專利名稱：一種高溫密封結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種高溫密封結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種密封結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種高溫環(huán)境中使用的密封結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景[0002]高溫密封(大于200攝氏度)通常采用石墨環(huán)密封，利用受壓縮的石墨環(huán)作為密 封體。[0003]但由于受壓縮的石墨環(huán)和密封結(jié)構(gòu)中其他材料的膨脹系數(shù)不同，故而導(dǎo)致高溫 環(huán)境下密封不嚴(yán)或密封力過(guò)大令被密封件損壞。例如，當(dāng)盛放石墨的容器膨脹系數(shù)大于 石墨環(huán)的膨脹系數(shù)或被密封件的膨脹系數(shù)小于石墨環(huán)時(shí)，溫度升高將導(dǎo)致石墨環(huán)變得松 弛而密封不嚴(yán)；反之，則可能導(dǎo)致石墨環(huán)變得更緊，使被密封件因受力過(guò)大而損壞。實(shí)用新型內(nèi)容[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種高溫密封結(jié)構(gòu)，通過(guò)在密封單元外設(shè)置限位單 元，以保證密封單元在高溫環(huán)境下仍具有良好的密封效果。[0005]本實(shí)用新型所述的高溫密封結(jié)構(gòu)，包括用于對(duì)被密封介質(zhì)進(jìn)行密封的密封單 元，所述密封單元外包覆有限位單元。[0006]本實(shí)用新型所述的高溫密封結(jié)構(gòu)中，所述限位單元包括設(shè)置于密封單元外圍的 限位環(huán)。進(jìn)一步的，該限位單元還包括設(shè)置于密封單元受熱變形面的限位墊。[0007]本實(shí)用新型所述的高溫密封結(jié)構(gòu)中，所述密封單元為石墨環(huán)，所述限位環(huán)為膨 脹合金環(huán)，所述限位墊為合金鋁墊或膨脹合金墊。[0008]本實(shí)用新型所述的高溫密封結(jié)構(gòu)中，所述密封單元設(shè)置有限位槽，所述限位環(huán) 設(shè)置有限位件，該限位件卡合于限位槽中。[0009]本實(shí)用新型所述的高溫密封結(jié)構(gòu)中，通過(guò)在密封單元之外包覆了限位單元，以 對(duì)該密封單元的膨脹變形量進(jìn)行限制，從而可以更加貼合被密封介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)更好的密封 效果。


[0010]圖1為本實(shí)用新型所述高溫密封結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
具體實(shí)施方式
[0011]以下配合說(shuō)明書附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式做更詳細(xì)的說(shuō)明，以使本領(lǐng)域技 術(shù)人員在研讀本說(shuō)明書后能據(jù)以實(shí)施。[0012]本實(shí)用新型所述的高溫密封結(jié)構(gòu)，包括用于對(duì)被密封介質(zhì)進(jìn)行密封的密封單 元，由于該密封單元在高溫環(huán)境下與被密封介質(zhì)的膨脹變形量不同，故在該密封單元之 外包覆了限位單元，以對(duì)該密封單元的膨脹變形量進(jìn)行限制，從而可以更加貼合被密封 介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)更好的密封效果。[0013]如圖1所示，以對(duì)柱形玻璃管進(jìn)行密封為例進(jìn)行說(shuō)明。[0014]所述被密封件7為玻璃管，所述密封本體6為不銹鋼材質(zhì)制成的殼體，在該密封 本體6與被密封件7之間為被密封介質(zhì)8。[0015]所述密封單元4為石墨環(huán)，該石墨環(huán)處于密封本體6的內(nèi)壁與被密封件7的外壁 之間。由于石墨環(huán)的膨脹系數(shù)與玻璃管的膨脹系數(shù)不同，因此，若單純采用石墨環(huán)進(jìn)行 密封，勢(shì)必會(huì)產(chǎn)生如現(xiàn)有技術(shù)中所述的密封問(wèn)題。[0016]本實(shí)用新型中，在該石墨環(huán)之外設(shè)置限位單元，以對(duì)密封單元的膨脹變形量進(jìn) 行限制。所述限位單元可為設(shè)置于石墨環(huán)外圍的限位環(huán)3，該限位環(huán)3的膨脹系數(shù)與密封 本體6的膨脹系數(shù)不同，具體可為對(duì)應(yīng)石墨環(huán)形狀的膨脹合金環(huán)。這樣，當(dāng)高溫時(shí)，由 于密封本體6和限位環(huán)3的膨脹系數(shù)不同，使得限位環(huán)3的膨脹量受到限制，并進(jìn)而對(duì)石 墨環(huán)的膨脹量進(jìn)行限制，從而保證密封效果。[0017]進(jìn)一步的，所述限位單元還可包括設(shè)置于密封單元4受熱變形面的限位墊2。仍 以圖1為例，所述密封單元4(即石墨環(huán))的外圍設(shè)置了限位環(huán)3，內(nèi)壁貼附于被密封件 7,右端面與密封本體6接觸，左端面與壓緊螺母1接觸。由于密封本體6的抵頂限制， 使得該石墨環(huán)的左端面為受熱變形面，因此，在該受熱變形面處設(shè)置限位墊2，利用該限 位墊2對(duì)密封單元4的變形量進(jìn)行限制。所述限位墊2的膨脹系數(shù)與壓緊螺母1及密封 本體6的膨脹系數(shù)不同，其具體可為合金鋁墊或膨脹合金墊。[0018]本實(shí)用新型中，為防止設(shè)置于密封單元4外圍的限位環(huán)3產(chǎn)生徑向滑動(dòng)，還在密 封單元4的外表面設(shè)置了限位槽，并在限位環(huán)3上與該限位槽對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置了限位件 5，該限位件5卡合于限位槽中，以防止限位環(huán)相對(duì)于密封單元產(chǎn)生徑向滑動(dòng)。[0019]設(shè)由限位環(huán)3的內(nèi)壁、被密封件7的外壁、密封本體6和限位墊2的下方組成的 容納密封單元4的空腔的體積在常溫和高溫時(shí)分布為V和Vt，則密封單元4常溫的體積 也為V;再設(shè)密封單元4在相同壓緊力情況下自身高溫膨脹后的體積為Vts。高溫時(shí)候的 密封情況可以從Vts和Vt的關(guān)系得出，當(dāng)Vts大于Vt時(shí)，石墨受到更大的壓緊力，反之 石墨受到更小的壓緊力使得密封不嚴(yán)。那么，通過(guò)選擇不同膨脹系數(shù)的限位環(huán)3和限位 墊2的材料及調(diào)整限位墊2的厚度可以達(dá)到最好的高溫密封狀態(tài)，即Vts等于Vt。[0020]以上所述僅為用以解釋本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非企圖據(jù)以對(duì)本實(shí)用新型 做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的創(chuàng)作精神下所作有關(guān)本實(shí)用新型的任何修飾 或變更，皆仍應(yīng)包括在本實(shí)用新型意圖保護(hù)的范疇。
權(quán)利要求1.一種高溫密封結(jié)構(gòu)，包括用于對(duì)被密封介質(zhì)進(jìn)行密封的密封單元，其特征在于， 所述密封單元外包覆有限位單元。
2.如權(quán)利要求1所述的高溫密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述限位單元包括設(shè)置于密封單 元外圍的限位環(huán)。
3.如權(quán)利要求2所述的高溫密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述限位單元還包括設(shè)置于密封 單元受熱變形面的限位墊。
4.如權(quán)利要求3所述的高溫密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述密封單元為石墨環(huán)，所述限 位環(huán)為膨脹合金環(huán)，所述限位墊為合金鋁墊或膨脹合金墊。
5.如權(quán)利要求3所述的高溫密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述密封單元設(shè)置有限位槽，所 述限位環(huán)設(shè)置有限位件，該限位件卡合于限位槽中。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高溫密封結(jié)構(gòu)，包括用于對(duì)被密封介質(zhì)進(jìn)行密封的密封單元，所述密封單元外包覆有限位單元。本實(shí)用新型所述的高溫密封結(jié)構(gòu)中，通過(guò)在密封單元之外包覆了限位單元，以對(duì)該密封單元的膨脹變形量進(jìn)行限制，從而可以更加貼合被密封介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)更好的密封效果。
文檔編號(hào)F16J15/00GK201810762SQ201020562438
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者董國(guó)勝 申請(qǐng)人:北京科普斯特自動(dòng)化儀表有限公司