一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電磁四通閥，尤其涉及電磁四通閥的導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]功耗和開(kāi)閥能力是電磁閥的兩個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)。在設(shè)計(jì)中，既要降低閥的功耗又要保證閥的電磁力足夠。在材料一定的前提下，這個(gè)目標(biāo)一般是通過(guò)調(diào)整線圈匝數(shù)和線徑的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在保證電磁力的條件下，為降低功率損耗，往往需要增加線圈匝數(shù)。但對(duì)于常用的交流電磁閥，當(dāng)匝數(shù)超過(guò)一定值時(shí)，電磁線圈激勵(lì)的磁場(chǎng)強(qiáng)度過(guò)大，導(dǎo)磁部件特別是導(dǎo)磁架很容易達(dá)到磁飽和狀態(tài)，引起軟磁材料的渦流損耗急劇增加，系統(tǒng)整體有效功率與體積(簡(jiǎn)稱功密比，以下同)的比值很低。
[0003]近年來(lái)，隨著非洲等欠發(fā)達(dá)地區(qū)空調(diào)的推廣和普及(電壓波動(dòng)達(dá)到±20% )，這對(duì)電磁四通閥在低電壓下的開(kāi)閥能力、高電壓下的線圈溫升提出了更高的要求(以AC220V電磁閥為例，目前國(guó)標(biāo)要求最低動(dòng)作電壓為< 180V、線圈溫升< 80K)。目前業(yè)內(nèi)家用部分電磁閥的正常開(kāi)閥能力在?80%左右，在電網(wǎng)波動(dòng)電壓(波動(dòng)-20%)時(shí)，極易出現(xiàn)開(kāi)閥不良，噪聲等問(wèn)題。而當(dāng)電網(wǎng)電壓波動(dòng)至260V(波動(dòng)+20% )時(shí)，線圈溫升高達(dá)100K，加速線圈絕緣老化及燒毀。如果能將產(chǎn)品開(kāi)閥電壓進(jìn)一步降低，在低電壓下將具有很重要的現(xiàn)實(shí)意義。
[0004]電磁四通閥各導(dǎo)磁部件之間因安裝及工藝要求需通過(guò)間隙配合連接。因間隙產(chǎn)生的氣隙磁阻及漏磁遠(yuǎn)大于導(dǎo)磁部件本身磁阻。同時(shí)在導(dǎo)磁架與其它導(dǎo)磁部件接觸部位由于接觸面積的減小，接觸部位極易產(chǎn)生磁飽和狀態(tài)。這些因素使得四通閥有效功率顯著降低，功耗增大。為提升開(kāi)閥能力、降低線圈溫升及功耗，現(xiàn)有的技術(shù)解決方案主要是增大線徑及線圈匝數(shù)，但該方案會(huì)增大線圈體積、降低動(dòng)作性能，裝配時(shí)容易與四通閥毛細(xì)管等配件發(fā)生碰撞折彎。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題就是提供一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，降低線圈漏磁，進(jìn)一步減小導(dǎo)磁架局部磁飽和。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，包括安裝于線圈骨架上的導(dǎo)磁架，所述線圈骨架內(nèi)孔在軸向第一端設(shè)有靜鐵芯，在軸向第二端設(shè)有動(dòng)鐵芯，所述線圈骨架在軸向第一端的端面上設(shè)置有導(dǎo)磁片。
[0007]優(yōu)選的，所述導(dǎo)磁片呈圓環(huán)形。
[0008]優(yōu)選的，所述線圈骨架在軸向第一端的端面內(nèi)環(huán)側(cè)設(shè)有內(nèi)環(huán)凸臺(tái)，所述導(dǎo)磁片的內(nèi)環(huán)端面上設(shè)有與內(nèi)環(huán)凸臺(tái)進(jìn)行配合定位的內(nèi)環(huán)凹槽。
[0009]優(yōu)選的，所述導(dǎo)磁片的內(nèi)徑小于線圈骨架內(nèi)孔直徑。
[0010]優(yōu)選的，所述導(dǎo)磁片一側(cè)端面與線圈骨架端面緊密配合，另一側(cè)端面與導(dǎo)磁架緊密配合。
[0011]優(yōu)選的，所述導(dǎo)磁片由導(dǎo)磁率高于導(dǎo)磁架的軟磁材料制成。
[0012]優(yōu)選的，所述動(dòng)鐵芯的外圓面在軸向兩側(cè)各設(shè)有一環(huán)形溝槽。
[0013]優(yōu)選的，所述環(huán)形溝槽在動(dòng)鐵芯軸向兩側(cè)均設(shè)有倒角結(jié)構(gòu)。
[0014]優(yōu)選的，在四通閥通電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架距離為0 < L3 < 2.1 mm，在四通閥斷電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架距離為0 < L5 < 3.7 mm。
[0015]優(yōu)選的，在四通閥通電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架距離為0.5 < L3 < 1.5 mm ;在四通閥斷電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架距離為1.25 ^ L5 ^ 2.75 mm。
[0016]電磁四通閥正常工作時(shí)，磁通回路可分為主磁通和漏磁通兩部分，本實(shí)用新型在不改變線圈匝數(shù)的情況下，通過(guò)在線圈骨架與導(dǎo)磁架之間設(shè)置導(dǎo)磁片，優(yōu)化了電磁四通閥導(dǎo)磁部件結(jié)構(gòu)，降低現(xiàn)有電磁線圈上、下回路過(guò)程漏磁通，降低因套管局部變形而產(chǎn)生的開(kāi)閥不良率，提高線圈有效主磁通，提高有效功率，降低最低動(dòng)作電壓、線圈溫升和功耗。
【附圖說(shuō)明】
[0017]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
[0018]圖1是本實(shí)用新型在四通閥通電狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)圖；
[0019]圖2是本實(shí)用新型在四通閥斷電狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]如圖1和圖2所示，一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，包括安裝于導(dǎo)磁架1上的線圈骨架2，線圈骨架2內(nèi)孔內(nèi)套有套管3，套管3內(nèi)側(cè)在線圈骨架2的軸向第一端設(shè)有靜鐵芯4，在軸向第二端設(shè)有動(dòng)鐵芯5，動(dòng)鐵芯5連接有托架7，動(dòng)鐵芯5在線圈骨架2的內(nèi)孔內(nèi)沿軸向滑動(dòng)，帶動(dòng)托架7及滑塊動(dòng)作，實(shí)現(xiàn)四通閥的換向。
[0021]其中，線圈骨架2在軸向第一端的端面上設(shè)置有導(dǎo)磁片6。導(dǎo)磁片6的設(shè)置可以顯著降低線圈頂部漏磁，進(jìn)一步減小導(dǎo)磁架1的局部磁飽和。
[0022]具體來(lái)說(shuō)，導(dǎo)磁片6呈圓環(huán)形，導(dǎo)磁片6的內(nèi)徑小于線圈骨架2內(nèi)孔直徑，導(dǎo)磁片6 一側(cè)端面與線圈骨架2的端面緊密配合，另一側(cè)端面與導(dǎo)磁架1緊密配合，因此導(dǎo)磁片6幾乎正好可以覆蓋線圈骨架2的軸向第一端頂部，減少線圈的頂部漏磁。為了使到導(dǎo)磁片
6與線圈骨架2配合緊密，線圈骨架2在軸向第一端的端面內(nèi)環(huán)側(cè)設(shè)有內(nèi)環(huán)凸臺(tái)21，導(dǎo)磁片6的內(nèi)環(huán)端面上設(shè)有與內(nèi)環(huán)凸臺(tái)21進(jìn)行配合定位的內(nèi)環(huán)凹槽61。其中，導(dǎo)磁片6由導(dǎo)磁率遠(yuǎn)高于導(dǎo)磁架1的軟磁材料制成，如冷乳或熱乳硅鋼片，以達(dá)到較小的結(jié)構(gòu)，而又可以顯著降低線圈頂部漏磁的效果。
[0023]進(jìn)一步的，動(dòng)鐵芯5的外圓面在軸向兩側(cè)各設(shè)有一環(huán)形溝槽51。該環(huán)形溝槽51在動(dòng)鐵芯軸5向兩側(cè)均設(shè)有倒角結(jié)構(gòu)。如圖1所示，在四通閥通電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯5軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架1距離為0 < L3 < 2.1 mm。如圖2所示，在四通閥斷電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯5軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架1距離為0 < L5 < 3.7 mm。
[0024]進(jìn)一步的較佳選擇，在四通閥通電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯5軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架1距離為0.5 < L3 < 1.5 mm ;在四通閥斷電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯5軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架1距離為1.25 < L5 < 2.75 mm。
[0025]上述結(jié)構(gòu)可以明顯增大動(dòng)鐵芯5運(yùn)動(dòng)時(shí)與套管3底部?jī)?nèi)壁之間的工作間隙，降低因套管3徑向變形所產(chǎn)生的動(dòng)鐵芯5卡死、抖動(dòng)等開(kāi)閥不良。同時(shí)，由于托架7處磁路面積的減小，此結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步提尚磁路閉合后主磁路磁通，提尚有效功率。
[0026]綜上，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠有效減少現(xiàn)有電磁線圈回路過(guò)程的漏磁通，降低電磁閥各導(dǎo)磁部件之間的漏磁率，提高線圈有效主磁通，提高有效功率，同時(shí)降低套管局部變形產(chǎn)生的開(kāi)閥不良，提高開(kāi)閥動(dòng)作電壓一致性，降低最低動(dòng)作電壓、線圈溫升和功耗。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，包括安裝于線圈骨架上的導(dǎo)磁架，所述線圈骨架內(nèi)孔在軸向第一端設(shè)有靜鐵芯，在軸向第二端設(shè)有動(dòng)鐵芯，其特征在于:所述線圈骨架在軸向第一端的端面上設(shè)置有導(dǎo)磁片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)磁片呈圓環(huán)形。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述線圈骨架在軸向第一端的端面內(nèi)環(huán)側(cè)設(shè)有內(nèi)環(huán)凸臺(tái)，所述導(dǎo)磁片的內(nèi)環(huán)端面上設(shè)有與內(nèi)環(huán)凸臺(tái)進(jìn)行配合定位的內(nèi)環(huán)凹槽。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)磁片的內(nèi)徑小于線圈骨架內(nèi)孔直徑。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)磁片一側(cè)端面與線圈骨架端面緊密配合，另一側(cè)端面與導(dǎo)磁架緊密配合。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)磁片由導(dǎo)磁率高于導(dǎo)磁架的軟磁材料制成。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述動(dòng)鐵芯的外圓面在軸向兩側(cè)各設(shè)有一環(huán)形溝槽。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述環(huán)形溝槽在動(dòng)鐵芯軸向兩側(cè)均設(shè)有倒角結(jié)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:在四通閥通電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架距離為0 < L3 < 2.1 mm，在四通閥斷電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架距離為0 < L5 < 3.7 mm。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于:在四通閥通電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架距離為0.5 < L3 < 1.5 mm ;在四通閥斷電狀態(tài)下，動(dòng)鐵芯軸向第二端的環(huán)形溝槽的第一端距離導(dǎo)磁架距離為1.25 ^ L5 ^ 2.75mm ο
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電磁閥導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，包括安裝于線圈骨架上的導(dǎo)磁架，所述線圈骨架內(nèi)孔在軸向第一端設(shè)有靜鐵芯，在軸向第二端設(shè)有動(dòng)鐵芯，所述線圈骨架在軸向第一端的端面上設(shè)置有導(dǎo)磁片。本實(shí)用新型優(yōu)化了電磁四通閥導(dǎo)磁部件結(jié)構(gòu)，降低電磁線圈上、下回路過(guò)程漏磁通。
【IPC分類】F16K31/06
【公開(kāi)號(hào)】CN204985939
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520539458
【發(fā)明人】王新建, 崔明
【申請(qǐng)人】浙江盾安禾田金屬有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月20日
【申請(qǐng)日】2015年7月23日