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一種太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的標(biāo)定系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:11152153閱讀:622來源:國知局
一種太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的標(biāo)定系統(tǒng)的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)測試技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的標(biāo)定系統(tǒng)。



背景技術(shù):

太赫茲波是電磁波譜上介于微波與紅外光之間的電磁波,其頻率在0.1~10THz左右,兼有微波與紅外光兩個頻段的特性。相比于微波信號,太赫茲波的波長較小,適合于大信號帶寬和窄天線波束的實現(xiàn),可獲得目標(biāo)的精細(xì)成像,從而有利于目標(biāo)的識別;相比于紅外光信號,太赫茲波對非極性和弱極性介質(zhì)材料具有更強(qiáng)的透射能力,可穿透云煙、識破偽裝,適用于復(fù)雜戰(zhàn)場環(huán)境,同時回波具有更好的相參性,具備更高的抗干擾能力。在軍事應(yīng)用的一個重要發(fā)展方向,因此迫切需要太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的測試和標(biāo)定

現(xiàn)有技術(shù)中的多種太赫茲器件測量解決方案中,用戶能夠基于毫米波信號源和毫米波網(wǎng)絡(luò)分析儀經(jīng)過頻率擴(kuò)展器可以測量頻率高達(dá)1.1THz的太赫茲器件性能參數(shù),但無法測試太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的標(biāo)定系統(tǒng),可以滿足太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)的閉環(huán)測試,可標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)的探測靈敏度,同時提供大帶寬太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)的目標(biāo)模擬回波。

為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):一種太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的標(biāo)定系統(tǒng),其特點是,用于對待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)進(jìn)行參數(shù)標(biāo)定,該標(biāo)定系統(tǒng)包含:

上下變頻子系統(tǒng),與待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)連接,所述的上下變頻子系統(tǒng)包含第一衰減器、第一諧波混頻器、第二衰減器及第二諧波混頻器;

中頻延時子系統(tǒng),與所述的上下變頻子系統(tǒng)連接,所述的中頻延時子系統(tǒng)包含中頻延時模塊及中頻信號衰減器;

中央處理器,與所述的中頻延時子系統(tǒng)連接;其中

所述的第一衰減器與所述的待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)連接,用于將接收的待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)發(fā)射的太赫茲信號進(jìn)行衰減;

所述的第一諧波混頻器與第一衰減器連接,用于將衰減后的太赫茲信號下變頻到中頻信號;

所述的中頻延時模塊與第一諧波混頻器連接,用于將中頻信號進(jìn)行延時處理,形成中頻目標(biāo)模擬回波信號;

所述的中頻衰減器與中頻延時模塊連接,用于調(diào)節(jié)中頻目標(biāo)模擬回波信號的功率;

所述的第二諧波混頻器與中頻衰減器連接,用于將中頻目標(biāo)模擬回波信號上變頻至太赫茲信號頻段;

所述的第二衰減器與第二諧波混頻器連接,用于將太赫茲信號頻段的目標(biāo)模擬回波信號進(jìn)行衰減,然后發(fā)送至待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng);

所述的中央處理器分別與所述的中頻延時模塊及中頻衰減器連接,用于根據(jù)目標(biāo)模型產(chǎn)生控制信號數(shù)據(jù),控制中頻延時模塊產(chǎn)生中頻目標(biāo)模擬回波信號。

所述的上下變頻子系統(tǒng)還包含一本振信號發(fā)生器,所述的本振信號發(fā)生器分別與所述的第一諧波混頻器及第二諧波混頻器連接,用于產(chǎn)生本振頻率。

所述的本振信號發(fā)生器調(diào)整的本振頻率范圍在5~20GHz之間,使下變頻的中頻輸出在DC~2.5GHz,且信號帶寬為2GHz。

所述的標(biāo)定系統(tǒng)的工作頻率范圍為170GHz~260GHz之間,并且中心頻率可調(diào)。

所述的標(biāo)定系統(tǒng)的工作帶寬范圍0.5~2GHz之間,并且工作帶寬可調(diào)。

所述的標(biāo)定系統(tǒng)的可承受信號功率大于100mW,脈沖寬度范圍為2μs~1ms之間,脈沖重復(fù)頻率的范圍為500Hz~15kHz之間。

所述的第一衰減器與第二衰減器的參數(shù)相同,并且,均為170GHz~260GHz,0~30dB的可變衰減器。

所述的第一諧波混頻器與第二諧波混頻器的參數(shù)相同,并且,均為0GHz~260GHz,16次諧波混頻器。

所述的中頻延時模塊為一單路光電延時模塊,所述的單路光電延時模塊包含依次通過光路連接的第一隔離器、激光器、第一光開關(guān)、光纖組、第二光開關(guān)、探測器、放大器及第二隔離器。

所述的中頻延時模塊為一多路光電延時模塊,所述的多路光電延時模塊包含依次通過光路連接的第一隔離器、激光器、光分束器、若干個第一光開關(guān)、若干個光纖組、若干個第二光開關(guān)、光合束器、探測器、放大器及第二隔離器,其中,所述的光分束器通道數(shù)、光合束器的通道數(shù)、第一光開關(guān)的個數(shù)、光纖組的個數(shù)及第二光開關(guān)的個數(shù)對應(yīng)。

本發(fā)明一種太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的標(biāo)定系統(tǒng)與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點:本發(fā)明在更換第一諧波混頻器和第二諧波混頻器的情況下,產(chǎn)生大帶寬太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)的目標(biāo)模擬回波,可應(yīng)用與太赫茲各頻段的雷達(dá)系統(tǒng)測試標(biāo)定。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的標(biāo)定系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖;

圖2為單路光電延時模塊的原理框圖;

圖3多路光電延時模塊的原理框圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖,通過詳細(xì)說明一個較佳的具體實施例,對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。

現(xiàn)有技術(shù)中太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)通常采用線性調(diào)頻脈沖(也可改成調(diào)頻連續(xù)波)工作體制。LFM矩形脈沖信號的解析表達(dá)式可寫成:

其中,Arect(t/T)表示信號包絡(luò),T表示脈沖寬度,f0表示載波頻率,k表示調(diào)頻斜率。

太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)點目標(biāo)回波為:

其中,B表示目標(biāo)回波衰減系數(shù),Arect(t/T)表示信號包絡(luò),T表示脈沖寬度,f0表示載波頻率,k表示調(diào)頻斜率,τ表示延時時間。

太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)體目標(biāo)回波為:

從式(2)及式(3)中來看將太赫茲信號變頻到中頻,通過中頻延時系統(tǒng)產(chǎn)生多路點目標(biāo)信號生成體目標(biāo)信號是完全可行的,再經(jīng)過中頻衰減器和太赫茲波段衰減器的調(diào)節(jié),產(chǎn)生太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)的目標(biāo)回波,因此太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)可以標(biāo)定系統(tǒng)太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)的靈敏度和接收鏈路的增益等系統(tǒng)參數(shù)。

一種太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)參數(shù)的標(biāo)定系統(tǒng),如圖1所示,用于對待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)100進(jìn)行參數(shù)標(biāo)定,該標(biāo)定系統(tǒng)包含:上下變頻子系統(tǒng)200,與待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)100連接,所述的上下變頻子系統(tǒng)200包含第一衰減器201、第一諧波混頻器202、第二衰減器203及第二諧波混頻器204;中頻延時子系統(tǒng)300,與所述的上下變頻子系統(tǒng)200連接,所述的中頻延時子系統(tǒng)300包含中頻延時模塊301及中頻信號衰減器302;中央處理器400,與所述的中頻延時子系統(tǒng)300連接,中央處理器400為一計算機(jī);其中,所述的第一衰減器201與所述的待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)100連接,用于將接收的待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)100發(fā)射的太赫茲信號進(jìn)行衰減(將信號功率調(diào)整到第一諧波混頻器202的射頻端所承受的信號功率范圍,第一衰減器201的衰減量可調(diào)以適應(yīng)不同的待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng));所述的第一諧波混頻器202與第一衰減器201連接,用于將衰減后的太赫茲信號下變頻到中頻信號;所述的中頻延時模塊301與第一諧波混頻器202連接,用于將中頻信號進(jìn)行延時處理及其它參數(shù)處理,形成中頻目標(biāo)模擬回波信號;所述的中頻衰減器302與中頻延時模塊301連接,用于調(diào)節(jié)中頻目標(biāo)模擬回波信號的功率;所述的第二諧波混頻器204與中頻衰減器302連接,用于將中頻目標(biāo)模擬回波信號上變頻至太赫茲信號頻段;所述的第二衰減器203與第二諧波混頻器204連接,用于將太赫茲信號頻段的目標(biāo)模擬回波信號進(jìn)行衰減,然后發(fā)送至待標(biāo)定太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)100;所述的中央處理器400分別與所述的中頻延時模塊301及中頻衰減器302連接,用于根據(jù)目標(biāo)模型產(chǎn)生控制信號數(shù)據(jù),控制中頻延時模塊301產(chǎn)生中頻目標(biāo)模擬回波信號。

在本實施例中,所述的上下變頻子系統(tǒng)200還包含一本振信號發(fā)生器205,所述的本振信號發(fā)生器205分別與所述的第一諧波混頻器202及第二諧波混頻器204連接,用于產(chǎn)生本振頻率;較佳地,本振信號發(fā)生器205調(diào)整的本振頻率范圍在5~20GHz之間,使下變頻的中頻輸出在DC~2.5GHz,且信號帶寬為2GHz。

在本實施例中,較佳地,標(biāo)定系統(tǒng)的工作頻率范圍為170GHz~260GHz之間,并且中心頻率可調(diào);工作帶寬范圍0.5~2GHz之間,并且工作帶寬可調(diào);可承受信號功率大于100mW,脈沖寬度范圍為2μs~1ms之間,脈沖重復(fù)頻率的范圍為500Hz~15kHz之間。

在本實施例中,較佳地,第一衰減器201與第二衰減器203的參數(shù)相同,并且,均為170GHz~260GHz,0~30dB的可變衰減器;第一諧波混頻器202與第二諧波混頻器204的參數(shù)相同,并且,均為0GHz~260GHz,16次諧波混頻器。

為保證中頻延時系統(tǒng)的工作頻率為大帶寬工作,且要實現(xiàn)信號延時,中頻延時模塊301可以采用一個單路光電延時模塊,如圖2所示,所述的單路光電延時模塊包含依次通過光路連接的第一隔離器3011、衰減器3012、激光器3013、第一光開關(guān)3014、光纖組3015、第二光開關(guān)3016、探測器3017、放大器3018及第二隔離器3019。單路光電延時模塊將第一諧波混頻器202與本振信號發(fā)生器205下變頻產(chǎn)生的中頻信號通過激光器3013調(diào)制到光信號上,通過第一光開關(guān)3014、光纖組3015的信號傳輸,信號在光纖傳輸形成信號延時,即通過光纖組3015不同長度的光纖,形成不同延時值,因此通過切換第一光開關(guān)3014、第二光開關(guān)3016,可選擇不同的延遲值,延時后的光信號通過探測器3017解調(diào)出延時后的中頻信號,延時后的中頻信號,通過放大器3018,第二隔離器3019延時后的中頻信號送至中頻衰減器302,通過中頻衰減器302調(diào)整信號的幅度大小。調(diào)整幅度后具有延時特性的中頻信號經(jīng)過第二諧波混頻器204與本振信號發(fā)生器205上變頻至太赫茲頻段(170GHz~260GHz)產(chǎn)生出目標(biāo)回波信號。

在本發(fā)明的另外一個實施例中,中頻延時模塊301根據(jù)太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)體目標(biāo)回波的要求,可以采用一個多路光電延時模塊,如圖3所示,所述的多路光電延時模塊包含依次通過光路連接的第一隔離器3011、衰減器3012、激光器3013、光分束器3020、若干個第一光開關(guān)3014、若干個光纖組3015、若干個第二光開關(guān)3016、光合束器3021、探測器3017、放大器3018及第二隔離器3019,其中,所述的光分束器3020通道數(shù)、光合束器3021的通道數(shù)、第一光開關(guān)3014的個數(shù)、光纖組3015的個數(shù)及第二光開關(guān)3016的個數(shù)對應(yīng),所述的其實質(zhì)是在單路光電延時模塊上增加光分束器3020和光合束器3021,完成多路點目標(biāo)信號的延時和合成,再根據(jù)中頻衰減器調(diào)整信號的幅度,形成中頻頻段的體目標(biāo)信號,之后通過上變頻產(chǎn)生太赫茲頻段體目標(biāo)信號,較佳地,在本實施例中,產(chǎn)生7點體目標(biāo)回波信號,每點目標(biāo)信號有8路延時。

盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細(xì)介紹,但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后,對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。

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