)橫截面積在100和1500mm2之間。

13.一種襯底處理設(shè)備，包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括多個氣體注射器，并且至少一個氣體注射器具有不同的長度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述多個注射器中的最長注射器在所述內(nèi)部延伸，以靠近所述封閉襯套的頂部封閉件。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述多個注射器中的一個最長注射器具有單個氣體出口孔。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述多個注射器中的一個最長注射器具有多個氣體出口孔。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述多個注射器中的最短注射器具有多個氣體出口孔。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述襯套支撐在凸緣上，并且排氣口構(gòu)造和布置在所述襯套和凸緣之間，用于將氣體從所述襯套和管之間的圓周空間移除到所述排氣管。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種注射器，其配置用于布置在襯底處理設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)，以將氣體注入反應(yīng)室中。注射器可以沿著第一軸線伸長，并配置有沿著第一軸線延伸的內(nèi)部氣體傳導(dǎo)通道，并設(shè)置有至少一個氣體入口和至少一個氣體出口。注射器可以具有沿著垂直于第一軸線的第二軸線延伸的寬度，該寬度基本大于注射器沿著垂直于第一和第二軸線的第三軸線延伸的深度。注射器的壁可以具有變化的厚度。

技術(shù)研發(fā)人員：L·C·吉迪拉,C·G·M·德里德
受保護(hù)的技術(shù)使用者：ASM IP私人控股有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/12