專利名稱：一種光伏陣列i-v特性測試裝置及其測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測試裝置及其測試方法，尤其涉及一種光伏陣列1-V特性測試裝置及其測試方法。
背景技術(shù)：
光伏陣列作為光伏發(fā)電系統(tǒng)中的核心部件之一，其實(shí)際發(fā)電量往往容易受自身內(nèi)部因素和外界環(huán)境因素影響，因此，為較準(zhǔn)確對(duì)實(shí)際光伏系統(tǒng)發(fā)電量進(jìn)行預(yù)估，須對(duì)現(xiàn)場安裝的光伏陣列進(jìn)行相應(yīng)測試。光伏陣列1-V測試儀便是一種對(duì)光伏陣列進(jìn)行現(xiàn)場測試的裝置，以獲得光伏陣列伏安特性曲線，從而為光伏電站控制及設(shè)計(jì)水品評(píng)價(jià)提供參考數(shù)據(jù)。目前光伏陣列1-V測試儀通常采用動(dòng)態(tài)電容充電的方法，主電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，其基本工作原理是，首先將開關(guān)S2打開，通過電阻R1放電回路將電容仏儲(chǔ)存電荷放完，保持電容C1處于零電壓初始狀態(tài)。然后關(guān)斷開關(guān)S2同時(shí)打開開關(guān)S1進(jìn)行測試，開關(guān)S1開通瞬間由于電容阻抗幾乎為零即負(fù)載最大，光伏陣列相當(dāng)于短路，所采集的電流即為短路電流。其中，DSP通過發(fā)出信號(hào)V T2對(duì)開關(guān)S1、開關(guān)S2進(jìn)行控制；ADC對(duì)通過陣列電流A與陣列電壓V進(jìn)行采樣。隨后在光伏陣列充電下，電容電壓逐漸升高，陣列電流慢慢減小，也就相當(dāng)于光伏陣列負(fù)載減小。最后當(dāng)電容電壓上升到陣列開路電壓時(shí)，充電電流降為零，此時(shí)相當(dāng)于負(fù)載為零，測得電壓即為光伏陣列開路電壓。通過記錄這一工作過程的電壓電流值，就可得到光伏陣列的ι-v曲線，并在顯示屏上進(jìn)行顯示。然而，盡管這一方法可獲得光伏陣列1-V曲線，但主要存在以下不足:由于采用電容器作為可變負(fù)載，電流的大小對(duì)充放電時(shí)間影響很大，因此，不同的日照強(qiáng)度，其充放電時(shí)間變化較大，如果電壓電流變化太快，則會(huì)影響測量精度。如果要滿足電壓電流變化率要求，就必須增加 電容量，也就是增加體積和重量。此外，由于電流電壓不存在穩(wěn)定狀態(tài)，在測量精度校驗(yàn)方面存在困難。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)目前光伏陣列1-V測試裝置存在的上述不足，本發(fā)明提供一種體積小、重量輕、成本低且可靠性高的光伏陣列1-V測試裝置及其測試方法。本發(fā)明僅采用場效應(yīng)功率管(MOSFET)作為主電路功率開關(guān)，省去一般光伏陣列1-V測試儀中的電容器組及放電回路，根據(jù)MOSFET控制特性，通過控制MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓Ves大小來模擬待測光伏陣列的負(fù)載，從而得到待測光伏陣列的ι-v曲線。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種光伏陣列1-V特性測試裝置，其用于測量待測光伏陣列的1-V特性，該測試裝置包括控制電路、以及均與該控制電路電性連接的驅(qū)動(dòng)電路與顯示電路，該驅(qū)動(dòng)電路還電性連接于該待測光伏陣列，其中:該驅(qū)動(dòng)電路為至少一個(gè)場效應(yīng)功率管，該控制電路用于通過控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves的大小來改變該待測光伏陣列的輸出電流大小，以模擬該待測光伏陣列的可變負(fù)載，同時(shí)還用于在不同負(fù)載下采樣該待測光伏陣列的電壓值和電流值，該顯示電路用于顯示該待測光伏陣列在不同負(fù)載下的該電壓值和該電流值，并根據(jù)不同負(fù)載下的該電壓值和該電流值描繪出該待測光伏陣列的1-V曲線。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，該控制電路具有與該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)控制端，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的柵極電性連接于該控制電路的相應(yīng)控制端，源極與漏極分別連接于該待測光伏陣列的輸入端與輸出端，因而當(dāng)場效應(yīng)功率管的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所有的場效應(yīng)功率管呈并聯(lián)的連接方式。優(yōu)選地，該控制電路包括電壓和電流采樣調(diào)理電路、以及數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路，該電壓和電流采樣調(diào)理電路用于采集該待測光伏陣列的電壓值和電流值，該至少一個(gè)控制端設(shè)置在該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路上，該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路還電性連接于該顯示電路與該電壓和電流采樣調(diào)理電路之間。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，該顯示電路為PC機(jī)或液晶屏。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves形成的曲線為任意曲線。優(yōu)選地，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves形成的曲線為斜線。本發(fā)明還提供一種光伏陣列1-V特性測試方法，其應(yīng)用于上述光伏陣列1-V特性測試裝置中。該測試裝置包括控制電路、以及均與該控制電路電性連接的驅(qū)動(dòng)電路與顯示電路，該驅(qū)動(dòng)電路還電性連接于該待測光伏陣列，其中:該驅(qū)動(dòng)電路為至少一個(gè)場效應(yīng)功率管，該控制電路用于通過控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves的大小來改變該待測光伏陣列的輸出電流大小，以模擬該待測光伏陣列的可變負(fù)載，同時(shí)還用于在不同負(fù)載下采樣該待測光伏陣列的電壓值和電流值，該顯示電路用于顯示該待測光伏陣列在不同負(fù)載下的該電壓值和該電流值，并根據(jù)不同負(fù)載下的該電壓值和該電流值描繪出該待測光伏陣列的1-V曲線。該測試方法包括以下步驟:(Ttci起始階段，該控制電路控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves從零開始增加，這一階段由于該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves小于門檻電壓vth，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管處于關(guān)斷狀態(tài)，該待測光伏陣列開路，采樣期間該待測光伏陣列的電壓和電流，該待測光伏陣列的電壓即為開路電壓Utl，該待測光伏陣列的電流則為零；階段，該控制電路控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves繼續(xù)增加，由于驅(qū)動(dòng)電壓Ves大于門檻電壓vth，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管導(dǎo)通工作于飽和區(qū)，此時(shí)該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管等效為一個(gè)電壓控制電流源，該待測光伏陣列的電流增大同時(shí)伴隨著該待測光伏陣列的電壓減小，在時(shí)刻，驅(qū)動(dòng)電壓Ves增加到最大值，此時(shí)該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管相當(dāng)于短路，該待測光伏陣列的電流也增加到最大值即為短路狀態(tài)，同時(shí)該待測光伏陣列的電壓下降為零；trt2階段，該控制電路控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves保持不變，維持一定時(shí)間短路狀態(tài)后，在t2時(shí)刻封鎖該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在IcTt2時(shí)間內(nèi)，該控制電路實(shí)時(shí)采集該待測光伏陣列的電壓值和電流值，并由該顯示電路顯示數(shù)據(jù)及描繪顯示陣列1-V曲線，所得該待測光伏陣列的1-V曲線。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，該控制電路具有與該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)控制端，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的柵極電性連接于該控制電路的相應(yīng)控制端，源極與漏極分別連接于該待測 光伏陣列的輸入端與輸出端，因而當(dāng)場效應(yīng)功率管的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所有的場效應(yīng)功率管呈并聯(lián)的連接方式。優(yōu)選地，該控制電路包括電壓和電流采樣調(diào)理電路、以及數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路，該電壓和電流采樣調(diào)理電路用于采集該待測光伏陣列的電壓值和電流值，該至少一個(gè)控制端設(shè)置在該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路上，該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路還電性連接于該顯示電路與該電壓和電流采樣調(diào)理電路之間。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves形成的曲線為任意曲線。與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的光伏陣列1-V測試裝置及其測試方法，其電路結(jié)構(gòu)簡單，僅由一 MOSFET (或多個(gè)并聯(lián))組成，利用MOSFET控制特性來模擬待測光伏陣列的負(fù)載，省去了一般光伏陣列1-V測試儀中電容器和輔助放電回路，因而系統(tǒng)裝置無論從體積和成本，還是從可靠性方面，都具有極大優(yōu)勢，目前動(dòng)態(tài)電容法中，一旦電容確定則充電時(shí)間固定，測量過程不可控，而本發(fā)明中MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓Ves曲線并非一定為斜線，可通過該控制電路的數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路設(shè)定任意曲線，從而得到不同的光伏陣列負(fù)載曲線，這也使得測試精度大大提高且控制更為靈活。


圖1是目前光伏陣列1-V測試儀的主電路結(jié)構(gòu)圖。圖2是本發(fā)明較佳實(shí)施方式提供的光伏陣列1-V特性測試裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖1中測試裝置的場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Ves控制及待測光伏陣列的電壓電流示意圖。圖4是應(yīng)用圖1中測試裝置獲得的光伏陣列1-V測試曲線示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。請(qǐng)參閱圖2，其是本發(fā)明較佳實(shí)施方式提供的光伏陣列1-V特性測試裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖。光伏陣列1-V特性測試裝置用于測量待測光伏陣列I的1-V特性，該測試裝置包括控制電路2、以及均與該控制電路2電性連接的驅(qū)動(dòng)電路3與顯示電路4，該驅(qū)動(dòng)電路3還電性連接于該待測光伏陣列I。該驅(qū)動(dòng)電路3為至少一個(gè)場效應(yīng)功率管(MOSFET) S11,在本實(shí)施方式中，場效應(yīng)功率管S11的數(shù)量以一個(gè)為例進(jìn)行舉例說明。該控制電路2通過控制場效應(yīng)功率管S11的驅(qū)動(dòng)電壓Ves的大小來改變該待測光伏陣列I的輸出電流大小，以模擬該待測光伏陣列I的可變負(fù)載，同時(shí)還用于在不同負(fù)載下采樣該待測光伏陣列I的電壓值和電流值。該控制電路2包括電壓和電流采樣調(diào)理電路(ADC)
5、以及數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路(DSP) 6。

數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路6設(shè)置有與場效應(yīng)功率管S11數(shù)量相同的控制端T11,場效應(yīng)功率管S11的柵極G電性連接于相應(yīng)的控制端T11,源極S與漏極D分別連接于該待測光伏陣列I的輸入端與輸出端，因而當(dāng)場效應(yīng)功率管S11的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所有的場效應(yīng)功率管S11呈并聯(lián)的連接方式。該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路6還電性連接于該顯示電路4與該電壓和電流采樣調(diào)理電路5之間。該電壓和電流采樣調(diào)理電路5用于采集該待測光伏陣列I的電壓值和電流值。該顯示電路4用于顯示該待測光伏陣列I在不同負(fù)載下的該電壓值和該電流值，并根據(jù)不同負(fù)載下的該電壓值和該電流值描繪出該待測光伏陣列I的1-V曲線。該顯示電路4可為顯示屏、顯示器或PC機(jī)，在本實(shí)施方式中為顯示屏。在光伏發(fā)電系統(tǒng)中，為準(zhǔn)確預(yù)估光伏陣列發(fā)電量，須現(xiàn)場對(duì)光伏陣列在不同負(fù)載下的伏安特性進(jìn)行測試。因而，作為光伏陣列1-V曲線測試裝置(即光伏陣列1-V特性測試裝置)，需要滿足兩點(diǎn):一是負(fù)載模擬；二是不同負(fù)載下光伏陣列電壓電流信號(hào)采集。本實(shí)施方式的光伏陣列1-V曲線測試裝置的驅(qū)動(dòng)電路3僅有一個(gè)MOSFET組成，該測試裝置的基本工作原理是:系統(tǒng)通過對(duì)功率管MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓控制，進(jìn)而控制MOSFET漏源電流即光伏陣列輸出電流，利用MOSFET漏源電流變化來模擬光伏陣列I的可變負(fù)載，同時(shí)快速采集這一工作過程下陣列電壓和電流值，以獲得光伏陣列ι-ν曲線。請(qǐng)結(jié)合圖3，本實(shí)施方式的光伏陣列1-V曲線測試裝置的具體工作過程為:如圖3中的(a)所示，(Ttci起始階段，利用數(shù)字信號(hào)處理器DSP(也可采用其他主控芯片如單片機(jī)等)的數(shù)模DA轉(zhuǎn)換器，即數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路6，使MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓Ves從零開始增加，這一階段由于MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓Ves小于門檻電壓Vth，MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，待測光伏陣列I開路，期間待測光伏陣列I的電壓即為開路電壓U。(如圖3(c)所示)，待測光伏陣列I的電流則為零。利用電壓電流傳感器檢測光伏陣列電壓電流值并保存，此時(shí)所測得電壓即為待測光伏陣列I的開路電壓％。
·
階段，通過DSP數(shù)模DA轉(zhuǎn)換器繼續(xù)增加驅(qū)動(dòng)電壓Ves，由于驅(qū)動(dòng)電壓Ves大于門檻電壓Vth，MOSFET導(dǎo)通工作于飽和區(qū)，此時(shí)MOSFET等效為一個(gè)電壓控制電流源，該待測光伏陣列I的電流增大同時(shí)伴隨著該待測光伏陣列I的電壓減小，如圖3(b)和(c)所示。這里MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓Ves曲線并非一定為斜線，可通過DSP數(shù)模DA控制器設(shè)定任意曲線，從而得到不同的待測光伏陣列I的負(fù)載曲線，這也使得控制更為靈活。從圖3中可看出，在t!時(shí)刻，驅(qū)動(dòng)電壓Ves增加到最大值，此時(shí)MOSFET相當(dāng)于短路，待測光伏陣列I的電流也增加到最大值即為短路狀態(tài)，同時(shí)待測光伏陣列I的電壓下降為零。trt2時(shí)間內(nèi)，保持驅(qū)動(dòng)電壓Ves不變，維持一定時(shí)間短路狀態(tài)后，在t2時(shí)刻封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)Ves。在IcTt2時(shí)間內(nèi)，AD采樣電路即電壓和電流采樣調(diào)理電路5實(shí)時(shí)采集待測光伏陣列I的電壓值和電流值，并送入DSP主控芯片，經(jīng)DSP處理后通過通訊接口傳送至顯示屏，由顯示屏顯示數(shù)據(jù)及描繪顯示陣列1-V曲線，所得光伏陣列1-V曲線示意圖如圖4所示。由此可見，通過MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓控制的方法，可模擬得到不同負(fù)載下光伏陣列的1-V曲線，與一般光伏陣列ι-v測試儀相比，本發(fā)明的測試裝置中省去了電容器和放電電路，具有體積小、重量輕以及成本低等優(yōu)勢?？偸撬觯景l(fā)明的光伏陣列1-V測試裝置及其測試方法，其電路結(jié)構(gòu)簡單，僅由一 MOSFET (或多個(gè)并聯(lián))組成，利用MOSFET控制特性來模擬待測光伏陣列的負(fù)載，省去了一般光伏陣列ι-v測試儀中電容器和輔助放電回路，因而系統(tǒng)裝置無論從體積和成本，還是從可靠性方面，都具有極大優(yōu)勢，且測試精度得到大大提高；MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓Ves曲線并非一定為斜線，可通過該控制電路的數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路設(shè)定任意曲線，從而得到不同的光伏陣列負(fù)載曲線，這也使得控制更為靈活。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任 何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光伏陣列1-V特性測試裝置，其用于測量待測光伏陣列的1-V特性，該測試裝置包括控制電路、以及均與該控制電路電性連接的驅(qū)動(dòng)電路與顯示電路，該驅(qū)動(dòng)電路還電性連接于該待測光伏陣列，其特征在于:該驅(qū)動(dòng)電路為至少一個(gè)場效應(yīng)功率管，該控制電路用于通過控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves的大小來改變該待測光伏陣列的輸出電流大小，以模擬該待測光伏陣列的可變負(fù)載，同時(shí)還用于在不同負(fù)載下采樣該待測光伏陣列的電壓值和電流值，該顯示電路用于顯示該待測光伏陣列在不同負(fù)載下的該電壓值和該電流值，并根據(jù)不同負(fù)載下的該電壓值和該電流值描繪出該待測光伏陣列的1-V曲線。
2.如權(quán)利要求1所述的光伏陣列1-V特性測試裝置，其特征在于:該控制電路具有與該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)控制端，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的柵極電性連接于該控制電路的相應(yīng)控制端，源極與漏極分別連接于該待測光伏陣列的輸入端與輸出端，因而當(dāng)場效應(yīng)功率管的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所有的場效應(yīng)功率管呈并聯(lián)的連接方式。
3.如權(quán)利要求2所述的光伏陣列1-V特性測試裝置，其特征在于:該控制電路包括電壓和電流采樣調(diào)理電路、以及數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路，該電壓和電流采樣調(diào)理電路用于采集該待測光伏陣列的電壓值和電流值，該至少一個(gè)控制端設(shè)置在該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路上，該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路還電性連接于該顯示電路與該電壓和電流采樣調(diào)理電路之間。
4.如權(quán)利要求1所述的光伏陣列1-V特性測試裝置，其特征在于:該顯示電路為PC機(jī)或液晶屏。
5.如權(quán)利要求1所述的光伏陣列1-V特性測試裝置，其特征在于:該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves形成的曲線為任意曲線。
6.如權(quán)利要求5所述的光伏陣列1-V特性測試裝置，其特征在于:該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves形成 的曲線為斜線。
7.一種光伏陣列1-V特性測試方法，其應(yīng)用于如權(quán)利要求1所述的光伏陣列1-V特性測試裝置中，其特征在于:該測試方法包括以下步驟: O^t0起始階段，該控制電路控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves從零開始增力口，這一階段由于該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves小于門檻電壓vth，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管處于關(guān)斷狀態(tài)，該待測光伏陣列開路，采樣期間該待測光伏陣列的電壓和電流，該待測光伏陣列的電壓即為開路電壓Utl，該待測光伏陣列的電流則為零； Ct1階段，該控制電路控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves繼續(xù)增加，由于驅(qū)動(dòng)電壓Ves大于門檻電壓vth，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管導(dǎo)通工作于飽和區(qū)，此時(shí)該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管等效為一個(gè)電壓控制電流源，該待測光伏陣列的電流增大同時(shí)伴隨著該待測光伏陣列的電壓減小，在時(shí)刻，驅(qū)動(dòng)電壓Ves增加到最大值，此時(shí)該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管相當(dāng)于短路，該待測光伏陣列的電流也增加到最大值即為短路狀態(tài)，同時(shí)該待測光伏陣列的電壓下降為零； trt2階段，該控制電路控制該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves保持不變，維持一定時(shí)間短路狀態(tài)后，在t2時(shí)刻封鎖該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在tcTt2時(shí)間內(nèi)，該控制電路實(shí)時(shí)采集該待測光伏陣列的電壓值和電流值，并由該顯示電路顯示數(shù)據(jù)及描繪顯示陣列1-V曲線，所得該待測光伏陣列的1-V曲線。
8.如權(quán)利要求7所述的光伏陣列1-V特性測試方法，其特征在于:該控制電路具有與該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)控制端，該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的柵極電性連接于該控制電路的相應(yīng)控制端，源極與漏極分別連接于該待測光伏陣列的輸入端與輸出端，因而當(dāng)場效應(yīng)功率管的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所有的場效應(yīng)功率管呈并聯(lián)的連接方式。
9.如權(quán)利要求8所述的光伏陣列1-V特性測試方法，其特征在于:該控制電路包括電壓和電流采樣調(diào)理電路、以及數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路，該電壓和電流采樣調(diào)理電路用于采集該待測光伏陣列的電壓值和電流值，該至少一個(gè)控制端設(shè)置在該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路上，該數(shù)據(jù)處理DSP最小系統(tǒng)電路還電性連接于該顯示電路與該電壓和電流采樣調(diào)理電路之間。
10.如權(quán)利要求7所述的光伏陣列1-V特性測試方法，其特征在于:該至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓Ves形成的曲線為 任意曲線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光伏陣列I-V特性測試裝置及其測試方法。該測試裝置用于測量待測光伏陣列的I-V特性，其包括控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、顯示電路。驅(qū)動(dòng)電路為至少一個(gè)場效應(yīng)功率管，該控制電路用于通過控制至少一個(gè)場效應(yīng)功率管的驅(qū)動(dòng)電壓VGS的大小來改變待測光伏陣列的輸出電流大小，以模擬待測光伏陣列的可變負(fù)載，同時(shí)還用于在不同負(fù)載下采樣待測光伏陣列的電壓值和電流值。該顯示電路顯示待測光伏陣列在不同負(fù)載下的電壓值和電流值，并由此描繪出該待測光伏陣列的I-V曲線。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于僅采用場效應(yīng)功率管(MOSFET)作為控制電路的功率開關(guān)，因而體積小、重量輕、成本低且可靠性高。本發(fā)明還公開了該測試裝置的測試方法。
文檔編號(hào)G01R31/26GK103235250SQ20131012403
公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月11日
發(fā)明者張健, 杜燕, 賴紀(jì)東, 劉寧, 蘇建徽, 張國榮 申請(qǐng)人:合肥工業(yè)大學(xué)